JPS62271424A - 荷電ビ−ム露光方法 - Google Patents
荷電ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS62271424A JPS62271424A JP61113758A JP11375886A JPS62271424A JP S62271424 A JPS62271424 A JP S62271424A JP 61113758 A JP61113758 A JP 61113758A JP 11375886 A JP11375886 A JP 11375886A JP S62271424 A JPS62271424 A JP S62271424A
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- JP
- Japan
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- exposure
- field
- connection accuracy
- pattern
- electron beam
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子ビーム露光または集束イオンビーム露光に
おける高精度な露光方法に関するものである。
おける高精度な露光方法に関するものである。
電子ビーム露光装置あるいは集束ビーム露光装置では、
高解像度化のためにビーム偏向サイズを小さくする必要
から、ＬＳＩチンプサイズよりも小さい露光フィールド
内で露光する。したがって同一チップ内においてステー
ジを移動させて露光する。ステージの移動方法には、露
光とステージ移動を交互にくり返すステップ・アンド・
リピート型と、ステージを連続的に移動させながら露光
する連続移動型の２通りの方法がある。しかし、いずれ
の場合も同−千ノプ内において、露光フィールドのつな
ぎ部分が存在する。したがって露光フィールドのつなぎ
精度を計測し、その計測結果を用いて露光装置に補正パ
ラメータを入力する必要がある。従来、以下の２通りの
方法を用いて補正してきた。
高解像度化のためにビーム偏向サイズを小さくする必要
から、ＬＳＩチンプサイズよりも小さい露光フィールド
内で露光する。したがって同一チップ内においてステー
ジを移動させて露光する。ステージの移動方法には、露
光とステージ移動を交互にくり返すステップ・アンド・
リピート型と、ステージを連続的に移動させながら露光
する連続移動型の２通りの方法がある。しかし、いずれ
の場合も同−千ノプ内において、露光フィールドのつな
ぎ部分が存在する。したがって露光フィールドのつなぎ
精度を計測し、その計測結果を用いて露光装置に補正パ
ラメータを入力する必要がある。従来、以下の２通りの
方法を用いて補正してきた。
まず第１番目の方法は副尺法である。レジストを塗布し
た基板を電子ビームあるいは集束イオンビーム露光装置
の試料ステージに装填する。２つの隣接する露光フィー
ルドに、それぞれ主尺および副尺パターンを露光フィー
ルド境界をはさんで対向するように露光する。露光した
基板を資料ステージから脱着し、現像する。現像した基
板を光学顕微鏡の試料台に装着して、主尺および副尺パ
ターンの目盛を拡大して目視によりパターンのずれ量を
計測する。主尺と副尺パターンのずれ量の値は直ちに露
光フィールドのつなぎ精度に対応するので、この値から
、露光装置に補正パラメータを入力する。
た基板を電子ビームあるいは集束イオンビーム露光装置
の試料ステージに装填する。２つの隣接する露光フィー
ルドに、それぞれ主尺および副尺パターンを露光フィー
ルド境界をはさんで対向するように露光する。露光した
基板を資料ステージから脱着し、現像する。現像した基
板を光学顕微鏡の試料台に装着して、主尺および副尺パ
ターンの目盛を拡大して目視によりパターンのずれ量を
計測する。主尺と副尺パターンのずれ量の値は直ちに露
光フィールドのつなぎ精度に対応するので、この値から
、露光装置に補正パラメータを入力する。
次に第２番目の方法は露光して現像したラインパターン
のピッチを光学的に計測する方法である。
のピッチを光学的に計測する方法である。
レジストを塗布した基板を電子ビーム露光装置あるいは
集束イオンビーム露光装置の試料ステージに装填する。
集束イオンビーム露光装置の試料ステージに装填する。
２つの隣接する露光フィールドにそれぞれラインパター
ンを露光フィールドの境界をはさんで平行になるように
露光する。露光した基板を試料ステージから取り出して
