JPS62298083A - ハイブリツド型磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
ハイブリツド型磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS62298083A JPS62298083A JP61139230A JP13923086A JPS62298083A JP S62298083 A JPS62298083 A JP S62298083A JP 61139230 A JP61139230 A JP 61139230A JP 13923086 A JP13923086 A JP 13923086A JP S62298083 A JPS62298083 A JP S62298083A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- permalloy
- transfer path
- ion implantation
- pattern
- bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔４既 要〕
ハイブリッド型磁気バブルメモリ素子であって、パーマ
ロイ転送路からイオン注入転送路への接続部において、
パーマロイパターンの足部をイオン注入転送路のティッ
プに接続させることにより、スタートストップ時のマー
ジン劣化を防止可能とする。
ロイ転送路からイオン注入転送路への接続部において、
パーマロイパターンの足部をイオン注入転送路のティッ
プに接続させることにより、スタートストップ時のマー
ジン劣化を防止可能とする。
本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられるハイブ
リッド型磁気バブルメモリ素子に関するもので、さらに
詳しく言えば、そのパーマロイ転送路とイオン注入転送
路との接続部の改良に関するものである。
リッド型磁気バブルメモリ素子に関するもので、さらに
詳しく言えば、そのパーマロイ転送路とイオン注入転送
路との接続部の改良に関するものである。
従来、磁気バブルメモリは、記憶容量が１チップ当り１
〜４メガビツトまでは、そのバブル転送路は全ぺてパー
マロイ等の軟磁性材料で形成されていた。しかし記憶容
量が増大して１チップ当り８〜１６メガビツトレベルと
なると機能部をパーマロイで、情報格納部をイオン注入
転送路で形成したハイプリント型が主流となってきてい
る。このハイブリッド型の場合、マイナ一部に必ずパー
マロイ転送路からイオン注入転送路へ、又はイオン注入
転送路からパーマロイ転送路への２種類の接続部が存在
する。本発明は前者のパーマロイ転送路からイオン注入
転送路への接続部に関するものである。
〜４メガビツトまでは、そのバブル転送路は全ぺてパー
マロイ等の軟磁性材料で形成されていた。しかし記憶容
量が増大して１チップ当り８〜１６メガビツトレベルと
なると機能部をパーマロイで、情報格納部をイオン注入
転送路で形成したハイプリント型が主流となってきてい
る。このハイブリッド型の場合、マイナ一部に必ずパー
マロイ転送路からイオン注入転送路へ、又はイオン注入
転送路からパーマロイ転送路への２種類の接続部が存在
する。本発明は前者のパーマロイ転送路からイオン注入
転送路への接続部に関するものである。
従来のパーマロイ転送路からイオン注入転送路への接続
部の形状を第４図ａ及びｂに示す。同図において、１は
パーマロイ転送路、２はパーマロイパターン、３はイオ
ン注入領域、４はイオン注入転送路である。ａ及びｂ図
に示す２種類の従来例は、共にパーマロイ転送路１の終
端のパーマロイパターン２の足部２ａがイオン注入転送
路４のカスプ４ａへ接続されている。これはパーマロイ
パターンの足部２ａをポテンシャルウェルの深いカスプ
４ａへ接続することによりパーマロイパターン２からイ
オン注入転送路４へのバブル５の転送が円滑に行なわれ
ることをねらったものである。
部の形状を第４図ａ及びｂに示す。同図において、１は
パーマロイ転送路、２はパーマロイパターン、３はイオ
ン注入領域、４はイオン注入転送路である。ａ及びｂ図
に示す２種類の従来例は、共にパーマロイ転送路１の終
端のパーマロイパターン２の足部２ａがイオン注入転送
路４のカスプ４ａへ接続されている。これはパーマロイ
パターンの足部２ａをポテンシャルウェルの深いカスプ
４ａへ接続することによりパーマロイパターン２からイ
オン注入転送路４へのバブル５の転送が円滑に行なわれ
ることをねらったものである。
