JPS62298113A - 荷電粒子ビ−ムの露光方法 - Google Patents
荷電粒子ビ−ムの露光方法Info
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- JPS62298113A JPS62298113A JP61140270A JP14027086A JPS62298113A JP S62298113 A JPS62298113 A JP S62298113A JP 61140270 A JP61140270 A JP 61140270A JP 14027086 A JP14027086 A JP 14027086A JP S62298113 A JPS62298113 A JP S62298113A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体デバイスの製造工程において使用され
る荷電粒子ビーム露光装置により高率４度に重ね合わせ
露光を行うための方法に関するものである。
る荷電粒子ビーム露光装置により高率４度に重ね合わせ
露光を行うための方法に関するものである。
電子ビーム露光装置あるいは集束イオンビーム露光装置
を用いて重ね合わせ露光を行うためには、まず基板上に
あらかじめ複数の重ね合わせマークを形成しておき、各
々の重ね合わせマーク上を電子ビームあるいは集束イオ
ンビームで走査して検出された信号波形より各々の重ね
合わせマークの座標を求める。求められた座標から電子
ビームあるいは集束イオンビームの露光フィールド形状
を補正した後に、重ね合わせ露光を行う。高精度な重ね
合わせ露光を行うためには、重ね合わせ誤差を評価し、
その評価結果を用いて算出された補正パラメータを露光
装置に入力する必要がある。従来、重ね合わせ誤差の評
価のために以下に示すような方法が用いられてきた。
を用いて重ね合わせ露光を行うためには、まず基板上に
あらかじめ複数の重ね合わせマークを形成しておき、各
々の重ね合わせマーク上を電子ビームあるいは集束イオ
ンビームで走査して検出された信号波形より各々の重ね
合わせマークの座標を求める。求められた座標から電子
ビームあるいは集束イオンビームの露光フィールド形状
を補正した後に、重ね合わせ露光を行う。高精度な重ね
合わせ露光を行うためには、重ね合わせ誤差を評価し、
その評価結果を用いて算出された補正パラメータを露光
装置に入力する必要がある。従来、重ね合わせ誤差の評
価のために以下に示すような方法が用いられてきた。
第１番目の方法は、副尺法である。この方法によれば、
まず基板上に重ね合わせマークと主尺パターンとを形成
しておき、レジストを塗布する。
まず基板上に重ね合わせマークと主尺パターンとを形成
しておき、レジストを塗布する。
重ね合わせマークを用いて露光パターンとの重ね合わせ
調整を行った後に、副尺パターンを主尺パターンに対向
するよう露光する。露光した基板を現像して、主尺及び
副尺を形成するレジストパターンの目盛りのずれ量を光
学顕微鏡により拡大して、目視により読む。主尺と副尺
パターンの目盛りは、重ね合わせ誤差に対応するので、
この値から補正パラメータを求め露光装置に入力する。
調整を行った後に、副尺パターンを主尺パターンに対向
するよう露光する。露光した基板を現像して、主尺及び
副尺を形成するレジストパターンの目盛りのずれ量を光
学顕微鏡により拡大して、目視により読む。主尺と副尺
パターンの目盛りは、重ね合わせ誤差に対応するので、
この値から補正パラメータを求め露光装置に入力する。
第２番目の方法は、異なる眉間で形成された一対のライ
ンパターンのピッチ間隔を光学的に計測する方法である
。この方法によれば、あらかじめ基板に重ね合わせマー
クとラインパターンの一方を形成しておき、その上にレ
ジストを塗布する。
ンパターンのピッチ間隔を光学的に計測する方法である
。この方法によれば、あらかじめ基板に重ね合わせマー
クとラインパターンの一方を形成しておき、その上にレ
ジストを塗布する。
電子ビーム露光装置あるいは集束イオンビーム露光装置
で基板上の重ね合わせマークを用いて重ね合わせを行っ