現像する。現像後に形成されたラインパターンのピッチ
を以下に述べるような光学的手法を用いて計測する。す
なわち、光学顕微鏡を用いてラインパターンをモニタテ
レビ上に写し出し、ＣＲＴに配置したカーソルをライン
パターンのピッチ位置に重ねてそのカーソル間の距離を
求める。あるいはビデオ信号に対してコンピュータ処理
を加えて自動的にエツジ検出をさせラインパターンのピ
ッチ距離を求める。
ンを露光フィールドの境界をはさんで平行になるように
露光する。露光した基板を試料ステージから取り出して
現像する。現像後に形成されたラインパターンのピッチ
を以下に述べるような光学的手法を用いて計測する。す
なわち、光学顕微鏡を用いてラインパターンをモニタテ
レビ上に写し出し、ＣＲＴに配置したカーソルをライン
パターンのピッチ位置に重ねてそのカーソル間の距離を
求める。あるいはビデオ信号に対してコンピュータ処理
を加えて自動的にエツジ検出をさせラインパターンのピ
ッチ距離を求める。
更にもう一つの光学的手法として、細く絞ったレーザ光
をラインパターン上を走査させて、ラインパターンのエ
ツジで生ずる散乱光を検知器により検出して、レーザの
走査距離からラインパターンのピッチ距離を求める。以
上、述べた光学的手法により計測されたラインパターン
のピッチ距離が露光フィールドのつなぎ精度に関連して
いるので、この値から、露光装置に補正パラメータを入
力する。
をラインパターン上を走査させて、ラインパターンのエ
ツジで生ずる散乱光を検知器により検出して、レーザの
走査距離からラインパターンのピッチ距離を求める。以
上、述べた光学的手法により計測されたラインパターン
のピッチ距離が露光フィールドのつなぎ精度に関連して
いるので、この値から、露光装置に補正パラメータを入
力する。
一方、電子ビーム露光装置あるいは集束イオンビーム露
光装置により、サブミクロンパターンを露光する場合、
露光パターンの寸法精度として最小線幅の一桁下、すな
わち０．１ μｍ以下が求められている。これに対応し
て、露光フィールドのつなぎ精度に関しても同程度の値
が求められている。
光装置により、サブミクロンパターンを露光する場合、
露光パターンの寸法精度として最小線幅の一桁下、すな
わち０．１ μｍ以下が求められている。これに対応し
て、露光フィールドのつなぎ精度に関しても同程度の値
が求められている。
したがって、つなぎ精度の計測手法としては、許容つな
ぎ精度０．１ μｍの一桁下すなわち０．０１μｍレベ
ルまでの測定範囲が必要になる。更に、測定再現性の向
上のためには計測時の自動化も必要になる。
ぎ精度０．１ μｍの一桁下すなわち０．０１μｍレベ
ルまでの測定範囲が必要になる。更に、測定再現性の向
上のためには計測時の自動化も必要になる。
従来の技術の項で第１番目の方法として記述した副尺法
においては、測定限界が０．１ μｍで、しかも目視に
よる検査手法なので測定者による測定ばらつきも大きい
。また、自動化には不向きである。第２番目の方法とし
て記述したラインパターン間のピンチ測定法においては
、測定手段として光学的手法を用いているので、光を使
用することから（る解像力の限界により制限される。限
界値は０．５μｍ程度と考えられ解像度不足である。
においては、測定限界が０．１ μｍで、しかも目視に
よる検査手法なので測定者による測定ばらつきも大きい
。また、自動化には不向きである。第２番目の方法とし
て記述したラインパターン間のピンチ測定法においては
、測定手段として光学的手法を用いているので、光を使
用することから（る解像力の限界により制限される。限
界値は０．５μｍ程度と考えられ解像度不足である。
このような従来技術の欠点により、電子ビーム露光装置
あるいは集束イオンビーム露光装置への露光フィールド
つなぎに関する補正パラメータの入力値に対して最適値
が得られないことになり、この結果、実際に露光して得
られたパターンの露光フィールドにおけるつなぎ精度が
０，１ μｍ以下に向上できない要因の１つとなってい
た。
あるいは集束イオンビーム露光装置への露光フィールド
つなぎに関する補正パラメータの入力値に対して最適値
が得られないことになり、この結果、実際に露光して得
られたパターンの露光フィールドにおけるつなぎ精度が
０，１ μｍ以下に向上できない要因の１つとなってい
た。
この発明の口約は、この問題点を解決した電子ビーム露
光あるいは集束イオンビーム露光により高精度な露光フ
ィールドつなぎを有するパターンを形成する露光方法を
提供することにある。
光あるいは集束イオンビーム露光により高精度な露光フ
