JPS6374193A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS6374193A JPS6374193A JP21816986A JP21816986A JPS6374193A JP S6374193 A JPS6374193 A JP S6374193A JP 21816986 A JP21816986 A JP 21816986A JP 21816986 A JP21816986 A JP 21816986A JP S6374193 A JPS6374193 A JP S6374193A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- pattern
- memory element
- permalloy
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
（ｎ気バブルメモリ素子であって、書き込み用メジャラ
インのパーマロイパターンと、マイナループのパーマロ
イパターンを横切る１本の導体パターンを設け、該導体
パターンに電流を流したときに生ずる反発磁界によりマ
イナループのバブルを消去し、吸引磁界によりメジャラ
インからのバブルをマイナループに転送するようにした
ことにより、導体パターンとパーマロイパターンとの交
差部を従来の２線対向型に比して少なくすることができ
、それにより転送特性の改善を可能とする。
インのパーマロイパターンと、マイナループのパーマロ
イパターンを横切る１本の導体パターンを設け、該導体
パターンに電流を流したときに生ずる反発磁界によりマ
イナループのバブルを消去し、吸引磁界によりメジャラ
インからのバブルをマイナループに転送するようにした
ことにより、導体パターンとパーマロイパターンとの交
差部を従来の２線対向型に比して少なくすることができ
、それにより転送特性の改善を可能とする。
本発明は電子計算装置又はその端末装置等の記憶装置に
用いられる磁気バブルメモリ素子に関するもので、さら
に詳しく言えばその情報書き込みゲートの改良に関する
ものである。
用いられる磁気バブルメモリ素子に関するもので、さら
に詳しく言えばその情報書き込みゲートの改良に関する
ものである。
（荘気バブルメモリ装置は、例えばガドリニウム・ガリ
ウム・ガーネット単結晶等の非磁性基板の上に液相エピ
タキシャル成長法により磁性ガーネットの薄膜を形成し
、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いたハーフデ
ィスク型又は非対称シエブロン型等のパターンを行列さ
せたバブル転送路を形成したものであり、バブル発生器
により情ｔｕに従って発生させたバブルを転送路に導き
、そのパターンにバブルがある場合を“１”、ない場合
を“０”として情報を記憶させるようになっている。
ウム・ガーネット単結晶等の非磁性基板の上に液相エピ
タキシャル成長法により磁性ガーネットの薄膜を形成し
、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いたハーフデ
ィスク型又は非対称シエブロン型等のパターンを行列さ
せたバブル転送路を形成したものであり、バブル発生器
により情ｔｕに従って発生させたバブルを転送路に導き
、そのパターンにバブルがある場合を“１”、ない場合
を“０”として情報を記憶させるようになっている。
また素子構成としては情報格納部分を多数のループとし
たメジャマイナ方式が主として採用されている。
たメジャマイナ方式が主として採用されている。
メジャマイナ構成の磁気バブルメモリ素子においては、
従来情報の吉き込みを行なうため第６図に示すようなス
ワップゲートを用いている。これは書き込み用メジャラ
イン１のパーマロイパターン２とマイナループ３のパー
マロイパターン４とにまたがってヘアピン形の２線対向
型導体パターン５を設けたもので、バブル情報の書き込
みは、矢印Ａの如（トランスファイン動作により行なう
が、同時にこの新情報の書き込みにより不要となる旧バ
ブル情報をトランスファアウト動作により矢印Ｂの如く
マイナループ３から書き込みメジャライン１へ戻し、そ
の後書き込みメジャラインを経てガードレールの外へ捨
てている。ここでトランスファイン、トランスファアウ
ト動作は導体パターン５にあるタイミングで電流を流し
、バブルに対する吸引磁界を発生させて行なうようにな
っている。
従来情報の吉き込みを行なうため第６図に示すようなス
ワップゲートを用いている。これは書き込み用メジャラ
