JPS6228917A - 簿膜磁気ヘツド用スライダおよびその製造方法 - Google Patents
簿膜磁気ヘツド用スライダおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6228917A JPS6228917A JP60167286A JP16728685A JPS6228917A JP S6228917 A JPS6228917 A JP S6228917A JP 60167286 A JP60167286 A JP 60167286A JP 16728685 A JP16728685 A JP 16728685A JP S6228917 A JPS6228917 A JP S6228917A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mgo
- slider
- aln
- powder
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、スライダの端面に磁性体、導電体および絶縁
体等の積層物よりなる薄膜トランスジューサを形成した
形態の薄膜磁気ヘッドに使用するに好適なスライダに関
する。
体等の積層物よりなる薄膜トランスジューサを形成した
形態の薄膜磁気ヘッドに使用するに好適なスライダに関
する。
磁気ディスクファイルの分野において、薄膜磁気ヘッド
を磁気ディスクよりわずかに浮上した状態で使用する方
法が広く採用されているが、データ処理の技術が長足に
進歩し、データが記録ディスク面により高密度に詰め込
まれるようになってきており、それに応じてヘッドとデ
ィスク面との距離を一層小さくする必要が生じてきてい
る。このような薄膜磁気ヘッド用のスライダ材は、該ヘ
ッド形成プロセスにおいて薬品や熱等に対して安定であ
ること、機械加工時に変形や変質しないこと、必要な寸
法精度が十分に出やすいこと、切削。
を磁気ディスクよりわずかに浮上した状態で使用する方
法が広く採用されているが、データ処理の技術が長足に
進歩し、データが記録ディスク面により高密度に詰め込
まれるようになってきており、それに応じてヘッドとデ
ィスク面との距離を一層小さくする必要が生じてきてい
る。このような薄膜磁気ヘッド用のスライダ材は、該ヘ
ッド形成プロセスにおいて薬品や熱等に対して安定であ
ること、機械加工時に変形や変質しないこと、必要な寸
法精度が十分に出やすいこと、切削。
研削、研摩等の加工が容易に行えること、および磁気デ
ィスクとの摺動性に優れること等が必要である。すなわ
ち、これらの要求を達成するためのスライダ材の物性値
としては、 （イ）熱膨張係数が薄膜トランスジューサを含む磁気ヘ
ッドアセンブリに使用する材料に近いこと、例えば、室
温から４００℃における熱膨張係数が７〜１２Ｘ１．０
６／’Ｃであることが望ましい。
ィスクとの摺動性に優れること等が必要である。すなわ
ち、これらの要求を達成するためのスライダ材の物性値
としては、 （イ）熱膨張係数が薄膜トランスジューサを含む磁気ヘ
ッドアセンブリに使用する材料に近いこと、例えば、室
温から４００℃における熱膨張係数が７〜１２Ｘ１．０
６／’Ｃであることが望ましい。
（ロ）熱伝導率が例えば５０Ｗ／ｒｎ−に以１−．で熱
的な影響を低めるものであること、 （ハ） 硬さが極端に高くなく、例えば１５００ｋｇ／
皿２以下（荷重１００Ｎ）で相手材を損傷させないこと
。
的な影響を低めるものであること、 （ハ） 硬さが極端に高くなく、例えば１５００ｋｇ／
皿２以下（荷重１００Ｎ）で相手材を損傷させないこと
。
（ニ） ヤング率が例えば２ Ｘ ］、 Ｏ’ｋｇ／
ｌＩｎ２以］−と高く、位置決め等の作業性が良好であ
ること。
ｌＩｎ２以］−と高く、位置決め等の作業性が良好であ
ること。
（ホ）比重が例えば４ｇ／ｃＪ以下と小さく、磁気ヘッ
ドの重量増加を小さくすることができること、 （へ） 曲げ強度が例えば３００ Ｍ Ｐ ａ以１−と
高いこと、 が要求される。
ドの重量増加を小さくすることができること、 （へ） 曲げ強度が例えば３００ Ｍ Ｐ ａ以１−と
高いこと、 が要求される。
ところで、従来の薄膜磁気ヘット用スライダ材として、
例えば特公昭５８−５４７０号公報に開示されているＡ
ＱｘＯｓとＴｉＣとの混合物から製造されるスライダ材
は、熱伝導率があまり大きくなく、さらに硬さが著しく
大きいこと等のために、長時間の使用中に磁気ディスク
と磁気ヘッドとの接触による事故が発生しやすく、必ず
しも信頼性の点で十分ではないという問題点があった。
例えば特公昭５８−５４７０号公報に開示されているＡ
ＱｘＯｓとＴｉＣとの混合物から製造されるスライダ材
は、熱伝導率があまり大きくなく、さらに硬さが著しく
大きいこと等のために、長時間の使用中に磁気ディスク
と磁気ヘッドとの接触による事故が発生しやすく、必ず
しも信頼性の点で十分ではないという問題点があった。
本発明の目的は、従来の薄膜磁気ヘッド用スライダ材に
おける前述のとおりの問題点を解消し、特の熱伝導率が
大きく、しかも硬さが極端に大きくない、磁気ディスク
との摺動性の優れた薄膜磁気ヘット用スライダおよびそ
の製造方法を提供することにある。
おける前述のとおりの問題点を解消し、特の熱伝導率が
大きく、しかも硬さが極端に大きくない、磁気ディスク
