JPH02304794A - 磁気バブルメモリデバイス - Google Patents
磁気バブルメモリデバイスInfo
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- JPH02304794A JPH02304794A JP1124383A JP12438389A JPH02304794A JP H02304794 A JPH02304794 A JP H02304794A JP 1124383 A JP1124383 A JP 1124383A JP 12438389 A JP12438389 A JP 12438389A JP H02304794 A JPH02304794 A JP H02304794A
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- magnetic bubble
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- memory device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
磁気バブルメモリデバイスの基本構成要素である磁気バ
ブル転送路に、従来のパーマロイ薄膜パターンに替わり
、イオン打ち込み方式の転送路パターンを使用すること
により、高集積の素子を実現することが出来る。イオン
打ち込み方式の転送路は、第６図に例示したような構造
をしている。 同図において、１は、磁気バブルの媒体である磁性膜で
あり、この中に、磁気バブルＢが存在する。 この磁性膜の表面に、Ｈ，”、Ｈｅ”、Ｎｅ＋等のイオ
ンを選択的に打ち込むことにより、磁気バブル転送路１
０を形成する。１０の外部領域２０がイオンの打ち込ま
れた打ち込み領域であり、その内部領域がイオンの打ち
込まれない非イオン打ち込み領域である。磁気バブルＢ
は、この非イオン打ち込み領域パターン（磁気バブル転
送路１０）と、その周縁のイオン打ち込み領域２０との
境界に沿って転送される。つまり、外部からこの膜に垂
直な方向にバイアス磁界Ｈｓを加えることで磁気バブル
Ｂを安定に存在させる。そして磁気バブルの転送は、外
部からこの膜面内で回転する回転磁界ＨＨを加えること
で行う。回転磁界ＨＲにより、イオン打ち込み領域２０
を磁化し、磁気バブル転送路１０の境界にバブル吸引磁
極を発生することにより、バブルを磁気バブル転送路１
０の境界に沿って転送する。回転磁界ＨＲが反時計回り
に回転する場合、バブルの転送方向は、矢印Ｐ方向であ
り、磁気バブル転送路１０の左右で逆方向である。 第６図中の磁気バブル転送路１ｏは、磁気バブルメモリ
デバイスにおいては、多数個並列に並べて形成し、情報
を記憶蓄積するマイナループｍとして利用する。実際の
デバイスでは、このマイナループｍの外に、情報の入出
力路を形成するメジャーラインＭが、マイナループｍに
直行する方向に形成される。 第６図において、更にまた。磁気バブル磁性膜１は、ガ
ーネット磁性膜からなる３軸対称の結晶軸方位を有して
おり、マイナループｍのバブル転送方向軸Ａは、結晶軸
方位の［１了２］又は［了２了コ又は［２１了］に一致
させるように従来から行われてきた。 このようなイオン打ち込み方式の転送路を備えた磁気バ
ブルメモリディバイスは、既に知られており、この種の
ものとして、例えば、特開昭６０−２２６０８９を挙げ
ることが出来る。
ブル転送路に、従来のパーマロイ薄膜パターンに替わり
、イオン打ち込み方式の転送路パターンを使用すること
により、高集積の素子を実現することが出来る。イオン
打ち込み方式の転送路は、第６図に例示したような構造
をしている。 同図において、１は、磁気バブルの媒体である磁性膜で
あり、この中に、磁気バブルＢが存在する。 この磁性膜の表面に、Ｈ，”、Ｈｅ”、Ｎｅ＋等のイオ
ンを選択的に打ち込むことにより、磁気バブル転送路１
０を形成する。１０の外部領域２０がイオンの打ち込ま