た後に、あらかじめ形成しておいたラインパターンに対
向して平行になるように、もう一方のラインパターンを
露光する。現像後に基板上に形成されたラインパターン
のピンチを以下に述べるような光学的手法を用いて計測
する。
で基板上の重ね合わせマークを用いて重ね合わせを行っ
た後に、あらかじめ形成しておいたラインパターンに対
向して平行になるように、もう一方のラインパターンを
露光する。現像後に基板上に形成されたラインパターン
のピンチを以下に述べるような光学的手法を用いて計測
する。
光学顕微鏡を用いてラインパターンをモニタテレビ上に
写し出し、モニタテレビに配置したカーソルをラインパ
ターンのピンチ位置に重ねてそのカーソル間の距離を求
める。あるいはビデオ信号に対してコンピュータ処理を
加えて自動的にエツジを検出させ、ラインパターンのピ
・ノチ距離を求める。更にもう一方の光学的手法として
、細かく絞ったレーザ光をラインパターン上に走査させ
て、ラインパターンのエツジで生ずる散乱光を検知器に
より検出して、レーザの走査距離からラインパターンの
ピッチ距離を求める。
写し出し、モニタテレビに配置したカーソルをラインパ
ターンのピンチ位置に重ねてそのカーソル間の距離を求
める。あるいはビデオ信号に対してコンピュータ処理を
加えて自動的にエツジを検出させ、ラインパターンのピ
・ノチ距離を求める。更にもう一方の光学的手法として
、細かく絞ったレーザ光をラインパターン上に走査させ
て、ラインパターンのエツジで生ずる散乱光を検知器に
より検出して、レーザの走査距離からラインパターンの
ピッチ距離を求める。
以上述べた光学的手法により計測されたラインパターン
のピッチ距離が重ね合わせ精度に関連しているので、こ
の値から算出された補正パラメータを露光装置に入力す
る。
のピッチ距離が重ね合わせ精度に関連しているので、こ
の値から算出された補正パラメータを露光装置に入力す
る。
現在、電子ビーム露光装置あるいは集束イオンビーム露
光装置により、パターンを重ね合わせ精度０．１ μｍ
以下に露光することが求められている。
光装置により、パターンを重ね合わせ精度０．１ μｍ
以下に露光することが求められている。
従って、重ね合わせネｎ度の測定手法としては、測定範
囲が少なくとも０．１ μｍまでで、測定再現性がその
１／１０の０．０１μｍレベルのものが必要になる。ま
た、測定の高速化のためには、自動化も必要になる。
囲が少なくとも０．１ μｍまでで、測定再現性がその
１／１０の０．０１μｍレベルのものが必要になる。ま
た、測定の高速化のためには、自動化も必要になる。
従来の技術の項で、第１番目の方法として記述した副尺
法においては、測定範囲が０．１ μｍまでだが、目視
による検査手法なので測定者による測定ばらつきが大き
い。また、自動化には不向きである。
法においては、測定範囲が０．１ μｍまでだが、目視
による検査手法なので測定者による測定ばらつきが大き
い。また、自動化には不向きである。
第２番目の方法として記述したラインパターン間のピッ
チ測定法においては、測定手段として光学的手法を用い
ているので、光を使用することがらくる解像力の限界に
より制限される。限界値は０．５μｍ程度と考えられ解
像度不足である。
チ測定法においては、測定手段として光学的手法を用い
ているので、光を使用することがらくる解像力の限界に
より制限される。限界値は０．５μｍ程度と考えられ解
像度不足である。
このような従来技術の欠点により、電子ビーム露光装置
あるいは東京イオンビーム露光装置への重ね合わせ精度
に関する補正パラメータの入力値に対して最高値が得に
くいことになり、この結果、実際に露光して得られたパ
ターンの重ね合わせ精度が向上できなかった。
あるいは東京イオンビーム露光装置への重ね合わせ精度
に関する補正パラメータの入力値に対して最高値が得に
くいことになり、この結果、実際に露光して得られたパ
ターンの重ね合わせ精度が向上できなかった。
この発明の目的は、上記問題点を解決して電子ビーム露
光装置あるいは集束イオンビーム露光装置により高精度
な重ね合わせ露光によりパターンを形成する方法を提供
することにある。
