JPS6229132A - 半導体の製造方法 - Google Patents
半導体の製造方法Info
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- JPS6229132A JPS6229132A JP16870985A JP16870985A JPS6229132A JP S6229132 A JPS6229132 A JP S6229132A JP 16870985 A JP16870985 A JP 16870985A JP 16870985 A JP16870985 A JP 16870985A JP S6229132 A JPS6229132 A JP S6229132A
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- semiconductor layer
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はグロー放電法を用いた半導体の製造方法に関す
るものである。
るものである。
通常非晶質半導体は高真空度の反応炉内に収容した基板
を所定の温度に加熱しつつ所要の比率で混合した原料ガ
スをグロー放電によって分解し、反応炉内に導入し、基
板上に順次的に薄膜を積層形成して製造される。この非
晶質半導体中のｐ型半導体層、例えばｐ型アモルファス
シリコンカーバイト層の成膜に際しては原料ガスとして
従来シラン、並びにｐ型ドーパントとしてのシボラン及
びバンドギャップを大き（する、戸Ｆｇ胃ワイドギャッ
プ材料としてのメタンを用いるのが普通である（特願昭
５７−９５６７７号）。
を所定の温度に加熱しつつ所要の比率で混合した原料ガ
スをグロー放電によって分解し、反応炉内に導入し、基
板上に順次的に薄膜を積層形成して製造される。この非
晶質半導体中のｐ型半導体層、例えばｐ型アモルファス
シリコンカーバイト層の成膜に際しては原料ガスとして
従来シラン、並びにｐ型ドーパントとしてのシボラン及
びバンドギャップを大き（する、戸Ｆｇ胃ワイドギャッ
プ材料としてのメタンを用いるのが普通である（特願昭
５７−９５６７７号）。
ところでこのｐ型半導体履用の原料ガスとして用いるジ
ボラン、メタンはいずれもグロー放電分解に大きなエネ
ルギーを必要とし、膜中への導入が１しく、低抵抗なワ
イドギャップのｐ型半導体層、即ちｐ型アモルファスシ
リコンカーバイト層を得鮨いという問題があった。
ボラン、メタンはいずれもグロー放電分解に大きなエネ
ルギーを必要とし、膜中への導入が１しく、低抵抗なワ
イドギャップのｐ型半導体層、即ちｐ型アモルファスシ
リコンカーバイト層を得鮨いという問題があった。
本発明はかかる事情に迄みなされたものであって、そ、
の目的とするところは反応ガスとしてトリメチルボロン
を用いることによって分解が容易で反応ガスが少量且つ
少品種で済むことは勿論、暗導電率、光導電率が大きく
、低抵抗で且つ光学的ハンドギャップの大きいｎ型半導
体層を得られる半導体の製造方法を提供するにある。
の目的とするところは反応ガスとしてトリメチルボロン
を用いることによって分解が容易で反応ガスが少量且つ
少品種で済むことは勿論、暗導電率、光導電率が大きく
、低抵抗で且つ光学的ハンドギャップの大きいｎ型半導
体層を得られる半導体の製造方法を提供するにある。
本発明に係る半導体の製造方法は、グロー放電法を用い
てｎ型半導体層を形成する過程で、反応ガスとしてトリ
メチルボロンを用いることを特徴とする。
てｎ型半導体層を形成する過程で、反応ガスとしてトリ
メチルボロンを用いることを特徴とする。
以下本発明の実施状態を図面に基づき具体的に説明する
。第１゛図は本発明方法におけるｐ型非晶質半導体層の
形成態様を示す模式図であり、図中１は反応炉、２ｕ、
２ｄはグロー放電電極、３は高周波電源、４．５は原料
ガスタンク、６はロークリポンプ、７は基板を示してい
る。
。第１゛図は本発明方法におけるｐ型非晶質半導体層の
形成態様を示す模式図であり、図中１は反応炉、２ｕ、
２ｄはグロー放電電極、３は高周波電源、４．５は原料
ガスタンク、６はロークリポンプ、７は基板を示してい
る。
基板７はガラス製であって予めその表面には透明電極を
形成した後、反応炉１内における上、下の電極２ｕ、２
ｄ間に配設され、所要の温度に高周波加熱されるように
なっている。原料ガラスタンク４にはジシランが、また
原料ガラスタンク５にはトリメチルボロンが夫々収容さ
れており、所定の割合に混合されて反応炉１内に導入さ
れ、ここでグロー放電により分解されて基板７表面にｎ
型半導体層、具体的にはアモルファスシリコンカーバイ
Ｉｌ’ｔｆを形成するようになっている。
形成した後、反応炉１内における上、下の電極２ｕ、２
ｄ間に配設され、所要の温度に高周波加熱されるように
なっている。原料ガラスタンク４にはジシランが、また
原料ガラスタンク５にはトリメチルボロンが夫々収容さ
れており、所定の割合に混合されて反応炉１内に導入さ
れ、ここでグロー放電により分解されて基板７表面にｎ
型半導体層、具体的にはアモルファスシリコンカーバイ
Ｉｌ’ｔｆを形成するようになっている。
続いて原料ガラスを適宜に選択してｉ型半導体層、Ｉ２
１Ｊら水素を含むｉ型アモルファスシリコン屑（ａ−５
ｉ ： Ｈ） 、ｎ型半導体層、即ち水素を含むｎ型ア
モルファスシリコンａ （ａ−５ｉ ： Ｈ）を順次［