との摺動性の優れた薄膜磁気ヘット用スライダおよびそ
の製造方法を提供することにある。
本発明者らは、前記目的を達成するための手段を鋭意研
究した結果、前記薄膜磁気ヘッド用スライダとして具備
すべき条件を満足する材料として、ＭｇＯとＡｌＮの混
合物から製造された焼結体からなる材料が極めて優れて
いることを見い出したことに基づいて、完成されたもの
である。すなわち、本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダ
は、ＭｇＯとＡｌＮとの容量比が９０：１０〜２０ ：
８０の範囲にあるＭｇＯとＡｌＮの混合物から製造さ
れた焼結体からなることを特徴とするものである。
究した結果、前記薄膜磁気ヘッド用スライダとして具備
すべき条件を満足する材料として、ＭｇＯとＡｌＮの混
合物から製造された焼結体からなる材料が極めて優れて
いることを見い出したことに基づいて、完成されたもの
である。すなわち、本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダ
は、ＭｇＯとＡｌＮとの容量比が９０：１０〜２０ ：
８０の範囲にあるＭｇＯとＡｌＮの混合物から製造さ
れた焼結体からなることを特徴とするものである。
また、前記薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法として
、熱間加圧焼結法いわゆるホットプレス法、熱間静水圧
焼結法（ＨＴＰ方法）、あるいは加圧不活性ガス中での
焼結法を用いることにより、気孔率が極めて低く、スラ
イダ材とした望ましい特性を有するＭｇＯとＡｌＮの混
合焼結体が得られることを知見して完成されたものであ
る。
、熱間加圧焼結法いわゆるホットプレス法、熱間静水圧
焼結法（ＨＴＰ方法）、あるいは加圧不活性ガス中での
焼結法を用いることにより、気孔率が極めて低く、スラ
イダ材とした望ましい特性を有するＭｇＯとＡｌＮの混
合焼結体が得られることを知見して完成されたものであ
る。
すなわち、本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方
法の具体的構成は以下のとおりである。
法の具体的構成は以下のとおりである。
（イ） ＭｇＯ粉末とＡｌＮ粉末をその容量比が９０
：１０〜２０ ： ８０の範囲で均一に混合し、Ｍｇｏ
とＡｌＮの混合粉末を得たのち、該混合粉末を所定の形
状の黒鉛型に挿入し、非酸化性雰囲気中で１１００〜２
０００℃に加熱するとともに、該混合粉末に１０〜７０
Ｍ Ｐ ａの荷重を負荷しながら焼結を行うことを特
徴とするＭｇＯとＡｆｉＮの混合焼結体からなる薄膜磁
気ヘッド用スライダの製造方法。
：１０〜２０ ： ８０の範囲で均一に混合し、Ｍｇｏ
とＡｌＮの混合粉末を得たのち、該混合粉末を所定の形
状の黒鉛型に挿入し、非酸化性雰囲気中で１１００〜２
０００℃に加熱するとともに、該混合粉末に１０〜７０
Ｍ Ｐ ａの荷重を負荷しながら焼結を行うことを特
徴とするＭｇＯとＡｆｉＮの混合焼結体からなる薄膜磁
気ヘッド用スライダの製造方法。
（ロ） ＭｇＯ粉末とＡｌＮ粉末をその容量比が９０
： １０〜２０ ： ８０の範囲で均一に混合しｌＭ
ｇＯとＡｌＮの混合粉末を得たのち、該混合粉末を予備
焼結し、９０％以上の緻密度を有する予備焼結体とし、
該予備焼結体を非酸化性雰囲気中で１１００〜２０００
℃、圧力１００〜２００ Ｍ Ｐ ａの熱間静水圧焼結
法により本焼結を行うことを特徴とするＭｇＯとＡｌＮ
の混合焼結体からなる薄膜磁気ヘッド用スライダの製造
方法。
： １０〜２０ ： ８０の範囲で均一に混合しｌＭ
ｇＯとＡｌＮの混合粉末を得たのち、該混合粉末を予備
焼結し、９０％以上の緻密度を有する予備焼結体とし、
該予備焼結体を非酸化性雰囲気中で１１００〜２０００
℃、圧力１００〜２００ Ｍ Ｐ ａの熱間静水圧焼結
法により本焼結を行うことを特徴とするＭｇＯとＡｌＮ
の混合焼結体からなる薄膜磁気ヘッド用スライダの製造
方法。
（ハ）Ｍｇ、Ｏ粉末とＡＭＮ粉末をその容量比が９０：
１０〜２０：８０の範囲で均一に混合し、ＭｇＯとＡｌ
Ｎの混合粉末を得たのち、該混合粉末を黒鉛型に挿入し
、加圧不活性ガス中で１１００〜２０００℃で焼結する
ことを特徴とするＭｇＯとＡｌＮの混合焼結体からなる
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法
。
１０〜２０：８０の範囲で均一に混合し、ＭｇＯとＡｌ
Ｎの混合粉末を得たのち、該混合粉末を黒鉛型に挿入し
、加圧不活性ガス中で１１００〜２０００℃で焼結する
ことを特徴とするＭｇＯとＡｌＮの混合焼結体からなる
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法
。
ここで、本発明において薄膜磁気ヘッド用スライダとし
てＭｇＯとＡｌＮの混合物とした理由およ５びその混合
比を容量比で９０：１０〜２０：８０とした理由につい
て説明する。
てＭｇＯとＡｌＮの混合物とした理由およ５びその混合
比を容量比で９０：１０〜２０：８０とした理由につい
て説明する。
ＭｇＯは、熱伝導率が大きいこと、ヤング率が大きいこ
と、硬さが極端に大きくないこと、比重が小さいこと、
機械加工性が優れていることなどの点でスライダとして
好適である。しかしながら一方で、熱膨張係数が大きい