光装置あるいは集束イオンビーム露光装置により高精度
な重ね合わせ露光によりパターンを形成する方法を提供
することにある。
本発明の荷電粒子ビームの露光方法は、重ね合わせマー
ク及び第１の重ね合わせ誤差評価用マークを形成した基
板上にレジスト材料を塗布する工程と、 この基板を荷電粒子ビーム露光装置内に装填した後、基
板上の重ね合わせマークを荷電粒子ビームで走査して、
検出された信号から重ね合わせマークの座標を求めて、
露光パターンとの重ね合わせ調整を行った後に、第１の
重ね合わせ誤差評価用マークと相補の第２の重ね合わせ
誤差評価用マークを露光する工程と、 基板を荷電粒子ビーム露光装置内から取り出して現像後
、電子ビーム測長装置内に装填した後、基板上の第１の
重ね合わせ誤差評価用マーク及び第２の重ね合わせ誤差
評価用マークに交差するように加速電圧が数ｋＶ以下、
電流が数ｐＡから数＋ｐＡ、直径が数十人から数百人に
集束された電子ビームを走査して、各照射点から放出さ
れる二次電子を検出し、この結果得られた二次電子信号
波形を処理して重ね合わせ誤差を計測する工程と、得ら
れた重ね合わせ誤差から荷電粒子ビーム露光装置の重ね
合わせ調整の補正パラメータを求め、この補正パラメー
タを荷電粒子ビーム露光装置に入力する工程とを含むこ
とを特徴としている。
ク及び第１の重ね合わせ誤差評価用マークを形成した基
板上にレジスト材料を塗布する工程と、 この基板を荷電粒子ビーム露光装置内に装填した後、基
板上の重ね合わせマークを荷電粒子ビームで走査して、
検出された信号から重ね合わせマークの座標を求めて、
露光パターンとの重ね合わせ調整を行った後に、第１の
重ね合わせ誤差評価用マークと相補の第２の重ね合わせ
誤差評価用マークを露光する工程と、 基板を荷電粒子ビーム露光装置内から取り出して現像後
、電子ビーム測長装置内に装填した後、基板上の第１の
重ね合わせ誤差評価用マーク及び第２の重ね合わせ誤差
評価用マークに交差するように加速電圧が数ｋＶ以下、
電流が数ｐＡから数＋ｐＡ、直径が数十人から数百人に
集束された電子ビームを走査して、各照射点から放出さ
れる二次電子を検出し、この結果得られた二次電子信号
波形を処理して重ね合わせ誤差を計測する工程と、得ら
れた重ね合わせ誤差から荷電粒子ビーム露光装置の重ね
合わせ調整の補正パラメータを求め、この補正パラメー
タを荷電粒子ビーム露光装置に入力する工程とを含むこ
とを特徴としている。
加速電圧が数キロボルト以下の低加速電子ビームにおい
ては、電子光学系によりビーム径が数十人から数百人程
度に集束することが可能であるので、このビーム径と同
程度の解像力を得ることができる。従って、従来の光学
的手法に比較すると一桁以上の解像力の改善が期待され
る。一方、材料の二次電子放出率、すなわち材料に入射
する一次電子ビームの電流量に対応する二次電子放出電
流量の比は、材料によっても異なるが一般に一次電子の
加速電圧の範囲が数百ボルトから数キロボルトの間で１
を越えるので、−次電子の加速電圧をこの範囲に設定す
れば、絶縁性試料に対しても帯電を起こさずに計測する
ことができる。従って、試料に対してＡｕ等の導電性材
料を被覆する必要がないために、測定精度を劣化させな
い。更に、重ね合わせ精度評価用パターン上に低加速電
子ビームを走査して得られた二次電子信号波形をコンピ
ュータ処理することにより、基板上の大量の評価用パタ
ーンに対する自動計測が可能になる。こうして得られた
計測結果を基に重ね合わせ精度補正用パラメータを電子
ビーム露光装置あるいは集束イオンビーム露光装置の偏
向器にフィードバックすることにより、高精度な重ね合
わせを有する露光パターンが得られる。
ては、電子光学系によりビーム径が数十人から数百人程
度に集束することが可能であるので、このビーム径と同
程度の解像力を得ることができる。従って、従来の光学
的手法に比較すると一桁以上の解像力の改善が期待され
る。一方、材料の二次電子放出率、すなわち材料に入射
する一次電子ビームの電流量に対応する二次電子放出電
流量の比は、材料によっても異なるが一般に一次電子の
加速電圧の範囲が数百ボルトから数キロボルトの間で１