れた打ち込み領域であり、その内部領域がイオンの打ち
込まれない非イオン打ち込み領域である。磁気バブルＢ
は、この非イオン打ち込み領域パターン（磁気バブル転
送路１０）と、その周縁のイオン打ち込み領域２０との
境界に沿って転送される。つまり、外部からこの膜に垂
直な方向にバイアス磁界Ｈｓを加えることで磁気バブル
Ｂを安定に存在させる。そして磁気バブルの転送は、外
部からこの膜面内で回転する回転磁界ＨＨを加えること
で行う。回転磁界ＨＲにより、イオン打ち込み領域２０
を磁化し、磁気バブル転送路１０の境界にバブル吸引磁
極を発生することにより、バブルを磁気バブル転送路１
０の境界に沿って転送する。回転磁界ＨＲが反時計回り
に回転する場合、バブルの転送方向は、矢印Ｐ方向であ
り、磁気バブル転送路１０の左右で逆方向である。 第６図中の磁気バブル転送路１ｏは、磁気バブルメモリ
デバイスにおいては、多数個並列に並べて形成し、情報
を記憶蓄積するマイナループｍとして利用する。実際の
デバイスでは、このマイナループｍの外に、情報の入出
力路を形成するメジャーラインＭが、マイナループｍに
直行する方向に形成される。 第６図において、更にまた。磁気バブル磁性膜１は、ガ
ーネット磁性膜からなる３軸対称の結晶軸方位を有して
おり、マイナループｍのバブル転送方向軸Ａは、結晶軸
方位の［１了２］又は［了２了コ又は［２１了］に一致
させるように従来から行われてきた。 このようなイオン打ち込み方式の転送路を備えた磁気バ
ブルメモリディバイスは、既に知られており、この種の
ものとして、例えば、特開昭６０−２２６０８９を挙げ
ることが出来る。
さて、このようなイオン打ち込み方式の転送路を備えた
磁気バブルメモリデバイスを実用化するには、磁気バブ
ルＢをイオン打ち込み転送路１０に沿って、安定に転送
できるイオン打ち込み転送路を実現する必要がある。こ
のため、従来、イオン打ち込みのプロセス条件、例えば
、イオン打ち込みの量、加速電圧、イオンの種類、安定
化ベータ温度等、その他、転送路パターンの形状を各種
変えることによる最適化の検討等がなされてきた。 この結果、第６図のバブル転送路１０の左側及び右側の
個々については、比較的安定した転送特性が得られてい
る。しかし、第５図に例示したように、左右の転送路の
安定動作するバイアス磁界マージン域ΔＨａが、左右で
大きなアンバランスを生じ、共通マージン域が狭くなっ
ている。このアンバランス量は、低温側（０℃→−４０
℃）で極端に悪くなり、共通マージン域が半減する。 この結果、これらのパラメータだけでは、実用化に十分
な安定した転送特性が得られていない状況にある。従っ
て、本発明の目的は、かかる従来の問題点を解決するこ
とにあり、左右転送路特性のアンバランスを低減し、共
通バイアス磁界動作領域を拡大し安定した転送特性の得
られる改良された転送路を備えた磁気バブルメモリデバ
イスを提供することにある。
磁気バブルメモリデバイスを実用化するには、磁気バブ
ルＢをイオン打ち込み転送路１０に沿って、安定に転送
できるイオン打ち込み転送路を実現する必要がある。こ
のため、従来、イオン打ち込みのプロセス条件、例えば
、イオン打ち込みの量、加速電圧、イオンの種類、安定
化ベータ温度等、その他、転送路パターンの形状を各種
変えることによる最適化の検討等がなされてきた。 この結果、第６図のバブル転送路１０の左側及び右側の
個々については、比較的安定した転送特性が得られてい
る。しかし、第５図に例示したように、左右の転送路の
安定動作するバイアス磁界マージン域ΔＨａが、左右で
大きなアンバランスを生じ、共通マージン域が狭くなっ
ている。このアンバランス量は、低温側（０℃→−４０
℃）で極端に悪くなり、共通マージン域が半減する。 この結果、これらのパラメータだけでは、実用化に十分
な安定した転送特性が得られていない状況にある。従っ
て、本発明の目的は、かかる従来の問題点を解決するこ