この従来方式では、第５図にその動作マージンを示すよ
うに、バブルの転送を継続して行なうときは曲線Ａで示
すように良好であるが、スタートストップ動作を行なっ
たときは曲線Ｂで示すように高駆動高バイアス側で悪く
なるという欠点がある。
うに、バブルの転送を継続して行なうときは曲線Ａで示
すように良好であるが、スタートストップ動作を行なっ
たときは曲線Ｂで示すように高駆動高バイアス側で悪く
なるという欠点がある。
これは第４図に示したように、ホールド磁界Ｈ１が矢印
方向に印加された状態で同方向にストップするとチャー
ジドウオールが消失しカスプに将に入ろうとしたバブル
５はホールド磁界Ｈ６によって磁化したパーマロイパタ
ーン２の足部２ａの反発ボールにより消滅するエラーを
生ずるからである。
方向に印加された状態で同方向にストップするとチャー
ジドウオールが消失しカスプに将に入ろうとしたバブル
５はホールド磁界Ｈ６によって磁化したパーマロイパタ
ーン２の足部２ａの反発ボールにより消滅するエラーを
生ずるからである。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、パー
マロイ転送路からイオン注入転送路への接続部における
動作マージンを改善したハイブリッド型磁気バブルメモ
リ素子を提供することを目的としている。
マロイ転送路からイオン注入転送路への接続部における
動作マージンを改善したハイブリッド型磁気バブルメモ
リ素子を提供することを目的としている。
このため本発明においては、同一チップにバブル転送用
のパーマロイ転送路とイオン注入転送路とを有するハイ
ブリッド型磁気バブルメモリ素子において、パーマロイ
転送路１０からイオン注入転送路１３への接続部は、パ
ーマロイパターン１１の足部１１ａをイオン注入転送路
１３のティフプ１３ａに接続させたことを特徴としてい
る。
のパーマロイ転送路とイオン注入転送路とを有するハイ
ブリッド型磁気バブルメモリ素子において、パーマロイ
転送路１０からイオン注入転送路１３への接続部は、パ
ーマロイパターン１１の足部１１ａをイオン注入転送路
１３のティフプ１３ａに接続させたことを特徴としてい
る。
パーマロイパターンの足部をイオン注入転送路のティッ
プに接続することにより、スタートストップ動作におい
て、バブルのストップする位置はカスプであり、その位
置はホールド磁界によって磁化したパーマロイパターン
の足部にできる反発ボールより離れているためマージン
の劣化はなく改善が可能となる。
プに接続することにより、スタートストップ動作におい
て、バブルのストップする位置はカスプであり、その位
置はホールド磁界によって磁化したパーマロイパターン
の足部にできる反発ボールより離れているためマージン
の劣化はなく改善が可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す図であり、ａはイオン注
入転送路がスネークパターンの場合、ｂはイオン注入転
送路が曲線の場合である。
入転送路がスネークパターンの場合、ｂはイオン注入転
送路が曲線の場合である。
本実施例はａ図及びｂ図共にパーマロイ転送路１０の終
端のパーマロイパターン１１の足部１１ａをイオン注入
転送路のティップ１３ａに一敗するように接続したもの
である。
端のパーマロイパターン１１の足部１１ａをイオン注入
転送路のティップ１３ａに一敗するように接続したもの
である。
このように構成された本実施例は、スタートストップ動
作において、バブルがストップする位置は第２図の如く
イオン注入転送路１１のカスプＰ。
作において、バブルがストップする位置は第２図の如く
イオン注入転送路１１のカスプＰ。
およびパーマロイパターンの足部Ｐｉ、Ｐｚのところで
ある。したがってホールド磁界Ｈ，，によって磁化した
パーマロイパターン１１の足部１１ａには反発ボールが
できるが、その反発ボールはカスプＰ、にいるバブル１
４から離れているためマージンの劣化は起らない。第３
図は本実施例のスタートストップ時の動作マージンを従
来例と比較して示した図であり、曲線Ｃで本実施例の、
曲線Ｂで従来例を示した。図より本実施例は従来例に比
し高駆動高バイアス側で改善されていることがわかる。
ある。したがってホールド磁界Ｈ，，によって磁化した
パーマロイパターン１１の足部１１ａには反発ボールが
できるが、その反発ボールはカスプＰ、にいるバブル１
４から離れているためマージンの劣化は起らない。第３
図は本実施例のスタートストップ時の動作マージンを従
来例と比較して示した図であり、曲線Ｃで本実施例の、
