JPS62284590A - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
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- JPS62284590A JPS62284590A JP12591786A JP12591786A JPS62284590A JP S62284590 A JPS62284590 A JP S62284590A JP 12591786 A JP12591786 A JP 12591786A JP 12591786 A JP12591786 A JP 12591786A JP S62284590 A JPS62284590 A JP S62284590A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- cold cathode
- image forming
- accelerating electrode
- cathode member
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
[産業上の利用分野]
本発明は画像形成装置に関し、特に、冷陰極型の固体電
子ビーム発生部材を用いた画像形成装置に関するもので
ある。
子ビーム発生部材を用いた画像形成装置に関するもので
ある。
[開示の概要]
本明細書及び図面は、冷陰極型の固体電子ビ−ム発生部
材を用いた画像形成装置において、加速電極に流れる電
流値を検出し、検出した電流値から電子ビームの放出量
が適正な値となるように各電源部の電圧を制御すること
により、カソード部材自身の昇温か防止できるようにし
たものである。
材を用いた画像形成装置において、加速電極に流れる電
流値を検出し、検出した電流値から電子ビームの放出量
が適正な値となるように各電源部の電圧を制御すること
により、カソード部材自身の昇温か防止できるようにし
たものである。
[従来の技術]
従来、この種の画像形成装置に用いられる冷陰極型固体
電子ビーム発生部材(以下、冷陰極型カソード部材と称
す)は、動作温度が低く、電子発生密度(電流密度)が
高い等の理由から1表示装置や記録装置等への応用が考
えられており、様々な提案がなされている。
電子ビーム発生部材(以下、冷陰極型カソード部材と称
す)は、動作温度が低く、電子発生密度(電流密度)が
高い等の理由から1表示装置や記録装置等への応用が考
えられており、様々な提案がなされている。
第5図は従来の冷陰極カソード部材の説明図である。第
5図に示された冷陰極型カソード部材は、特開昭58−
14429号において開示されたもので、P−n接合を
有する半導体に逆方向の電圧を供給することにより電子
ビームを発生するものである。
5図に示された冷陰極型カソード部材は、特開昭58−
14429号において開示されたもので、P−n接合を
有する半導体に逆方向の電圧を供給することにより電子
ビームを発生するものである。
第5図において、lはシリコンのP型半導体、2はシリ
コンのn型半導体、3はP−n vc合半導体に逆バイ
アスを印加するための電極、4は絶縁体、5は電子の発
生する窓、6は発生した電子を加速−するための加速電
極、7は電子ビームの量を測定するための検出子、8は
7で検出した電子ビームを電流密度として表示する電流
計、9はP−n接合半導体に電圧を印加するための電源
。
コンのn型半導体、3はP−n vc合半導体に逆バイ
アスを印加するための電極、4は絶縁体、5は電子の発
生する窓、6は発生した電子を加速−するための加速電
極、7は電子ビームの量を測定するための検出子、8は
7で検出した電子ビームを電流密度として表示する電流
計、9はP−n接合半導体に電圧を印加するための電源
。
10は加速電極6に電圧を印加するための電源である。
上記構成において、P−n接合半導体に電源9から所定
の逆方向電圧を印加すると、半導体内部は電子なだれ降
服を生じる。この結果、P−n接合半導体付近の電子は
大きな運動エネルギーを得ることになり、電子は窓5か
ら外部へ放出される。
の逆方向電圧を印加すると、半導体内部は電子なだれ降
服を生じる。この結果、P−n接合半導体付近の電子は
大きな運動エネルギーを得ることになり、電子は窓5か
ら外部へ放出される。
放出された電子は、5〜150 Vの定電圧が印加され
た加速電極によってさらに引出し加速されて電子ビーム
となる。
た加速電極によってさらに引出し加速されて電子ビーム
となる。
[発明が解決しようとする問題点]
従来、これらの画像形成装置は動作中に冷陰極型カソー
ド部材の温度が高くなり、電子ビームの放出量が変化す
るため、これを補正するために冷陰極型カソード部材の
