JPS6228765A - 電子写真用感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体の製造方法Info
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- JPS6228765A JPS6228765A JP16936285A JP16936285A JPS6228765A JP S6228765 A JPS6228765 A JP S6228765A JP 16936285 A JP16936285 A JP 16936285A JP 16936285 A JP16936285 A JP 16936285A JP S6228765 A JPS6228765 A JP S6228765A
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- Japan
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- amorphous silicon
- frequency power
- reaction chamber
- substrate
- photoreceptor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子複写機、レーザプリンター等に用いられる
電子写真用感光体、特にアモルファスシリコン層を有す
る電子写真用感光体の製造方法に関する。
電子写真用感光体、特にアモルファスシリコン層を有す
る電子写真用感光体の製造方法に関する。
電子写真用感光体の光導電層には従来から酸化亜鉛・セ
レン、硫化カドミウム等の光導電材料が使用されてきた
。最近では、新しい光導電材料としてアモルファスシリ
コンがその高い光感度により注目され、活発に研究が進
められている。アモルファスシリコンの成膜方法にはス
パッタリング法、イオンブレーティング法、蒸着法及び
プラズマＯＶＤ法があるが、光電特性からみてプラズマ
ＯＶＤ法が現在段も注目されている。このプラズマＣＶ
Ｄ法とは、真空排気された反応室に一定流全てシランガ
スを導入し、度応室内に設けた手打平板型電極間に基板
を配置し、電極間に高周波電力を供給してプラズマを発
生させ、基板上にアモルファスシリコンを成膜する方法
である。
レン、硫化カドミウム等の光導電材料が使用されてきた
。最近では、新しい光導電材料としてアモルファスシリ
コンがその高い光感度により注目され、活発に研究が進
められている。アモルファスシリコンの成膜方法にはス
パッタリング法、イオンブレーティング法、蒸着法及び
プラズマＯＶＤ法があるが、光電特性からみてプラズマ
ＯＶＤ法が現在段も注目されている。このプラズマＣＶ
Ｄ法とは、真空排気された反応室に一定流全てシランガ
スを導入し、度応室内に設けた手打平板型電極間に基板
を配置し、電極間に高周波電力を供給してプラズマを発
生させ、基板上にアモルファスシリコンを成膜する方法
である。
アモルファスシリコンは耐熱性、耐摩耗性に優れ、低毒
性である反面、抵抗率が低いためにアモルファスシリコ
ンを用いた電子写真用感光体は、一般に多層構造をとる
必要がある。例えば、第３図に示すように、基板１上に
薄いブロック層２、その上に厚い中間層３及び更にその
上に簿い表面層４を連続的に形成してアモルファスシリ
コン層としている。ブロック層２及び表面層４の膜厚は
中間層３のそれの＋／＋０００ないし＋／＋００程度で
ある。
性である反面、抵抗率が低いためにアモルファスシリコ
ンを用いた電子写真用感光体は、一般に多層構造をとる
必要がある。例えば、第３図に示すように、基板１上に
薄いブロック層２、その上に厚い中間層３及び更にその
上に簿い表面層４を連続的に形成してアモルファスシリ
コン層としている。ブロック層２及び表面層４の膜厚は
中間層３のそれの＋／＋０００ないし＋／＋００程度で
ある。
このように連続した多層からなるアモルファスシリコン
の各層の膜厚を変えるためには、複数の反応室、例えば
第３図の場合のように３Ｒ構造においては３室の反応室
、を備えた成膜装置では、ベルト状基板を一定速度で移
動させながら薄い層の成膜速度を厚い層のそれの＋／＋
ｏｏｏないし＋／ｊ ＯＯに低減させなければならない
。このためには、従来、（１）供給ガス濃度を制御する
、（２）高周波ビークパワーを制御する、又は（３）シ
ャッターにより基板上へ、の成膜を妨げる等の方法が採
られていた。しかし、（１）供給ガス濃度を制御する方
法では、シランガス以外に希釈用ガスの供給手段が必要
となり、設備コストが高くなった。（２）高周波ビーク
パワーを制御する方法においては、アモルファスシリコ
ン膜の膜質に高周波パワー依存性があるために、高周波
ビークパワーの変動によって膜質が安定しない欠点があ
った。更に、（３）シャッターによる方法ではシャッタ
ー上にアモルファスシリコンが成膜されるので、これを
一定時間毎に掃除し剥離除去しなければならなかった。
の各層の膜厚を変えるためには、複数の反応室、例えば
第３図の場合のように３Ｒ構造においては３室の反応室