曲線Ｂで従来例を示した。図より本実施例は従来例に比
し高駆動高バイアス側で改善されていることがわかる。
以上述べてきたように、本発明によれば、掻めて簡易な
構成で、パーマロイ転送路からイオン注入転送路への接
続部における特性を改善することができ、実用的には極
めて有用である。
構成で、パーマロイ転送路からイオン注入転送路への接
続部における特性を改善することができ、実用的には極
めて有用である。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は本発明の実施例の作用を説明するための図、
第３図は本発明の実施例の動作マージンを従来例と比較
して示した図、 第４図は従来のパーマロイ転送路からイオン注入転送路
への接続部を示す図、 第５図は従来のパーマロイ転送路からイオン注入転送路
への接続部の動作マージンを示す図である。 第１図、第２図において、 １０はパーマロイ転送路、 １１はパーマロイパターン、 １１ａはパーマロイパターンの足部、 １２はイオン注入領域、 １３はイオン注入転送路、 １３ａはイオン注入転送路のティップ、１４はバブルで
ある。 本発明の実施例を示す図 第１図 １３−一一イオン注入転送路 するための図 第２図 駆動磁界ＨＤ（Ｏｅ） 本発明の実施例の動作マージンを従 来例と比較して示した図 第３図 従来の・ぐ−マロイ転送路からイオン注入転送路への接
続部を示す図 第４図 １−−−パーマロイ転送路 ４−ｍ−イオン注入転送路 ５−一一バブル
して示した図、 第４図は従来のパーマロイ転送路からイオン注入転送路
への接続部を示す図、 第５図は従来のパーマロイ転送路からイオン注入転送路
への接続部の動作マージンを示す図である。 第１図、第２図において、 １０はパーマロイ転送路、 １１はパーマロイパターン、 １１ａはパーマロイパターンの足部、 １２はイオン注入領域、 １３はイオン注入転送路、 １３ａはイオン注入転送路のティップ、１４はバブルで
ある。 本発明の実施例を示す図 第１図 １３−一一イオン注入転送路 するための図 第２図 駆動磁界ＨＤ（Ｏｅ） 本発明の実施例の動作マージンを従 来例と比較して示した図 第３図 従来の・ぐ−マロイ転送路からイオン注入転送路への接
続部を示す図 第４図 １−−−パーマロイ転送路 ４−ｍ−イオン注入転送路 ５−一一バブル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、同一チップにバブル転送用のパーマロイ転送路とイ
オン注入転送路とを有するハイブリッド型磁気バブルメ
モリ素子において、 パーマロイ転送路（１０）からイオン注入転送路（１３
）への接続部は、パーマロイパターン（１１）の足部（
１１ａ）をイオン注入転送路（１３）のティップ（１３
ａ）に接続させたことを特徴とするハイブリッド型磁気
バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61139230A JPS62298083A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | ハイブリツド型磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61139230A JPS62298083A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | ハイブリツド型磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62298083A true JPS62298083A (ja) | 1987-12-25 |
Family
ID=15240510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61139230A Pending JPS62298083A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | ハイブリツド型磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62298083A (ja) |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP61139230A patent/JPS62298083A/ja active Pending
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