ィールドつなぎを有するパターンを形成する露光方法を
提供することにある。
本発明の荷電ビーム露光方法は、基（反上に塗布したレ
ジスト材料上の、荷電ビーム露光装置の隣接する２つの
露光フィールド内の各々に、フィールド境界をはさんで
それに平行な２本のラインパターンを露光することによ
りフィールドつなぎ精度計測用パターンを露光する工程
と、 露光した基板を現像してフィールドつなぎ精度計測用レ
ジストパターンを形成する工程と、基板上のフィールド
つなぎ精度計測用レジストパターンに、加速電圧が数キ
ロボルト以下、直径が数十人から数百人程度に集束され
た電子ビームを操作することによって各照射点から放出
された二次電子を検出し、得られた二次電子電流波形を
処理部で処理してフィールドつなぎ精度を計測する工程
と、 得られたフィールドつなぎ精度から、あらかじめ処理部
に用意しておいたフィールドつなぎ精度と露光フィール
ド補正用バラメークとの対応表を〔作用〕 加速電圧が数キロボルト以下の低加速電子ビームにおい
ては、電子光学系によりビーム径を数十人から数百人程
度に集束することが可能であるので、このビーム径と同
程度の解像力を得ることができる。したがって従来の光
学的手法に比較すると一桁以上の解像力の改善が期待さ
れる。一方、材料の二次電子放出率、すなわち材料に入
射する一次電子ビームの電流量に対応する二次電子放出
電流量の比は、材料によっても異なるが一般に一次電子
の加速電圧の範囲が数百ボルトから数キロボルトの間で
１を越えるので、−次電子の加速電圧をこの範囲に設定
すれば、絶縁性試料に対しても帯電を起こさずに計測す
ることができる。したがって試料に対してＡｕ等の導電
性材料を被覆する必要がないために計測精度を劣下させ
ない。更に、露光フィールドのつなぎ精度評価用パター
ンを計測して得られた二次電子信号波形をコンピュータ
処理することにより、基板上の大量の評価用パターンに
対する自動計測が可能になる。こうして得られた計測結
果を基に、つなぎ精度補正用パラメータを荷電粒子ビー
ム露光装置の偏向器にフィードバックすれば、高精度な
フィールドつなぎを有する露光パターンが得られるもの
と期待される。
ジスト材料上の、荷電ビーム露光装置の隣接する２つの
露光フィールド内の各々に、フィールド境界をはさんで
それに平行な２本のラインパターンを露光することによ
りフィールドつなぎ精度計測用パターンを露光する工程
と、 露光した基板を現像してフィールドつなぎ精度計測用レ
ジストパターンを形成する工程と、基板上のフィールド
つなぎ精度計測用レジストパターンに、加速電圧が数キ
ロボルト以下、直径が数十人から数百人程度に集束され
た電子ビームを操作することによって各照射点から放出
された二次電子を検出し、得られた二次電子電流波形を
処理部で処理してフィールドつなぎ精度を計測する工程
と、 得られたフィールドつなぎ精度から、あらかじめ処理部
に用意しておいたフィールドつなぎ精度と露光フィール
ド補正用バラメークとの対応表を〔作用〕 加速電圧が数キロボルト以下の低加速電子ビームにおい
ては、電子光学系によりビーム径を数十人から数百人程
度に集束することが可能であるので、このビーム径と同
程度の解像力を得ることができる。したがって従来の光
学的手法に比較すると一桁以上の解像力の改善が期待さ
れる。一方、材料の二次電子放出率、すなわち材料に入
射する一次電子ビームの電流量に対応する二次電子放出
電流量の比は、材料によっても異なるが一般に一次電子
の加速電圧の範囲が数百ボルトから数キロボルトの間で
１を越えるので、−次電子の加速電圧をこの範囲に設定
すれば、絶縁性試料に対しても帯電を起こさずに計測す
ることができる。したがって試料に対してＡｕ等の導電
性材料を被覆する必要がないために計測精度を劣下させ
ない。更に、露光フィールドのつなぎ精度評価用パター
ンを計測して得られた二次電子信号波形をコンピュータ
処理することにより、基板上の大量の評価用パターンに
対する自動計測が可能になる。こうして得られた計測結
果を基に、つなぎ精度補正用パラメータを荷電粒子ビー
ム露光装置の偏向器にフィードバックすれば、高精度な
フィールドつなぎを有する露光パターンが得られるもの
と期待される。
以下、図示の実施例により本発明による荷電粒子ビーム
の露光方法について説明する。
の露光方法について説明する。
第１図は、本発明による電子ビーム露光方法を示す概念
図である。石英Ｍ Ｆｉ１０１上に電子ビーム用ネガ型
レジスト１０２、例えばクロロメチル化ポリスチレン（
ＣＭＳ）を膜厚５０００人程度塗布した後に、Ｎ２雰囲