、を備えた成膜装置では、ベルト状基板を一定速度で移
動させながら薄い層の成膜速度を厚い層のそれの＋／＋
ｏｏｏないし＋／ｊ ＯＯに低減させなければならない
。このためには、従来、（１）供給ガス濃度を制御する
、（２）高周波ビークパワーを制御する、又は（３）シ
ャッターにより基板上へ、の成膜を妨げる等の方法が採
られていた。しかし、（１）供給ガス濃度を制御する方
法では、シランガス以外に希釈用ガスの供給手段が必要
となり、設備コストが高くなった。（２）高周波ビーク
パワーを制御する方法においては、アモルファスシリコ
ン膜の膜質に高周波パワー依存性があるために、高周波
ビークパワーの変動によって膜質が安定しない欠点があ
った。更に、（３）シャッターによる方法ではシャッタ
ー上にアモルファスシリコンが成膜されるので、これを
一定時間毎に掃除し剥離除去しなければならなかった。
上記したように、従来のアモルファスシリコン膜の成膜
速度の制御は非経済的、非効率であったり、得られる膜
質を損なう等の欠点があり満足できるものではなかった
。
速度の制御は非経済的、非効率であったり、得られる膜
質を損なう等の欠点があり満足できるものではなかった
。
本発明は新たな設備の付加を必要とせず、簡単且つ効率
的な方法によってアモルファスシリコンの成膜速度を制
御する工程を含む、安定な膜質のアモルファスシリコン
層を有する電子写真用感光体の製造方法を提供すること
を目的とする。
的な方法によってアモルファスシリコンの成膜速度を制
御する工程を含む、安定な膜質のアモルファスシリコン
層を有する電子写真用感光体の製造方法を提供すること
を目的とする。
本発明はプラズマＯＶＤ法に従って基板上にアモルファ
スシリコンの光導電層を形成する工程を含む電子写真用
感光体の製造方法であって、シランガスを導入した反応
室の平行な２つの電極間に基板を挿入し、この電極間に
高周波；力を間欠的に供給することによってアモルファ
スシリコンの成膜速度を調節することを特徴とする。即
ち、高周波電力を連続的に供給した時よりアモルファス
シリコンの成膜速度を低下させる場合、第２図に示すよ
うに高周波電力の供給時間（１）と非供ｎ 給時間（１）とを交互に設定して、間欠的なｆｆ 高周波電力を供給するのである。しかも、高周波電力の
供給時間（１）と非供給時間（ｔｏｆｆ）の割ｎ 合を変えることによって、アモルファスシリコンの成膜
速度を任意に調節することができる。
スシリコンの光導電層を形成する工程を含む電子写真用
感光体の製造方法であって、シランガスを導入した反応
室の平行な２つの電極間に基板を挿入し、この電極間に
高周波；力を間欠的に供給することによってアモルファ
スシリコンの成膜速度を調節することを特徴とする。即
ち、高周波電力を連続的に供給した時よりアモルファス
シリコンの成膜速度を低下させる場合、第２図に示すよ
うに高周波電力の供給時間（１）と非供ｎ 給時間（１）とを交互に設定して、間欠的なｆｆ 高周波電力を供給するのである。しかも、高周波電力の
供給時間（１）と非供給時間（ｔｏｆｆ）の割ｎ 合を変えることによって、アモルファスシリコンの成膜
速度を任意に調節することができる。
次に、第１図に示すようなプラズマＣＶＤ装置を用いて
第３図の感光体を製造する場合について具体的に説明す
る。
第３図の感光体を製造する場合について具体的に説明す
る。
このプラズマＣＶＤ装置はＡＸＢ及びＣの３室の反応室
を備え、各反応室にはそれぞれ上下に平行して２個の電
極５．６が配置されている。この電極５．６のうちの片
方６には高周波（ＲＦ） 電源７から高周波電力が印加
されるのでＲＦ電極と呼ばれる。また、各反応室Ａ、Ｂ
、Ｃは予じめ真空に排気され、シラン等の原料ガスがガ
ス供給手段８から連続的に供給されてガス排気手段９に
よって排気される。ベルト状の基板ｌは供給リール１０
から一定速度で供給され、電極５・６間を移動しながら
反応室Ａでブロック層２が、反応室Ｂで中間層３が、及
び反応室Ｃで表面層４がそれぞれ形成され、感光体１１
となって巻取リール１２に巻取られる。詳しく述べれば
、ＲＦ電極６に高周波電力を印加してシランガス及び必
要に応じて添加されたその他の原料ガスのプラズマを発
生させることにより、基Ｆｉ、１上にアモルファスシリ
コンを成膜するのであるが、厚い中間層３を形成する反
応室Ｂでは高周波電力を連続的に供給してアモルファス
シリコンを高速で形成する一方、薄いブロック層２及び
表面層４を形成する反応室Ａ及びＣにおいては高周波電
力を第２図に示す如く間欠的ニ供給することによってア
モルファスシリコンの成膜速度を低減させるのである。
を備え、各反応室にはそれぞれ上下に平行して２個の電
極５．６が配置されている。この電極５．６のうちの片
方６には高周波（ＲＦ） 電源７から高周波電力が印加
されるのでＲＦ電極と呼ばれる。また、各反応室Ａ、Ｂ
、Ｃは予じめ真空に排気され、シラン等の原料ガスがガ
ス供給手段８から連続的に供給されてガス排気手段９に
よって排気される。ベルト状の基板ｌは供給リール１０
から一定速度で供給され、電極５・６間を移動しながら