駆動電圧を逐次変える必要があり、連続的に動作するこ
とがむずかしいという欠点があった0例えば、CRTの
カソード部にこの種の冷陰極型カソード部材を用いると
、カソード自身の温度が高くなり1発生する電子ビーム
の量が変化するため適正輝度が得られないという欠点が
あった。しかも、再び適正な輝度を得るためにはカソー
ドを冷やす必要があり、連続的に動作することがむずか
しかった。
ド部材の温度が高くなり、電子ビームの放出量が変化す
るため、これを補正するために冷陰極型カソード部材の
駆動電圧を逐次変える必要があり、連続的に動作するこ
とがむずかしいという欠点があった0例えば、CRTの
カソード部にこの種の冷陰極型カソード部材を用いると
、カソード自身の温度が高くなり1発生する電子ビーム
の量が変化するため適正輝度が得られないという欠点が
あった。しかも、再び適正な輝度を得るためにはカソー
ドを冷やす必要があり、連続的に動作することがむずか
しかった。
本発明は、上記従来例の欠点を除去し、冷陰極型固体電
子ビーム発生部材の温度上昇による動作不良を改良する
と同時に、連続動作が可能な画像形成装置を提供するこ
とを目的とするものである。
子ビーム発生部材の温度上昇による動作不良を改良する
と同時に、連続動作が可能な画像形成装置を提供するこ
とを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、冷陰極カソード部材と、この部材より発生し
た電子ビームを引き出す加速電極部材と、前記電子ビー
ムを変調する部材と、前記電子ビームを偏向する部材と
、前記電子ビームを用いた画像形成部材よりなる画像形
成装置であって、前記加速電極部材へ流れる電流値を検
出する検出手段と、検出した電流値に比例した制御信号
を出力する制御手段とを備え、この制御手段からの制御
信号を、前記冷陰極カソード部材または加速電極部材の
電源部に供給することにより、前記冷陰極カソード部材
からの電子ビーム量を一定に保つようにしたことを特徴
とするものである。
た電子ビームを引き出す加速電極部材と、前記電子ビー
ムを変調する部材と、前記電子ビームを偏向する部材と
、前記電子ビームを用いた画像形成部材よりなる画像形
成装置であって、前記加速電極部材へ流れる電流値を検
出する検出手段と、検出した電流値に比例した制御信号
を出力する制御手段とを備え、この制御手段からの制御
信号を、前記冷陰極カソード部材または加速電極部材の
電源部に供給することにより、前記冷陰極カソード部材
からの電子ビーム量を一定に保つようにしたことを特徴
とするものである。
[作 用]
加速電極へ流れた電流が検出手段により検出され、その
電流値が制御手段に送−られると、この電流値に比例し
た制御信号が制御手段より出力される。この制御信号が
冷陰極カソード部材の電源部にフィードバックされると
、電源部からの駆動電圧が変動し、冷陰極カソード部材
からの電子ビームの電流量が適正値に調節される。一方
、前記制御信号が加速電極部材の電源部にフィードバッ
クされると、電源部から供給される加速電極の電圧が変
動し、加速電極から冷陰極カソード部材へ流れる電流が
制御され、電子ビームの電流量が調節される。
電流値が制御手段に送−られると、この電流値に比例し
た制御信号が制御手段より出力される。この制御信号が
冷陰極カソード部材の電源部にフィードバックされると
、電源部からの駆動電圧が変動し、冷陰極カソード部材
からの電子ビームの電流量が適正値に調節される。一方
、前記制御信号が加速電極部材の電源部にフィードバッ
クされると、電源部から供給される加速電極の電圧が変
動し、加速電極から冷陰極カソード部材へ流れる電流が
制御され、電子ビームの電流量が調節される。
[実施例]
第5図に示した冷陰極カソード部材を真空容器内に入れ
、電源9によりIOVの逆方向電圧をP−n接合半導体
に印加するととも龜、加速電極6に50Vの正電圧を印
加したところ、検出子7で検出した電流(電子発生量)
は、印加直後14mAあったものが徐々に増加し、50
膳Aに達したところでP−n接合半導体は熱破壊した。
、電源9によりIOVの逆方向電圧をP−n接合半導体
に印加するととも龜、加速電極6に50Vの正電圧を印
加したところ、検出子7で検出した電流(電子発生量)
は、印加直後14mAあったものが徐々に増加し、50
膳Aに達したところでP−n接合半導体は熱破壊した。
この現象は、一般にP−n接合半導体が動作時間ととも
に昇温し、そのためP−n接合半導体中のキャリア密度
が増加することが原因と考えられている。又、その昇温
する時間はP−n接合半導体の構造やこれを支持する部
材、もしくは昇温防止用放熱板の構造により著しく異な
り、熱破壊までの時間は数秒から数十分程である。
に昇温し、そのためP−n接合半導体中のキャリア密度
