JPS6228773A - 反転現像方法 - Google Patents
反転現像方法Info
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- JPS6228773A JPS6228773A JP16782685A JP16782685A JPS6228773A JP S6228773 A JPS6228773 A JP S6228773A JP 16782685 A JP16782685 A JP 16782685A JP 16782685 A JP16782685 A JP 16782685A JP S6228773 A JPS6228773 A JP S6228773A
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- JP
- Japan
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- toner
- photoreceptor
- development
- magnetic
- toner carrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は一成分の高抵抗磁性トナーを用いた反転現像方
法に係り、更に詳細にはトナー担持体上・:Ij 1に担持されたトナー層厚と感光体の静電保持面が非接
触の状態でトナーを転移させる反転現像方法に関する。
法に係り、更に詳細にはトナー担持体上・:Ij 1に担持されたトナー層厚と感光体の静電保持面が非接
触の状態でトナーを転移させる反転現像方法に関する。
「従来の技術」
従来よりレーザービーム、オプチカルファイ/ヘー、L
ED、LCD等の露光手段を用いて、全面帯電させた感
光体に非荷電の静電潜像を形成するプリンターやファク
シミリ等の画像形成装置は既に公知であり、これらの装
置に使用される現像方法は電子複写機の場合と異なり、
感光体の帯電極性と同極性の電荷を付与したトナーを、
前記露光手段により形成された感光体のネガ的(非荷電
)な静電潜像部位に選択的に付着、言い換えれば、静電
荷を有する非露光部分には静電的反発力によりトナーを
付着させずに、非荷電部分である静電潜像部にのみトナ
ーを転移させる、いわゆる反転現像方法を採用している
。
ED、LCD等の露光手段を用いて、全面帯電させた感
光体に非荷電の静電潜像を形成するプリンターやファク
シミリ等の画像形成装置は既に公知であり、これらの装
置に使用される現像方法は電子複写機の場合と異なり、
感光体の帯電極性と同極性の電荷を付与したトナーを、
前記露光手段により形成された感光体のネガ的(非荷電
)な静電潜像部位に選択的に付着、言い換えれば、静電
荷を有する非露光部分には静電的反発力によりトナーを
付着させずに、非荷電部分である静電潜像部にのみトナ
ーを転移させる、いわゆる反転現像方法を採用している
。
かかる反転現像方法には、装置の小形化、現像の安定化
、転写効率の向上の面から高抵抗の磁性へ トナーを用いる事が有利であり、かかる一成分の高抵抗
磁性トナーを用いる反転現像方法として、該磁性トナー
を担持するトナー担持体上に形成された磁気刷子を、感
光体表面に摺擦させて現像を行う磁気刷子現像方法や、
感光体と所定間隔離間させて対面配置したトナー担持体
側に、直流電圧又は交番電圧等のバイアス電圧を印加さ
せ、該バイアス電圧によりトナー担持体より感光体の静
電潜像部にトナーを転移させる非接触現像方法が知られ
ている。
、転写効率の向上の面から高抵抗の磁性へ トナーを用いる事が有利であり、かかる一成分の高抵抗
磁性トナーを用いる反転現像方法として、該磁性トナー
を担持するトナー担持体上に形成された磁気刷子を、感
光体表面に摺擦させて現像を行う磁気刷子現像方法や、
感光体と所定間隔離間させて対面配置したトナー担持体
側に、直流電圧又は交番電圧等のバイアス電圧を印加さ
せ、該バイアス電圧によりトナー担持体より感光体の静
電潜像部にトナーを転移させる非接触現像方法が知られ
ている。
しかしながら、前記磁気刷子現像方法においては、感光
体のほぼ全面にトナーを摺擦させて現像を行う為に該摺
擦により感光体が摩耗し、特に前記反転現像方法を適用