を越えるので、−次電子の加速電圧をこの範囲に設定す
れば、絶縁性試料に対しても帯電を起こさずに計測する
ことができる。従って、試料に対してＡｕ等の導電性材
料を被覆する必要がないために、測定精度を劣化させな
い。更に、重ね合わせ精度評価用パターン上に低加速電
子ビームを走査して得られた二次電子信号波形をコンピ
ュータ処理することにより、基板上の大量の評価用パタ
ーンに対する自動計測が可能になる。こうして得られた
計測結果を基に重ね合わせ精度補正用パラメータを電子
ビーム露光装置あるいは集束イオンビーム露光装置の偏
向器にフィードバックすることにより、高精度な重ね合
わせを有する露光パターンが得られる。
以下、図示の実施例により本発明による荷電粒子ビーム
の露光方法について説明する。
の露光方法について説明する。
第１図は、本発明により実施した電子ビーム露光方法を
工程順に従って示した工程図である。
工程順に従って示した工程図である。
第１図（ａ）では、シリコン基板１０１上に塗布した膜
厚１．５ μｍ前後のポジ型フォトレジスト１０２に紫
外線により重ね合わせマーク１０３及びＸ方向の重ね合
わせ精度評価用マーク１０４とＹ方向の重ね合わせ精度
評価用マーク１０５を同時に露光する。
厚１．５ μｍ前後のポジ型フォトレジスト１０２に紫
外線により重ね合わせマーク１０３及びＸ方向の重ね合
わせ精度評価用マーク１０４とＹ方向の重ね合わせ精度
評価用マーク１０５を同時に露光する。
その後、現像液で現像する。
第１図（ｂ）では、ポジ型フォトレジストを保護膜とし
て、ＣＦ４ ０２ 、ＣＦ３ ＣＩ！あるいはＣＦ２Ｃ
ｊ！２ガス等を用いて反応性スパッタエツチングにより
シリコン基板１０１を深さ１．０μｍ程度エツチングす
る。この結果、シリコン基板１０１に溝形の重ね合わせ
マーク１０６とＸ及びＹ方向の重ね合わせ精度評価用マ
ーク１０７及び１０８が形成される。
て、ＣＦ４ ０２ 、ＣＦ３ ＣＩ！あるいはＣＦ２Ｃ
ｊ！２ガス等を用いて反応性スパッタエツチングにより
シリコン基板１０１を深さ１．０μｍ程度エツチングす
る。この結果、シリコン基板１０１に溝形の重ね合わせ
マーク１０６とＸ及びＹ方向の重ね合わせ精度評価用マ
ーク１０７及び１０８が形成される。
第１図（ｃ）では、シリコン基板１０１上にネガ型電子
ビームレジスト１０９を膜厚１．０μｍ程度塗布する。
ビームレジスト１０９を膜厚１．０μｍ程度塗布する。
従ってシリコン基板１０１に溝形に形成された重ね合わ
せマーク１０６とＸ及びＹ方向の重ね合わせ精度評価用
マーク１０７及び１０８上もネガ型電子ビームレジスト
１０９に被覆されている。このシリコン基板１０１を電
子ビーム露光装置内に装填する。電子ビームの加速電圧
は２０ｋＶである。電子ビームで重ね合わせマーク１０
６上を、図中矢印１１３で示すようにＸ方向及びＹ方向
に走査して各照射点からの反射電子を検出することによ
り各重ね合わせマーク１０６の座標を求める。重ね合わ
せマーク１０６がレジスト１０９で被覆されていても、
電子ビームの加速電圧が２０ｋＶと十分高いので反射電
子の検出が可能である。求められた重ね合わせマーク１
０６の座標から重ね合わせ調整を行った後に、Ｘ方向及
びＹ方向の重ね合わせ精度評価用マーク１１４および１
１５を、既にシリコン溝形パターンとして形成されてい
るＸ方向及びＹ方向の重ね合わせ精度評価用マーク１０
マ及び１０８に対向して平行になるように露光する。
せマーク１０６とＸ及びＹ方向の重ね合わせ精度評価用
マーク１０７及び１０８上もネガ型電子ビームレジスト
１０９に被覆されている。このシリコン基板１０１を電
子ビーム露光装置内に装填する。電子ビームの加速電圧
は２０ｋＶである。電子ビームで重ね合わせマーク１０
６上を、図中矢印１１３で示すようにＸ方向及びＹ方向
に走査して各照射点からの反射電子を検出することによ
り各重ね合わせマーク１０６の座標を求める。重ね合わ
せマーク１０６がレジスト１０９で被覆されていても、
電子ビームの加速電圧が２０ｋＶと十分高いので反射電
子の検出が可能である。求められた重ね合わせマーク１
０６の座標から重ね合わせ調整を行った後に、Ｘ方向及