こと、強度があまり大きくないこと等の点が欠点として
挙げられる。
と、硬さが極端に大きくないこと、比重が小さいこと、
機械加工性が優れていることなどの点でスライダとして
好適である。しかしながら一方で、熱膨張係数が大きい
こと、強度があまり大きくないこと等の点が欠点として
挙げられる。
ＡｌＮは、ヤング率が大きいこと、熱伝導率が大きいこ
と、硬さが極端に大きくないこと、比重が小さいこと、
強度が大きいことなどの点でスライダとして好適である
。一方、ＡｌＮは、熱膨張係数が小さいこと、機械加工
性があまり良くないこと等の欠点がある。
と、硬さが極端に大きくないこと、比重が小さいこと、
強度が大きいことなどの点でスライダとして好適である
。一方、ＡｌＮは、熱膨張係数が小さいこと、機械加工
性があまり良くないこと等の欠点がある。
本発明は、上記したＭｇＯとＡｌ１Ｎのスライダとして
の長所を生かし、しかも短所を相補わせるために、Ｍｇ
ＯとＡｌＮを混合し、これを焼結することによって、薄
膜磁気ヘッド用スライダ材を得ようとするものである。
の長所を生かし、しかも短所を相補わせるために、Ｍｇ
ＯとＡｌＮを混合し、これを焼結することによって、薄
膜磁気ヘッド用スライダ材を得ようとするものである。
本発明になるスライダは、ＭｇＯとＡｊｌｌＮの比が容
量比で９．０：１０〜２０７８０の範囲にある非末混合
物から製造された焼結体からなる。ＭｇＯ量が多すぎる
と、熱膨張係数が大きすぎること、強度があまり大きく
ないことなどの問題が生じ、逆にＡｌＮの量が多すぎる
場合、熱膨張係数が小さすぎること、機械加工性がよく
ないことなどの問題が生じるため、本発明においては、
ＭｇＯとＡｌＮの混合容量比を９０：１０〜２０ ：
８０に特定したものである。
量比で９．０：１０〜２０７８０の範囲にある非末混合
物から製造された焼結体からなる。ＭｇＯ量が多すぎる
と、熱膨張係数が大きすぎること、強度があまり大きく
ないことなどの問題が生じ、逆にＡｌＮの量が多すぎる
場合、熱膨張係数が小さすぎること、機械加工性がよく
ないことなどの問題が生じるため、本発明においては、
ＭｇＯとＡｌＮの混合容量比を９０：１０〜２０ ：
８０に特定したものである。
また、前記焼結体は、強度、機械加工性および特性の均
一性の点から、気孔率が０．５ ％以下で、焼結粒の大
きさが平均値で１０μｍ以下であることが好ましい。
一性の点から、気孔率が０．５ ％以下で、焼結粒の大
きさが平均値で１０μｍ以下であることが好ましい。
次に、本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダ材の製造方法
において、その製造条件を特定した理由について説明す
る。
において、その製造条件を特定した理由について説明す
る。
すなわち、前述の特性を有する焼結体は、好ましくはホ
ットプレス製造される。ホットプレスの条件は一律には
決められないが、通常の条件としては、温度１１００〜
２０００℃、荷重１０〜７０ Ｍ Ｐ ａで、時間は焼
結体の気孔率が０．５ ％以下になるのに十分な時間行
う。焼結時の雰囲気も重要で、酸化性の雰囲気は使えな
い。すなわち、酸化性の雰囲気中では昇温時ＡΩＮが酸
化してしまうためである。このため、焼結時の雰囲気は
、真空またはアルゴン、ヘリウム、窒素のような不活性
ガス雰囲気および水素ガスのごとき還元性雰囲気中で焼
結を行う。また、原料粉末の粒径は、１０μｍであるこ
とが好ましい。すなわち、原料粉末の粒径が小さければ
小さいほど焼結が容易である。また１粒径の小さい原料
粉末を使用し、結晶粒径が小さい焼結体を製造すれば、
該焼結体からなるスライダは、機械加工性に優れる。焼
結体をホットプレス法で製造する場合、型材には通常黒
鉛が使われる。温度が１１００℃より低い場合、焼結体
は緻密化しにくい。温度が２０００℃以上になると、焼
結時に粒成長が起こり、結晶粒の著しく大きな焼結体に
なり、機械加工性が悪くなり、特にチッピングの大きさ
を大きくなる。ホットプレス時の荷重が１０ＭＰａより
低い場合、緻密な焼結体を作ることが困難である。ホッ
トプレス圧力の−Ｆ限は、型材の材質によって制限され
る。通常使用している黒鉛型の場合、約７０ Ｍ Ｐ
ａが上限と考えられる。しかし、一般的には大きなホッ
トプレス荷重を加えなくても、十分に緻密な焼結体が得
られ、２０〜３０ Ｍ Ｐ ａの荷重を加えれば十分で
ある。
ットプレス製造される。ホットプレスの条件は一律には
決められないが、通常の条件としては、温度１１００〜
２０００℃、荷重１０〜７０ Ｍ Ｐ ａで、時間は焼
結体の気孔率が０．５ ％以下になるのに十分な時間行
う。焼結時の雰囲気も重要で、酸化性の雰囲気は使えな
い。すなわち、酸化性の雰囲気中では昇温時ＡΩＮが酸
化してしまうためである。このため、焼結時の雰囲気は
、真空またはアルゴン、ヘリウム、窒素のような不活性
ガス雰囲気および水素ガスのごとき還元性雰囲気中で焼
結を行う。また、原料粉末の粒径は、１０μｍであるこ
とが好ましい。すなわち、原料粉末の粒径が小さければ
小さいほど焼結が容易である。また１粒径の小さい原料
粉末を使用し、結晶粒径が小さい焼結体を製造すれば、
該焼結体からなるスライダは、機械加工性に優れる。焼
結体をホットプレス法で製造する場合、型材には通常黒
鉛が使われる。温度が１１００℃より低い場合、焼結体
