JPS62291660A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62291660A JPS62291660A JP61135297A JP13529786A JPS62291660A JP S62291660 A JPS62291660 A JP S62291660A JP 61135297 A JP61135297 A JP 61135297A JP 13529786 A JP13529786 A JP 13529786A JP S62291660 A JPS62291660 A JP S62291660A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に写真蝕刻工
程での露光方法に関する。
程での露光方法に関する。
従来性なわれている写真蝕刻工程の露光方法の一例を第
２図に示す。この露光方法は、例えば、刊行物バキュー
ムサイエンステクノロジー（Ｊ。
２図に示す。この露光方法は、例えば、刊行物バキュー
ムサイエンステクノロジー（Ｊ。
Ｖａｃ、Ｔｅｃｈｎｏｌ−） １７巻５号（１９８０）
に示されているように、光源２１から出射した光をレン
ズ２２で集束し、マスク２３に照射し、マスク２３を選
択的に透過した光をレンズ２４で集光してウェハ２５上
に結像する。ウェハ２５上にはあらかじめ感光性を有す
るレジストを塗布しておき、露光工程を経た後、現像す
ることによって選択的にレジストを剥離する。
に示されているように、光源２１から出射した光をレン
ズ２２で集束し、マスク２３に照射し、マスク２３を選
択的に透過した光をレンズ２４で集光してウェハ２５上
に結像する。ウェハ２５上にはあらかじめ感光性を有す
るレジストを塗布しておき、露光工程を経た後、現像す
ることによって選択的にレジストを剥離する。
上述した、従来の写真蝕刻工程の露光方法は、微細なパ
ターン転写では様々な問題をかかえている。その一つは
パターン寸法が露九慎で決まる解像限界に近づくにつれ
て、マスクの透過部と遮光部に対応したウェハ上の光強
度の比が小さくなる。
ターン転写では様々な問題をかかえている。その一つは
パターン寸法が露九慎で決まる解像限界に近づくにつれ
て、マスクの透過部と遮光部に対応したウェハ上の光強
度の比が小さくなる。
その結果光強度の比の低下を補正するために、パターン
寸法が小さくなるにつれて最適露光量が大きくなる。し
かしながら、一般に半導体のパターンには楕々のパター
ン寸法が混在しているため、露光量を大きくすると、パ
ターンの大、小によって光強度比が異なり、したがって
大きなパターンから小さなパターンまで、寸法精度、レ
ジスト断面形状を良好に形成するのが困難であるという
欠点があった。
寸法が小さくなるにつれて最適露光量が大きくなる。し
かしながら、一般に半導体のパターンには楕々のパター
ン寸法が混在しているため、露光量を大きくすると、パ
ターンの大、小によって光強度比が異なり、したがって
大きなパターンから小さなパターンまで、寸法精度、レ
ジスト断面形状を良好に形成するのが困難であるという
欠点があった。
本発明の半導体装置の製造方法は、光源から放射される
光をマスクに照射し、マスクを透過した光を被加工物に
塗布したレジストに照射し、レジストにマスクのパター
ンを転写する半導体装置の製造方法において、光透過領
域での透過率を変化させたマスクを用いることを特徴と
する。
光をマスクに照射し、マスクを透過した光を被加工物に
塗布したレジストに照射し、レジストにマスクのパター
ンを転写する半導体装置の製造方法において、光透過領
域での透過率を変化させたマスクを用いることを特徴と
する。
本発明の好ましい実施態様においては、１μｍ以上の幅
の光透過領域に透過率を下げるための薄膜を付加したマ
スクを用いる。
の光透過領域に透過率を下げるための薄膜を付加したマ
スクを用いる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第３図に本発明の原理を示す。第３図（ａ）に示すよう
に、石英ガラス３１上に形成した遮光用クロム３２と光
透過領域幅が１μｍ以上の大きなパターン部３５に、あ
る透過率を有する薄膜３３を設ける。その結果マスクの
透過光は第３図（ｂ）に示すように大きなパターン部３
５では小さなパターン部３４よりも透過光の強度が小さ
くなる。この透過光が第３図（ｄ）に示したように、パ
ターンが微細になるにつれて光強度の比が小さくなる特
性を有するレンズによって結像される結果、ウェハ上に
おいては第３図（Ｃ）に示すように、パターン寸法によ
らずほぼ一定の光強度の比を得ることが可能となる。
に、石英ガラス３１上に形成した遮光用クロム３２と光
透過領域幅が１μｍ以上の大きなパターン部３５に、あ
る透過率を有する薄膜３３を設ける。その結果マスクの
透過光は第３図（ｂ）に示すように大きなパターン部３
５では小さなパターン部３４よりも透過光の強度が小さ
くなる。この透過光が第３図（ｄ）に示したように、パ
ターンが微細になるにつれて光強度の比が小さくなる特
性を有するレンズによって結像される結果、ウェハ上に
おいては第３図（Ｃ）に示すように、パターン寸法によ
らずほぼ一定の光強度の比を得ることが可能となる。
第１図（ａ）に本発明の第１の実施例を示す。石英ガラ
ス１上に選択的に形成した遮光用クロム２に加えて光透
過領域幅が１μｍ以上の大きなパターン部５に２μｍ厚
のノボラック系ポジ型フォトレジスト３を付加する。フ
ォトレジスト３は透過部での透過率を制限する働きを有
しており、上述のレジスト厚２μｍの場合、透過率は１
５％低下する。
ス１上に選択的に形成した遮光用クロム２に加えて光透
過領域幅が１μｍ以上の大きなパターン部５に２μｍ厚
のノボラック系ポジ型フォトレジスト３を付加する。フ
ォトレジスト３は透過部での透過率を制限する働きを有
しており、上述のレジスト厚２μｍの場合、透過率は１
５％低下する。
第１図（ｂ）に本発明の第２の実施例を示す。第１図（
ａ）のレジストに相当する部分に、より透過率の小さい
クロムの薄膜を用いている。
ａ）のレジストに相当する部分に、より透過率の小さい
クロムの薄膜を用いている。
以上本発明の実施例を元による投影露光の場合について
説明してきたが、もちろんコンタクト露光、近接露光に
も適用でき、また光露光以外にもＸ線露光にも適用でき
る。１だ露光するウェハは単層レジストだけでなく、多
層レジストについても有効であり、またマスクのパター
ンは単純なライン＆スヘースだけでなくコンタクトホー
ルに対しても有効なことは明らかである。
説明してきたが、もちろんコンタクト露光、近接露光に
も適用でき、また光露光以外にもＸ線露光にも適用でき
る。１だ露光するウェハは単層レジストだけでなく、多
層レジストについても有効であり、またマスクのパター
ンは単純なライン＆スヘースだけでなくコンタクトホー
ルに対しても有効なことは明らかである。