びＹ方向の重ね合わせ精度評価用マーク１１４および１
１５を、既にシリコン溝形パターンとして形成されてい
るＸ方向及びＹ方向の重ね合わせ精度評価用マーク１０
マ及び１０８に対向して平行になるように露光する。
第１図（ｄ）では、露光した市ね合わせ精度評価用マー
ク１１４及び１１５を現像しての凸形レジストパターン
を形成する。この結果、Ｘ方向の重ね合わせ精度評価用
マークとしてシリコンからなる溝形ライン１０８とレジ
ストからなる凸形ライン１１７が対向した形状が形成さ
れる。同様に、Ｙ方向重ね合わせ精度の評価用マークと
して、シリコンからなる溝形ライン１０７とレジストか
らなる凸形ライン１１６が対応した形状が形成される。
ク１１４及び１１５を現像しての凸形レジストパターン
を形成する。この結果、Ｘ方向の重ね合わせ精度評価用
マークとしてシリコンからなる溝形ライン１０８とレジ
ストからなる凸形ライン１１７が対向した形状が形成さ
れる。同様に、Ｙ方向重ね合わせ精度の評価用マークと
して、シリコンからなる溝形ライン１０７とレジストか
らなる凸形ライン１１６が対応した形状が形成される。
その後、シリコン基板１０１を電子ビーム測長装置内に
装填する。
装填する。
測長装置内で、電子ビームを重ね合わせ評価用マークに
交差するように第１図（ｄ）に矢印１１８゜１１９で示
すように走査してＸ方向およびＹ方向の重ね合わせ精度
を評価する。
交差するように第１図（ｄ）に矢印１１８゜１１９で示
すように走査してＸ方向およびＹ方向の重ね合わせ精度
を評価する。
第２図は、重ね合わせ精度の評価方向の詳細を示した原
理図である。加速電圧が０．９．ｋＶ、電流が５９Ａ、
直径が１５０人の電子ビーム２０１を、偏向器２０２に
より重ね合わせ精度評価用マークを形成する２本の平行
なうインパターン、すなわちレジストからなる凸形ライ
ンパターン２０３とシリコンからなる凹形ラインパター
ン２０４に交差するように走査する。各照射点において
放出される二次電子２０５を、検出器２０６を用いて補
集する。この場合、電子ビームの加速電圧が０．９ｋＶ
と低く、このときレジスト及びシリコンにおける二次電
子放出率が１以上であるから、材料をチャージアンプさ
せることがない。従ってＡｕ等の導電性材料を被覆しな
くてよいので測定精度を劣化させない。
理図である。加速電圧が０．９．ｋＶ、電流が５９Ａ、
直径が１５０人の電子ビーム２０１を、偏向器２０２に
より重ね合わせ精度評価用マークを形成する２本の平行
なうインパターン、すなわちレジストからなる凸形ライ
ンパターン２０３とシリコンからなる凹形ラインパター
ン２０４に交差するように走査する。各照射点において
放出される二次電子２０５を、検出器２０６を用いて補
集する。この場合、電子ビームの加速電圧が０．９ｋＶ
と低く、このときレジスト及びシリコンにおける二次電
子放出率が１以上であるから、材料をチャージアンプさ
せることがない。従ってＡｕ等の導電性材料を被覆しな
くてよいので測定精度を劣化させない。
第３図は、電子ビーム２０１の照射位置に対応する偏向
器２０２への入力信号を横軸にし、検出器２０６からの
二次電子検出電流を縦軸にしたときの二次電子信号波形
である。この二次電子信号波形は、重ね合わせ精度評価
用マークの材料や形状に対応した形状を示す。重ね合わ
せ精度評価用マークの２本の平行なうイン２０３及び２
０４のピッチ間隔は、二次電子信号波形のピーク間隔Ａ
及びＢの平均（Ａ＋Ｂ）／２によって算出される。重ね
合わせ精度評価用マークの２本の平行なうイン２０３及
び２０４のピンチ間隔の設計値をＣとすると、重ね合わ
せ精度はＣ−（Ａ＋Ｂ）／２によって求められる。
器２０２への入力信号を横軸にし、検出器２０６からの
二次電子検出電流を縦軸にしたときの二次電子信号波形
である。この二次電子信号波形は、重ね合わせ精度評価
用マークの材料や形状に対応した形状を示す。重ね合わ
せ精度評価用マークの２本の平行なうイン２０３及び２
０４のピッチ間隔は、二次電子信号波形のピーク間隔Ａ
及びＢの平均（Ａ＋Ｂ）／２によって算出される。重ね
合わせ精度評価用マークの２本の平行なうイン２０３及
び２０４のピンチ間隔の設計値をＣとすると、重ね合わ