は緻密化しにくい。温度が２０００℃以上になると、焼
結時に粒成長が起こり、結晶粒の著しく大きな焼結体に
なり、機械加工性が悪くなり、特にチッピングの大きさ
を大きくなる。ホットプレス時の荷重が１０ＭＰａより
低い場合、緻密な焼結体を作ることが困難である。ホッ
トプレス圧力の−Ｆ限は、型材の材質によって制限され
る。通常使用している黒鉛型の場合、約７０ Ｍ Ｐ
ａが上限と考えられる。しかし、一般的には大きなホッ
トプレス荷重を加えなくても、十分に緻密な焼結体が得
られ、２０〜３０ Ｍ Ｐ ａの荷重を加えれば十分で
ある。
ホットプレス時間は、焼結体が気孔率０．５ ％以下
になるのに十分な時間であればよい。
になるのに十分な時間であればよい。
本発明の他の製造方法は、通常Ｉ■Ｉ Ｐと呼ばれてい
る熱間静水圧焼結法である。
る熱間静水圧焼結法である。
Ｉ−ｒ Ｔ Ｐは、気孔率の小さい焼結体を得る方法と
して極めて有効である。本発明における）Ｔ Ｉ Ｐは
、温度１１００℃から２０００℃の範囲で行う。この温
度範囲が選ばれる理由は、ホットプレスの時と同じであ
る。ＨＩ Ｐの圧力は大きれば大きいほど好ましく、通
常は１００−２００ Ｍ Ｐ ａで行う。
して極めて有効である。本発明における）Ｔ Ｉ Ｐは
、温度１１００℃から２０００℃の範囲で行う。この温
度範囲が選ばれる理由は、ホットプレスの時と同じであ
る。ＨＩ Ｐの圧力は大きれば大きいほど好ましく、通
常は１００−２００ Ｍ Ｐ ａで行う。
本発明においては、前述の）（Ｉ Ｐによる本焼結を行
うに際し、ＭｇＯとＡＲＮの混合粉末を予備焼結し、Ｍ
ｇＯとＡｌＮの粉末混合物が単純に混り合っているどし
て計算した密度に対して、相対値で９０％以上に緻密化
している予備焼結体を得て、これをＨＩ Ｐにより本焼
結する。
うに際し、ＭｇＯとＡＲＮの混合粉末を予備焼結し、Ｍ
ｇＯとＡｌＮの粉末混合物が単純に混り合っているどし
て計算した密度に対して、相対値で９０％以上に緻密化
している予備焼結体を得て、これをＨＩ Ｐにより本焼
結する。
さらに、本発明においては前記の焼結体を得る方法とし
て、無加圧焼結法も採用することができることを確認し
ているが、この無加圧焼結法の場合にも、温度１１００
〜２０００℃が好ましい。この温度の範囲が選ばれる理
由は、ホットプレスの時と同じであるが、焼結時の雰囲
気はホットプレスの場合と同様に、酸化性雰囲気は使え
ない。無加圧焼結時の好ましい雰囲気は不活性ガス雰ｎ
戴である。
て、無加圧焼結法も採用することができることを確認し
ているが、この無加圧焼結法の場合にも、温度１１００
〜２０００℃が好ましい。この温度の範囲が選ばれる理
由は、ホットプレスの時と同じであるが、焼結時の雰囲
気はホットプレスの場合と同様に、酸化性雰囲気は使え
ない。無加圧焼結時の好ましい雰囲気は不活性ガス雰ｎ
戴である。
無加圧焼結においては、ホットプレスの場合と異なり、
成形体は黒鉛型で押えつけられていないため、昇温時に
より熱分解しやすい。このため、無加圧焼結時の雰囲気
は不活性ガスで好ましくは加圧ガスの雰囲気が望ましい
。
成形体は黒鉛型で押えつけられていないため、昇温時に
より熱分解しやすい。このため、無加圧焼結時の雰囲気
は不活性ガスで好ましくは加圧ガスの雰囲気が望ましい
。
１−記した方法によって、本発明になるＭｈｏとＡρＮ
との粉末混合物より製造された焼結体よりなるスライダ
材は、薄膜磁気ヘッド素子を形成するプロセスにおいて
使用する薬品や熱等に対して安定であること、熱膨張係
数が薄膜ｌ・ランスジューサを含む磁気ヘッドアセンブ
リに使用する材料に近くできること、ヤング率が大きく
変形等が起こらないこと、熱伝導率が大きく、したがっ
て薄膜磁気ヘッドとして使用しているときに発生する熱
を逃しやすいこと、ビツカーズ硬さが１５００ｋｇ／庇
２以下で、長時間の使用に際しても磁気ディスクに対し
てダメージを与えないこと、比重が小さく、したがって
磁気ディスクトへの浮上が容易に行えること、機械加工
性に優れること、摺動寿命が長いことなどの点で従来の
スライダにはない利点を多く合わせ持つ。
との粉末混合物より製造された焼結体よりなるスライダ
材は、薄膜磁気ヘッド素子を形成するプロセスにおいて
使用する薬品や熱等に対して安定であること、熱膨張係
数が薄膜ｌ・ランスジューサを含む磁気ヘッドアセンブ
リに使用する材料に近くできること、ヤング率が大きく
変形等が起こらないこと、熱伝導率が大きく、したがっ
て薄膜磁気ヘッドとして使用しているときに発生する熱
を逃しやすいこと、ビツカーズ硬さが１５００ｋｇ／庇
２以下で、長時間の使用に際しても磁気ディスクに対し
てダメージを与えないこと、比重が小さく、したがって
磁気ディスクトへの浮上が容易に行えること、機械加工
性に優れること、摺動寿命が長いことなどの点で従来の
スライダにはない利点を多く合わせ持つ。
（発明の実施例〕
実施例１
純度が９９．９ ％で、平均粒径が０．６ μｍのＭ
ｇＯに、純度が９８％で、平均粒径３μｍのＡｌＮ粉末
を１０〜９０容量％添加して混合した。
ｇＯに、純度が９８％で、平均粒径３μｍのＡｌＮ粉末
を１０〜９０容量％添加して混合した。
該粉末混合物は、金型中で１５０ Ｍ Ｐ ａの荷重を
加えて成形したのち、成形体は黒鉛型の中に入れ、温度
１９００°Ｃで３０ Ｍ Ｐ ａの荷重を加え、窒素ガ
