JPS62282437A - 半導体ウエハ処理用急速加熱冷却装置 - Google Patents
半導体ウエハ処理用急速加熱冷却装置Info
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- JPS62282437A JPS62282437A JP12472786A JP12472786A JPS62282437A JP S62282437 A JPS62282437 A JP S62282437A JP 12472786 A JP12472786 A JP 12472786A JP 12472786 A JP12472786 A JP 12472786A JP S62282437 A JPS62282437 A JP S62282437A
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- infrared ray
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- lamps
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 abstract description 2
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- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 abstract 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
本発明は、特に大口径のものに好適な半導体ウェハ処理
用急速加熱冷却装置に関する。
用急速加熱冷却装置に関する。
（（２１Ｅ米の技術）
急速加熱冷却技術は、ＭＯ８ＬＳＩの有用なプロセス技
術として、ここ数年めざましい発展を遂げているが、そ
の方法の玉流として赤外線ランプ加熱が早くから注目さ
れている。
術として、ここ数年めざましい発展を遂げているが、そ
の方法の玉流として赤外線ランプ加熱が早くから注目さ
れている。
この赤外線ランプを用いた従来の急速加熱冷却装置とし
て１石英製丸管（高純度雰囲気下での処理の場合、真空
置換を行なうため１機械的強度の上から丸ａであること
が望ましい。）から成るウェハ処理用チャンバ内に管軸
に沿ってウェハを配置し、丸管の外壁に沿い且つウェハ
の上下面に対向して赤外縁ランプを配設したものが矧ら
れている。
て１石英製丸管（高純度雰囲気下での処理の場合、真空
置換を行なうため１機械的強度の上から丸ａであること
が望ましい。）から成るウェハ処理用チャンバ内に管軸
に沿ってウェハを配置し、丸管の外壁に沿い且つウェハ
の上下面に対向して赤外縁ランプを配設したものが矧ら
れている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、最近の半導体ウエノ・は、６１ンチ、８
インチのように大口径のものが玉流になりつつあるので
、上記の従来装置によれば。
インチのように大口径のものが玉流になりつつあるので
、上記の従来装置によれば。
上部ヒータと下部ヒータの間隔が犬きくなり、加熱能力
が低下する不都合？伴なう。また、ウェハ処理用チャン
バには、無駄なスペースが増えるため、その熱容１が増
加し、亀速加熱冷却が困難になると共に真空を始めとす
る各柚雰囲気生成の時間が低下しウェハの処理速妃が低
下する不都合を伴なう。
が低下する不都合？伴なう。また、ウェハ処理用チャン
バには、無駄なスペースが増えるため、その熱容１が増
加し、亀速加熱冷却が困難になると共に真空を始めとす
る各柚雰囲気生成の時間が低下しウェハの処理速妃が低
下する不都合を伴なう。
＜ ｔ’、ｉ照点を解決するための手段）本発明は、従
来装置の上記のような不都合を解消することをその目的
とするもので、１対のベルジャを対向配置してウェハ処
理用チャンバを形成し、該１対のベルジャにそれぞれ対
向して互いに直交する赤外線ランプを配設し、該チャン
バ内に配置するウェハの一面及び他面に互いに直交する
冷却ガス吹付は用ノズルをそれぞれ配設したことを特徴
とする。
来装置の上記のような不都合を解消することをその目的
とするもので、１対のベルジャを対向配置してウェハ処
理用チャンバを形成し、該１対のベルジャにそれぞれ対
向して互いに直交する赤外線ランプを配設し、該チャン
バ内に配置するウェハの一面及び他面に互いに直交する
冷却ガス吹付は用ノズルをそれぞれ配設したことを特徴
とする。
（実施例）
以下本発明の実力例を図面につき説明する。
図中（１＋）（ｂ）は、同一形状の石英製ベルジャ、（
２ンは例えば５つの部材（２ｔ）（２ｚｌ（２ｘｌ（２
Ｊ（２ｓ）を積み重ねて形成さ、れｔ装置本体で、ベル
ジャ（１１）（ｈ）は該５つの部材＜２１）〜（２６）
を績み重ねる時その縁部が該部材で挾まれて固足され、
部材（２３）とともにウェハ処理用チャンバ（３）全形
成している。
２ンは例えば５つの部材（２ｔ）（２ｚｌ（２ｘｌ（２
Ｊ（２ｓ）を積み重ねて形成さ、れｔ装置本体で、ベル
ジャ（１１）（ｈ）は該５つの部材＜２１）〜（２６）
を績み重ねる時その縁部が該部材で挾まれて固足され、
部材（２３）とともにウェハ処理用チャンバ（３）全形
成している。
該チャンバ（３）内のはｙ中央には、石英製ウェハホル
ダ（４）が配設され、また該ホルダ（４）に載置するウ
ェハ（５）に近接する上方及び下方の対称装置にそれぞ
れ例えば４本の冷却ガ／及び雰囲気ガス吹付は用ノズル
（６Ｉ）及び（６２）が互いに直交して装着されている
。前記ベルジャ（１り及び（１２）の上方及び下方には
、互いに平行な例えば９本の赤外線ランプ（７１）及び
（７２）とランプハウス（８Ｉ）及び（８２）とがそれ
ぞれ配置され部材（２５）及び（２Ｉ）にそれぞれ固着
されており、該赤外線ランプ（７１）及びランプハウス
（８１〕と赤外線ラン２″（７り及びランプハウス（８
２）とは互いに直交して配置されている。
ダ（４）が配設され、また該ホルダ（４）に載置するウ
ェハ（５）に近接する上方及び下方の対称装置にそれぞ
れ例えば４本の冷却ガ／及び雰囲気ガス吹付は用ノズル
（６Ｉ）及び（６２）が互いに直交して装着されている
。前記ベルジャ（１り及び（１２）の上方及び下方には
、互いに平行な例えば９本の赤外線ランプ（７１）及び