が増加することが原因と考えられている。又、その昇温
する時間はP−n接合半導体の構造やこれを支持する部
材、もしくは昇温防止用放熱板の構造により著しく異な
り、熱破壊までの時間は数秒から数十分程である。
実施例1
第1図は本発明の第1の実施例を示す冷陰極カソード部
材の説明図である。図中、1〜8は第4図の同符号のも
のと対応している。 11はP−n半導体に電圧を印加
するための駆動電源、12は加速電極6に電圧を印加す
るための加速電極電源、13は加速電源12から加速電
極6及び窓5を通りP−n接合半導体に流れる電流■l
t−測定するための電流計、’14は電流I+ を適正
値にするために駆動電源11へ負帰還をかけるフィード
バック回路である。
材の説明図である。図中、1〜8は第4図の同符号のも
のと対応している。 11はP−n半導体に電圧を印加
するための駆動電源、12は加速電極6に電圧を印加す
るための加速電極電源、13は加速電源12から加速電
極6及び窓5を通りP−n接合半導体に流れる電流■l
t−測定するための電流計、’14は電流I+ を適正
値にするために駆動電源11へ負帰還をかけるフィード
バック回路である。
上記構成において、窓5から放出された電子のうち、加
速電極6に流込む電子の量(電流I+)は電流計13に
より測定され、残りの電子(電流I2)は検出子まで到
達する。実際の画像形成装置においては、この残りの電
子を利用して画像形成が行なわれる0本発明者らは種々
の実験により、電流工1 と電流I2が比例関係にあり
、電流II を常に適当な値に調節すれば、電流I2を
安定に流すことが可能であることを見い出したものであ
る。
速電極6に流込む電子の量(電流I+)は電流計13に
より測定され、残りの電子(電流I2)は検出子まで到
達する。実際の画像形成装置においては、この残りの電
子を利用して画像形成が行なわれる0本発明者らは種々
の実験により、電流工1 と電流I2が比例関係にあり
、電流II を常に適当な値に調節すれば、電流I2を
安定に流すことが可能であることを見い出したものであ
る。
この実施例は、電流計13により電流11を検出し、電
流I+が適正値から異なる場合は、フィードバック回路
14により駆動電源11の電圧を変化させ、P−n接合
半導体より発生する電子の量を調節し、電流工1を適正
値に帰還させるように構成したものである。したがって
フィードバック回路14は、電流IIが小さいときには
電子放出量を増やし、電流工1が大きいときには電子放
出量を減するように駆動電源11の電圧を調節するよう
に設定されている。このような冷陰極カソード部材を使
用し、電流工2が適正電流14mAとなるよう動作制御
したところ、電流変化量は±5%以内であった。
流I+が適正値から異なる場合は、フィードバック回路
14により駆動電源11の電圧を変化させ、P−n接合
半導体より発生する電子の量を調節し、電流工1を適正
値に帰還させるように構成したものである。したがって
フィードバック回路14は、電流IIが小さいときには
電子放出量を増やし、電流工1が大きいときには電子放
出量を減するように駆動電源11の電圧を調節するよう
に設定されている。このような冷陰極カソード部材を使
用し、電流工2が適正電流14mAとなるよう動作制御
したところ、電流変化量は±5%以内であった。
第2図は上記冷陰極カソード部材を用いたCRTディス
プレイ装置の断面図であり、図中15は内部が真空に維
持されているガラス容器、1Bはカソード部材からの電
子ビームを変調する変調電極、17は電子ビームを偏向
する偏向電極、18は偏向された電子ビーム、18は電
子ビームが衝突すると光を発する蛍光体が内面に設けら
れたフェースプレートである。
プレイ装置の断面図であり、図中15は内部が真空に維
持されているガラス容器、1Bはカソード部材からの電
子ビームを変調する変調電極、17は電子ビームを偏向
する偏向電極、18は偏向された電子ビーム、18は電
子ビームが衝突すると光を発する蛍光体が内面に設けら
れたフェースプレートである。
第2図のCRTディスプレイ装置において、上述したよ
うに冷陰極カソード部材を駆動制御すると共に、CRT
ディスプレイの通常の方法で変調電極16、偏向電極1
7を駆動し、適正な画像が得られるように調整したとこ
ろ、長時間表示させても輝度変化の少ない安定した画像
を得ることができた。
うに冷陰極カソード部材を駆動制御すると共に、CRT
ディスプレイの通常の方法で変調電極16、偏向電極1
7を駆動し、適正な画像が得られるように調整したとこ
ろ、長時間表示させても輝度変化の少ない安定した画像
を得ることができた。
実施例2
カ
第3図は本発明の第2の実施例を示す冷陰極呉ソード部
材の説明図である。この実施例は、電流計13により電
