JPS62298044A - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPS62298044A JPS62298044A JP13922786A JP13922786A JPS62298044A JP S62298044 A JPS62298044 A JP S62298044A JP 13922786 A JP13922786 A JP 13922786A JP 13922786 A JP13922786 A JP 13922786A JP S62298044 A JPS62298044 A JP S62298044A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording film
- magneto
- film
- rare earth
- optical disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概 要〕
希土類−遷移金属合金の記録膜を有する光磁気ディスク
において、特性向上のために記録膜中の希土類元素含有
量を膜厚さ方向で基板に近い部分で多くしている。
において、特性向上のために記録膜中の希土類元素含有
量を膜厚さ方向で基板に近い部分で多くしている。
本発明は、高密度大容量メモリに用いられる光ディスク
、より詳しくは、書き換え可能な光磁気ディスクに関す
るものである。
、より詳しくは、書き換え可能な光磁気ディスクに関す
るものである。
光磁気ディスクへの書き込み、読み出し、すなわち、記
録・再生はスポット径１μｍ以下のレーザー光線を利用
して透明な基板側から照射することにより行なわれる。
録・再生はスポット径１μｍ以下のレーザー光線を利用
して透明な基板側から照射することにより行なわれる。
特に、再生は基板と記録膜との界面でのレーザー光線反
射の際の偏光面の回転（カー回転）を利用しているので
、記録膜の基板側界面の性質は重要な要素である。
射の際の偏光面の回転（カー回転）を利用しているので
、記録膜の基板側界面の性質は重要な要素である。
光磁気ディスクは透明な基板と、光磁気記録媒体膜（記
録膜）と、保３Ｉ膜とからなり、この記録１１りとして
希土類（ＲＥ）−遷移金属（ＴＭ）合金が用いられてい
る。記録膜は真空蒸着法あるいはスパック法によって基
板上に作製される。例えば、今村修武：「光磁気ディス
ク材料を探る」、日経ニューマテリアル、創刊前１号、
昭和６０年５月２０日発行、日経マグロウヒル社、ｐ、
４７−５４、参照。
録膜）と、保３Ｉ膜とからなり、この記録１１りとして
希土類（ＲＥ）−遷移金属（ＴＭ）合金が用いられてい
る。記録膜は真空蒸着法あるいはスパック法によって基
板上に作製される。例えば、今村修武：「光磁気ディス
ク材料を探る」、日経ニューマテリアル、創刊前１号、
昭和６０年５月２０日発行、日経マグロウヒル社、ｐ、
４７−５４、参照。
このような記録膜の特性は、希土類元素と遷移金属との
組成比に敏感に依存しており、例えば、希土類元素とし
てテルビウム（Ｔｂ）および遷移金属として鉄・コバル
ト（ＦｅＣｏ）を用いたＴｂＦｅＣ。
組成比に敏感に依存しており、例えば、希土類元素とし
てテルビウム（Ｔｂ）および遷移金属として鉄・コバル
ト（ＦｅＣｏ）を用いたＴｂＦｅＣ。
の記録膜の場合には、その特性として重要なカー回転角
（θＫ）および保磁力（Ｈｃ）はＴｂ含有量との関係で
第八図および第８図に示したように変化する。そして、
磁気モーメントに関して、補償組成を境に希土類元素（
Ｔｂ）リッチ側ではＴｂの磁気モーメントμ８．が遷移
金属（ＦｅＣｏ）の磁気モーメントμＴ４よりも優勢で
あってトータルの磁化（合成磁気モーメント）はその差
で求まり、磁化の方向はＴｂの磁気モーメントの方向と
なる。
（θＫ）および保磁力（Ｈｃ）はＴｂ含有量との関係で
第八図および第８図に示したように変化する。そして、
磁気モーメントに関して、補償組成を境に希土類元素（
Ｔｂ）リッチ側ではＴｂの磁気モーメントμ８．が遷移
金属（ＦｅＣｏ）の磁気モーメントμＴ４よりも優勢で
あってトータルの磁化（合成磁気モーメント）はその差
で求まり、磁化の方向はＴｂの磁気モーメントの方向と
なる。
他方、遷移金属（ＦｅＣｏ） リッチ側ではＦｅＣｏ