反応室Ａでブロック層２が、反応室Ｂで中間層３が、及
び反応室Ｃで表面層４がそれぞれ形成され、感光体１１
となって巻取リール１２に巻取られる。詳しく述べれば
、ＲＦ電極６に高周波電力を印加してシランガス及び必
要に応じて添加されたその他の原料ガスのプラズマを発
生させることにより、基Ｆｉ、１上にアモルファスシリ
コンを成膜するのであるが、厚い中間層３を形成する反
応室Ｂでは高周波電力を連続的に供給してアモルファス
シリコンを高速で形成する一方、薄いブロック層２及び
表面層４を形成する反応室Ａ及びＣにおいては高周波電
力を第２図に示す如く間欠的ニ供給することによってア
モルファスシリコンの成膜速度を低減させるのである。
上記の例では３室の反応室を備えたプラズマＣＶＤ装置
について述べたが、連続した複数のアモルファスシリコ
ン層の構成に過じて２室、４室あるいはそれ以上の反応
室を備えた装置にも適用できる。更に、ベルト状基板を
用いて感光体を連続的に製造する必要がない場合には、
単室の反応室のみのプラズマＣＶＤ装置を使用して本発
明の方法を実施することもできる。
について述べたが、連続した複数のアモルファスシリコ
ン層の構成に過じて２室、４室あるいはそれ以上の反応
室を備えた装置にも適用できる。更に、ベルト状基板を
用いて感光体を連続的に製造する必要がない場合には、
単室の反応室のみのプラズマＣＶＤ装置を使用して本発
明の方法を実施することもできる。
第１図に示す３室の反応室を備えたプラズマＣＶＤ装置
を使用して、第３図に示す連続した３層のアモルファス
シリコン層を有する電子写真用感光体を製造した。この
装置の反応室Ａ及びＣの電極の基板移動方向における長
さは０．２ｍであり、反応室Ｂの電極の基板移動方向に
おける長さは０．５ｍであった。ベルト状基板を移動速
度Ｑ、 ９ ｍ／ｈで連続的に供給し、濃度１００％の
シラン（８１Ｎ）ガスを一定流量で供給しながら０．２
５Ｗ／ｅの電力密度で高周波電力を電極に印加した。反
応室Ｂではこの高周波電力を連続的に供給したが、反応
室Ａではｔ。ｎ／（ｔｏ討ｔ０ｔ ｒ） −１／４ｏ及
び反応室Ｃではｔｏ、／（ｔｏｎ＋ ｔ ｏｆｆ）−＋
／ｓｏとなるように間欠的に高周波電力を供給した。上
記の条件でアモルファスシリコンを１００時間連続して
成膜した結果、得られた感光体のアモルファスシリコン
の平均膜厚はブロック層２が５００え、中間層３が５μ
ｍ１及び表面層４が３００Ｘであった。また、得られた
感光体の光導電特性を測定した結果を従来の感光体と比
較して下記の表に要約した。比較に使用した従来の感光
体は、ＲＦ’！極上にシャッターを取り付けた以外は第
１図と同じ装置を使用して製造し、３層からなるアモル
ファスシリコン層の構造も本実施例で得られた感光体と
同一のものであった。
を使用して、第３図に示す連続した３層のアモルファス
シリコン層を有する電子写真用感光体を製造した。この
装置の反応室Ａ及びＣの電極の基板移動方向における長
さは０．２ｍであり、反応室Ｂの電極の基板移動方向に
おける長さは０．５ｍであった。ベルト状基板を移動速
度Ｑ、 ９ ｍ／ｈで連続的に供給し、濃度１００％の
シラン（８１Ｎ）ガスを一定流量で供給しながら０．２
５Ｗ／ｅの電力密度で高周波電力を電極に印加した。反
応室Ｂではこの高周波電力を連続的に供給したが、反応
室Ａではｔ。ｎ／（ｔｏ討ｔ０ｔ ｒ） −１／４ｏ及
び反応室Ｃではｔｏ、／（ｔｏｎ＋ ｔ ｏｆｆ）−＋
／ｓｏとなるように間欠的に高周波電力を供給した。上
記の条件でアモルファスシリコンを１００時間連続して
成膜した結果、得られた感光体のアモルファスシリコン
の平均膜厚はブロック層２が５００え、中間層３が５μ
ｍ１及び表面層４が３００Ｘであった。また、得られた
感光体の光導電特性を測定した結果を従来の感光体と比
較して下記の表に要約した。比較に使用した従来の感光
体は、ＲＦ’！極上にシャッターを取り付けた以外は第
１図と同じ装置を使用して製造し、３層からなるアモル
ファスシリコン層の構造も本実施例で得られた感光体と
同一のものであった。
従来 ２００ １０ ３０ １０本発明
５００ ３０ ４ ７この表から
判るように、本発明の方法により製造された感光体はア
モルファスシリコン層の膜質が良好でしかも安定してい
るため、上記の感光体特性全てについて従来のものより
も優れていた。
５００ ３０ ４ ７この表から
判るように、本発明の方法により製造された感光体はア
モルファスシリコン層の膜質が良好でしかも安定してい
るため、上記の感光体特性全てについて従来のものより
も優れていた。
更に、従来の感光体の製造においてはシャッターに成膜
されたアモルファスシリコンを除去する為に３２時間毎
に装置を停止してりＩＪ−ニングをしたが、本発明の方
法では１００時間経過後でもりＩＪ−ニングを必要とし
なかった。
されたアモルファスシリコンを除去する為に３２時間毎
に装置を停止してりＩＪ−ニングをしたが、本発明の方
法では１００時間経過後でもりＩＪ−ニングを必要とし
なかった。
本発明によれば、高周波電力を間欠的に供給することに
よりアモルファスシリコンの成膜速度を低減させること