ス中で３０分間ホットプレスして焼結体を得た。
加えて成形したのち、成形体は黒鉛型の中に入れ、温度
１９００°Ｃで３０ Ｍ Ｐ ａの荷重を加え、窒素ガ
ス中で３０分間ホットプレスして焼結体を得た。
本実施例によって得た焼結体の密度は、いずれもＭｇ、
ＯとＡｎＮが混合しているとしてｍ純に計算した密度に
対して、９９．７〜１００．２％の範囲にあった。ここ
で、前述の１００．２％はＭｇＯとＡｌＮの−Ｘ＋が反
応した結果であると考えられる。
ＯとＡｎＮが混合しているとしてｍ純に計算した密度に
対して、９９．７〜１００．２％の範囲にあった。ここ
で、前述の１００．２％はＭｇＯとＡｌＮの−Ｘ＋が反
応した結果であると考えられる。
すなオ）ち、本実施例によって得た焼結体の気孔率は極
めて低いものである。さらに、該焼結体の破断面または
鏡面研摩面を走査型電子顕微鏡に用いて観察したが、気
孔はｌ１１ｍできなかった。一方、本実施例の焼結体の
Ｘ線回折の結果によれば、回折ピークはいずれもＭｇＯ
とＡｌＮが主であり、該焼結体はＭｇＯとＡｌＮが主成
分であることがわかった。
めて低いものである。さらに、該焼結体の破断面または
鏡面研摩面を走査型電子顕微鏡に用いて観察したが、気
孔はｌ１１ｍできなかった。一方、本実施例の焼結体の
Ｘ線回折の結果によれば、回折ピークはいずれもＭｇＯ
とＡｌＮが主であり、該焼結体はＭｇＯとＡｌＮが主成
分であることがわかった。
第１表は、製造した焼結体の特性である。焼結体ハＭ
ｇ ＯトＡ、 Ｑ Ｎが容ｌｉ比テ９０ ： １−０〜
２０：８０のとき熱膨張係数、ヤング率、熱伝導率。
ｇ ＯトＡ、 Ｑ Ｎが容ｌｉ比テ９０ ： １−０〜
２０：８０のとき熱膨張係数、ヤング率、熱伝導率。
硬さ、比重２強度ともスライダ材とし°Ｃ望ましい値を
持っていることがわかる。
持っていることがわかる。
実施例２
実施例１に記載したＭｇＯおよびＡｌＮの粉末を用い、
ＭｇＯとＡｌＮを容量比で５０：５０として、ホットプ
レス条件を変えて焼結体を得た。
ＭｇＯとＡｌＮを容量比で５０：５０として、ホットプ
レス条件を変えて焼結体を得た。
得られた焼結体は実施例１の場合と同様に、Ｘ線的には
ＭｇＯとＡｎＮの混合物であった。第２表は、製造した
焼結体の特性である。焼結体は温度が１１００℃以−ト
のとき、荷重が１０ＭＰａ以上のとき気孔率０．５
％以下になるように焼結することができる。また、気孔
率が０．５ ％以下になるように焼結できたものは、い
ずれも熱膨張係数、ヤング率、熱伝導率、硬さ、比重１
強度ともにスライダとして望ましい特性を持っている。
ＭｇＯとＡｎＮの混合物であった。第２表は、製造した
焼結体の特性である。焼結体は温度が１１００℃以−ト
のとき、荷重が１０ＭＰａ以上のとき気孔率０．５
％以下になるように焼結することができる。また、気孔
率が０．５ ％以下になるように焼結できたものは、い
ずれも熱膨張係数、ヤング率、熱伝導率、硬さ、比重１
強度ともにスライダとして望ましい特性を持っている。
実施例３
実施例１に記載したＭｇＯとＡｌＮの粉末を用い、Ｍｇ
Ｏに対しＡｌＮを４０ Ｖ ｏ ０％添加した。
Ｏに対しＡｌＮを４０ Ｖ ｏ ０％添加した。
その後、実施例１に記載したものと同様にして焼結体を
製造した。本実施例においては、焼結時の雰囲気をアル
ゴンガス、ヘリウムガス、水素ガスまたは真空（ＩＸＩ
Ｏ−２〜１． Ｘ １Ｏ−６ｔｏｒｒ）とした。得られ
た焼結体の特性は、実施例１に記載した＆３の焼結体と
ほぼ同じであった。
製造した。本実施例においては、焼結時の雰囲気をアル
ゴンガス、ヘリウムガス、水素ガスまたは真空（ＩＸＩ
Ｏ−２〜１． Ｘ １Ｏ−６ｔｏｒｒ）とした。得られ
た焼結体の特性は、実施例１に記載した＆３の焼結体と
ほぼ同じであった。
実施例４
平均粒径が０．２〜１００μｍのＭｇＯ粉末に平均粒径
が０．３〜１００μｍのＡｌＮ粉末を容量比で５０Ｖｏ
Ω％添加した。その後、実施例１と同様にして焼結体を
製造した。第３表は、得られた焼結体の特性である。焼
結体は原料粉末の結晶粒径が５０μｍ以下であれば、十
分に緻密化しスライダとして好ましい特性をもつ。
が０．３〜１００μｍのＡｌＮ粉末を容量比で５０Ｖｏ
Ω％添加した。その後、実施例１と同様にして焼結体を
製造した。第３表は、得られた焼結体の特性である。焼
結体は原料粉末の結晶粒径が５０μｍ以下であれば、十
分に緻密化しスライダとして好ましい特性をもつ。
実施例５
Ｍｇ０粉末は平均粒径が０．４ μｍで、純度が９９．
９ ％の粉末を用い、これに純度が９８で平均粒径が０
．７ μｍのＡｌＮ粉末を４− ＯＶ ｏ Ｑ％添加
したのち混合した。該粉末混合物は金型中で５０ Ｍ
Ｐ ａの荷重を加えて成形体としたのち、成形体は黒鉛
製のルツボ内に入れ、温度１９００℃で３０分間焼成し
て焼結体とした。このときの焼成雰囲気は窒素ガスとし
た。第４表は、得られた焼結体の特性である。焼結体は
スライダとして望ましい特性を持っている。
９ ％の粉末を用い、これに純度が９８で平均粒径が０
．７ μｍのＡｌＮ粉末を４− ＯＶ ｏ Ｑ％添加
したのち混合した。該粉末混合物は金型中で５０ Ｍ
Ｐ ａの荷重を加えて成形体としたのち、成形体は黒鉛
製のルツボ内に入れ、温度１９００℃で３０分間焼成し
て焼結体とした。このときの焼成雰囲気は窒素ガスとし
た。第４表は、得られた焼結体の特性である。焼結体は