せ精度はＣ−（Ａ＋Ｂ）／２によって求められる。
この場合、重ね合わせ誤差評価用マークを低加速電子ビ
ームで走査して得られた二次電子信号波形をコンピュー
タ処理して、重ね合わせ誤差を算出できるので、基板上
の大量の重ね合わせ誤差評価パターンに対する自動測定
を高速で行えるための、重ね合わせ誤差の測定精度が向
上する。さらに、重ね合わせ誤差に対する電子ビーム露
光装置の補正パラメータの対照表を参照して、最適補正
パラメータを求め、この補正パラメータを電子ビーム露
光装置へ入力する。電子ビーム露光装置の制御コンピュ
ータと電子ビーム測長装置の制御コンピュータを通信回
線で結ぶことにより、重ね合わせ誤差に対する補正がよ
り迅速に行える。これにより、電子ビーム露光装置の重
ね合わせ調整が改善され、最終的な重ね合わせ誤差を０
．０５μｍ以下に低減することが可能になった。
ームで走査して得られた二次電子信号波形をコンピュー
タ処理して、重ね合わせ誤差を算出できるので、基板上
の大量の重ね合わせ誤差評価パターンに対する自動測定
を高速で行えるための、重ね合わせ誤差の測定精度が向
上する。さらに、重ね合わせ誤差に対する電子ビーム露
光装置の補正パラメータの対照表を参照して、最適補正
パラメータを求め、この補正パラメータを電子ビーム露
光装置へ入力する。電子ビーム露光装置の制御コンピュ
ータと電子ビーム測長装置の制御コンピュータを通信回
線で結ぶことにより、重ね合わせ誤差に対する補正がよ
り迅速に行える。これにより、電子ビーム露光装置の重
ね合わせ調整が改善され、最終的な重ね合わせ誤差を０
．０５μｍ以下に低減することが可能になった。
このように本発明の方法により露光したパターンは従来
の方法で露光したパターンに比べて、重ね合わせ誤差を
極めて改善することができる。しかも基板上の評価用パ
ターンを大量に自動計測し、それらの計測値からオンラ
インで荷電粒子ビーム露光装置側へ補正パラメータを入
力できるので、迅速化され、露光装置の安定性の向上も
期待される。
の方法で露光したパターンに比べて、重ね合わせ誤差を
極めて改善することができる。しかも基板上の評価用パ
ターンを大量に自動計測し、それらの計測値からオンラ
インで荷電粒子ビーム露光装置側へ補正パラメータを入
力できるので、迅速化され、露光装置の安定性の向上も
期待される。
第１図は本発明による電子ビーム露光方法を工程順に示
した工程図、 第２図は低加速電子ビーム測長装置を用いた重ね合わせ
誤差の評価方法を示した図、 第３図は二次電子検出電流の波形を示す図である。 １０１ ・・・・・シリコン基板 １０２ ・・・・・ポジ型フォトレジスト１０３
・・・・・重ね合わせマーク１０４ ・・・・・Ｘ方
向の重ね合わせ誤差の評価用マーク １０５ ・・・・・Ｙ方向の重ね合わせ誤差の評（面
周マーク １０６ ・・・・・重ね合わせマーク１０７ ・・
・・・Ｘ方向の重ね合わせ誤差の評価用マーク １０８ ・・・・・Ｙ方向の重ね合わせ誤差の評価用
マーク １０９ ・・・・・ネガ形電子ビームレジスト１１３
・・・・・電子ビーム露光装置における電子ビーム
の走査線 １１４ ・・・・・Ｘ方向の重ね合わせ誤差の評価用
マーク １１５ ・・・・・Ｙ方向の重ね合わせ誤差の評価用
マーク １１６ ・・・・・Ｘ方向の重ね合わせ誤差の評価用
マーク １１７ ・・・・・Ｙ方向の重ね合わせ誤差の評価用
マーク １１８、１１９ ・・・電子ビーム測長装置における
電子ビームの走査線 ２０１ ・・・・・電子ビーム ２０２ ・・・・・偏向器 ２０３．２０４・・・重ね合わせ誤差評価用マーク２０
５ ・・・・・二次電子 ２０６ ・・・・・検出器
した工程図、 第２図は低加速電子ビーム測長装置を用いた重ね合わせ
誤差の評価方法を示した図、 第３図は二次電子検出電流の波形を示す図である。 １０１ ・・・・・シリコン基板 １０２ ・・・・・ポジ型フォトレジスト１０３
・・・・・重ね合わせマーク１０４ ・・・・・Ｘ方
向の重ね合わせ誤差の評価用マーク １０５ ・・・・・Ｙ方向の重ね合わせ誤差の評（面
周マーク １０６ ・・・・・重ね合わせマーク１０７ ・・
