JPS62285483A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS62285483A JPS62285483A JP12792086A JP12792086A JPS62285483A JP S62285483 A JPS62285483 A JP S62285483A JP 12792086 A JP12792086 A JP 12792086A JP 12792086 A JP12792086 A JP 12792086A JP S62285483 A JPS62285483 A JP S62285483A
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- Japan
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- semiconductor laser
- laser device
- stripe
- high reflection
- laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、１本の出射ビームを有し、光出力１００ｍＷ
以上である高出力半導体レーザ装置に関する。
以上である高出力半導体レーザ装置に関する。
光出力１００ｍＷ以との半導体レーザを実現する方法の
１つの候補として、複数の発光ストライプを有し、各ス
トライプ間に光結合を生じさせろ。
１つの候補として、複数の発光ストライプを有し、各ス
トライプ間に光結合を生じさせろ。
いわゆる、フェーズド・アレイ形半導体レーザがある。
このフェーズド・アレイ形半導体レーザの典型的な公知
例は、第３２回応用物理学関係講演会予稿集ｐ、１４９
に種谷他により開示されている。
例は、第３２回応用物理学関係講演会予稿集ｐ、１４９
に種谷他により開示されている。
従来技術においては、スーパーモードとよばれる高次の
モードで発振するため、出射ビームは２本となり応用上
支障を生じる。
モードで発振するため、出射ビームは２本となり応用上
支障を生じる。
この上記従来の構造においてなぜ高次のスーパーモード
が選択されるのか、その理由を第２図を用いて以下に述
べろ。種谷他の構造について、屈折率と利得（損失）の
関係を模式的に第２図（ａ）（ｂ）に示した。このよう
に屈折率の大きい領域では利得が存在し、屈折率の小さ
い領域では大きな損失が発生している。この条件での基
本スーパーモードの電界分布を第２図（、＋）に、高次
のスーパーモードの電界分布を第２図（ｄ）に示す。
が選択されるのか、その理由を第２図を用いて以下に述
べろ。種谷他の構造について、屈折率と利得（損失）の
関係を模式的に第２図（ａ）（ｂ）に示した。このよう
に屈折率の大きい領域では利得が存在し、屈折率の小さ
い領域では大きな損失が発生している。この条件での基
本スーパーモードの電界分布を第２図（、＋）に、高次
のスーパーモードの電界分布を第２図（ｄ）に示す。
第２図（ｂ）の損失の大きい領域においては、基本スー
パーモードの電界分布は零にならないのに対し、高次ス
ーパーモードは零レベルを横ぎる。
パーモードの電界分布は零にならないのに対し、高次ス
ーパーモードは零レベルを横ぎる。
すなわち、高次スーパーモードの受けろ損失は、基本ス
ーパーモードの受ける損失よりも小さく、従って、高次
スーパーモードの方がしきい値利？：）が低下する。以
上により上記構造では高次スーパーモードが発振し、出
射ビームは２本になってしまう。
ーパーモードの受ける損失よりも小さく、従って、高次
スーパーモードの方がしきい値利？：）が低下する。以
