JPS62287637A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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Publication number
JPS62287637A
JPS62287637A JP61130351A JP13035186A JPS62287637A JP S62287637 A JPS62287637 A JP S62287637A JP 61130351 A JP61130351 A JP 61130351A JP 13035186 A JP13035186 A JP 13035186A JP S62287637 A JPS62287637 A JP S62287637A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test mode
circuit
pad
input
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61130351A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Kamata
忠 鎌田
Seiichiro Otake
精一郎 大竹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NipponDenso Co Ltd filed Critical NipponDenso Co Ltd
Priority to JP61130351A priority Critical patent/JPS62287637A/ja
Publication of JPS62287637A publication Critical patent/JPS62287637A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 [産業上の利用分野コ この発明は、半導体回路装置の製造過程において1、特
にウェハの状態でスクリーニング(バーイン)を実行で
きるようにする半導体集積回路装置に関する。
[従来の技術] 半導体集積回路の検査を行なうスクリーニング(通称は
バーンイン)は、半導体チップの組立て工程を終了し、
パッケージで封止した後にプリント基板等に搭載して行
なうのが一般的である。そして、例えば特開昭55−1
i0067号公報に記載されるように、このようなテス
トを実行するに好適となるるように半導体装置も構成さ
れるようにしているものである。この場合、さらに各種
の外付部品を用いて、半導体回路を実動作と同様の状態
に設定してバーンインを実行するようにしている。
しかし、このようにしたのではバーレインの数量に限界
が生ずるものであり、検査コスト、この検査のための設
備コストが増大するようになってしまうものである。
[発明が解決しようとする問題点] この発明は上記のような点に鑑みなされたもので、半導
体回路装置がチップ状態に分離され、さらにパッケージ
される前のウェハ状態で、効果的にバーンイン可能にす
ると共に、さらに実動作に近い状態で効率的にバーンイ
ンできるようにする半導体集積回路装置を提供しようと
するものである。
[問題点を解決するための手段] すなわち、この発明に係る半導体集積回路装置にあって
は、テストモード設定指令のための入力バンドを備える
ものであり、このパッドに特定される電圧によるテスト
モード指令が入力されると、テストモード指令信号を発
生するテストモード投入回路を設定する。そして、テス
トモード設定状態で、集積回路部に電源を設定すると共
に、クロック信号発生部、さらに出力処理手段に動作指
令が与えられるようにし、上記電源の設定された内部回
路をテスト動作させるようにしているものである。
[作用] 上記のような半導体集積回路装置にあっては、チップ状
態に分離する前のウェハの状態で、上記入力パッドに特
定されるテストモード設定用の電圧信号を治具を用いて
供給するようにすれば、各チップに形成された半導体回
路がウェハ単位で検査できるようになるものであり、実
装後のスクリーニングを省略することができるようにな
るものである。
[発明の実施例] 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第1図は半導体ウニ/%に設定されるチップの1つに対
応する部分の回路を示すものであり、電源電圧を印加す
る電源パッド11を備える。このパッド11は、例えば
半導体ウェハ12の裏面部に設定されるものであり、第
2図で示すようにバーンイン時に電極板13上に設置す
ることによって、電源14が接続されるようになるもの
である。
第2図において、(A)図は半導体ウェハ12を示すも
ので、このウェハ12は複数のチップ121.122、
・・・に分割されるものであり、この半導体ウェハ12
のまま同図(B)で示すように電極板13上に載置され
るようになるもので、上記ウエノ112の裏面に電源バ
ッド11を構成゛する電極膜が形成されているものであ
る。
そして、上記半導体ウェハ12の表面側には、各チップ
それぞれに対応してテストモード入力用のパッド15が
形成されるもので、このパッド15には上記電極板13
上に載置された半導体ウニ/\12に対面するように設
定される治具1Bに設定した電極プローブ161が接続
されるようになっている。
すなわち、このテストモード設定用のパッド15には、
テストモードを設定する場合に例えば特殊な負電圧を印
加するものであり、このパッド15に負電圧が印加され
ると、テストモード投入回路17のトランジスタ171
がオンされるようになるものであり、電源用パッド11
に接続された半導体回路部18に電源が供給設定される
ようになるものである。この回路g18は、この半導体
集積回路の実動作のために必要な回路部分である。
上記テストモード投入回路17にあっては、出力信号線
172を抵抗183によってプルアップし、トランジス
タ171がオフ状態のときには出力信号線172にハイ
レベルの信号が出力されるようになっている。そして、
パッド15に負電圧が印加され、トランジスタ171が
オンされることによって、信号線L72にローレベルの
テストモード(バーンインモード)設定指令信号が出力
されるようになっている。
上記出力信号線172からの出力信号は、入出力処理回
路19を構成するP型MOSトランジスタ191のゲー
トに供給されるもので、信号線171の信号がローレベ
ルとなると、上記トランジスタ161をオンして、信号
入力パッド20をプルアップするようになる。そして、
このパッド20から半導体の内部回路部における信号の
入出力処理が実行されるようにするものである。
また、上記出力信号線172からの信号は、発振回路2
1に供給される。この発振回路21は、ノアゲート21
1、インバータ212、スリーステートインバータ21