の磁気モーメントが優勢であってトータルの磁化はＴｂ
磁気モーメントとの差で求まり、磁化の方向はＦｅＣｏ
の石荘気モーメントの方向となる。第 図および第４図
かられかるように記録膜の組成制御は重要であり、従来
は膜厚方向に均一な組成となるように記録膜形成が行な
われていた。
の磁気モーメントが優勢であってトータルの磁化はＴｂ
磁気モーメントとの差で求まり、磁化の方向はＦｅＣｏ
の石荘気モーメントの方向となる。第 図および第４図
かられかるように記録膜の組成制御は重要であり、従来
は膜厚方向に均一な組成となるように記録膜形成が行な
われていた。
光磁気ディスクの特性向上を図るために、光磁気ディス
クで重要な記録膜と基板との界面近傍での掻く薄い記録
膜層の状態がどのようになっているかを調べた。記録膜
（ＴｂＦｅＣｏ膜）の厚さと保磁力との関係は第５図に
示すようになることがわかった（ムお、ＴｂＦｅＣｏｖ
のＴｂ含有量は３０ａｔ％であった）。
クで重要な記録膜と基板との界面近傍での掻く薄い記録
膜層の状態がどのようになっているかを調べた。記録膜
（ＴｂＦｅＣｏ膜）の厚さと保磁力との関係は第５図に
示すようになることがわかった（ムお、ＴｂＦｅＣｏｖ
のＴｂ含有量は３０ａｔ％であった）。
通常採用されている膜厚１１００ｎでは、Ｔｂ２７ａｔ
％含有ＴｂＦｅＣｏ膜のように希土類元素（Ｔｂ）磁気
モーメント（μＲＥ）が遷移金属（ＦｅＣｏ） ４Ｎ気
モーメント（８７Ｍ）より大きな組成であっても、膜厚
がｌＱｎｍ程度の部分では遷移金属磁気モーメント（μ
ｔｘ）の方が優勢になっている。このことは厚さ１１０
０ｎの記録膜において、界面近傍の薄い部分が遷移金属
磁気モーメント（８７Ｍ）の優勢な部分であり、そして
その他の部分が希土類元素磁気モーメント（μＲ１）の
優勢な部分であると考えられる。このようにひとつの膜
を形成する２つの部分でそれぞれの磁気モーメントの極
性が逆となっているので相互干渉によって光磁気ディス
ク特性を低下させていると考えられる。
％含有ＴｂＦｅＣｏ膜のように希土類元素（Ｔｂ）磁気
モーメント（μＲＥ）が遷移金属（ＦｅＣｏ） ４Ｎ気
モーメント（８７Ｍ）より大きな組成であっても、膜厚
がｌＱｎｍ程度の部分では遷移金属磁気モーメント（μ
ｔｘ）の方が優勢になっている。このことは厚さ１１０
０ｎの記録膜において、界面近傍の薄い部分が遷移金属
磁気モーメント（８７Ｍ）の優勢な部分であり、そして
その他の部分が希土類元素磁気モーメント（μＲ１）の
優勢な部分であると考えられる。このようにひとつの膜
を形成する２つの部分でそれぞれの磁気モーメントの極
性が逆となっているので相互干渉によって光磁気ディス
ク特性を低下させていると考えられる。
本発明の目的は、上述した相互干渉による特性の低下を
回避した光磁気ディスクを提供することである。
回避した光磁気ディスクを提供することである。
本発明の別の目的は、光磁気ディスクの特性向上、特に
、カー回転角（θＫ）を従来の均一組成膜のものよりも
大きくすることである。
、カー回転角（θＫ）を従来の均一組成膜のものよりも
大きくすることである。
上述の目的が、透明な基板と、希土類−遷移金属合金の
記録膜と、保護膜とからなる光磁気ディスクにおいて、
記録膜中の希土類元素の含有量を該記録膜の厚さ方向で
基板に近い部分に遠い部分よりも多（しであることを特
徴とする光磁気ディスクによって達成される。
記録膜と、保護膜とからなる光磁気ディスクにおいて、
記録膜中の希土類元素の含有量を該記録膜の厚さ方向で
基板に近い部分に遠い部分よりも多（しであることを特
徴とする光磁気ディスクによって達成される。
記録膜の希土類元素含有量の多い部分の厚さが５〜３０
ｎｍであることは望ましく、第５図かられかるようにこ
の部分では従来遷移金属磁気モーメント（８７Ｍ）の優
勢となるところである。
ｎｍであることは望ましく、第５図かられかるようにこ
の部分では従来遷移金属磁気モーメント（８７Ｍ）の優
勢となるところである。
基板と記録膜との界面に近い記録膜部分を希土類元素含
有量の制御によって希土類元素磁気モーメントの優勢な
ものとすることができ、記録膜全体として希土類元素磁
気モーメントが優勢と極性が揃っており、光４ｉ１気デ
ィスクの特性が向上する。
有量の制御によって希土類元素磁気モーメントの優勢な