上により上記構造では高次スーパーモードが発振し、出
射ビームは２本になってしまう。
本発明の目的は、出射ビー１１が１本で高出力、かつ倍
頼性の高い半導体レーザを提供することにある。
頼性の高い半導体レーザを提供することにある。
本発明者は、フェーズドアレイ半導体レーザにおいて、
出射ビー１１を１本にする方法として、レーザ内部にお
いては最高次のスーパーモードを選択し１発光ストライ
プごとに光電界の位相を１８０゜ずつ変化させ、その最
高次のスーパーモードを出射端面から出力させろときに
発光ストライプの１本おきに高反射膜を施こし、出射ビ
ー１１は１本おきのストライプから出射するようにする
と、高反射膜を施こしていないストライプからは３６０
゜位相がそろったレーザ光ができることを考案した。
出射ビー１１を１本にする方法として、レーザ内部にお
いては最高次のスーパーモードを選択し１発光ストライ
プごとに光電界の位相を１８０゜ずつ変化させ、その最
高次のスーパーモードを出射端面から出力させろときに
発光ストライプの１本おきに高反射膜を施こし、出射ビ
ー１１は１本おきのストライプから出射するようにする
と、高反射膜を施こしていないストライプからは３６０
゜位相がそろったレーザ光ができることを考案した。
この結果、出射ビームは出射端ｍｉから垂直方向に１本
の単峰性のビー１１になる。また、ストライプ構造に特
別の工夫を設けない限り、上述した種谷他の構造の如く
、最高次のスーパーモードは安定に発振するので、高出
力動作時においても、上記の如く出射ビーｔ１は単峰で
１本となり、上記目的が達成された。
の単峰性のビー１１になる。また、ストライプ構造に特
別の工夫を設けない限り、上述した種谷他の構造の如く
、最高次のスーパーモードは安定に発振するので、高出
力動作時においても、上記の如く出射ビーｔ１は単峰で
１本となり、上記目的が達成された。
第１図を用いて本発明の詳細な説明
第］Ｉ４（ａ）がレーザ構造、（ｂ）が屈折率分布、（
ロ）が最高次のスーパーモードの電界分布を示す。本レ
ーザ構造では、５本の溝ストライプを設けたＧｔｒＡｓ
基板上に液相成長法により通常のダブルへテロ構造を成
長していろ。本構造では、上記種谷他の構造と同様に、
ストライプ間隙部ではレーザ光はＧａＡｓ＝｝Ｘ板の吸
収を受けろ（いわゆるＣＳＰ効果）のでストライプ間隙
では光損失が生じ、また、発光ストライプ部の屈折率は
大きくなる（第１図（ｂ））。その結果、種谷他の構造
と同様に最高次のスーパーモード（同図（Ｃ））のしき
い利得が低下するので最高次のスーパーモードが安定に
発振する。ところが、第１図（ａ）の如く、左から２番
１１と４番Ｌ１の発光ストライプ領域の出射端面に高反
射膜９を施こし，その領域からはレーザ光が出射しない
ようにすると第１図（ｃ）の斜線部分の光電界は外部に
は出てこない。従って左から１番目，：３番［１，５番
目のストライプからは３６０゜位相のそろったレーザ光
が出射する。この結果、レーザ光は、出射端面から垂直
な方向で強め合うので、出射ビームは１本の単峰となる
。この金反射膜としては、屈折率の異なるＭ電体膜を交
互に重ねた多層膜か、あるいは、誘電体膜と高反射率の
金属膜の組み合わせが有効である。以上において、スト
ライプ本数として５本の場合を示したが、ストライプ本
数が何本であっても本発明が有効であることは言うまで
もない。
ロ）が最高次のスーパーモードの電界分布を示す。本レ
ーザ構造では、５本の溝ストライプを設けたＧｔｒＡｓ
基板上に液相成長法により通常のダブルへテロ構造を成
長していろ。本構造では、上記種谷他の構造と同様に、
ストライプ間隙部ではレーザ光はＧａＡｓ＝｝Ｘ板の吸
収を受けろ（いわゆるＣＳＰ効果）のでストライプ間隙