気中で１００°Ｃ９３０分間ベータする。
図である。石英Ｍ Ｆｉ１０１上に電子ビーム用ネガ型
レジスト１０２、例えばクロロメチル化ポリスチレン（
ＣＭＳ）を膜厚５０００人程度塗布した後に、Ｎ２雰囲
気中で１００°Ｃ９３０分間ベータする。
この基板１０１を電子ビーム露光装置１０３の試料ステ
ージ１０４上へ装填する。電子ビーム露光装置１０３は
加速電圧２０ｋＶの可変矩形電子ビーム１０５を発生し
、偏向器１０６によって電子ビーム１０５を偏向して基
板１０１を露光する。電子ビーム露光装置１０３は偏向
器１０６の偏向幅に制限された露光フィールド内しか露
光できないので、試料ステージ１０４を偏向幅の分だけ
移動させた後に露光する、いゎゆるステップ・アンド・
リピート露光方式を採用している。
ージ１０４上へ装填する。電子ビーム露光装置１０３は
加速電圧２０ｋＶの可変矩形電子ビーム１０５を発生し
、偏向器１０６によって電子ビーム１０５を偏向して基
板１０１を露光する。電子ビーム露光装置１０３は偏向
器１０６の偏向幅に制限された露光フィールド内しか露
光できないので、試料ステージ１０４を偏向幅の分だけ
移動させた後に露光する、いゎゆるステップ・アンド・
リピート露光方式を採用している。
この電子ビーム露光装置１０３を用いて、レジスト１０
２上に露光フィールドのつなぎ精度評価用パターンを露
光する。評価用パターンの露光方法の詳細を第２図に示
す。第２図（ａｌでは、電子ビーム１０５を偏向器１０
６で偏向して、露光フィールド２０１の端部に、露光フ
ィールドつなぎ精度評価用パターンの一部２０２を、露
光フィールド２０１の境界線に平行に露光する。次に第
２図（ｂｌに示すように、試料を露光フィールドの一辺
の長さ分だけ移動させて、露光フィールド２０３の端部
に、露光フィールドつなぎ精度評価用パターンの他の一
部２０４を、露光フィールド２０１ と露光フィールド
２０３の境界′ａ２０５をはさんでパターン２０２と平
行になるように露光する。
２上に露光フィールドのつなぎ精度評価用パターンを露
光する。評価用パターンの露光方法の詳細を第２図に示
す。第２図（ａｌでは、電子ビーム１０５を偏向器１０
６で偏向して、露光フィールド２０１の端部に、露光フ
ィールドつなぎ精度評価用パターンの一部２０２を、露
光フィールド２０１の境界線に平行に露光する。次に第
２図（ｂｌに示すように、試料を露光フィールドの一辺
の長さ分だけ移動させて、露光フィールド２０３の端部
に、露光フィールドつなぎ精度評価用パターンの他の一
部２０４を、露光フィールド２０１ と露光フィールド
２０３の境界′ａ２０５をはさんでパターン２０２と平
行になるように露光する。
以上のように、露光フィールドのつなぎ精度評価用パタ
ーンは、露光フィールド２０１および２０３の境界をは
さんで互いに平行で対向している２木のラインパターン
２０２および２０４がら形成される。
ーンは、露光フィールド２０１および２０３の境界をは
さんで互いに平行で対向している２木のラインパターン
２０２および２０４がら形成される。
それぞれのラインパターンの大きさは幅５μｍ。
長さ２０μｍで、露光フィールドの境界線から５μｍだ
け内側に位置するよう露光される。したがって理想的に
つながれた露光フィールドにおける２本のライン間のピ
ッチ長は１５μｍである。
け内側に位置するよう露光される。したがって理想的に
つながれた露光フィールドにおける２本のライン間のピ
ッチ長は１５μｍである。
以上のような露光方法によりパターン形成された基板１
０１を、第１図に示すように、電子ビーム露光装置１０
３から取り出して、石英基板１０１上のＣＭＳレジスト
１０２を現像後、Ｎ２雰囲気中で１００℃、３０分間ベ
ータする。次に基板１０１を加速電圧数ｋＶ以下の電子
線１０９を発生できる低加速電子ビーム測長機１０７の
試料ステージ１０８上に装填後、石英基板１０１上のフ
ィールドつなぎ評価用パターンを計測する。
０１を、第１図に示すように、電子ビーム露光装置１０
３から取り出して、石英基板１０１上のＣＭＳレジスト
１０２を現像後、Ｎ２雰囲気中で１００℃、３０分間ベ
ータする。次に基板１０１を加速電圧数ｋＶ以下の電子
線１０９を発生できる低加速電子ビーム測長機１０７の
試料ステージ１０８上に装填後、石英基板１０１上のフ
ィールドつなぎ評価用パターンを計測する。
計測方法の詳細を第３図に示す。第３図（ａ）では加速
電圧０．９ｋＶ、ビーム電流５ｐＡ、ビーム径１５０人
の電子ビーム１０９を偏向器１１０によりフィールドつ
なぎ評価用パターン２０２および２０４上で走査し、各