とにあり、左右転送路特性のアンバランスを低減し、共
通バイアス磁界動作領域を拡大し安定した転送特性の得
られる改良された転送路を備えた磁気バブルメモリデバ
イスを提供することにある。
上記本発明の目的を達成する手段として１本発明におい
ては、転送路特性を改良するため、従来対称的であった
左右の転送路に、非対称化の手段を導入した点に特徴が
ある。 即ち、上記本発明の目的は、 （１）、イオン打ち込み方式による磁気バブル転送路を
備えた磁気バブルメモリデバイスにおいて、前記磁気バ
ブル転送路における左右の互いに相異なる逆向の転送方
向におけるバイアス磁界マージンの差に基ずく転送特性
のアンバランスを低減する手段として、前記磁気バブル
転送路左右のバイアス磁界マージンの差を緩和する非対
称化手段を設けて成る磁気バブルメモリデバイスにより
、達成される。 そして、好ましくは、 （２）、上記非対称化手段として、イオン打ち込みされ
る磁気バブル磁性膜の３軸対称の結晶軸方位と磁気バブ
ル転送方向との間に交差角を設けて成る上記（１）記載
の磁気バブルメモリデバイスにより、更に好ましくは、 （３）、上記磁気バブル転送路が、情報入出力のメジャ
ーラインと情報蓄精のマイナーループとから成り、上記
３軸対称の磁気バブル磁性膜の結晶軸を、前記マイナー
ループのバブル転送方向軸に対して２〜１５°ずらして
成る上記（２）記載の磁気バブルメモリデバイスにより
、また。 （４）、上記非対称化手段として、イオン打ち込み方式
による磁気バブル転送路パターンの形状を。 磁気バブル転送方向に対して非対称化して成る上記（１
）記載の磁気バブルメモリデバイスにより、そして好ま
しくは （５）、上記磁気バブル転送路パターンの形状を。 鋸歯状とした上記（４）記載の磁気バブルメモリデバイ
スにより、また、 （６）、上記イオン打ち込み転送路は、磁性基板表面に
イオン打ち込みされた打ち込み領域と、イオン打ち込み
されない非イオン打ち込み領域との両領域界面から成る
と共に、上記非対称化手段として、前記非イオン打ち込
み領域内には第１の磁性薄膜パターンが、そして前記イ
オン打ち込みされた打ち込み領域上の前記転送路パター
ンの周囲の少なくとも凹部近傍には隣接して第２の磁性
薄膜パターンが形成されて成る上記（１）記載の磁気バ
ブルメモリデバイスにより、達成される。 更にまた、本発明においては、上記（２）、（４）、（
６）の少なくとも二つを組み合わせることも有効である
。
ては、転送路特性を改良するため、従来対称的であった
左右の転送路に、非対称化の手段を導入した点に特徴が
ある。 即ち、上記本発明の目的は、 （１）、イオン打ち込み方式による磁気バブル転送路を
備えた磁気バブルメモリデバイスにおいて、前記磁気バ
ブル転送路における左右の互いに相異なる逆向の転送方
向におけるバイアス磁界マージンの差に基ずく転送特性
のアンバランスを低減する手段として、前記磁気バブル
転送路左右のバイアス磁界マージンの差を緩和する非対
称化手段を設けて成る磁気バブルメモリデバイスにより
、達成される。 そして、好ましくは、 （２）、上記非対称化手段として、イオン打ち込みされ
る磁気バブル磁性膜の３軸対称の結晶軸方位と磁気バブ
ル転送方向との間に交差角を設けて成る上記（１）記載
の磁気バブルメモリデバイスにより、更に好ましくは、 （３）、上記磁気バブル転送路が、情報入出力のメジャ
ーラインと情報蓄精のマイナーループとから成り、上記
３軸対称の磁気バブル磁性膜の結晶軸を、前記マイナー
ループのバブル転送方向軸に対して２〜１５°ずらして
成る上記（２）記載の磁気バブルメモリデバイスにより
、また。 （４）、上記非対称化手段として、イオン打ち込み方式
による磁気バブル転送路パターンの形状を。 磁気バブル転送方向に対して非対称化して成る上記（１
）記載の磁気バブルメモリデバイスにより、そして好ま
しくは （５）、上記磁気バブル転送路パターンの形状を。 鋸歯状とした上記（４）記載の磁気バブルメモリデバイ