3、抵抗214.215 、容!21B+、:よッテ構
成されるものであり、信号線172がローレベルとなる
ことによってクロック信号を発振するようになり、クロ
ック入力パッド22にクロック信号が供給されるように
なる。そして、このクロック信号は半導体内部回路部に
動作クロック信号として供給される。
すなわち、上記のように構成される半導体集積回路装置
においては、チップに分離される前のウェハ12の状態
でバーレインが行われるもので、第2図で示したように
半導体ウェハ12を電極板13上に載置することによっ
て、電源用パッド11に電源が接続設定されるようにす
る。このような状態で適当な治具16を用いてテストモ
ード設定指令用のパッド15に負電圧を印加すると、テ
ストモード投入回路17のトランジスタ171がオンさ
れる。そして、このテストモード投入回路17からの出
力信号線172がローレベルとなり、バーンインモード
が設定されるもので、入出力処理回路19が動作状態と
なり、発振回路2でクロック信号が発生され、この発振
クロック信号が内部回路に入力されるようになる。
すなわち、電源電圧を第2図で示したような状態で半導
体ウェハ12の裏面より与えるようにし、テストモード
投入用の負電圧を、プローブコンタクトあるいは導電性
ゴム等を用いたコンタクト機構によって、パッド15を
介して各チップに与えるようにすることによって、その
チップのバーンインに必要な状態、例えば入力端子のプ
ルアップ、動作クロック信号の内部発生等が自動的に実
行されるようになる。
そして、各チップはパッケージされる前に、またウェハ
の状態であるときに、一般にダイナミックバーンインと
呼ばれる実動作に近いスクリーニングが実行されるよう
になるものである。
[発明の効果] 以上のようにこの発明に係る半導体集積回路装置にあっ
ては、チップ化されパッケージされる前の半導体ウェハ
の状態°において、各チップの動作状態を実動作に近い
状態で検査することかできるものであり、半導体の製造
工程、特にスクリーニング工程を充分に簡略化して実行
できるようになるものである。特に、上記スクリーニン
グを実行するチップ数が充分に大きな数量まで簡単に実
行できるものであり、この種半導体集積回路装置の信頼
性の向上のためにも大きな効果が発揮されるものである
【図面の簡単な説明】 第1図はこの発明の一実施例に係る半導体集積回路装置
の1つのチップ部分を取出して示したバーンイン制御部
の回路構成図、第2図の(A)は上記バーンインを行な
う半導体ウェハを示す図、第2図(B)は上記ウェハの
バーンイン時の設定状態を説明する側面から見た図であ
る。 11・・・電源用パッド、12・・・半導体ウェハ、1
3・・・電極板、14・・・電源、15・・・テストモ
ード指令用のパッド、16・・・治具、17・・・テス
トモード投入回路、18・・・半導体回路部、19・・
・入出力処理回路、20・・・信号入力パッド、21・
・・発振回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 テストモード設定時に特定される電圧信号を与えるため
    のモード設定用の入力パッドと、上記パッドに上記特定
    される電圧信号が与えられた状態でテストモード指令信
    号が発生されるようにするテストモード投入回路と、 このテストモード投入回路のテストモード設定状態で電
    源電圧が設定されるようにした内部集積回路部と、 上記テストモード投入回路からのテストモード指令信号
    によって動作状態に設定される入出力処理手段を含む動
    作指令手段とを具備し、 上記パッドに特定されるテストモード指定の電圧信号が
    与えられ、テストモード投入回路のテストモードの設定
    指令状態で、上記内部集積回路部の動作状態の検査が実
    行されるようにしたことを特徴とする半導体集積回路装
    置。
JP61130351A 1986-06-06 1986-06-06 半導体集積回路装置 Pending JPS62287637A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61130351A JPS62287637A (ja) 1986-06-06 1986-06-06 半導体集積回路装置

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JP61130351A JPS62287637A (ja) 1986-06-06 1986-06-06 半導体集積回路装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62287637A true JPS62287637A (ja) 1987-12-14

Family

ID=15032314

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61130351A Pending JPS62287637A (ja) 1986-06-06 1986-06-06 半導体集積回路装置

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Country Link
JP (1) JPS62287637A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6358953A (ja) * 1986-08-29 1988-03-14 Fujitsu Ltd 集積回路
US5219765A (en) * 1990-09-12 1993-06-15 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device including wafer aging, probe inspection, and feeding back the results of the inspection to the device fabrication process

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6358953A (ja) * 1986-08-29 1988-03-14 Fujitsu Ltd 集積回路
US5219765A (en) * 1990-09-12 1993-06-15 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device including wafer aging, probe inspection, and feeding back the results of the inspection to the device fabrication process

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