・・・Ｘ方向の重ね合わせ誤差の評価用マーク １０８ ・・・・・Ｙ方向の重ね合わせ誤差の評価用
マーク １０９ ・・・・・ネガ形電子ビームレジスト１１３
・・・・・電子ビーム露光装置における電子ビーム
の走査線 １１４ ・・・・・Ｘ方向の重ね合わせ誤差の評価用
マーク １１５ ・・・・・Ｙ方向の重ね合わせ誤差の評価用
マーク １１６ ・・・・・Ｘ方向の重ね合わせ誤差の評価用
マーク １１７ ・・・・・Ｙ方向の重ね合わせ誤差の評価用
マーク １１８、１１９ ・・・電子ビーム測長装置における
電子ビームの走査線 ２０１ ・・・・・電子ビーム ２０２ ・・・・・偏向器 ２０３．２０４・・・重ね合わせ誤差評価用マーク２０
５ ・・・・・二次電子 ２０６ ・・・・・検出器
Claims (1)
- （１）重ね合わせマーク及び第１の重ね合わせ誤差評価
用マークを形成した基板上にレジスト材料を塗布する工
程と、 この基板を荷電粒子ビーム露光装置内に装填した後、基
板上の重ね合わせマークを荷電粒子ビームで走査して、
検出された信号から重ね合わせマークの座標を求めて、
露光パターンとの重ね合わせ調整を行った後に、第１の
重ね合わせ誤差評価用マークと相補の第２の重ね合わせ
誤差評価用マークを露光する工程と、 基板を荷電粒子ビーム露光装置内から取り出して現像後
、電子ビーム測長装置内に装填した後、基板上の第１の
重ね合わせ誤差評価用マーク及び第２の重ね合わせ誤差
評価用マークに交差するように加速電圧が数ｋＶ以下、
電流が数ｐＡから数十ｐＡ、直径が数十Åから数百Åに
集束された電子ビームを走査して、各照射点から放出さ
れる二次電子を検出し、この結果得られた二次電子信号
波形を処理して重ね合わせ誤差を計測する工程と、得ら
れた重ね合わせ誤差から荷電粒子ビーム露光装置の重ね
合わせ調整の補正パラメータを求め、この補正パラメー
タを荷電粒子ビーム露光装置に入力する工程とを含むこ
とを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61140270A JPS62298113A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 荷電粒子ビ−ムの露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61140270A JPS62298113A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 荷電粒子ビ−ムの露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62298113A true JPS62298113A (ja) | 1987-12-25 |
Family
ID=15264868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61140270A Pending JPS62298113A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 荷電粒子ビ−ムの露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62298113A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0424913A (ja) * | 1990-05-15 | 1992-01-28 | Fujitsu Ltd | 自動位置ずれ管理装置 |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP61140270A patent/JPS62298113A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0424913A (ja) * | 1990-05-15 | 1992-01-28 | Fujitsu Ltd | 自動位置ずれ管理装置 |
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