イン１のパーマロイパターン２とマイナループ３のパー
マロイパターン４とにまたがってヘアピン形の２線対向
型導体パターン５を設けたもので、バブル情報の書き込
みは、矢印Ａの如（トランスファイン動作により行なう
が、同時にこの新情報の書き込みにより不要となる旧バ
ブル情報をトランスファアウト動作により矢印Ｂの如く
マイナループ３から書き込みメジャライン１へ戻し、そ
の後書き込みメジャラインを経てガードレールの外へ捨
てている。ここでトランスファイン、トランスファアウ
ト動作は導体パターン５にあるタイミングで電流を流し
、バブルに対する吸引磁界を発生させて行なうようにな
っている。
上記従来のスワップゲートでは、旧情報のバブルと新情
報のバブルがメジャラインとマイナループ内のそれぞれ
元いたバブル位置に置き換わる様ビット位置の調整が必
要であった。また旧情報のバブルがライナループ３内か
ら書き込み用メジャライン１に伝搬する際バイアス磁界
下限においてバブルが伸びたり足踏みする等の誤動作を
起し特性を劣化させる場合があるため導体パターン５と
パーマロイパターンの位置関係を考慮したパターン設計
を行なう必要があった。さらにこのスワップゲートでは
導体パターン５とパーマロイパターン２及び４とが８箇
所で交差するが、この交差部では第７図に示すように下
層の導体５の存在により上層のパーマロイパターンが十
分に平坦化されず曲がりのある形状となり、またストレ
スを受けるため書き込みメジャライン及びマイナループ
のバブル伝搬特性を劣化させるという欠点があった。
報のバブルがメジャラインとマイナループ内のそれぞれ
元いたバブル位置に置き換わる様ビット位置の調整が必
要であった。また旧情報のバブルがライナループ３内か
ら書き込み用メジャライン１に伝搬する際バイアス磁界
下限においてバブルが伸びたり足踏みする等の誤動作を
起し特性を劣化させる場合があるため導体パターン５と
パーマロイパターンの位置関係を考慮したパターン設計
を行なう必要があった。さらにこのスワップゲートでは
導体パターン５とパーマロイパターン２及び４とが８箇
所で交差するが、この交差部では第７図に示すように下
層の導体５の存在により上層のパーマロイパターンが十
分に平坦化されず曲がりのある形状となり、またストレ
スを受けるため書き込みメジャライン及びマイナループ
のバブル伝搬特性を劣化させるという欠点があった。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、極め
て節易な構成で、特性劣化の少ない書き込みゲートを存
する磁気バブルメモリ素子を提供することを目的として
いる。
て節易な構成で、特性劣化の少ない書き込みゲートを存
する磁気バブルメモリ素子を提供することを目的として
いる。
このため本発明においては、メジャマイナ構成の磁気バ
ブルメモリ素子において、書き込み用メジャライン１１
のパーマロイパターン１２と、マイナループ１３のパー
マロイパターン１４をｔＭ切る１本の導体パターン１５
を設け、該導体パターン１５に電流を流したときの該パ
ターン１５の一方の側に生ずる反発磁界によりマイナル
ープ１３からのバブル１６を消去し、他方の側に生ずる
吸引磁界により書き込み用メジャライン１１からのバブ
ル１７をマイナループ１３にトランスファインするよう
にしたことを特徴としている。
ブルメモリ素子において、書き込み用メジャライン１１
のパーマロイパターン１２と、マイナループ１３のパー
マロイパターン１４をｔＭ切る１本の導体パターン１５
を設け、該導体パターン１５に電流を流したときの該パ
ターン１５の一方の側に生ずる反発磁界によりマイナル
ープ１３からのバブル１６を消去し、他方の側に生ずる
吸引磁界により書き込み用メジャライン１１からのバブ
ル１７をマイナループ１３にトランスファインするよう
にしたことを特徴としている。
薄体パターン１５とパーマロイパターン１２ 、１４と
の交差部が４箇所と従来に比して少な（なり、且つマイ
ナループ１３からの旧バブルを消去するようにしたため
、特性の向上が可能となり、また導体パターン１５とパ
ーマロイパターン１２．１４の位置関係のゆるやかな設
計が可能となる。
の交差部が４箇所と従来に比して少な（なり、且つマイ
ナループ１３からの旧バブルを消去するようにしたため
、特性の向上が可能となり、また導体パターン１５とパ
ーマロイパターン１２．１４の位置関係のゆるやかな設
計が可能となる。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示す図であり、第