スライダとして望ましい特性を持っている。
第４表
実施例６
本発明の焼結体を用いてなるスライダの具体的な適用例
として、実施例１のＮｎ ３の焼結体を用いた薄膜磁気
ヘッドで説明する。第１図は該焼結体をスライダ材とし
て用いた薄膜磁気ヘッドの斜視図である。また、比較の
ために八ρ２０８とＴｉＣＣＶｏＱ比７０：３０）より
なる焼結体をスライダとした薄膜磁気ヘッドを製造した
。
として、実施例１のＮｎ ３の焼結体を用いた薄膜磁気
ヘッドで説明する。第１図は該焼結体をスライダ材とし
て用いた薄膜磁気ヘッドの斜視図である。また、比較の
ために八ρ２０８とＴｉＣＣＶｏＱ比７０：３０）より
なる焼結体をスライダとした薄膜磁気ヘッドを製造した
。
上記薄膜磁気ヘッドは、周速を５０ ｍ ／ ｓとして
、コンタクト・スタート・ストップ（Ｃ８Ｓ）寿命の測
定に供した。本発明になる焼結体を用いた薄膜磁気ヘッ
ドは、従来材であるＡＱｘＯ８とＴｉＣよりなる焼結体
を用いた薄膜磁気ヘッドのＣ８Ｓ寿命を１としたときの
２５倍の寿命をもった。
、コンタクト・スタート・ストップ（Ｃ８Ｓ）寿命の測
定に供した。本発明になる焼結体を用いた薄膜磁気ヘッ
ドは、従来材であるＡＱｘＯ８とＴｉＣよりなる焼結体
を用いた薄膜磁気ヘッドのＣ８Ｓ寿命を１としたときの
２５倍の寿命をもった。
本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダは、前記実施例にお
いても確認されているとおり、強度、熱伝導率およびヤ
ング率が高いというスライダ自体に要求される特性にお
いて優れているとともに、熱膨張係数が薄膜トランスジ
ューサを含む磁気ヘッドアセンブリに使用する材料のそ
れに近く、かつ相手方の磁気ディスクを損傷させるほど
極端に高い硬度を有していないため、特に今後ますます
進展すると推測される高密度磁気ディスクファイル用の
薄膜磁気ヘッド用スライダに用いられた場合の効果は極
めて大きい。
いても確認されているとおり、強度、熱伝導率およびヤ
ング率が高いというスライダ自体に要求される特性にお
いて優れているとともに、熱膨張係数が薄膜トランスジ
ューサを含む磁気ヘッドアセンブリに使用する材料のそ
れに近く、かつ相手方の磁気ディスクを損傷させるほど
極端に高い硬度を有していないため、特に今後ますます
進展すると推測される高密度磁気ディスクファイル用の
薄膜磁気ヘッド用スライダに用いられた場合の効果は極
めて大きい。
したがって、前述の特性を有する新して薄膜磁気ヘッド
用スライダを開発し、かつそれを工業的に製造する方法
を開発した本発明の効果は極めて大きいものということ
ができる。
用スライダを開発し、かつそれを工業的に製造する方法
を開発した本発明の効果は極めて大きいものということ
ができる。
第］−図は本発明のスライダを用いた薄膜磁気ヘッドの
斜視図である。 １・・・スライダ、２・・・薄膜トランスジューサ。
斜視図である。 １・・・スライダ、２・・・薄膜トランスジューサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＭｇＯとＡｌＮとの容量比が９０：１０〜２０：８
０の範囲にあるＭｇＯとＡｌＮの混合焼結体からなるこ
とを特徴とする薄膜磁気ハンド用スライダ。 ２、前記混合焼結体の気孔率が０．５％以下であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘツ
ド用スライダ。 ３、ＭｇＯ粉末とＡｌＮ粉末をその容量比が９０：１０
〜２０：８０の範囲で均一に混合し、ＭｇＯとＡｌＮの
混合粉末を得たのち、該混合粉末を所定の形状の黒鉛型
に挿入し、非酸化性雰囲気中で１１００〜２０００℃に
加熱するとともに、該混合粉末に１０〜７０ＭＰａの荷
重を負荷しながら焼結を行うことを特徴とするＭｇＯと
ＡｌＮの混合焼結体からなる薄膜磁気ヘッド用スライダ
の製造方法。 ４、ＭｇＯ粉末とＡｌＮ粉末をその容量比が９０：１０
〜２０：８０の範囲で均一に混合し、ＭｇＯとＡｌＮの
混合粉末を得たのち、該混合粉末を予備焼結し、９０％
以上の緻密度を有する予備焼結体とし、該予備焼結体を
非酸化性雰囲気中で１１００〜２０００℃、圧力１００
〜２００ＭＰａの熱間静水圧焼結法により本焼結を行う
ことを特徴とするＭｇＯとＡｌＮの混合焼結体からなる
薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法。 ５、ＭｇＯ粉末とＡｌＮ粉末をその容量比が９０：１０
〜２０：８０の範囲で均一に混合し、ＭｇＯとＡｌＮの
混合粉末を得たのち、該混合粉末を黒鉛型に挿入し、加
圧不活性ガス中で１１００〜２０００℃で焼結すること
を特徴とするＭｇＯとＡｌＮの混合焼結体からなる薄膜
磁気ヘッド用スライダの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60167286A JPH0660061B2 (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 簿膜磁気ヘツド用スライダおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60167286A JPH0660061B2 (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 簿膜磁気ヘツド用スライダおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6228917A true JPS6228917A (ja) | 1987-02-06 |