層形成し、ｎ型半導体層上には別途へ１等を蒸着して裏
面電極を接層形成するようになっている。
１Ｊら水素を含むｉ型アモルファスシリコン屑（ａ−５
ｉ ： Ｈ） 、ｎ型半導体層、即ち水素を含むｎ型ア
モルファスシリコンａ （ａ−５ｉ ： Ｈ）を順次［
層形成し、ｎ型半導体層上には別途へ１等を蒸着して裏
面電極を接層形成するようになっている。
次に前述した如き本発明方法によって得たｐ型非晶質半
導体層と、従来方法である原料ガラスにジボラン、メタ
ン及びシランを用いて製作したｐ型非晶質半導体層との
特性についての比較試験結果を示す。なお本発明方法に
あっては反応ガラスとしてジシランとトリメチルボロン
を用いて下記の条件でｐ型非晶質半導体層を形成した。
導体層と、従来方法である原料ガラスにジボラン、メタ
ン及びシランを用いて製作したｐ型非晶質半導体層との
特性についての比較試験結果を示す。なお本発明方法に
あっては反応ガラスとしてジシランとトリメチルボロン
を用いて下記の条件でｐ型非晶質半導体層を形成した。
基板温度：２００℃
反応圧カニ ０．３ｔｏｒｒ
ジシラン量：２０〜５０ＳＣＣＭ
トリメチルボロン流量：０．１〜２ ＳＣＣＭ高周波出
力＝２０Ｗ 形成された両ｐ型非晶質半導体層の特性を示すと第２〜
５図に示すとおりである。第２．３図は本発明方法に依
って得た、また第４，５図は従来方法に依って得たｐ型
非晶質半導体層の結果である。
力＝２０Ｗ 形成された両ｐ型非晶質半導体層の特性を示すと第２〜
５図に示すとおりである。第２．３図は本発明方法に依
って得た、また第４，５図は従来方法に依って得たｐ型
非晶質半導体層の結果である。
第２図は横軸ニＢ （ＣＨ３） ３ ／５ｉ２Ｈｓを、
一方第４図は横軸にＣＨ４／Ｓｉ２ Ｈ６を、また縦軸
にはいずれも光学的バンドギャップ（ｅＶ）をとって示
しである。
一方第４図は横軸にＣＨ４／Ｓｉ２ Ｈ６を、また縦軸
にはいずれも光学的バンドギャップ（ｅＶ）をとって示
しである。
また第３図は横軸にＢ （ＣＨ３） ３ ／Ｓｉ２ Ｈ
６を、一方第５図は横軸にＣｆ１３ ／ Ｓｉ２ Ｈ６
を、また縦軸にはいずれも導電率（Ω−’ｃｍ’）をと
って示しである。第３，５図中白丸でプロットしである
のは光導電率を、また黒丸でプロットしであるのは暗４
電率を夫々示している。
６を、一方第５図は横軸にＣｆ１３ ／ Ｓｉ２ Ｈ６
を、また縦軸にはいずれも導電率（Ω−’ｃｍ’）をと
って示しである。第３，５図中白丸でプロットしである
のは光導電率を、また黒丸でプロットしであるのは暗４
電率を夫々示している。
これら各グラフを比較すれば明らかな如く本発明方法に
依って得たｐ型非晶質半導体層は従来方法に依って得た
ｐ型非晶質半導体層と比較して光学的バンドギャップが
大きくなっていることば勿論、光学導電率はｌＸｌ０−
５Ω−１ｃｍ−１からｌＸｌ０−’Ω−’ｅ１ｍ−’に
また暗導電率はｌＸｌ０−６Ω−１ｃｍ−１から５Ｘ１
０−６Ω″′Ｉｃｆｆ１−！に夫々改善されているのが
解る。
依って得たｐ型非晶質半導体層は従来方法に依って得た
ｐ型非晶質半導体層と比較して光学的バンドギャップが
大きくなっていることば勿論、光学導電率はｌＸｌ０−
５Ω−１ｃｍ−１からｌＸｌ０−’Ω−’ｅ１ｍ−’に
また暗導電率はｌＸｌ０−６Ω−１ｃｍ−１から５Ｘ１
０−６Ω″′Ｉｃｆｆ１−！に夫々改善されているのが
解る。
以上の如く本発明方法にあってはｎ型半導体層のｐ型ド
ーパント及びワイドギ中ツブ材料用染料ガスとしてトリ
メチルボロンを用いることとしたから分解が容易であり
、使用反応ガスの種類及びガス量ともに少なくて済む外
、暗４電率、光導電率が改善され低抵抗で且つ光学的バ
ンドギャップの大きいｎ型半導体層が製作出来るなど本
発明は優れた効果を奏するものである。
ーパント及びワイドギ中ツブ材料用染料ガスとしてトリ
メチルボロンを用いることとしたから分解が容易であり
、使用反応ガスの種類及びガス量ともに少なくて済む外
、暗４電率、光導電率が改善され低抵抗で且つ光学的バ
ンドギャップの大きいｎ型半導体層が製作出来るなど本
発明は優れた効果を奏するものである。
第１図は本発明方法の実施状態を示す枳弐図、第２図は
本発明方法により得たｎ型半導体層の光学的ハンドギャ
ップを示す図、第３図は本発明方法に依ったｎ型半導体
層の光導電率、暗導電率を示すグラフ、第４図は従来方
法で得たｎ型半導体層の光学的ハンドギヤツブを示す図
、第５図は従来方法によって得たｎ型半導体層の光導電
率、暗光電率を示すグラフである。 １・・・反応炉 ２ｕ＋２ｄ・・・電極 ３・・・高周
波電源４．５・・・環材ガスタンク ６・・・ロークリ
ポンプ７・・・基板 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 茎 １ 図 簿 ２ 凶 手続補正書（自発） 昭和６１年７月２２日
本発明方法により得たｎ型半導体層の光学的ハンドギャ
ップを示す図、第３図は本発明方法に依ったｎ型半導体
層の光導電率、暗導電率を示すグラフ、第４図は従来方
法で得たｎ型半導体層の光学的ハンドギヤツブを示す図
、第５図は従来方法によって得たｎ型半導体層の光導電
率、暗光電率を示すグラフである。 １・・・反応炉 ２ｕ＋２ｄ・・・電極 ３・・・高周
波電源４．５・・・環材ガスタンク ６・・・ロークリ