では光損失が生じ、また、発光ストライプ部の屈折率は
大きくなる（第１図（ｂ））。その結果、種谷他の構造
と同様に最高次のスーパーモード（同図（Ｃ））のしき
い利得が低下するので最高次のスーパーモードが安定に
発振する。ところが、第１図（ａ）の如く、左から２番
１１と４番Ｌ１の発光ストライプ領域の出射端面に高反
射膜９を施こし，その領域からはレーザ光が出射しない
ようにすると第１図（ｃ）の斜線部分の光電界は外部に
は出てこない。従って左から１番目，：３番［１，５番
目のストライプからは３６０゜位相のそろったレーザ光
が出射する。この結果、レーザ光は、出射端面から垂直
な方向で強め合うので、出射ビームは１本の単峰となる
。この金反射膜としては、屈折率の異なるＭ電体膜を交
互に重ねた多層膜か、あるいは、誘電体膜と高反射率の
金属膜の組み合わせが有効である。以上において、スト
ライプ本数として５本の場合を示したが、ストライプ本
数が何本であっても本発明が有効であることは言うまで
もない。
以下、本発明の実施例を図を用いて詳細に説明する。
実施例１
第１図は、本発明をＧｓＡＱＡｓ系半導体レーザに適用
した場合のレーザ装置の鳥敞図（ａ）とその屈折率分布
（ｂ）と最高次のスーパーモードの電界分布（ｃ）であ
る。
した場合のレーザ装置の鳥敞図（ａ）とその屈折率分布
（ｂ）と最高次のスーパーモードの電界分布（ｃ）であ
る。
ｎ−Ｇ５Ａｓ基板１上にホトエツチング工程により、幅
３μｍ、深さ１μｍの溝１０を５本形成する。
３μｍ、深さ１μｍの溝１０を５本形成する。
この時、ストライプ中心の間隔は５μｍとした。
この後、液相成長法により、ｎ −Ｇａｏ、ｓＡ Ｄ
ｏ、ｓＡｓクラッド層２．アンドープＧａＱ、ａｎ＾Ｑ
０．１４ＡＳ活性！Ｉｊ３゜ｐ −Ｇａｏ、６Ａ Ｑ
０．３ＡＳクラッド層４ 、 ｎ−ＧａＡｓ層５を順次
形成する。この後、ｐ −Ｇａｏ、６Ａ Ｑ ｏ、ｓＡ
ｓクラッド層４に達する拡散領域６を設ける。
ｏ、ｓＡｓクラッド層２．アンドープＧａＱ、ａｎ＾Ｑ
０．１４ＡＳ活性！Ｉｊ３゜ｐ −Ｇａｏ、６Ａ Ｑ
０．３ＡＳクラッド層４ 、 ｎ−ＧａＡｓ層５を順次
形成する。この後、ｐ −Ｇａｏ、６Ａ Ｑ ｏ、ｓＡ
ｓクラッド層４に達する拡散領域６を設ける。
ｐ電極７，８をリフトオフ法に形成し続いてｎ電極ａを
形成した後、へき開法により、共振器長約３００μｍの
レーザ素子を得た。
形成した後、へき開法により、共振器長約３００μｍの
レーザ素子を得た。
この後、左から２番目と４番目の発光ストライプの出射
端面に膜厚１３５ｎｍの５ｉＯｚ膜（＾ｉ折率］、、４
５）と膜厚５９ｎｍの非晶質Ｓｉ（屈折率３．３）を交
互に各々２層ずつの多層膜９を施した。
端面に膜厚１３５ｎｍの５ｉＯｚ膜（＾ｉ折率］、、４
５）と膜厚５９ｎｍの非晶質Ｓｉ（屈折率３．３）を交
互に各々２層ずつの多層膜９を施した。
この多層膜９によりその部分の反射率は９５％となって
いる。この時、溝間隙上のｎ −Ｇａｏ、ｓＡ Ｑ ｏ
、６＾Ｓクラッド層の厚さがＯ，Ｌ−０，５μｍのとき
、第１図（ｂ）のごとき屈折率分布が形成される。
いる。この時、溝間隙上のｎ −Ｇａｏ、ｓＡ Ｑ ｏ
、６＾Ｓクラッド層の厚さがＯ，Ｌ−０，５μｍのとき
、第１図（ｂ）のごとき屈折率分布が形成される。
試作した素子は、室温においてしきい電流１００〜１．
５０ ｍ Ａ 、波長７８０ｎｍで連続発振し、発振ス
ペクトルは、縦単一モードを示した。その遠視野像（接
合面に平行な方向の発光分布）は単峰性を示し、出射角
度Ｏ°において半値幅２°の１本の出射ビームが得られ
、光出力４００ ｍＷまで安定な光出力が得られた。
５０ ｍ Ａ 、波長７８０ｎｍで連続発振し、発振ス