照射点において放出される二次電子３０１を、検出器１
１１を用いて補集する。第３図（ｂｌは電子ビーム１０
９の走査位置に対応する偏向器１１０への入力を横軸に
し、検出器１１１からの二次電子検出電流を縦軸にした
ときの二次電子信号波形である。フィールドつなぎ評価
用パターン２０２ 、２０４のエツジに対応する位置で
ピーク値をもつ波形が得られる。評価用パターンにおけ
る２本の平行なうイン２０２および２０４のピッチは、
二次電子信号波形におけるピーク位置間の距離Ａおよび
Ｂの平均（Ａ＋Ｂ）／２により算出される。これらの処
理は第１図中の信号処理部１１２において行われる。
電圧０．９ｋＶ、ビーム電流５ｐＡ、ビーム径１５０人
の電子ビーム１０９を偏向器１１０によりフィールドつ
なぎ評価用パターン２０２および２０４上で走査し、各
照射点において放出される二次電子３０１を、検出器１
１１を用いて補集する。第３図（ｂｌは電子ビーム１０
９の走査位置に対応する偏向器１１０への入力を横軸に
し、検出器１１１からの二次電子検出電流を縦軸にした
ときの二次電子信号波形である。フィールドつなぎ評価
用パターン２０２ 、２０４のエツジに対応する位置で
ピーク値をもつ波形が得られる。評価用パターンにおけ
る２本の平行なうイン２０２および２０４のピッチは、
二次電子信号波形におけるピーク位置間の距離Ａおよび
Ｂの平均（Ａ＋Ｂ）／２により算出される。これらの処
理は第１図中の信号処理部１１２において行われる。
例えば、露光フィールドが片側０．１９μｍだけ大きめ
に露光されている場合には、フィールドつなぎ精度評価
パターンの計測値として１４．６２μｍが得られる。
に露光されている場合には、フィールドつなぎ精度評価
パターンの計測値として１４．６２μｍが得られる。
以上のようにして算出されたフィールドつなぎ精度の測
定値は、信号処理部１１２にあらかじめ用意されている
フィールドつなぎ精度の測定値と露光フィールド補正用
パラメータの対応表とを参照して最適補正パラメータを
求め、この補正パラメータを電子ビーム露光装置１０３
の偏向器１０６へ入力する。これにより、電子ビームの
偏向距離が補正され、露光して得られたパターンにおけ
るフィールドつなぎ精度は０．０５μｍ以下に改善する
ことが可能になった。
定値は、信号処理部１１２にあらかじめ用意されている
フィールドつなぎ精度の測定値と露光フィールド補正用
パラメータの対応表とを参照して最適補正パラメータを
求め、この補正パラメータを電子ビーム露光装置１０３
の偏向器１０６へ入力する。これにより、電子ビームの
偏向距離が補正され、露光して得られたパターンにおけ
るフィールドつなぎ精度は０．０５μｍ以下に改善する
ことが可能になった。
このように本発明による荷電ビーム露光方法により露光
したパターンは従来の方法で露光したパターンに比べて
、フィールドつなぎ精度が極めて改善されていることが
わかる。しかも基板上の評価用パターンを大量に自動計
測し、それらの計測値からオンラインで荷電粒子ビーム
露光装置側へ補正パラメータを入力できるので、迅速化
され、露光装置の安定性の向上も期待される。
したパターンは従来の方法で露光したパターンに比べて
、フィールドつなぎ精度が極めて改善されていることが
わかる。しかも基板上の評価用パターンを大量に自動計
測し、それらの計測値からオンラインで荷電粒子ビーム
露光装置側へ補正パラメータを入力できるので、迅速化
され、露光装置の安定性の向上も期待される。
第１図は本発明の一実施例を説明するための全体的な構
成図、 第２図は電子ビーム露光装置を用いた露光フィールドつ
なぎ精度評価用パターンの露光方法を示した図、 第３図は低加速電子線測長機を用いた露光フィールドつ
なぎの精度評価方法を示した図である。 １０１・・・石英基板 １０２・・・電子ビーム露光用ネガ型レジスト１０３・
・・可変矩形電子ビーム露光装置１０４・・・試料ステ
ージ １０５・・・可変矩形電子ビーム １０６・・・偏向器 １０７・・・低加速電子ビーム測長機 １０８・・・試料ステージ １０９・・・低加速電子ビーム １１０・・・偏向器 １１１・・・二次電子検出器 １１２・・・信号処理部 ２０１・・・露光フィールド ２０２．２０４・・・露光フィールドのつなぎ精度評価
パターンの一部 ２０３・・・露光フィールド ２０５・・・フィールド境界 ３０１・・・二次電子 電子ビーム採光共！ 第１図 （ａ） 第２図
成図、 第２図は電子ビーム露光装置を用いた露光フィールドつ
なぎ精度評価用パターンの露光方法を示した図、 第３図は低加速電子線測長機を用いた露光フィールドつ