する各種画像形成機においては、いずれも現像速度の高
速化を図っている為に、僅か数万枚の現像枚数毎に感光
体を交換しなければならない現像方法では、メンテナン
ス及び耐久性の面より不都合であり、この為近年の反転
現像方法の開発の主流は非接触現像にその比重が移って
来ているのが実態である。
体のほぼ全面にトナーを摺擦させて現像を行う為に該摺
擦により感光体が摩耗し、特に前記反転現像方法を適用
する各種画像形成機においては、いずれも現像速度の高
速化を図っている為に、僅か数万枚の現像枚数毎に感光
体を交換しなければならない現像方法では、メンテナン
ス及び耐久性の面より不都合であり、この為近年の反転
現像方法の開発の主流は非接触現像にその比重が移って
来ているのが実態である。
非接触現像は一般に、現像領域中に印加するパ′ハ
鳴トアス電圧の電位レベルを、少なく共感光体の非画像
部における最大帯電電位(以下飽和帯電電位という)以
下に設定すると共に、背景部分のトナー付着、即ちかぶ
りを発生するのを防止する為に、現像位置におけるトナ
ー担持体の背面側に単一の固定磁極を配置し、トナー担
持体上に担持させたトナー層の穂立てを行って現像を行
うものが一般的である。(特開昭58−48439号他
)「発明が解決しようとする問題点」 しかしながら、かかる従来技術においては、前記現像位
置の背面側に固定磁極が配置されている為に、トナー担
持体上に形成された磁界に打ち勝つだけのバイアス電圧
を印加しなければならず、而も該バイアス電圧は感光体
の飽和帯電電位以下に設定しなければならない為に、必
然的に感光体の飽和帯電電位が高くなり、感光体の疲労
度が増加し、耐久性が低減するという問題が生じる。
部における最大帯電電位(以下飽和帯電電位という)以
下に設定すると共に、背景部分のトナー付着、即ちかぶ
りを発生するのを防止する為に、現像位置におけるトナ
ー担持体の背面側に単一の固定磁極を配置し、トナー担
持体上に担持させたトナー層の穂立てを行って現像を行
うものが一般的である。(特開昭58−48439号他
)「発明が解決しようとする問題点」 しかしながら、かかる従来技術においては、前記現像位
置の背面側に固定磁極が配置されている為に、トナー担
持体上に形成された磁界に打ち勝つだけのバイアス電圧
を印加しなければならず、而も該バイアス電圧は感光体
の飽和帯電電位以下に設定しなければならない為に、必
然的に感光体の飽和帯電電位が高くなり、感光体の疲労
度が増加し、耐久性が低減するという問題が生じる。
又かかる技術手段によればトナー担持体上に山形状のト
ナー穂を形成する為に、現像位置におけよトナー層が粗
となり、この結果にじみがなく切れ7のいい、即ち鮮鋭
度の低下と共に高濃度の画像が得にくいという問題を有
す。
ナー穂を形成する為に、現像位置におけよトナー層が粗
となり、この結果にじみがなく切れ7のいい、即ち鮮鋭
度の低下と共に高濃度の画像が得にくいという問題を有
す。
かかる欠点を解消する為に、例えば正規現像における磁
気刷子現像方法において既に開示されているように、現
像位置におけるトナー担持体背面側に、トナー搬送方向
に沿って異極性の固定磁極を配置し、現像位置における
トナー層の密度を高めるよう構成する事も可能であるが
、このように構成すると、磁力によるトナー担持力が低
下し、逆にかぶりが生じ易くなるという欠点が発生する
。
気刷子現像方法において既に開示されているように、現
像位置におけるトナー担持体背面側に、トナー搬送方向
に沿って異極性の固定磁極を配置し、現像位置における
トナー層の密度を高めるよう構成する事も可能であるが
、このように構成すると、磁力によるトナー担持力が低
下し、逆にかぶりが生じ易くなるという欠点が発生する
。
又かかる欠点を解消する為に前記固定磁極の磁束密度を
大にすると、その分現像領域中に印加するバイアス電圧
の電位レベルを上げる、即ち感光体の゛飽和帯電電位を
上げねばならず、感光体の疲労度が増大する。
大にすると、その分現像領域中に印加するバイアス電圧
の電位レベルを上げる、即ち感光体の゛飽和帯電電位を
上げねばならず、感光体の疲労度が増大する。
本発明は、かかる非接触現像に適用される反転現像方法
において、感光体の耐久性の向上と共に、かぶりやにじ