ペクトルは、縦単一モードを示した。その遠視野像（接
合面に平行な方向の発光分布）は単峰性を示し、出射角
度Ｏ°において半値幅２°の１本の出射ビームが得られ
、光出力４００ ｍＷまで安定な光出力が得られた。
つまり１本実施例によりレーザ内部では、最高次のスー
パーモードが発振しそれが出射する時に逆位相の光電界
が高反射膜によりさえぎられていることがわかった。
パーモードが発振しそれが出射する時に逆位相の光電界
が高反射膜によりさえぎられていることがわかった。
実施例２
第；３図に本発明による別の実施例を示す。
ｎ ＧａＡｓ基、複結晶１゜七にｎ −（ｉａｏ 、
５Ａ １２ ａ 、 ６ＡＳクラッド層２、アンドー
プＧａｏ、ａｏＡ Ｑ、 ０．１４Ａ８活性層３ 、
ｐ−Ｇａｏ、ｓＡＱｏ、３＾Ｓクラッド層４ 、ｎ −
ＧａＡｓ電流狭搾層１１をＭ ＯＣ，Ｖ ｒｌ法により
順次形成する。
５Ａ １２ ａ 、 ６ＡＳクラッド層２、アンドー
プＧａｏ、ａｏＡ Ｑ、 ０．１４Ａ８活性層３ 、
ｐ−Ｇａｏ、ｓＡＱｏ、３＾Ｓクラッド層４ 、ｎ −
ＧａＡｓ電流狭搾層１１をＭ ＯＣ，Ｖ ｒｌ法により
順次形成する。
ホトエツチング工程によりｎ−ＧａＡｓ１を完全に除去
し、ｐ −Ｇａｏ、ｓＡ Ｄ、 ｏ、ａＡｓＡｓクララ
４の表面を露出する幅４μｍの溝ストライプを５本形成
する。
し、ｐ −Ｇａｏ、ｓＡ Ｄ、 ｏ、ａＡｓＡｓクララ
４の表面を露出する幅４μｍの溝ストライプを５本形成
する。
この時、各ストライプ中心の間隔は６μｒｎとした。
次にＭＯＣＶＩ’）法によりＰ Ｇａｏ、ｓＡ Ｑ
＋１，６へ３クラッド層１２、ｐ−ＧａＡｓキャップ層
１３を形成する。この後、ｐ電極７．ｎ電極８を形成し
た後、へき開法により、共振器長約３００μｍのレーザ
素子を得た。
＋１，６へ３クラッド層１２、ｐ−ＧａＡｓキャップ層
１３を形成する。この後、ｐ電極７．ｎ電極８を形成し
た後、へき開法により、共振器長約３００μｍのレーザ
素子を得た。
この後、左から２番目と４番目の発光ストライプの出射
端面にまず、厚さ２７０ｎｍの５１０２膜、その上に厚
さ３００ｎｍのＡ ｕの２層膜１４を施こした。この２
層膜の反射率はほぼＩ、００％である。この時、ｐ −
Ｇａｏ、５Ａ Ｑ ｏ、ａＡｓＡｓクララ４の厚さは、
Ｏ０１〜０．５μｍであり、この条件で屈折率導波型と
なり、低収差で、高出力のフェーズド・アレイレーザを
実現できた６ 試作した素子は、波長７８０ｎｍにむいて、しきい電流
１００〜］、 ２０ ｍ Ａで室温連続発振し、発振ス
ペクトルは縦単一モードを示した。その遠視野像は単峰
性を示し、その半値幅は１．５°×２５°であった。ま
た、光出力３００ｍＷまで安定した特性が得られた。さ
らに５０”Ｃにおいて光出力３００ｍＷ定光：Ｊ−％カ
動作ＩＩ；’ｉ＋ （７） Ｒ命も２０００時間経過後
も顕著な劣化は見られず、信頼性も高かった。
端面にまず、厚さ２７０ｎｍの５１０２膜、その上に厚
さ３００ｎｍのＡ ｕの２層膜１４を施こした。この２
層膜の反射率はほぼＩ、００％である。この時、ｐ −
Ｇａｏ、５Ａ Ｑ ｏ、ａＡｓＡｓクララ４の厚さは、
Ｏ０１〜０．５μｍであり、この条件で屈折率導波型と
なり、低収差で、高出力のフェーズド・アレイレーザを
実現できた６ 試作した素子は、波長７８０ｎｍにむいて、しきい電流
１００〜］、 ２０ ｍ Ａで室温連続発振し、発振ス
ペクトルは縦単一モードを示した。その遠視野像は単峰
性を示し、その半値幅は１．５°×２５°であった。ま
た、光出力３００ｍＷまで安定した特性が得られた。さ
らに５０”Ｃにおいて光出力３００ｍＷ定光：Ｊ−％カ
動作ＩＩ；’ｉ＋ （７） Ｒ命も２０００時間経過後
も顕著な劣化は見られず、信頼性も高かった。