| JPH0660061B2 JPH0660061B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=15846938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60167286A Expired - Lifetime JPH0660061B2 (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 簿膜磁気ヘツド用スライダおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660061B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007084367A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 高熱伝導性セラミックス焼結体の製造方法及び高熱伝導性セラミックス焼結体 |
| WO2012056917A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置 |
| WO2012056918A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
| JP2013193932A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス材料の製造方法、セラミックス材料及びスパッタリングターゲット部材 |
-
1985
- 1985-07-29 JP JP60167286A patent/JPH0660061B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007084367A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 高熱伝導性セラミックス焼結体の製造方法及び高熱伝導性セラミックス焼結体 |
| WO2012056808A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 日本碍子株式会社 | セラミックス材料、半導体製造装置用部材、スパッタリングターゲット部材及びセラミックス材料の製造方法 |
| US9184081B2 (en) | 2010-10-25 | 2015-11-10 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck |
| WO2012056918A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
| WO2012056876A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 日本碍子株式会社 | セラミックス材料、半導体製造装置用部材、スパッタリングターゲット部材及びセラミックス材料の製造方法 |
| WO2012056807A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 日本碍子株式会社 | セラミックス材料、積層体、半導体製造装置用部材及びスパッタリングターゲット部材 |
| WO2012056915A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
| WO2012056916A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置 |
| WO2012056917A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置 |
| WO2012056875A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 日本碍子株式会社 | セラミックス材料、積層体、半導体製造装置用部材及びスパッタリングターゲット部材 |
| US9437463B2 (en) | 2010-10-25 | 2016-09-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating device |
| US8541328B2 (en) | 2010-10-25 | 2013-09-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic material, member for semiconductor manufacturing equipment, sputtering target member and method for producing ceramic material |