みが生じる事なく高濃度にして且つ鮮鋭な画像を提供し
得る反転現像方法を提供する事を目的とする。
において、感光体の耐久性の向上と共に、かぶりやにじ
みが生じる事なく高濃度にして且つ鮮鋭な画像を提供し
得る反転現像方法を提供する事を目的とする。
「本発明の概要」
先ず本発明の完成に至るまでの経過を説明する。
一般に、定常電圧の直流バイアスを現像領域に印加して
現像を行った場合は、トナー担持体背側に固定磁極を配
置したか否かとは無関係に、前記直流バイアス電圧を感
光体の非露光部電位以下にしなければ、かぶりが発生す
る事は周知である。
現像を行った場合は、トナー担持体背側に固定磁極を配
置したか否かとは無関係に、前記直流バイアス電圧を感
光体の非露光部電位以下にしなければ、かぶりが発生す
る事は周知である。
しかしながら感光体の非露光部の電位は感光体の疲労そ
の他によって低下し、この為前記直澄バイアスミ位は感
光体の飽和帯電電位より相当低い所、具体的には273
以下に設定しなければならないとされている(特開昭5
8−4Ei439号)が、このようにバイアス電位を低
く設定すれば画像濃度の低下が生じるのはいうまでもな
い。
の他によって低下し、この為前記直澄バイアスミ位は感
光体の飽和帯電電位より相当低い所、具体的には273
以下に設定しなければならないとされている(特開昭5
8−4Ei439号)が、このようにバイアス電位を低
く設定すれば画像濃度の低下が生じるのはいうまでもな
い。
さて、前記現像領域に感光体の帯電極性と同極性のバイ
アス電圧を印加した場合のトナーの転移状症について詳
細に説明するに、いわゆる非接触現像方法においてはト
ナー担持体上に担持されたトナー層と感光体間に所定の
現像間隔りを有する為に、前記トナーがトナー担持体よ
り感光体に転移する為には、「トナー飛翔速度SX現像
間隔L」からなる有限の時間を必要とする。
アス電圧を印加した場合のトナーの転移状症について詳
細に説明するに、いわゆる非接触現像方法においてはト
ナー担持体上に担持されたトナー層と感光体間に所定の
現像間隔りを有する為に、前記トナーがトナー担持体よ
り感光体に転移する為には、「トナー飛翔速度SX現像
間隔L」からなる有限の時間を必要とする。
そして前記飛翔速度Sは現像間隔りに存在する電界、即
ち、バイアス電圧と感光体表面電位(露光部電位又は非
露光部電位)との差によって決定されるものであり、従
ってバイアス電圧が例え一定でも感光体表面電位(露光
部電位又は非露光部電位)が異なれば前記トナーの飛翔
速度Sは当然に異なる値を示すことになる。
ち、バイアス電圧と感光体表面電位(露光部電位又は非
露光部電位)との差によって決定されるものであり、従
ってバイアス電圧が例え一定でも感光体表面電位(露光
部電位又は非露光部電位)が異なれば前記トナーの飛翔
速度Sは当然に異なる値を示すことになる。
従って例えば、前記バイアス電圧を非露光部電位より大
に設定したとしても、非露光部(背景部)におけるトナ
ーの飛翔速度Sは露光部(i像形成部)における飛翔速
度Sより相当小である為に、前記バイアス電圧の印加時
間を小、即ち/くイアスミ圧をパルス電圧により形成す
れば、露光部(潜像形成部)におけるトナー飛翔速度S
は相当大である為に、パルス電圧の各印加周期毎に感光
体表面に転移し、一方非露光部(背景部)においζ では前記トナー飛翔速度Sが遅い為に、パルス電圧の各
印加周期中には感光体表面に到達せず、この結果、現像
領域空間中に位置するトナーがパルス電圧の非印加時に
磁界の作用によりトナー担持体側に引き戻され、かぶり
が生じない事となる。
に設定したとしても、非露光部(背景部)におけるトナ
ーの飛翔速度Sは露光部(i像形成部)における飛翔速
度Sより相当小である為に、前記バイアス電圧の印加時
間を小、即ち/くイアスミ圧をパルス電圧により形成す
れば、露光部(潜像形成部)におけるトナー飛翔速度S
は相当大である為に、パルス電圧の各印加周期毎に感光
体表面に転移し、一方非露光部(背景部)においζ では前記トナー飛翔速度Sが遅い為に、パルス電圧の各
印加周期中には感光体表面に到達せず、この結果、現像
領域空間中に位置するトナーがパルス電圧の非印加時に
磁界の作用によりトナー担持体側に引き戻され、かぶり