１図は平面図、第２図ａは第１図のＸ方向から見た図、
第２図すは第１図のＹ方向から見た図である。
１図は平面図、第２図ａは第１図のＸ方向から見た図、
第２図すは第１図のＹ方向から見た図である。
本実施例は第１図に示すように当き込み用メジャライン
１１のパーマロイパターン１２とマイナループ１３のパ
ーマロイパターン１４に交差して１本の導体パターン１
５を設はスワップゲートを構成している。
１１のパーマロイパターン１２とマイナループ１３のパ
ーマロイパターン１４に交差して１本の導体パターン１
５を設はスワップゲートを構成している。
この導体パターン１５において、スワップゲートとして
必要な部分１５ａ （ハンチングを入れて示す）は従来
と同様に第２図の如くバブル結晶２０とパーマロイパタ
ーン１２ 、１４との間に形成され、スワップゲートと
して必要のない部分１５ｂはバブルの転送に影響のない
ようにパーマロイパターン１２．１４の上の保護層２３
の上に形成され、両者はスルーホール２５によって接続
されている。そして導体パターン１５に電流ｉを流ずこ
とにより第１図の如く導体１５ａの一方の側にできる吸
引磁（］で矢印Ａの如くトランスファイン動作を行ない
、導体１５ａの他方の側にできる反発磁極でＢ部におい
てバブルの消去を行なうようになっている。
必要な部分１５ａ （ハンチングを入れて示す）は従来
と同様に第２図の如くバブル結晶２０とパーマロイパタ
ーン１２ 、１４との間に形成され、スワップゲートと
して必要のない部分１５ｂはバブルの転送に影響のない
ようにパーマロイパターン１２．１４の上の保護層２３
の上に形成され、両者はスルーホール２５によって接続
されている。そして導体パターン１５に電流ｉを流ずこ
とにより第１図の如く導体１５ａの一方の側にできる吸
引磁（］で矢印Ａの如くトランスファイン動作を行ない
、導体１５ａの他方の側にできる反発磁極でＢ部におい
てバブルの消去を行なうようになっている。
このように構成された本実施例は旧情報をトランスファ
アウトする必要がないため、従来第６図のパーマロイパ
ターン■が不要となり、またパーマロイパターン■を第
１図のパーマロイパターンＩ′のように単純化でき、設
計上の余裕度をもたせることができる。また本実施例は
パーマロイパターンと導体の交差箇所が従来の半分とな
りパーマロイパターンの曲り及び導体から受けるストレ
スが緩和されるため第３図乃至第５図に示すように従来
例に比して特性が改善される。
アウトする必要がないため、従来第６図のパーマロイパ
ターン■が不要となり、またパーマロイパターン■を第
１図のパーマロイパターンＩ′のように単純化でき、設
計上の余裕度をもたせることができる。また本実施例は
パーマロイパターンと導体の交差箇所が従来の半分とな
りパーマロイパターンの曲り及び導体から受けるストレ
スが緩和されるため第３図乃至第５図に示すように従来
例に比して特性が改善される。
以上の述べてきたように、本発明によれば、スワップゲ
ートの導体を単線型とすることにより、伝搬特性の改善
ができ、実用的には極めて有用である。
ートの導体を単線型とすることにより、伝搬特性の改善
ができ、実用的には極めて有用である。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示す図、第３図は
本発明の実施例の情報書き込み動作の伝搬特性を従来例
と比較して示した図、第４図は本発明の実施例の書き込
み用メジャラインの伝搬特性を従来例と比較して示した
図、第５図は本発明の実施例のスワップコーナの伝播特
性を従来例と比較して示した図、 第６図は従来のスワップゲートを示した図、第７図は従
来のスワップゲートの層構成を示す図である。 第１図、第２図において、 １１は書き込み用メジャライン、 １２ 、１４はパーマロイパターン、 １３はマイナループ、 １５ 、１５ａ 、 １５ｂは導体パターン、１６ 、
１７はバブル、 ２０はバブル結晶、 ２１はスペーサ層、 ２２は絶縁層、 ２３ 、２４は保護膜、 ２５はスルーホールである。 本発明の＄！：ＭＢ例を示す図 １１・・・書き込み用メノヤライン １２．１４・・・・仁マロイ・Ｐターン１３・・・マイ
ナルーグ ＋５．＋５ａ、＋５ｂ・・・導体・ぞター／１６．１７
・・・バブル １２．１４ 本発明の実施例の層構成を示す図 第２図 ２０・・ バブル結晶 ２１・・・スペーサ層 ２２・・・絶縁層 ２３．２４・・・保護膜 ２５・・・スルーホール 、駆動磁界（Ｏｅ） 本発明の実施例の情報書き込み動作 の伝搬特性を従未ｆｌＪと比較して示した図Ａ・・・本