スにより、また、 （６）、上記イオン打ち込み転送路は、磁性基板表面に
イオン打ち込みされた打ち込み領域と、イオン打ち込み
されない非イオン打ち込み領域との両領域界面から成る
と共に、上記非対称化手段として、前記非イオン打ち込
み領域内には第１の磁性薄膜パターンが、そして前記イ
オン打ち込みされた打ち込み領域上の前記転送路パター
ンの周囲の少なくとも凹部近傍には隣接して第２の磁性
薄膜パターンが形成されて成る上記（１）記載の磁気バ
ブルメモリデバイスにより、達成される。 更にまた、本発明においては、上記（２）、（４）、（
６）の少なくとも二つを組み合わせることも有効である
。
イオン打ち込み転送路は、力学的応力歪により形成され
るマグネチック・ストリクション（磁歪）効果を利用し
たものである。そして、共通バイアス磁界動作領域を拡
大するため転送路を非対称化することにより、転送路左
右のバイアス磁界マージンのアンバランスを低減するこ
とができる。この転送路を非対称化する具体的手法とし
ては、前述の通り基本的には（２）、（４）、（６）の
３通りがあり、いずれにおいても同様な作用効果を有す
る。したがって、これらの手法を２通り、もしくは３通
り組み合わせることも可能である。この転送路を非対称
化する手段は、イオン打ち込み転送路のバブル転送に対
して磁気的な影響を強く与えるパラメータであり、転送
路左右のバイアス磁界マージンのアンバランスを低減す
る上で効果的に作用する。
るマグネチック・ストリクション（磁歪）効果を利用し
たものである。そして、共通バイアス磁界動作領域を拡
大するため転送路を非対称化することにより、転送路左
右のバイアス磁界マージンのアンバランスを低減するこ
とができる。この転送路を非対称化する具体的手法とし
ては、前述の通り基本的には（２）、（４）、（６）の
３通りがあり、いずれにおいても同様な作用効果を有す
る。したがって、これらの手法を２通り、もしくは３通
り組み合わせることも可能である。この転送路を非対称
化する手段は、イオン打ち込み転送路のバブル転送に対
して磁気的な影響を強く与えるパラメータであり、転送
路左右のバイアス磁界マージンのアンバランスを低減す
る上で効果的に作用する。
【実施例１
以下、図面により本発明の一実施例を説明する。
実施例１゜
第１図（ａ）、（ｂ）は、３軸対称の結晶軸方位をマイ
ナーループｍのバブル転送方向軸Ａから、交差角θだけ
ずらして非対称化した場合の、本発明の一実施例となる
転送路の要部平面を示した説明図である。 まず、第１図（ａ）において、１は磁気バブルの媒体で
ある磁性膜で１周知の方法で磁性ガーネット膜が非磁性
ガーネット基板（図示せず）上に形成されたもの、２０
は磁性膜表面にＨ２” 、 Ｈｅ ” 。 Ｎｅ”等のイオンが選択的に打ち込まれた領域、１０は
マイナーループｍを構成する転送路で、その内部領域は
イオンの打ち込まれない非イオン打ち込み領域である。 第１図（ｂ）は、マイナーループｍのバブル転送方向軸
Ａと、３軸対称の磁性膜１の結晶軸方位との関係を説明
する図である。バブル磁性膜１の結晶軸［Ｔ工２］又は
［了２′Ｘ］又は［２１了］とバブル転送路１０の転送
方向軸Ａとの交差角をθとする。従来は、θ＝０″が選
ばれ、バブル転送路１０の左右転送路は、結晶軸に対し
て対称な構成となっていた。これに対して、本発明では
交差角θを持たせ、好ましくはθ＝２〜１５°の交差角
を持たせた構成にしている。 第２図は、この交差角θと第５図で述べた左右転送路の
アンバランスロス量ΔＬを実験で求めた結果の一例を示
す特性曲線であにのロス量ΔＬが少ないほど良好な特性
を示し１図から明らかなように交差角θ＝±（２〜１５
６）の範囲で優れた特性が得られた。 実施例２゜ 第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ本発明の他
の一実施例となる転送路パターンの形状をバブル転送方
向に対して非対称化した転送路パターンの平面図を示し