が生じない事となる。
一方、前記現像間隔りは、固定磁極を配した場合はトナ
ー穂が形成される為にrLl−旧」[Ll:感光体表面
からトナー層表面までの最近接距離、旧:(トナー穂高
さ)−(トナー層厚)]によって定まるが、前記固定磁
極を現像位置の背面側に配した単一の磁極で形成した場
合は前記トナー穂が山形状になり、感光体表面に極めて
近接する為に、前記現像間隔りは零に極めて近接し、こ
の結果トナー飛翔時間も零に極めて近づき、前記パルス
電圧を印加した意味が全くなくなる事になる。
ー穂が形成される為にrLl−旧」[Ll:感光体表面
からトナー層表面までの最近接距離、旧:(トナー穂高
さ)−(トナー層厚)]によって定まるが、前記固定磁
極を現像位置の背面側に配した単一の磁極で形成した場
合は前記トナー穂が山形状になり、感光体表面に極めて
近接する為に、前記現像間隔りは零に極めて近接し、こ
の結果トナー飛翔時間も零に極めて近づき、前記パルス
電圧を印加した意味が全くなくなる事になる。
そこで本発明は、前記バイアス電圧としてパルス電圧を
用いると共に、トナー担持体の感光体対面位置の反対側
に現像位置を挟む如く異極性の固定磁極を配し、トナー
担持体の現像領域中に吸引磁界を形成する事により、ト
ナー穂の高さを実質的にトナー層厚と同等、即ち旧を零
に近づけ、前記現像間隔りの確保を図り、パルス電圧を
印加した効果を保持すると共に、現像領域中に吸引磁界
を形成する事により、現像領域中のトナー層を密にし、
画像濃度の向上を図る事が出来る。
用いると共に、トナー担持体の感光体対面位置の反対側
に現像位置を挟む如く異極性の固定磁極を配し、トナー
担持体の現像領域中に吸引磁界を形成する事により、ト
ナー穂の高さを実質的にトナー層厚と同等、即ち旧を零
に近づけ、前記現像間隔りの確保を図り、パルス電圧を
印加した効果を保持すると共に、現像領域中に吸引磁界
を形成する事により、現像領域中のトナー層を密にし、
画像濃度の向上を図る事が出来る。
更に前記現像領域中に吸引磁界を形成しているので非露
光部即ち背景部分に転移途中にあるトナー粒子を引き戻
す効果も派生し、より一層のかぶり防止を図る事が出来
る。
光部即ち背景部分に転移途中にあるトナー粒子を引き戻
す効果も派生し、より一層のかぶり防止を図る事が出来
る。
更に前述したように前記パルス電圧レベルは感光体の飽
和帯電電位に近いか、それ以上に設定し得る為に当然に
画像濃度は向上し、而もその万感光体の帯電電位を低く
設定する事が可能となる為に、永年使用によっても感光
体の疲労が生じる事なく耐久性が向上する。
和帯電電位に近いか、それ以上に設定し得る為に当然に
画像濃度は向上し、而もその万感光体の帯電電位を低く
設定する事が可能となる為に、永年使用によっても感光
体の疲労が生じる事なく耐久性が向上する。
従ってかかる説明より理解される通り、本発明は例えば
第1図に示すように1、一成分の高抵抗゛磁性トナーを
用い、トナー担持体2上に担持されゝ込\ て、トナー担持体2の感光体1対面位置の反対側に、現
像位置C−Cを挟む如く異極性の固定磁極3゜4を配し
、トナー担持体2の現像領域中に吸引磁界を形成すると
共に、該現像領域中に、感光体1の帯電極性と同極性の
パルス電圧を印加した技術手段を提案することにある。
第1図に示すように1、一成分の高抵抗゛磁性トナーを
用い、トナー担持体2上に担持されゝ込\ て、トナー担持体2の感光体1対面位置の反対側に、現
像位置C−Cを挟む如く異極性の固定磁極3゜4を配し
、トナー担持体2の現像領域中に吸引磁界を形成すると
共に、該現像領域中に、感光体1の帯電極性と同極性の
パルス電圧を印加した技術手段を提案することにある。
尚、前記パルス電圧は一般に直流電源5にスイッチング
回路23を介在する事により得られる矩形波パルスを指
すが、これのみに限定されるものではなく、交流電源に
整流回路とグリッパ回路を接続することにより谷側電圧
レベルと山側電圧レベルがいずれも感光体1の帯電極性
と同極性になるように設定した略台形状のパルス電圧を
用いてもよい。
回路23を介在する事により得られる矩形波パルスを指
すが、これのみに限定されるものではなく、交流電源に
整流回路とグリッパ回路を接続することにより谷側電圧