（７２）とランプハウス（８Ｉ）及び（８２）とがそれ
ぞれ配置され部材（２５）及び（２Ｉ）にそれぞれ固着
されており、該赤外線ランプ（７１）及びランプハウス
（８１〕と赤外線ラン２″（７り及びランプハウス（８
２）とは互いに直交して配置されている。
前記チャンバ（３）は、Ｓ材（２３）にそれぞれ形成さ
れた孔（９１）及び（９ｔ）を介して高真空排気装置０
０及び廃ガス処理装ａｉａｎに連なつ１おり、ノズル（
６Ｉ）及びノズル（６２）は、これ等に連なる部材（２
３）の孔Ｑ２″ｆ、介して互いに切換え接続されるガス
混合器α３及び冷却制御装置α→に連結されている。
れた孔（９１）及び（９ｔ）を介して高真空排気装置０
０及び廃ガス処理装ａｉａｎに連なつ１おり、ノズル（
６Ｉ）及びノズル（６２）は、これ等に連なる部材（２
３）の孔Ｑ２″ｆ、介して互いに切換え接続されるガス
混合器α３及び冷却制御装置α→に連結されている。
ベルジャ（１１）及び（１２）の上方及び下方に配設さ
れた赤外線ランプ（７Ｉ）及び（７２）は変圧器α９及
び出力１０９を弁して交流電源に接続され、該出力装置
帖は、ＰＩＤコントローラαη及ヒマヒマルチプログ２
７ｍ２介システムコントローラ（Ｌ’Ｊに接続され、マ
ルチ２′ログラマ［相］にはウェハ（５）に配置した熱
電対鎖の出力が入力するようになっている。
れた赤外線ランプ（７Ｉ）及び（７２）は変圧器α９及
び出力１０９を弁して交流電源に接続され、該出力装置
帖は、ＰＩＤコントローラαη及ヒマヒマルチプログ２
７ｍ２介システムコントローラ（Ｌ’Ｊに接続され、マ
ルチ２′ログラマ［相］にはウェハ（５）に配置した熱
電対鎖の出力が入力するようになっている。
図中（２１＋）（２ｈ）は１部材（２４）及び（２２）
の孔（イ）を介して外部から導入した室温の空気を赤外
線ランプ（７＋） （７２）により生じた熱気と交換す
る熱気排気管で、該熱気排気管を介して熱気排気するこ
とにより加熱時ではベルジャ（１１）（１２）の耐熱性
等が高１９、冷却時には冷却速度が高まって生産性が向
上するだけでなく、コールドウオールの条件に近くなる
。
の孔（イ）を介して外部から導入した室温の空気を赤外
線ランプ（７＋） （７２）により生じた熱気と交換す
る熱気排気管で、該熱気排気管を介して熱気排気するこ
とにより加熱時ではベルジャ（１１）（１２）の耐熱性
等が高１９、冷却時には冷却速度が高まって生産性が向
上するだけでなく、コールドウオールの条件に近くなる
。
かくてこの実施例の赤外線ランプ（７１）及び（ｈ）ｔ
”点灯すると、チャンバ（３）は上下間の距離が短く、
その結果赤外線ランプ（７１）（７２）がウェハ（５）
の上下に近僧して配置されているので、ウェハ（７）は
急速に加熱される。また、赤外線ランプ（７１）と（７
ｔ）は直交して配設されているので。
”点灯すると、チャンバ（３）は上下間の距離が短く、
その結果赤外線ランプ（７１）（７２）がウェハ（５）
の上下に近僧して配置されているので、ウェハ（７）は
急速に加熱される。また、赤外線ランプ（７１）と（７
ｔ）は直交して配設されているので。
ウェハ（５）はその全面に亘って均一の温度に７ＪＩｌ
熱され、また赤外線ランプ（７１）と（７２）への印加
電力を調節することによりウェハ（！１１）の温度分布
を２次元について調節することができる６また、冷却制
ｍ装ｖａ４１’ｒ作動さぜ、ノズ／’（６＋）及び（６
，）からウェハ（５）の上下面にヘリウム等の冷却ガス
を吹付けると、ノズル（６１）と（６２）は互いに直交
するので、ウェハ（５）の全面は均一に冷却される。
熱され、また赤外線ランプ（７１）と（７２）への印加
電力を調節することによりウェハ（！１１）の温度分布
を２次元について調節することができる６また、冷却制
ｍ装ｖａ４１’ｒ作動さぜ、ノズ／’（６＋）及び（６
，）からウェハ（５）の上下面にヘリウム等の冷却ガス
を吹付けると、ノズル（６１）と（６２）は互いに直交
するので、ウェハ（５）の全面は均一に冷却される。
またチャンバ（３）の容積が最小限になり熱害ｔ？小さ
くできるので、ウェハ（５）は急速に冷却されるだけで
なく、指足の雰囲気を短時間に生成できる。
くできるので、ウェハ（５）は急速に冷却されるだけで
なく、指足の雰囲気を短時間に生成できる。
尚、実施例では、冷却ガスと雰囲気ガスの吹付けにノズ
ルを共用しているが、別個のノズルを用いることができ
る。
ルを共用しているが、別個のノズルを用いることができ
る。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によるときは。
クエへを急速に刀口熱及び冷却することができると共に
ウェハの温［−均一にすることができる等の効果を有す
る。
ウェハの温［−均一にすることができる等の効果を有す
る。
第１図は本発明の１実施例の側方断面図、第２図は、冷
却制御装置等に接続されｆｃ第１図示の実施例のＡ−入
線断面図である。 （１０００ｇ）・・・ベルジャ （２）・・・装置不俸
（３）・・・チャンバ （４）・・・ホルダ（５
）・・・ウェハ （６１）（６ｚ）・・・冷却ガス及び雰囲気ガス吹付は
用ノズル （７＋）（７ｚ）・・・赤外線ランプ 特許出願人 真空理工 株式会社 第１図
却制御装置等に接続されｆｃ第１図示の実施例のＡ−入
線断面図である。 （１０００ｇ）・・・ベルジャ （２）・・・装置不俸
（３）・・・チャンバ （４）・・・ホルダ（５
）・・・ウェハ （６１）（６ｚ）・・・冷却ガス及び雰囲気ガス吹付は
用ノズル （７＋）（７ｚ）・・・赤外線ランプ 特許出願人 真空理工 株式会社 第１図
Claims (1)
- １対のベルジヤを対向配置してウェハ処理用チャンバを
形成し、該１対のベルジヤにそれぞれ対向して互いに直
交する赤外線ランプを配設し、該チャンバ内に配置する
ウェハの一面及び他面に互いに直交する冷却ガス吹付け
用ノズルをそれぞれ配設したことを特徴とする半導体ウ
ェハ処理用急速加熱冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12472786A JPS62282437A (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | 半導体ウエハ処理用急速加熱冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12472786A JPS62282437A (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | 半導体ウエハ処理用急速加熱冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62282437A true JPS62282437A (ja) | 1987-12-08 |