たものである。 同図（ａ）は、上、下方向に非対称化した例、同じく（
ｂ）は、左右方向に非対称化した例、そして同じく（ｃ
）は、鋸歯状パターンにした例を示したものである。い
ずれの場合も、従来の対称形パターンに比べて、アンバ
ランスロス量ΔＬを半減することができた。 実施例３゜ 第４図は、本発明による他の実施例の一例を示したもの
であり、第１の軟磁性薄膜パターン４０を転送路１０の
非イオン打ち込み領域内に、第２の軟磁性薄膜パターン
５０を転送路１０の周囲の凹部近傍に隣接して設け、非
対称化した転送路パターンの平面図を示したものである
。通常、この軟磁性薄膜パターンは、例えば、バブル検
出器を形成する磁性薄膜パターンと同店に、しかも同一
プロセスで一括して形成できる。この磁性薄膜パターン
として、パーマロイ薄膜がよく用いられる。 このパターンが発生する磁界を利用することにより、バ
ブル転送を補助する。つまり、上記の第１の軟磁性薄膜
パターン４０は、バブル転送の駆動力を強める補助パタ
ーンであり、第２の軟磁性薄膜パターン５０は、隣接す
る転送路間に設けられたパターンでバブルが転送中に隣
の転送路へ飛び移るいわゆる転送誤動作を防止するため
に導入した補助パターンである。これらのパターン導入
により、転送路左右のアンバランスロス量ΔＬを前記実
施例２と同様に半減することができた。 なお、本実施例では、上記第２の軟磁性薄膜パターン５
０を図示のとおり六角形の独立したパターンとして隣接
する二つの転送路間に設けたが、独立したパターンとせ
ず隣接するパターン５０同士を連結したパターン形状と
してもよい。また、本発明においては、上記実施例１〜
３に示した転送路の非対称化手段を組み合わせて実施す
ることも可能であることは言うまでもない。 【発明の効果】 以上詳述したとおり、本発明によれば、イオン打ち込み
転送路に、非対称化手段を導入することにより、バブル
転送時に生じる左右転送路特性のアンバランスを低減し
、共通バイアス磁界動作領域（通称バイアスマージンと
いう）を拡大することができ、実用化に十分な安定した
磁気バブルの転送特性が得られるようになり、イオン打
ち込み転送路を備えた磁気バブルメモリデバイスの実用
化を可能とした。
ナーループｍのバブル転送方向軸Ａから、交差角θだけ
ずらして非対称化した場合の、本発明の一実施例となる
転送路の要部平面を示した説明図である。 まず、第１図（ａ）において、１は磁気バブルの媒体で
ある磁性膜で１周知の方法で磁性ガーネット膜が非磁性
ガーネット基板（図示せず）上に形成されたもの、２０
は磁性膜表面にＨ２” 、 Ｈｅ ” 。 Ｎｅ”等のイオンが選択的に打ち込まれた領域、１０は
マイナーループｍを構成する転送路で、その内部領域は
イオンの打ち込まれない非イオン打ち込み領域である。 第１図（ｂ）は、マイナーループｍのバブル転送方向軸
Ａと、３軸対称の磁性膜１の結晶軸方位との関係を説明
する図である。バブル磁性膜１の結晶軸［Ｔ工２］又は
［了２′Ｘ］又は［２１了］とバブル転送路１０の転送
方向軸Ａとの交差角をθとする。従来は、θ＝０″が選
ばれ、バブル転送路１０の左右転送路は、結晶軸に対し
て対称な構成となっていた。これに対して、本発明では
交差角θを持たせ、好ましくはθ＝２〜１５°の交差角
を持たせた構成にしている。 第２図は、この交差角θと第５図で述べた左右転送路の
アンバランスロス量ΔＬを実験で求めた結果の一例を示
す特性曲線であにのロス量ΔＬが少ないほど良好な特性
を示し１図から明らかなように交差角θ＝±（２〜１５
６）の範囲で優れた特性が得られた。 実施例２゜ 第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ本発明の他
の一実施例となる転送路パターンの形状をバブル転送方
向に対して非対称化した転送路パターンの平面図を示し
たものである。 同図（ａ）は、上、下方向に非対称化した例、同じく（
ｂ）は、左右方向に非対称化した例、そして同じく（ｃ