発明の実施例 Ｂ・・・従来例 、駆動磁界（Ｏｅ ） 本発明の実施例の書き込みメノヤラインの伝搬特性を従
来例と比較して示した図 Ａ・・・本発明の実施例 Ｂ８１．従来例 、駆動磁界（Ｏｅ） 本発明の実於例のスワップコーナの伝 搬特性を従来例と比較して示した図 Ａ・・・本発明の実施例 Ｂ・・・従来例 従来のスワノゾク゛−トを示す図 第６図 】・・・書き込みメノヤライン ５・・・導体パターン ６・・・バブル 従来のスワップゲートの層構成を示す図２・・・バーマ
ロイノぐター ン ５３０．導体・ぐターン ７・・・ノゞプル結晶 ８・・ス被−サ ９・・・絶縁層 １０・・・保護層
本発明の実施例の情報書き込み動作の伝搬特性を従来例
と比較して示した図、第４図は本発明の実施例の書き込
み用メジャラインの伝搬特性を従来例と比較して示した
図、第５図は本発明の実施例のスワップコーナの伝播特
性を従来例と比較して示した図、 第６図は従来のスワップゲートを示した図、第７図は従
来のスワップゲートの層構成を示す図である。 第１図、第２図において、 １１は書き込み用メジャライン、 １２ 、１４はパーマロイパターン、 １３はマイナループ、 １５ 、１５ａ 、 １５ｂは導体パターン、１６ 、
１７はバブル、 ２０はバブル結晶、 ２１はスペーサ層、 ２２は絶縁層、 ２３ 、２４は保護膜、 ２５はスルーホールである。 本発明の＄！：ＭＢ例を示す図 １１・・・書き込み用メノヤライン １２．１４・・・・仁マロイ・Ｐターン１３・・・マイ
ナルーグ ＋５．＋５ａ、＋５ｂ・・・導体・ぞター／１６．１７
・・・バブル １２．１４ 本発明の実施例の層構成を示す図 第２図 ２０・・ バブル結晶 ２１・・・スペーサ層 ２２・・・絶縁層 ２３．２４・・・保護膜 ２５・・・スルーホール 、駆動磁界（Ｏｅ） 本発明の実施例の情報書き込み動作 の伝搬特性を従未ｆｌＪと比較して示した図Ａ・・・本
発明の実施例 Ｂ・・・従来例 、駆動磁界（Ｏｅ ） 本発明の実施例の書き込みメノヤラインの伝搬特性を従
来例と比較して示した図 Ａ・・・本発明の実施例 Ｂ８１．従来例 、駆動磁界（Ｏｅ） 本発明の実於例のスワップコーナの伝 搬特性を従来例と比較して示した図 Ａ・・・本発明の実施例 Ｂ・・・従来例 従来のスワノゾク゛−トを示す図 第６図 】・・・書き込みメノヤライン ５・・・導体パターン ６・・・バブル 従来のスワップゲートの層構成を示す図２・・・バーマ
ロイノぐター ン ５３０．導体・ぐターン ７・・・ノゞプル結晶 ８・・ス被−サ ９・・・絶縁層 １０・・・保護層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、メジャマイナ構成の磁気バブルメモリ素子において
、 書き込み用メジャライン（１１）のパーマロイパターン
（１２）と、マイナループ（１３）のパーマロイパター
ン（１４）を横切る１本の導体パターン（１５）を設け
、該導体パターン（１５）に電流を流したときの該パタ
ーン（１５）の一方の側に生ずる反発磁界によりマイナ
ループ（１３）からのバブル（１６）を消去し、導体パ
ターン（１５）の他方の側に生ずる吸引磁界により書き
込み用メジャライン（１１）からのバブル（１７）をマ
イナループ（１３）にトランスファインするようにした
ことを特徴とした磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21816986A JPS6374193A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21816986A JPS6374193A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6374193A true JPS6374193A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16715707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21816986A Pending JPS6374193A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6374193A (ja) |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP21816986A patent/JPS6374193A/ja active Pending
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