JPS62298081A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔概　要〕 磁気バブルメモリ素子であって、そのゲートの導体パタ
ーンの幅を部分的に変化させることにより、８亥専体パ
ターンにｉＪ！ｌ電したとき、１亥パターンに沿った磁
界に勾配ができ、バブル転送特性の向上を可能とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリ素子に関するもので、さらに詳しく言えばそ
のゲートにおけるバブル転送特性の改良に関するもので
ある。

〔従来の技術〕

第４図は従来の磁気バブルメモリ素子のゲートの１例と
してレプリケートゲートを示す図である。

同図において、１はマイナーループのパーマロイバブル
転送路、２はゲートを構成するビカソクス形パーマロイ
パターン、３はゲートＷｉ動用導体パターン、４はメジ
ャーラインヘバブルを転送するパーマロイパターンであ
る。このゲートの作用は、バブルがマイナーループから
転送され、駆動磁界ＨＩ、の方向がＯｏとなりビカソク
スパターン２の頂部にきたとき、導体パターン３にパル
ス電流を流すことによりバブルを２分割し、一方のバブ
ル６は矢印ａの如くマイナーループへ転送し、他方のバ
ブル７は矢印すの如く導体パターンの縁に沿った磁界に
より引伸ばし、パーマロイパターン４，５を経てメジャ
ーラインへ転送するようになっている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来の磁気バブルメモリ素子のゲートでは、その導
体パターンが通電時にバブルの引伸ばしや吸引の作用を
行なっているが、バブルの転送方向への駆動は主にパー
マロイパターンが担っていた。

このためバブルを分割してより駆動磁界Ｉ（。の方向が
９０°の方向になるまでバブルをＰ点からＱ点まで引き
伸ばし続けねばならなかった。そのためバブルの伸びに
くい高バイアス磁界における転送マージンが狭くなると
いう問題があった。

本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、高バ
イアス磁界におけるゲートの転送マージンを向上した磁
気バブルメモリ素子を提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

このため本発明においては、軟磁性体を用いたバブル転
送パターン１１と、該パターンと交差して設けられた導
体パターン１２とよりなるゲートにおいて、上記導体パ
ターン１２に通電したとき、該導体パターン１２に沿っ
た磁界に勾配ができるようにパターン幅を部分的に変化
させたことを特徴としている。

〔作　用〕

ゲートにおける導体パターンのパターン幅を部分的に変
化させることにより、パターンに電流を流したときのパ
ターンに沿った方向にできる磁界に勾配ができバブルの
駆動を助けるため、ノ＜プル転送特性の向上が可能とな
る。

〔実施例〕

第１図は本発明をレプリケートゲートに適用した実施例
を示す図である。同図において、１０はマイナーループ
のパーマロイパターン、１１は軟磁性体を用いたバブル
転送パターン、１２は導体パターン、１３．１４はメジ
ャーラインへバブルを転送するパーマロイパターンであ
る。

本実施例は図に示すように、ゲート部はバブル転送パタ
ーン（ピカノクスパーマロイパターン）１１と、該パタ
ーンに交差する導体パターン１２とよりなることは第４
図で説明した従来例と同様であり、本実施例の要点は導
体パターン１２のパターン幅を部分的に、図においては
Ｒ点から８点に向って細くなるように変化させたことで
ある。

このように構成された本実施例の作用を次に説明する。

第１図において、バブル１５が駆動磁界Ｏ°のときビカ
ソクスパーマロイパターン１１の頂部に達したとき、導
体パターン１２にパルス電流を通電すると、バブル１５
はａ点で２つに分裂し、ｂ及びＲ点にくる。また導体パ
ターン１２は、そのＲ，Ｓ点間のぷ体幅の変化により導
体パターンに沿った磁界勾配を住する。前記のＲ点に来
たバブルは導体パターンに沿った磁界により引き伸ばさ
れ、さらに磁界勾配により８点に引き込まれ、駆動磁界
が９０°になったときパーマロイパターン１３に引かれ
、その後パーマロイパターン１４を経てメジャーライン
の方へ転送されて行く。なおり点のバブルはそのままマ
イナーループへ戻され転送用される。

このように本実施例によれば電流によりバブルを転送方
向に引きつけることができるため、高バイアスにおける
転送マージンを拡大することができる。

第２図は第３図に示す如き電流波形のパルスを用いた時
の転送マージンを従来例と比較して示した図であり、曲
線Ａにより本実施例を、曲線Ｂで従来例を示した。なお
このときのバブル径は０．９５μｍ、駆動磁界は９００
．である。図より本実施例は従来例に比し高バイアス側
で改善されていることがわかる。

〔発明の効果〕

以上述べてきたように本発明によれば、極めて簡易な構
成でゲートにおけるバブル転送マージンを向上した磁気
バブルメモリ素子を提供することができ、実用的には極
めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す図、 第２図は本発明の実施例の転送マージンを従来例と比較
して示した図、 第３図は第２図に用いたゲートパルスの波形図、第４図
は従来のレプリケートゲートを示す図である。 第１図において、 １０はマイナーループのパーマロイパターン、１１は軟
磁性体のバブル転送パターン（ピカックスパーマロイパ
ターン）、 １２は導体パターン、 １３　、１４はメジャーラインへバブルを転送するパー
マロイパターンである。 本発明の実施例を示す図 第１図 １０・・・マイナーループのノぐ−マロイノクターン１
３．１４・・・ノや一マロイノぞターン１５・・・バブ
ル 第２図 ケ゛−トパルス波形を示す図 第３図 ケ゛−トを示す図 第４図 ノや−マロイノぐターン ６．７・・・　パズル

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、軟磁性体を用いたバブル転送パターン（１１）と、
   該パターンと交差して設けられた導体パターン（１２）
   よりなるゲートにおいて、 上記導体パターン（１２）に通電したとき、該導体パタ
   ーン（１２）に沿った磁界に勾配ができるように、パタ
   ーン幅を部分的に変化させたことを特徴とする磁気バブ
   ルメモリ素子。