なお本発明において、各実施例中のストライプ構造とし
ては、その本数として２〜２０本、また、ストライプ幅
として１〜１０μｍ、ストライプ中心と中心の間隔とし
て２〜１２μｍのいずれの組み合わせにおいても同様の
効果が得られた。また本発明のストライプ基本構造とし
てはヒ記以外にＢＨ構造、リブ導波路樋造など任意の形
状が適用できろことはいうまでもない。
ては、その本数として２〜２０本、また、ストライプ幅
として１〜１０μｍ、ストライプ中心と中心の間隔とし
て２〜１２μｍのいずれの組み合わせにおいても同様の
効果が得られた。また本発明のストライプ基本構造とし
てはヒ記以外にＢＨ構造、リブ導波路樋造など任意の形
状が適用できろことはいうまでもない。
なお本発明は実施例に示した波長０．７８μｍ前後に限
らず、波長０．６８〜０．８９μｍのＧａＡ Ｑ Ａｓ
系半導体レーザ装置で、室温連続発振できろ全範囲にわ
たり同様の結果が得られた。本発明による半導体レーザ
装置はＧａＡ Ｑ ＡＳ系以外のレーザ材料１例えばＴ
ｎＧａＰ系Ｐ系やＴｎＧａＰ系の材料に対しても同様に
適用できる。またレーザの構造としては上記各実施例で
示した３層導波路を基本にするものに限らず、活性層の
片側に隣接して光ガイド層を設けろｒ５０Ｃ構造や、活
性層の両側にそれぞれ隣接して光ガイド層を設けるＳ
ＣＨ構造およびこれらの光ガイド層の屈折率および禁制
帯輔が膜厚方向に分布しているＧ旧Ｎ −Ｓ ＣＴ−Ｉ
構造等に対しても同様に適用することができろ。さらに
活性層が量子井戸構造をしているものに対しても有効で
あり、また上記各実施例において導電形を全べて反対に
した構造（ｐをｎに、ｎをｐに置換えた構造）において
も同様の効果が得られた。
らず、波長０．６８〜０．８９μｍのＧａＡ Ｑ Ａｓ
系半導体レーザ装置で、室温連続発振できろ全範囲にわ
たり同様の結果が得られた。本発明による半導体レーザ
装置はＧａＡ Ｑ ＡＳ系以外のレーザ材料１例えばＴ
ｎＧａＰ系Ｐ系やＴｎＧａＰ系の材料に対しても同様に
適用できる。またレーザの構造としては上記各実施例で
示した３層導波路を基本にするものに限らず、活性層の
片側に隣接して光ガイド層を設けろｒ５０Ｃ構造や、活
性層の両側にそれぞれ隣接して光ガイド層を設けるＳ
ＣＨ構造およびこれらの光ガイド層の屈折率および禁制
帯輔が膜厚方向に分布しているＧ旧Ｎ −Ｓ ＣＴ−Ｉ
構造等に対しても同様に適用することができろ。さらに
活性層が量子井戸構造をしているものに対しても有効で
あり、また上記各実施例において導電形を全べて反対に
した構造（ｐをｎに、ｎをｐに置換えた構造）において
も同様の効果が得られた。
本発明によれば、レーザ内部では最高次のスーパーモー
ドが発振しているフェーズドアレイ型半導体レーザにお
いて、その出射端面の一部に高反射膜を施すことにより
、出射ビームが１本になるので、単峰性の高出力（＞１
００ｍＷ）半導体レーザを容易に実現する効果がある。
ドが発振しているフェーズドアレイ型半導体レーザにお
いて、その出射端面の一部に高反射膜を施すことにより
、出射ビームが１本になるので、単峰性の高出力（＞１
００ｍＷ）半導体レーザを容易に実現する効果がある。
第１図、第３図は本発明の実施例を示す図で。
第２図は従来のフェーズド・アレイ型レーザのスーパー
モードを示す図である。 １− ｎ−ＧａＡｓ基板、２−ｎ−Ｇａｏ、５＾ＱＯ０
５＾Ｓクラッド層、；３・アンドープＧａｏ、ｓａＡ
Ｑ Ｏ，Ｌ４ＡＳ活性層、４− ｐ −Ｇａｏ、５Ａ
Ｏ，ｏ、ｂＡｓクラッド層、５−ｐ −ＧａＡｓ層、６
・・・Ｚｎ拡散領域、７・・・ｎ電極、８・・・ｎ電極
、９・・・高反射膜、１０・・発光ストライブ溝。 １１・・・ｎ ＧａＡｓ電流狭窄層、１２・・・ｐ−