なぎの精度評価方法を示した図である。 １０１・・・石英基板 １０２・・・電子ビーム露光用ネガ型レジスト１０３・
・・可変矩形電子ビーム露光装置１０４・・・試料ステ
ージ １０５・・・可変矩形電子ビーム １０６・・・偏向器 １０７・・・低加速電子ビーム測長機 １０８・・・試料ステージ １０９・・・低加速電子ビーム １１０・・・偏向器 １１１・・・二次電子検出器 １１２・・・信号処理部 ２０１・・・露光フィールド ２０２．２０４・・・露光フィールドのつなぎ精度評価
パターンの一部 ２０３・・・露光フィールド ２０５・・・フィールド境界 ３０１・・・二次電子 電子ビーム採光共！ 第１図 （ａ） 第２図
Claims (1)
- （１）基板上に塗布したレジスト材料上の、荷電ビーム
露光装置の隣接する２つの露光フィールド内の各々に、
フィールド境界をはさんでそれに平行な２本のラインパ
ターンを露光することによりフィールドつなぎ精度計測
用パターンを露光する工程と、 露光した基板を現像してフィールドつなぎ精度計測用レ
ジストパターンを形成する工程と、基板上のフィールド
つなぎ精度計測用レジストパターンに、加速電圧が数キ
ロボルト以下、直径が数十Åから数百Å程度に集束され
た電子ビームを走査することによって各照射点から放出
された二次電子を検出し、得られた二次電子電流波形を
処理部で処理してフィールドつなぎ精度を計測する工程
と、 得られたフィールドつなぎ精度から、あらかじめ処理部
に用意しておいたフィールドつなぎ精度と露光フィール
ド補正用パラメータとの対応表を参照して、最適補正パ
ラメータを求め、この補正パラメータを荷電ビーム露光
装置の偏向器に入力して露光を行う工程とを含むことを
特徴とする荷電ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61113758A JPS62271424A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 荷電ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61113758A JPS62271424A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 荷電ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62271424A true JPS62271424A (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=14620393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61113758A Pending JPS62271424A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 荷電ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62271424A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6417516B1 (en) | 1999-03-26 | 2002-07-09 | Nec Corporation | Electron beam lithographing method and apparatus thereof |
| JP2004200508A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Nikon Corp | 繋ぎ合わせ測定装置および分割露光用マスク |
-
1986
- 1986-05-20 JP JP61113758A patent/JPS62271424A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6417516B1 (en) | 1999-03-26 | 2002-07-09 | Nec Corporation | Electron beam lithographing method and apparatus thereof |
| JP2004200508A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Nikon Corp | 繋ぎ合わせ測定装置および分割露光用マスク |
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