レベルと山側電圧レベルがいずれも感光体1の帯電極性
と同極性になるように設定した略台形状のパルス電圧を
用いてもよい。
又前記パルス電圧の最大電圧レベルは、必ずしも無限に
高くし得るものでなく、前記固定磁極3゜4のトナー担
持体2上に形成される最大磁束密度等の関係によっで所
定の範囲内に設定する必要が又、前記固定磁極3,4の
配設位置と最大磁束密度は、例えば前記トナー担持体2
に非磁性スリーブを用いた反転現像方法において、スリ
ーブ中心からの固定磁極3,4間の開き角度を20〜5
0°に設定すると共に、該固定磁極3,4の非磁性スリ
ーブ上における最大磁束密度を約700ガウス以下に設
定するのがよい。
高くし得るものでなく、前記固定磁極3゜4のトナー担
持体2上に形成される最大磁束密度等の関係によっで所
定の範囲内に設定する必要が又、前記固定磁極3,4の
配設位置と最大磁束密度は、例えば前記トナー担持体2
に非磁性スリーブを用いた反転現像方法において、スリ
ーブ中心からの固定磁極3,4間の開き角度を20〜5
0°に設定すると共に、該固定磁極3,4の非磁性スリ
ーブ上における最大磁束密度を約700ガウス以下に設
定するのがよい。
「実施例」
以下、図面を参照して本発明の好適な実施例を例示的に
詳しく説明する。ただしこの実施例に記載されている構
成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に特
定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみに
限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。
詳しく説明する。ただしこの実施例に記載されている構
成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に特
定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみに
限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。
第3図は本発明が適用された画像形成装置の概略構成を
示し、感光体ドラム10は、表面に光導電性絶縁層10
aを形成してなり、矢印方向に100m+s/讐ecの
周速で回転可能に構成している。
示し、感光体ドラム10は、表面に光導電性絶縁層10
aを形成してなり、矢印方向に100m+s/讐ecの
周速で回転可能に構成している。
\。
光導電性絶縁層10aにはセレン、酸化亜鉛、アモルフ
ァスシリコン等の無機半導体や、ポリビニルカルバゾル
等の有機半導体等が使用され、夫々使用特性が異なるが
、本実施例においてはポリビニルカルバゾル系の有機半
導体を用い、正極性の帯電がなされるよう構成している
。
ァスシリコン等の無機半導体や、ポリビニルカルバゾル
等の有機半導体等が使用され、夫々使用特性が異なるが
、本実施例においてはポリビニルカルバゾル系の有機半
導体を用い、正極性の帯電がなされるよう構成している
。
前記感光体ドラム10の周囲には、回転方向に沿って感
光体表面10aを一様に均一帯電させる帯電器12、該
帯電された感光体表面10aの電荷を、画像情報に基づ
いて消散させ、所定の静電潜像を形成するレーザビーム
13、該静電潜像を反転現像する反転現像装置14、該
現像装置14により顕像化されたトナー像を転写紙15
に転写する転写器18、転写後の残留トナーを除去する
クリーナ17、及び非露光部の残留電荷を除去する除電
ランプ18(イレーザ)等が配置されており、これによ
り所定の画像形成サイクルを繰り返し行うことが可能と
なる。
光体表面10aを一様に均一帯電させる帯電器12、該
帯電された感光体表面10aの電荷を、画像情報に基づ
いて消散させ、所定の静電潜像を形成するレーザビーム
13、該静電潜像を反転現像する反転現像装置14、該
現像装置14により顕像化されたトナー像を転写紙15
に転写する転写器18、転写後の残留トナーを除去する
クリーナ17、及び非露光部の残留電荷を除去する除電
ランプ18(イレーザ)等が配置されており、これによ
り所定の画像形成サイクルを繰り返し行うことが可能と
なる。
さて、前記現像装置14は、感光体ドラムlOと所定間