流工1を検出し、電流工1が適正値から異なる場合はフ
ィードバック回路14により加速電極電源12の電圧を
変化させ、P−n接合半導体より発生する電子の量を調
節し、電流工!を適正な値に帰還させるように構成した
ものである。したがってフィードバック回路14は、電
流II が小さいときには加速電極電源12の電圧を高
くし、電流工1が大きいときには電圧を低くするように
設定されている。このような冷陰極カソード部材を使用
し、電流I2が適正電流14+sAとなるように制御し
たところ、電流変化量は±6%以内であった。
材の説明図である。この実施例は、電流計13により電
流工1を検出し、電流工1が適正値から異なる場合はフ
ィードバック回路14により加速電極電源12の電圧を
変化させ、P−n接合半導体より発生する電子の量を調
節し、電流工!を適正な値に帰還させるように構成した
ものである。したがってフィードバック回路14は、電
流II が小さいときには加速電極電源12の電圧を高
くし、電流工1が大きいときには電圧を低くするように
設定されている。このような冷陰極カソード部材を使用
し、電流I2が適正電流14+sAとなるように制御し
たところ、電流変化量は±6%以内であった。
第4図は上記冷陰カソード部材を用いたCRTディスプ
レイ装置の断面図であり、図中15〜18は第2図に示
したものと同じである。第4図のCRTディスプレイ装
置において前記実施例1と同様の実験を行ったところ、
長時間表示させても輝度変化の少ない安定した画像を得
ることができた。
レイ装置の断面図であり、図中15〜18は第2図に示
したものと同じである。第4図のCRTディスプレイ装
置において前記実施例1と同様の実験を行ったところ、
長時間表示させても輝度変化の少ない安定した画像を得
ることができた。
以上説明した各実施例においては、1個の冷陰極カソー
ド部材によって電子銃を形成したものについて述べたが
、CRTディスプレイ装置を大型かつ高輝度にするため
に、冷陰極カソード部材を2個以上並列に配置して電子
銃を形成しても、上記実施例と同様の結果が得られる。
ド部材によって電子銃を形成したものについて述べたが
、CRTディスプレイ装置を大型かつ高輝度にするため
に、冷陰極カソード部材を2個以上並列に配置して電子
銃を形成しても、上記実施例と同様の結果が得られる。
また、上記各実施例においては、P−n接合を有する半
導体に逆方向電圧を供給して電子ビームを発生する冷陰
極カソード部材について述べたが、P−n接合を有する
半導体に順方向電圧を供給して電子ビームを発生カソー
ド部材を用いても、上記実施例と同様の結果が得られる
。
導体に逆方向電圧を供給して電子ビームを発生する冷陰
極カソード部材について述べたが、P−n接合を有する
半導体に順方向電圧を供給して電子ビームを発生カソー
ド部材を用いても、上記実施例と同様の結果が得られる
。
また1本発明によれば、固体電子ビーム発生部材の代わ
りに、定電圧で駆動すると温度が上昇し、それと共に電
子放出の効率が変化するその他の冷陰極型カソード部材
を用いた場合においても上記実施例と同等な効果が期待
できる。ちなみに、現在公知とされる冷陰極型固体電子
ビーム発生部゛材は全て温度上昇に伴ない電子放出の効
率は変化するものと思われる。
りに、定電圧で駆動すると温度が上昇し、それと共に電
子放出の効率が変化するその他の冷陰極型カソード部材
を用いた場合においても上記実施例と同等な効果が期待
できる。ちなみに、現在公知とされる冷陰極型固体電子
ビーム発生部゛材は全て温度上昇に伴ない電子放出の効
率は変化するものと思われる。
さらに本発明は、通常のCRTディスプレイ装置のほか
、フラット型のCRTディスプレイ装置、電子線を利用
した記録・表示装置、電子ビーム半導体焼付は装置等、
冷陰極カソード部材を用いるすべての装置に応用するこ
とが可能である。
、フラット型のCRTディスプレイ装置、電子線を利用
した記録・表示装置、電子ビーム半導体焼付は装置等、
冷陰極カソード部材を用いるすべての装置に応用するこ
とが可能である。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、電子ビームを引
出す加速電極部材から冷陰極カソード部材へ流れる電流
が適正値となるように前記カソード部材の駆動を制御す
ることにより、カソードから発生する電子ビームの量を
適正に保ち1部材自身の昇温を防止することができる。
出す加速電極部材から冷陰極カソード部材へ流れる電流
が適正値となるように前記カソード部材の駆動を制御す
ることにより、カソードから発生する電子ビームの量を
適正に保ち1部材自身の昇温を防止することができる。
この結果、かかる部材を用いた画像形成装置を連続的に
安定動作させることができ、さらには装置の寿命を延ば