Family
ID=14892609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12472786A Pending JPS62282437A (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | 半導体ウエハ処理用急速加熱冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62282437A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0274081A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-14 | Katsuhiko Seki | 薄膜発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP2755369B2 (ja) * | 1992-02-25 | 1998-05-20 | エージー．アソシェーツ、インコーポレイテッド | 放射加熱された冷壁リアクタにおける減圧下での半導体材料の気相ドーピング |
| WO1999003138A1 (en) * | 1997-07-11 | 1999-01-21 | Asm America, Inc. | Substrate cooling system |
| US6108937A (en) * | 1998-09-10 | 2000-08-29 | Asm America, Inc. | Method of cooling wafers |
| US6259062B1 (en) | 1999-12-03 | 2001-07-10 | Asm America, Inc. | Process chamber cooling |
| US6461801B1 (en) | 1999-05-27 | 2002-10-08 | Matrix Integrated Systems, Inc. | Rapid heating and cooling of workpiece chucks |
| JP2003526940A (ja) * | 2000-03-17 | 2003-09-09 | マットソン サーマル プロダクツ インコーポレイテッド | 基板の局部加熱および局部冷却 |
| JP2004503108A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-01-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体基板の熱処理 |
| US6905333B2 (en) | 2002-09-10 | 2005-06-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Method of heating a substrate in a variable temperature process using a fixed temperature chuck |
| US6957690B1 (en) | 1998-09-10 | 2005-10-25 | Asm America, Inc. | Apparatus for thermal treatment of substrates |
| JP2008166706A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-17 | Applied Materials Inc | 副処理平面を使用する急速伝導冷却 |
-
1986
- 1986-05-31 JP JP12472786A patent/JPS62282437A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6578287B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-06-17 | Asm America, Inc. | Substrate cooling system and method |
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| US6259062B1 (en) | 1999-12-03 | 2001-07-10 | Asm America, Inc. | Process chamber cooling |
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| US6905333B2 (en) | 2002-09-10 | 2005-06-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Method of heating a substrate in a variable temperature process using a fixed temperature chuck |
| US7485190B2 (en) | 2002-09-10 | 2009-02-03 | Axcelis Technologies, Inc. | Apparatus for heating a substrate in a variable temperature process using a fixed temperature chuck |
| JP2008166706A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-17 | Applied Materials Inc | 副処理平面を使用する急速伝導冷却 |
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