ができ、従って連続的な薄い層と厚い層とを含む多層の
アモルファスシリコン層を連続して効率的に製造できる
。しかも、間欠的であっても供給時には高周波電力は１
００％印加されるので、膜質が良好で且つ安定したアモ
ルファスシリコンが得られる。更に、希釈用のガスを使
用しないのでガス供給系を簡素化でき、設備コストが安
い。電極にシャッターを取り付けないのでシャッターに
アモルファスシリコンが付着することがなく、反応室の
クリーニング回数を減らずことができ、非常に能率的で
ある。
よりアモルファスシリコンの成膜速度を低減させること
ができ、従って連続的な薄い層と厚い層とを含む多層の
アモルファスシリコン層を連続して効率的に製造できる
。しかも、間欠的であっても供給時には高周波電力は１
００％印加されるので、膜質が良好で且つ安定したアモ
ルファスシリコンが得られる。更に、希釈用のガスを使
用しないのでガス供給系を簡素化でき、設備コストが安
い。電極にシャッターを取り付けないのでシャッターに
アモルファスシリコンが付着することがなく、反応室の
クリーニング回数を減らずことができ、非常に能率的で
ある。
第１図は本発明の方法を実施するためのプラズマＣＶＤ
装置の一例を示す概略断面図である。 第２図は本発明の方法においてプラズマＣＶＤ装置に供
給される高周波電力の電圧波形を示す図である。 第３図は３Ｎのアモルファスシリコン／Ｈｕｆｆえた感
光体の断面図である。 １・・基板、２・・ブロック層、３・・中間層、４・・
表面層、５．６・・電極、７・・ＲＦ−源、８・・ガス
供給手段、９・・ガス排気手段。 出願人 住友電気工業株式会社 １４てｊ′−）、
装置の一例を示す概略断面図である。 第２図は本発明の方法においてプラズマＣＶＤ装置に供
給される高周波電力の電圧波形を示す図である。 第３図は３Ｎのアモルファスシリコン／Ｈｕｆｆえた感
光体の断面図である。 １・・基板、２・・ブロック層、３・・中間層、４・・
表面層、５．６・・電極、７・・ＲＦ−源、８・・ガス
供給手段、９・・ガス排気手段。 出願人 住友電気工業株式会社 １４てｊ′−）、
Claims (1)
- （１）プラズマＣＶＤ法に従つてシランガスを導入した
反応室の平行な２つの電極間に基板を挿入し、この電極
間に高周波電力を供給することにより基板上にアモルフ
ァスシリコン層を形成する工程において、高周波電力を
間欠的に供給することによつてアモルファスシリコンの
成膜速度を調節することを特徴とする、電子写真用感光
体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16936285A JPS6228765A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16936285A JPS6228765A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6228765A true JPS6228765A (ja) | 1987-02-06 |
Family
ID=15885171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16936285A Pending JPS6228765A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6228765A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06338632A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP2007224339A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Serubakku:Kk | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP2008162625A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | チューブ容器 |
-
1985
- 1985-07-30 JP JP16936285A patent/JPS6228765A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06338632A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP2007224339A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Serubakku:Kk | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP2008162625A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | チューブ容器 |
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