Ｇａｏ、６＾Ｑｎ、ｓＡｓＭ、１３−＝ ｐ −（’；
ａＡｓキャップ層、１４・・・高反射膜。
モードを示す図である。 １− ｎ−ＧａＡｓ基板、２−ｎ−Ｇａｏ、５＾ＱＯ０
５＾Ｓクラッド層、；３・アンドープＧａｏ、ｓａＡ
Ｑ Ｏ，Ｌ４ＡＳ活性層、４− ｐ −Ｇａｏ、５Ａ
Ｏ，ｏ、ｂＡｓクラッド層、５−ｐ −ＧａＡｓ層、６
・・・Ｚｎ拡散領域、７・・・ｎ電極、８・・・ｎ電極
、９・・・高反射膜、１０・・発光ストライブ溝。 １１・・・ｎ ＧａＡｓ電流狭窄層、１２・・・ｐ−
Ｇａｏ、６＾Ｑｎ、ｓＡｓＭ、１３−＝ ｐ −（’；
ａＡｓキャップ層、１４・・・高反射膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、相互に光結合を有する少なくとも２本以上のレーザ
発光ストライプを有する半導体レーザ装置において、そ
の出射端面の一部に高反射膜を設けたことを特徴とする
半導体レーザ装置。 ２、相互に光結合を有する少なくとも２本以上のレーザ
発光ストライプを有する半導体レーザ装置において、上
記発光ストライプの出射端面に高反射膜を設けることを
上記発光ストライプについて１本おきに行うことを特徴
とする半導体レーザ装置。 ３、特許請求の範囲第２項記載の半導体レーザ装置にお
いて、上記１本おきの発光ストライプとそれの両側に隣
接するストライプ間隙領域の出射端面に高反射膜を設け
ることを特徴とする半導体レーザ装置。 ４、特許請求の範囲第２項記載の半導体レーザ装置にお
いて、上記１本おきの発光ストライプとそれの両側に隣
接するストライプ間隙領域の一部の出射端面に高反射膜
を設けることを特徴とする半導体レーザ装置。 ５、特許請求の範囲第１項〜第４項のいずれかに記載の
半導体レーザ装置において、活性層から発生した光を吸
収する半導体層をストライプ間隙領域に設けることを特
徴とする半導体レーザ装置。 ６、特許請求の範囲第１項〜第５項記載の半導体レーザ
装置において、上記高反射膜の反射率が６０％以上、特
に８５％以上であることを特徴とする半導体レーザ装置
。 ７、特許請求の範囲第１項〜第６項のいずれかに記載の
半導体レーザ装置において、上記高反射膜が、屈折率が
ｎ＿１で膜厚がλ／４ｎ＿１（λ：レーザ波長）の第１
の誘電体膜と屈折率がｎ＿２で膜厚がλ／４ｎ＿２の第
２の誘電体膜を積層した２層膜の少なくとも１組で形成
されるか、あるいは、誘電体膜と金属膜の組み合わせで
形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12792086A JPS62285483A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12792086A JPS62285483A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62285483A true JPS62285483A (ja) | 1987-12-11 |
Family
ID=14971906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12792086A Pending JPS62285483A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62285483A (ja) |
-
1986
- 1986-06-04 JP JP12792086A patent/JPS62285483A/ja active Pending
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