ものとすることができ、記録膜全体として希土類元素磁
気モーメントが優勢と極性が揃っており、光４ｉ１気デ
ィスクの特性が向上する。
以下、添付図面を参照して本発明の実施態様例によって
本発明の詳細な説明する。
本発明の詳細な説明する。
第１図に示す本発明に係る光磁気ディスクは透明基板１
と、記録膜２と、保護膜３とからなり、その記録膜２が
希土類元素含有量を多く含有させた部分２Ａと、所定の
希土類元素含有量の部分２Ｂとからなる。例えば、透明
なＰＭＭＡ基板ｌの上にＴｂＦｅＣｏの記録膜２がさら
に二酸化珪素（ＳｉＯ□）の保護膜３が形成されている
。
と、記録膜２と、保護膜３とからなり、その記録膜２が
希土類元素含有量を多く含有させた部分２Ａと、所定の
希土類元素含有量の部分２Ｂとからなる。例えば、透明
なＰＭＭＡ基板ｌの上にＴｂＦｅＣｏの記録膜２がさら
に二酸化珪素（ＳｉＯ□）の保護膜３が形成されている
。
本発明に係る磁気ディスクが、例えば、次のようにして
製造される。
製造される。
まず、真空蒸着装置の真空槽４内にＰ聞Ａ基板１が配置
され、Ｔｂ試料６およびＦｅＣｏ試料７を加熱容器８お
よび９のそれぞれに入れる。真空槽４内を排気して５
Ｘ １０−’Ｐａ以下に減圧する０次に、加熱容器８お
よび９を加熱して収容されているＴｂ試料６を０．３ｎ
ｍ／秒の蒸着速度で同時にＦｅＣｏ試料７を０．２ｎｍ
／秒の蒸着速度で蒸発させ、ＰＭＭＡ基＋Ｆｊ、ｌ上に
ＴｂＦｅＣｏ膜２Ａを堆積させる。この場合にＴｂＦｅ
Ｃｏ膜のＴｂとＦｅＣｏ０比は３８ ： ６２（原子比
で）となっている。ＴｂＦｅＣｏ膜２Ａの厚さがｌＱｎ
ｍになったところで、Ｔｂの蒸着速度を０．２５ｎｍ／
秒に下げ、一方、ＦｅＣｏの蒸着速度を０．２ｎｍ／秒
とそのままにて蒸着を合計厚さ１１００ｎとなるまで継
続してＴｂＦｅＣｏ膜２Ｂを堆積させる。この場合に、
ＴｂＦｅＣｏ膜２ＢのＴ ｂ Ｃ！：ＦｅＣｏの比は３
０ニア０ （原子比）となっている。
され、Ｔｂ試料６およびＦｅＣｏ試料７を加熱容器８お
よび９のそれぞれに入れる。真空槽４内を排気して５
Ｘ １０−’Ｐａ以下に減圧する０次に、加熱容器８お
よび９を加熱して収容されているＴｂ試料６を０．３ｎ
ｍ／秒の蒸着速度で同時にＦｅＣｏ試料７を０．２ｎｍ
／秒の蒸着速度で蒸発させ、ＰＭＭＡ基＋Ｆｊ、ｌ上に
ＴｂＦｅＣｏ膜２Ａを堆積させる。この場合にＴｂＦｅ
Ｃｏ膜のＴｂとＦｅＣｏ０比は３８ ： ６２（原子比
で）となっている。ＴｂＦｅＣｏ膜２Ａの厚さがｌＱｎ
ｍになったところで、Ｔｂの蒸着速度を０．２５ｎｍ／
秒に下げ、一方、ＦｅＣｏの蒸着速度を０．２ｎｍ／秒
とそのままにて蒸着を合計厚さ１１００ｎとなるまで継
続してＴｂＦｅＣｏ膜２Ｂを堆積させる。この場合に、
ＴｂＦｅＣｏ膜２ＢのＴ ｂ Ｃ！：ＦｅＣｏの比は３
０ニア０ （原子比）となっている。
次に、ＴｂＦｅＣｏ１１９２ Ｂ上に薄着法によってＳ
ｉＯを堆積させて１１００ｎ厚さの保護膜３を形成する
。
ｉＯを堆積させて１１００ｎ厚さの保護膜３を形成する
。
このようにして製造した光磁気ディスクのカー回転角を
Ｐ Ｍ Ｍ Ａ 基板側からのレーザー光線によって測
定したところ、０．２９度であった。
Ｐ Ｍ Ｍ Ａ 基板側からのレーザー光線によって測
定したところ、０．２９度であった。
上述した真空蒸着装置にてＴｂ蒸着速度を変化させるこ
となく ０．２５ ｎ ｍ ７秒として形成した均一組
成のＴｂＦｅＣｏ膜の場合には、カー回転角は０．２５
度であった。したがって、本発明の磁気ディスクのほう
がカー回転角が大きくなり、再生信号の対雑音比が向上
する。
となく ０．２５ ｎ ｍ ７秒として形成した均一組
成のＴｂＦｅＣｏ膜の場合には、カー回転角は０．２５
度であった。したがって、本発明の磁気ディスクのほう
がカー回転角が大きくなり、再生信号の対雑音比が向上
する。
上述した実施例での記録膜はＴｂＦｅＣｏであったが、
ＴｂＣｏあるいはＧｄＴｂＦｅなどについても通用でき
る。
ＴｂＣｏあるいはＧｄＴｂＦｅなどについても通用でき
る。
透明基板および保護膜についてもＰ聞Ａあるいは５ｉＯ
ｚの代わりに、ガラス、エポキシ、ポリカーボネートな
ど、そしてＳｉ３Ｎ４． ＳｉＯなどが使用できる。
ｚの代わりに、ガラス、エポキシ、ポリカーボネートな
ど、そしてＳｉ３Ｎ４． ＳｉＯなどが使用できる。