）は、鋸歯状パターンにした例を示したものである。い
ずれの場合も、従来の対称形パターンに比べて、アンバ
ランスロス量ΔＬを半減することができた。 実施例３゜ 第４図は、本発明による他の実施例の一例を示したもの
であり、第１の軟磁性薄膜パターン４０を転送路１０の
非イオン打ち込み領域内に、第２の軟磁性薄膜パターン
５０を転送路１０の周囲の凹部近傍に隣接して設け、非
対称化した転送路パターンの平面図を示したものである
。通常、この軟磁性薄膜パターンは、例えば、バブル検
出器を形成する磁性薄膜パターンと同店に、しかも同一
プロセスで一括して形成できる。この磁性薄膜パターン
として、パーマロイ薄膜がよく用いられる。 このパターンが発生する磁界を利用することにより、バ
ブル転送を補助する。つまり、上記の第１の軟磁性薄膜
パターン４０は、バブル転送の駆動力を強める補助パタ
ーンであり、第２の軟磁性薄膜パターン５０は、隣接す
る転送路間に設けられたパターンでバブルが転送中に隣
の転送路へ飛び移るいわゆる転送誤動作を防止するため
に導入した補助パターンである。これらのパターン導入
により、転送路左右のアンバランスロス量ΔＬを前記実
施例２と同様に半減することができた。 なお、本実施例では、上記第２の軟磁性薄膜パターン５
０を図示のとおり六角形の独立したパターンとして隣接
する二つの転送路間に設けたが、独立したパターンとせ
ず隣接するパターン５０同士を連結したパターン形状と
してもよい。また、本発明においては、上記実施例１〜
３に示した転送路の非対称化手段を組み合わせて実施す
ることも可能であることは言うまでもない。 【発明の効果】 以上詳述したとおり、本発明によれば、イオン打ち込み
転送路に、非対称化手段を導入することにより、バブル
転送時に生じる左右転送路特性のアンバランスを低減し
、共通バイアス磁界動作領域（通称バイアスマージンと
いう）を拡大することができ、実用化に十分な安定した
磁気バブルの転送特性が得られるようになり、イオン打
ち込み転送路を備えた磁気バブルメモリデバイスの実用
化を可能とした。
第１図は、本発明の一実施例を示したもので、磁気バブ
ルメモリデバイスにおけるイオン打ち込み転送路のバブ
ル転送方向軸Ａと磁性膜の結晶方向軸との関係を説明す
る説明図、第２図は、第１図（ｂ）の交差角θと左右転
送路のアンバランスロス量ΔＬ（％）との関係を示した
特性曲線図、第３図は、本発明の他の実施例を示したも
ので、同じくイオン打ち込み転送路の転送路の形状を非
対称にした転送路パターンの平面図、第４図は、同じく
本発明の他の実施例を示したもので、軟磁性薄膜パター
ン形成による非対称化転送路パターンの平面図、第５図
は、転送路左右のバイアス磁界マージンの差及び共通マ
ージンの温度による変化の状態を示した説明図、そして
第６図は、従来の磁気バブルメモリデバイスにおけるイ
オン打ち込み転送路の一部断面斜視図である。 １・・・磁性膜、 １０・・・イオン打ち込み転送路２
０・・・イオン打ち込み領域、 ４０・・・第１の軟
磁性薄膜パターン、 ５０・・・第２の軟磁性薄膜パ
ターン、 Ａ・・・転送路のバブル転送方向軸、 Ｂ・
・・磁気バブルｙ ＨＢ・・・バイアス磁界＋ＨＲ・
・・回転磁界、 Ｐ・・・磁気バブル転送方向。
ルメモリデバイスにおけるイオン打ち込み転送路のバブ
ル転送方向軸Ａと磁性膜の結晶方向軸との関係を説明す
る説明図、第２図は、第１図（ｂ）の交差角θと左右転
送路のアンバランスロス量ΔＬ（％）との関係を示した
特性曲線図、第３図は、本発明の他の実施例を示したも
ので、同じくイオン打ち込み転送路の転送路の形状を非
対称にした転送路パターンの平面図、第４図は、同じく
本発明の他の実施例を示したもので、軟磁性薄膜パター
ン形成による非対称化転送路パターンの平面図、第５図
は、転送路左右のバイアス磁界マージンの差及び共通マ
ージンの温度による変化の状態を示した説明図、そして
第６図は、従来の磁気バブルメモリデバイスにおけるイ