隔離間して配置し、感光体ドラム10と同一の周速で矢
印方向に回転する非磁性スリーブ2と、該スリーブ2内
に内包された固定磁石集成体20と、前記感光体表面1
(la対面位置の上流側に配置された層厚規制部材21
と、トナー容器22から構成され、前記感光体ドラム1
0との現像間隔(最近接間隔)及び層厚規制部材21に
より規制されるトナー層厚は現像位置C−Cにおけるト
ナー層厚より現像間隔が大になるよう設定している。(
例えば現像間隔を約300ルm、トナー層厚を200
用m以下) 又前記非磁性スリーブ2には、スイッチング回路23を
介して直流電源5が接続され、該スイッチング回路23
に付設されたタイマー(図示せず)により周期的にスイ
ッチング操作を行うことにより矩形状の直流パルス電圧
が非磁性スリーブ2に印加されるよう構成している。
隔離間して配置し、感光体ドラム10と同一の周速で矢
印方向に回転する非磁性スリーブ2と、該スリーブ2内
に内包された固定磁石集成体20と、前記感光体表面1
(la対面位置の上流側に配置された層厚規制部材21
と、トナー容器22から構成され、前記感光体ドラム1
0との現像間隔(最近接間隔)及び層厚規制部材21に
より規制されるトナー層厚は現像位置C−Cにおけるト
ナー層厚より現像間隔が大になるよう設定している。(
例えば現像間隔を約300ルm、トナー層厚を200
用m以下) 又前記非磁性スリーブ2には、スイッチング回路23を
介して直流電源5が接続され、該スイッチング回路23
に付設されたタイマー(図示せず)により周期的にスイ
ッチング操作を行うことにより矩形状の直流パルス電圧
が非磁性スリーブ2に印加されるよう構成している。
又前記現像装置14に使用されるトナーとして、乎均粒
径9〜20Km、電気抵抗率が1014Ω・cm、比誘
電率が2.0以下であって、摩擦帯電により正の帯電極
性を有する磁性トナーを使用する。
径9〜20Km、電気抵抗率が1014Ω・cm、比誘
電率が2.0以下であって、摩擦帯電により正の帯電極
性を有する磁性トナーを使用する。
そしてかかる装置を用いて、非磁性スリーブ2内に内包
された固定磁石集成体20の、現像位置C−Cの背面側
に単一の固定磁極30を配設した場合(第4図比較例参
照)と、現像位置C−Cの両側に異極性の固定磁極3,
4を配置した場合(第1図実施例参照)の両者について
下記の条件下で種々の実験を行った。
された固定磁石集成体20の、現像位置C−Cの背面側
に単一の固定磁極30を配設した場合(第4図比較例参
照)と、現像位置C−Cの両側に異極性の固定磁極3,
4を配置した場合(第1図実施例参照)の両者について
下記の条件下で種々の実験を行った。
尚、第2図(A)乃至(C)は本発明の実施例の作用を
示すグラフであり、第5図(A)(B)は比較例の作用
を示すグラフである。
示すグラフであり、第5図(A)(B)は比較例の作用
を示すグラフである。
■パルスバイアス電圧レベルと画像濃度とかぶりとの関
係 感光体1の飽和帯電電位を450V、露光部電位を18
0v、パルスバイアス電圧の周波数を2.5 KHzデ
ユーティ比をl:1、固定磁極3,4の最大磁束密度を
450ガウス、固定磁極3,4間の開き角度(θ、実施
例)を30″に夫々設定し、パルスバイアス電圧レベル
(波高値、谷側電位レベル:OV)を変化させて画像濃
度とかぶりとの関係を調1、 以てみると、実施例においては、第2図(A)に示・J すように、略400v〜650vの範囲内においてかぶ
りやにじみがなく高濃度の画像が得られた。そしてこの
実験を繰り返し行い、統計的手法の2σの範囲内で、前
記好ましいパルスバイアス電圧の範囲が飽和帯電電位の
0.8乃至1.5倍である事が検定出来た。
係 感光体1の飽和帯電電位を450V、露光部電位を18
0v、パルスバイアス電圧の周波数を2.5 KHzデ
ユーティ比をl:1、固定磁極3,4の最大磁束密度を
450ガウス、固定磁極3,4間の開き角度(θ、実施
例)を30″に夫々設定し、パルスバイアス電圧レベル
(波高値、谷側電位レベル:OV)を変化させて画像濃
度とかぶりとの関係を調1、 以てみると、実施例においては、第2図(A)に示・J すように、略400v〜650vの範囲内においてかぶ