ポンプ７・・・基板 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 茎 １ 図 簿 ２ 凶 手続補正書（自発） 昭和６１年７月２２日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、グロー放電法を用いてｐ型半導体層を形成する過程
で、反応ガスとしてトリメチルボロンを用いることを特
徴とする半導体の製造方法。 ２、前記トリメチルボロンはｐ型ドーパント、又はワイ
ドギャップ材料の原料として用いられる特許請求の範囲
第１項記載の半導体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16870985A JPS6229132A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 半導体の製造方法 |
| US06/888,474 US4755483A (en) | 1985-07-30 | 1986-07-21 | Method for producing semiconductor device with p-type amorphous silicon carbide semiconductor film formed by photo-chemical vapor deposition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16870985A JPS6229132A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6229132A true JPS6229132A (ja) | 1987-02-07 |
Family
ID=15872995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16870985A Pending JPS6229132A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6229132A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63284809A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-22 | Sanyo Electric Co Ltd | ｐ型アモルフアスシリコンカ−バイド層の形成方法 |
| JPS6411317A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| US5238866A (en) * | 1991-09-11 | 1993-08-24 | GmbH & Co. Ingenieurburo Berlin Biotronik Mess- und Therapiegerate | Plasma enhanced chemical vapor deposition process for producing an amorphous semiconductive surface coating |
| JPH07230957A (ja) * | 1994-02-15 | 1995-08-29 | Nippon Steel Corp | ボロン含有ポリシリコン膜の形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58115020A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-08 | Sharp Corp | アモルフアスシリコン膜の製造方法 |
-
1985
- 1985-07-30 JP JP16870985A patent/JPS6229132A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58115020A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-08 | Sharp Corp | アモルフアスシリコン膜の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63284809A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-22 | Sanyo Electric Co Ltd | ｐ型アモルフアスシリコンカ−バイド層の形成方法 |
| JPS6411317A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| US5238866A (en) * | 1991-09-11 | 1993-08-24 | GmbH & Co. Ingenieurburo Berlin Biotronik Mess- und Therapiegerate | Plasma enhanced chemical vapor deposition process for producing an amorphous semiconductive surface coating |
| JPH07230957A (ja) * | 1994-02-15 | 1995-08-29 | Nippon Steel Corp | ボロン含有ポリシリコン膜の形成方法 |
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