本発明によれば、基板と記録膜との界面近傍にくる記録
膜部分における磁気モーメントを他の部分と同じ掻性の
磁気モーメントに揃えることができ、カー回転角を従来
よりも太き（することができる。
膜部分における磁気モーメントを他の部分と同じ掻性の
磁気モーメントに揃えることができ、カー回転角を従来
よりも太き（することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る磁気ディスクの部分断面図であり
、 第２図は真空蒸着装置の概略図であり、第３図はＴｂＦ
ｅＣｏ膜のＴｂ含有量とカー回転角との関係を示すグラ
フである。 第４図はＴｂＦｅＣｏ１１ｌの’ｒ ｂ含有量と保磁力
との関係を示すグラフであり、および 第５図はＴｂＦｅＣｏ膜の厚さと保磁力との関係を示す
グラフである。 １・・・透明基板、 ２・・・記録膜、 ２Ａ・・・希土類元素含有量の多い部分、２Ｂ・・・所
定希土類元素含有量の部分、３・・・保護膜。
、 第２図は真空蒸着装置の概略図であり、第３図はＴｂＦ
ｅＣｏ膜のＴｂ含有量とカー回転角との関係を示すグラ
フである。 第４図はＴｂＦｅＣｏ１１ｌの’ｒ ｂ含有量と保磁力
との関係を示すグラフであり、および 第５図はＴｂＦｅＣｏ膜の厚さと保磁力との関係を示す
グラフである。 １・・・透明基板、 ２・・・記録膜、 ２Ａ・・・希土類元素含有量の多い部分、２Ｂ・・・所
定希土類元素含有量の部分、３・・・保護膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明な基板と、希土類−遷移金属合金の記録膜と、
保護膜とからなる光磁気ディスクにおいて、前記記録膜
中の希土類元素の含有量を該記録膜の厚さ方向で前記基
板に近い部分に遠い部分よりも多くしてあることを特徴
とする光磁気ディスク。 ２、前記記録膜の希土類元素含有量が多い部分の厚さが
５〜３０ｎｍであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項の光磁気ディスク。 ３、前記希土類−遷移金属合金がテルビウム・鉄・コバ
ルトであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13922786A JPS62298044A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 光磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13922786A JPS62298044A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 光磁気デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62298044A true JPS62298044A (ja) | 1987-12-25 |
Family
ID=15240450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13922786A Pending JPS62298044A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62298044A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01184631A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Hitachi Ltd | 情報の記録・再生方法及び装置 |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP13922786A patent/JPS62298044A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01184631A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Hitachi Ltd | 情報の記録・再生方法及び装置 |
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