りやにじみがなく高濃度の画像が得られた。そしてこの
実験を繰り返し行い、統計的手法の2σの範囲内で、前
記好ましいパルスバイアス電圧の範囲が飽和帯電電位の
0.8乃至1.5倍である事が検定出来た。
一方、第5図(A)に示す比較例においては、パルスバ
イアス電圧が400v以上でも高濃度の画像が得られず
、且つ600v以上になるとかぶりやにじみが発生する
事が確認された。
イアス電圧が400v以上でも高濃度の画像が得られず
、且つ600v以上になるとかぶりやにじみが発生する
事が確認された。
即ち固定磁極30が一極の場合は成る域において急激に
濃度が得られるが、十分な濃度ではなく、更に濃度を得
ようとしても平衡状態になり、更には非画像部の背景部
分に急激にかぶりが生じ、且つ画像部のにじみが生じ鮮
鋭度が低下する。
濃度が得られるが、十分な濃度ではなく、更に濃度を得
ようとしても平衡状態になり、更には非画像部の背景部
分に急激にかぶりが生じ、且つ画像部のにじみが生じ鮮
鋭度が低下する。
■固定磁極3,4の最大磁束密度と画像濃度とかぶりと
の関係 感光体1の飽和帯電電位を450V、露光部電位を18
0 V、パルスバイアス電圧の周波数を2.5 KH−
鰺デューティ比を1:1、パルスバイアス電圧レベν ルを500 V 、固定磁極3.4間の開き角度(θ、
実施例)を30°に夫々設定し、固定磁極3.4の最大
磁束密度を変化させて画像濃度とかぶりとの関係を調べ
てみると、実施例においては第2図(B)に示すように
、実施例においては200ガウス以上でかぶりの発生が
なく、且つ600ガウス以上、約700ガウス付近まで
も高濃度の画像が得られた。
の関係 感光体1の飽和帯電電位を450V、露光部電位を18
0 V、パルスバイアス電圧の周波数を2.5 KH−
鰺デューティ比を1:1、パルスバイアス電圧レベν ルを500 V 、固定磁極3.4間の開き角度(θ、
実施例)を30°に夫々設定し、固定磁極3.4の最大
磁束密度を変化させて画像濃度とかぶりとの関係を調べ
てみると、実施例においては第2図(B)に示すように
、実施例においては200ガウス以上でかぶりの発生が
なく、且つ600ガウス以上、約700ガウス付近まで
も高濃度の画像が得られた。
一方、第5図(B)に示す比較例においては、略450
v以下でかぶりが生じ始めると共に、800ガウス以上
になると急激な画像濃度の低下が見られた。
v以下でかぶりが生じ始めると共に、800ガウス以上
になると急激な画像濃度の低下が見られた。
即ち本実施例においては、例えばトナー層厚が200
p−trr以下の場合においては、現像位置C−Cを挟
んだ磁石の磁力を各々200〜700ガウスにする事が
望ましい事が分った。
p−trr以下の場合においては、現像位置C−Cを挟
んだ磁石の磁力を各々200〜700ガウスにする事が
望ましい事が分った。
■固定磁極3,4間の開き角度と画像濃度とかぶりとの
関係 感光体1の飽和帯電電位を450v、露光部電位を18
0v、パルスバイアス電圧の周波数を2.5 Kl(Z
デユーティ比を1=1、パルスバイアス電圧レベルを5
00 V 、固定磁極3,4の最大磁束密度を450ガ
ウス、に夫々設定し、固定磁極3,4間の開き角度を変
化させて画像濃度とかぶりとの関係を調べてみると、第
2図(C)に示すように、現像位置C−Cを挟んで磁極
間の角度が20〜50゜の場合に、かぶりやにじみがな
く高濃度の画像が得られた。
関係 感光体1の飽和帯電電位を450v、露光部電位を18
0v、パルスバイアス電圧の周波数を2.5 Kl(Z
デユーティ比を1=1、パルスバイアス電圧レベルを5
00 V 、固定磁極3,4の最大磁束密度を450ガ
ウス、に夫々設定し、固定磁極3,4間の開き角度を変
化させて画像濃度とかぶりとの関係を調べてみると、第
2図(C)に示すように、現像位置C−Cを挟んで磁極
間の角度が20〜50゜の場合に、かぶりやにじみがな
く高濃度の画像が得られた。
「発明の効果」
以上記載した如く本発明によれば、トナー担持体上に担
持されたトナー層厚と感光体の静電保持面が非接触の状
態でトナーを転移させる反転現像方法において、感光体
の耐久性の向上と共に、かぶりやにじみが生じる事なく
高濃度にして且つ鮮鋭な画像が得られると共に、現像位