以上説明したように本発明は、マスクの透過率をパター
ン寸法に応じて制御したマスクを用いることにより、微
細なパターン部の光強度比の低下を補正できる。その結
果微細なパターンの転写精度、寸法精度に優れ、かつ従
来より微細なパターンの形成が行なえる効果がある。
ン寸法に応じて制御したマスクを用いることにより、微
細なパターン部の光強度比の低下を補正できる。その結
果微細なパターンの転写精度、寸法精度に優れ、かつ従
来より微細なパターンの形成が行なえる効果がある。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例に用いるマスクの
断面図、第１図（ｂ）は本発明の第２の実施例に用いる
マスクの断面図、第２図（ａ）は従来の露光方法を示す
原理図、第２図（ｂ）は従来のマスクの断面図、第３図
（ａ）〜（ｄ）は本発明の詳細な説明する説明図である
。 １・・・・・・石英基板、２・・・・・・遮光用クロム
、３・・・・・・レジスト、４・・・・・・小さなパタ
ー／、５・・・・・・大きなパターン、６・・−・・・
石英基板、７・・・・・・遮光用クロム、８・・・・・
・クロム薄膜、９・・・・・・小さなパターン、１０・
・・・・・大きなパターン、２１・・・・・・光源、２
２・・・・・・レンズ、２３・・・・・・マスク、２４
・・・・・・レンズ、２５・・・・・・ウェハ、２６・
・・・・・石英基板、２７・・・・・・遮光用クロム、
３１・・・・・・石英基板、３２・・・・・−遮光用ク
ロム、３３・・・・・・透過率制限用薄膜、３４・・・
・・・小さなパターン、３５・・・・・・大きなパター
ン。 代理人 弁理士 内 原 ヨ。 （’ｌ） 矛 １ 図 （０Ｌ） ＄２ 圀
断面図、第１図（ｂ）は本発明の第２の実施例に用いる
マスクの断面図、第２図（ａ）は従来の露光方法を示す
原理図、第２図（ｂ）は従来のマスクの断面図、第３図
（ａ）〜（ｄ）は本発明の詳細な説明する説明図である
。 １・・・・・・石英基板、２・・・・・・遮光用クロム
、３・・・・・・レジスト、４・・・・・・小さなパタ
ー／、５・・・・・・大きなパターン、６・・−・・・
石英基板、７・・・・・・遮光用クロム、８・・・・・
・クロム薄膜、９・・・・・・小さなパターン、１０・
・・・・・大きなパターン、２１・・・・・・光源、２
２・・・・・・レンズ、２３・・・・・・マスク、２４
・・・・・・レンズ、２５・・・・・・ウェハ、２６・
・・・・・石英基板、２７・・・・・・遮光用クロム、
３１・・・・・・石英基板、３２・・・・・−遮光用ク
ロム、３３・・・・・・透過率制限用薄膜、３４・・・
・・・小さなパターン、３５・・・・・・大きなパター
ン。 代理人 弁理士 内 原 ヨ。 （’ｌ） 矛 １ 図 （０Ｌ） ＄２ 圀
Claims (2)
- （１）光源から放射される光をマスクに照射し、マスク
を透過した光を被加工物上に塗布したレジストに照射し
、レジストにマスクのパターンを転写する半導体装置の
製造方法において、光透過領域での透過率を変化させた
マスクを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法
。 - （２）１μｍ以上の幅の光透過領域に透過率を下げるた
めの薄膜を付加したマスクを用いることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61135297A JPS62291660A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61135297A JPS62291660A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291660A true JPS62291660A (ja) | 1987-12-18 |
Family
ID=15148407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61135297A Pending JPS62291660A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62291660A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0997779A1 (en) * | 1998-10-29 | 2000-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and x-ray mask structure for use with the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52133756A (en) * | 1976-04-30 | 1977-11-09 | Zeiss Jena Veb Carl | Method of manufacturing phase mask for amplification system |
| JPS56168654A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-24 | Fujitsu Ltd | Photomask |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP61135297A patent/JPS62291660A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52133756A (en) * | 1976-04-30 | 1977-11-09 | Zeiss Jena Veb Carl | Method of manufacturing phase mask for amplification system |
| JPS56168654A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-24 | Fujitsu Ltd | Photomask |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0997779A1 (en) * | 1998-10-29 | 2000-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and x-ray mask structure for use with the same |
| US6272202B1 (en) | 1998-10-29 | 2001-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and X-ray mask structure for use with the same |
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