| US8597776B2 (en) | 2010-10-25 | 2013-12-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic material, laminate, member for use in semiconductor manufacturing equipment, and sputtering target member |
| JPWO2012056876A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2014-03-20 | 日本碍子株式会社 | セラミックス材料、半導体製造装置用部材、スパッタリングターゲット部材及びセラミックス材料の製造方法 |
| WO2012056914A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置 |
| US9202718B2 (en) | 2010-10-25 | 2015-12-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck |
| US9245775B2 (en) | 2010-10-25 | 2016-01-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating device |
| US9287144B2 (en) | 2010-10-25 | 2016-03-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating device |
| JP2013193932A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス材料の製造方法、セラミックス材料及びスパッタリングターゲット部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0660061B2 (ja) | 1994-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6323643B2 (ja) | ||
| US4101348A (en) | Process for preparing hot-pressed sintered alloys | |
| US4814915A (en) | Magnetic head slider and material therefor | |
| US4582812A (en) | Aluminum oxide substrate material for magnetic head and method for producing the same | |
| US4639803A (en) | Thin film magnetic head slider | |
| JP3933523B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板材料 | |
| US5302560A (en) | Process for the production of magnetic head sliders | |
| JPS6228917A (ja) | 簿膜磁気ヘツド用スライダおよびその製造方法 | |
| US5432016A (en) | Magnetic head slider material | |
| JPH10251086A (ja) | 磁気ヘッド・スライダー用材料とその製造方法 | |
| JP2005298304A (ja) | 高緻密質炭化ケイ素セラミックスおよびその製造方法 | |
| JPH11335823A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JPS635351B2 (ja) | ||
| JPS59184769A (ja) | 高密度炭化ケイ素焼結体の製造方法 | |
| US5910863A (en) | Magnetic head slider and magnetic disk device using the same | |
| EP0490345B1 (en) | Non-magnetic substrate of magnetic head, Magnetic head and method for producing substrate | |
| JPS6043643B2 (ja) | 高周波帯域における透磁率が高いＭｎＺｎフェライトの製造方法 | |
| JPS6050905A (ja) | 薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板 | |
| JPS6259069B2 (ja) | ||
| KR0139812B1 (ko) | 고밀도 페라이트의 제조방법 | |
| KR960006249B1 (ko) | 질화알루미늄 소결체의 제조방법 | |
| JPH09512127A (ja) | 改良されたディスク基材 | |
| JPH0359028B2 (ja) | ||
| JPH0528432A (ja) | 磁気ヘツド用基板材およびその製造法 | |
| JP2005050436A (ja) | 磁気ディスク用スペーサ、ハードディスク装置 |