置C−Cに磁石を配置する必要がない為に、微細な角度
に気を取られれす、製造が容易である。
持されたトナー層厚と感光体の静電保持面が非接触の状
態でトナーを転移させる反転現像方法において、感光体
の耐久性の向上と共に、かぶりやにじみが生じる事なく
高濃度にして且つ鮮鋭な画像が得られると共に、現像位
置C−Cに磁石を配置する必要がない為に、微細な角度
に気を取られれす、製造が容易である。
又本発明によれば、現像位置において吸引磁界によりト
ナー層が形成出来る為に、現像位置におけるトナー層が
密になり、この結果トナー担持体上の表面粗さが粗であ
っても高濃度にして且つ鮮鋭な画像形成が可能である。
ナー層が形成出来る為に、現像位置におけるトナー層が
密になり、この結果トナー担持体上の表面粗さが粗であ
っても高濃度にして且つ鮮鋭な画像形成が可能である。
更に本発明によれば現像位置を挟んで配置される固定磁
極の磁力が小さくても良い為に製造が容易である等の種
々の著効を有す。
極の磁力が小さくても良い為に製造が容易である等の種
々の著効を有す。
明が適用される画像形成機を示す概略図である。
第4図は本発明の比較例を示す概略図である。
第2図及び第5図はいずれも本発明と比較例の作用を示
すグラフ図である。
すグラフ図である。
第 1 図
12図
バイアス電圧(v、)
壺大磁R本度(G) 画定磁壜
開−百角麿第3図 第5図
開−百角麿第3図 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)一成分の高抵抗磁性トナーを用い、トナー担持体上
に担持されたトナー層厚と感光体の静電保持面が非接触
の状態でトナーを転移させる反転現像方法において、ト
ナー担持体の感光体対面位置の反対側に、現像位置を挟
む如く異極性の固定磁極を配し、トナー担持体の現像領
域中に吸引磁界を形成すると共に、該現像領域中に、感
光体の帯電極性と同極性のパルス電圧を印加した事を特
徴とする反転現像方法 2)前記パルス電圧の最大電圧レベルを、感光体の飽和
帯電電位の0.8乃至1.5倍に設定した事を特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の反転現像方法 3)前記トナー担持体に非磁性スリーブを用いた反転現
像方法において、スリーブ中心からの固定磁極間開き角
度を20〜50°に設定すると共に、該固定磁極の非磁
性スリーブ上における最大磁束密度を、約700ガウス
以下に設定した事を特徴とする特許請求の範囲第1項又
は第2項記載の反転現像方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16782685A JPS6228773A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 反転現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16782685A JPS6228773A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 反転現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6228773A true JPS6228773A (ja) | 1987-02-06 |
Family
ID=15856811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16782685A Pending JPS6228773A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 反転現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6228773A (ja) |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP16782685A patent/JPS6228773A/ja active Pending
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