すことが可能となる。
安定動作させることができ、さらには装置の寿命を延ば
すことが可能となる。
第1図及び第2図は本発明の第1の実施形を示す図、第
3図及び第4図は本発明の第2の実施例を示す図、第5
図は従来の冷陰極カソード部材の説明図である。 l:P型半導体、2:n型半導体。 3:電極、5:窓、6:加速電極、 11:駆動電極、12:加速電極電源、13:電流計、
14:フィードバック回路。
3図及び第4図は本発明の第2の実施例を示す図、第5
図は従来の冷陰極カソード部材の説明図である。 l:P型半導体、2:n型半導体。 3:電極、5:窓、6:加速電極、 11:駆動電極、12:加速電極電源、13:電流計、
14:フィードバック回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)冷陰極カソード部材と、該部材より発生した電子ビ
ームを引き出す加速電極部材と、前記電子ビームを変調
する部材と、前記電子ビームを偏向する部材と、前記電
子ビームを用いた画像形成部材よりなる画像形成装置に
おいて、前記加速電極部材へ流れる電流値を検出する検
出手段と、検出した電流値に比例した制御信号を出力す
る制御手段とを備え、該制御手段からの制御信号を、前
記冷陰極カソード部材または加速電極部材の電源部に供
給することにより、前記冷陰極カソード部材からの電子
ビーム量を一定に保つようにしたことを特徴とする画像
形成装置。 2)冷陰極カソード部材が、並列に配置された少なくと
も2個以上の冷陰極型固体電子ビーム発生素子からなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の画像形
成装置。 3)冷陰極カソード部材がP−n接合を有する半導体に
逆方向電圧を供給して電子ビームを発生するカソード部
材であることを特徴とする特許請求の範囲第1項及び第
2項に記載の画像形成装置。 4)冷陰極カソード部材がP−n接合を有する半導体に
順方向電圧を供給して電子ビームを発生するカソード部
材であることを特徴とする特許請求の範囲第1項及び第
2項に記載の画像形成装置。 5)冷陰極カソード部材と加速電極部材を一体に形成し
たことを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第4項
に記載の画像形成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12591786A JPS62284590A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 画像形成装置 |
| US07/545,115 US5025196A (en) | 1986-06-02 | 1990-06-26 | Image forming device with beam current control |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12591786A JPS62284590A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62284590A true JPS62284590A (ja) | 1987-12-10 |
Family
ID=14922131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12591786A Pending JPS62284590A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62284590A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60241626A (ja) * | 1978-01-27 | 1985-11-30 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 電子流発生用半導体装置を具える表示装置 |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP12591786A patent/JPS62284590A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60241626A (ja) * | 1978-01-27 | 1985-11-30 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 電子流発生用半導体装置を具える表示装置 |
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