オン打ち込み転送路の一部断面斜視図である。 １・・・磁性膜、 １０・・・イオン打ち込み転送路２
０・・・イオン打ち込み領域、 ４０・・・第１の軟
磁性薄膜パターン、 ５０・・・第２の軟磁性薄膜パ
ターン、 Ａ・・・転送路のバブル転送方向軸、 Ｂ・
・・磁気バブルｙ ＨＢ・・・バイアス磁界＋ＨＲ・
・・回転磁界、 Ｐ・・・磁気バブル転送方向。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン打ち込み方式による磁気バブル転送路を備え
た磁気バブルメモリデバイスにおいて、前記磁気バブル
転送路における左右の互いに相異なる逆向の転送方向に
おけるバイアス磁界マージンの差に基ずく転送特性のア
ンバランスを低減する手段として、前記磁気バブル転送
路左右のバイアス磁界マージンの差を緩和する非対称化
手段を設けて成る磁気バブルメモリデバイス。 ２、上記非対称化手段として、イオン打ち込みされる磁
気バブル磁性膜の３軸対称の結晶軸方位と磁気バブル転
送方向との間に交差角を設けて成る請求項１記載の磁気
バブルメモリデバイス。 ３、上記磁気バブル転送路が、情報入出力のメジャーラ
インと情報蓄積のマイナーループとから成り、上記３軸
対称の磁気バブル磁性膜の結晶軸を、前記マイナールー
プのバブル転送方向軸に対して２〜１５°ずらして成る
請求項２記載の磁気バブルメモリデバイス。 ４、上記非対称化手段として、イオン打ち込み方式によ
る磁気バブル転送路パターンの形状を、磁気バブル転送
方向に対して非対称化して成る請求項１記載の磁気バブ
ルメモリデバイス。 ５、上記磁気バブル転送路パターンの形状を、鋸歯状と
した請求項４記載の磁気バブルメモリデバイス。 ６、上記イオン打ち込み転送路は、磁性基板表面にイオ
ン打ち込みされた打ち込み領域と、イオン打ち込みされ
ない非イオン打ち込み領域との両領域界面から成ると共
に、上記非対称化手段として、前記非イオン打ち込み領
域内には第１の磁性薄膜パターンが、そして前記イオン
打ち込みされた打ち込み領域上の前記転送路パターンの
周囲の少なくとも凹部近傍には隣接して第２の磁性薄膜
パターンが形成されて成る請求項１記載の磁気バブルメ
モリデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1124383A JPH02304794A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 磁気バブルメモリデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1124383A JPH02304794A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 磁気バブルメモリデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304794A true JPH02304794A (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=14884052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1124383A Pending JPH02304794A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 磁気バブルメモリデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02304794A (ja) |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP1124383A patent/JPH02304794A/ja active Pending
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