JPS6230222A - スメクテイツク液晶装置の製造方法 - Google Patents
スメクテイツク液晶装置の製造方法Info
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- JPS6230222A JPS6230222A JP16997485A JP16997485A JPS6230222A JP S6230222 A JPS6230222 A JP S6230222A JP 16997485 A JP16997485 A JP 16997485A JP 16997485 A JP16997485 A JP 16997485A JP S6230222 A JPS6230222 A JP S6230222A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、カイラルスメクティック液晶装置の製造方法
に関する。
に関する。
（従来技術）
近年、カイラルスメクティックＣ相を使用した液晶装置
は、高速応答性と記憶保持性を持つためディスプレイ装
置や、カメラ用、プリンタ用の光このカイラルスメクテ
ィックＣ相を持つ強誘電性液晶化合物としては、例えば
、Ｐ−デシルオキシベンジリデン−Ｐ−アミノ−２−メ
チブチルシンナメートが広く知られており、その液晶分
子は、第６図に示１７たように一定の方位角θを持って
層Ｌ１．Ｌ２．Ｌ３．Ｌ４毎に捩れた螺旋構造を採って
配列している。
は、高速応答性と記憶保持性を持つためディスプレイ装
置や、カメラ用、プリンタ用の光このカイラルスメクテ
ィックＣ相を持つ強誘電性液晶化合物としては、例えば
、Ｐ−デシルオキシベンジリデン−Ｐ−アミノ−２−メ
チブチルシンナメートが広く知られており、その液晶分
子は、第６図に示１７たように一定の方位角θを持って
層Ｌ１．Ｌ２．Ｌ３．Ｌ４毎に捩れた螺旋構造を採って
配列している。
ところで、このカイラルスメクティックＣ相を持つ液晶
化合物をその代旋問期（通常敷用ｍ）よりも小さい間隙
（例えばｌ＃Ｌｍ程度）を持つ２枚の基板Ａ、Ｈの間に
注入して液晶セルを構成すると（第７図イ）、液晶分子
は、螺旋構造を消失して分子軸を基板Ａ、Ｈに平行にし
て層の法線方向から時計回りに角度θ傾いたドメインと
、反時計回りにθつまり一〇傾いたドメインを混存した
状態を持つとともに（同図口）１分子軸に垂直な方向の
電気双極子を備えている。
化合物をその代旋問期（通常敷用ｍ）よりも小さい間隙
（例えばｌ＃Ｌｍ程度）を持つ２枚の基板Ａ、Ｈの間に
注入して液晶セルを構成すると（第７図イ）、液晶分子
は、螺旋構造を消失して分子軸を基板Ａ、Ｈに平行にし
て層の法線方向から時計回りに角度θ傾いたドメインと
、反時計回りにθつまり一〇傾いたドメインを混存した
状態を持つとともに（同図口）１分子軸に垂直な方向の
電気双極子を備えている。
このため、一方のドメインが基板Ａ、Ｈに対して−Ｌ向
きの電気双極子を持つと、他方のドメインは下向きの電
気双極子を持つことになり、したかって基板Ａ、Ｂ間に
電界を印加すると、全ての液晶分子は、層の法線方向か
ら十〇もしくは一〇のいずれか一方に傾いた位置に揃い
、また逆向きの電界を印加すると、液晶分子も反転して
一〇もしくは十〇傾いた位置に一斉に揃った状態で配列
する。
きの電気双極子を持つと、他方のドメインは下向きの電
気双極子を持つことになり、したかって基板Ａ、Ｂ間に
電界を印加すると、全ての液晶分子は、層の法線方向か
ら十〇もしくは一〇のいずれか一方に傾いた位置に揃い
、また逆向きの電界を印加すると、液晶分子も反転して
一〇もしくは十〇傾いた位置に一斉に揃った状態で配列
する。
このセルの両面に偏光板を配設して電界を印加すると、
液晶分子の移動により明状態や暗状態が生じて表示パネ
ルや光シャッタとしての機能を持たせることができる（
第８図）、このように構成した液晶パネルは、マイクロ
秒台という非常に速い応答速度と、一旦表示したパター
ンを電界除去後も保持するという優れた特性を持ってい
る。
液晶分子の移動により明状態や暗状態が生じて表示パネ
ルや光シャッタとしての機能を持たせることができる（
第８図）、このように構成した液晶パネルは、マイクロ
秒台という非常に速い応答速度と、一旦表示したパター
ンを電界除去後も保持するという優れた特性を持ってい
る。
このスメクチック液晶パネルは、強誘電性を持つ液晶物
質を液相にして基板間に注入した後、除冷しながらスメ
クチックＡ相においてモノドメインを形成させ、次いで
カイラルスメクチックＣ相まで冷却してドメインを成長
させて一様な表示特性を持たせるように構成されている
。
質を液相にして基板間に注入した後、除冷しながらスメ
クチックＡ相においてモノドメインを形成させ、次いで
カイラルスメクチックＣ相まで冷却してドメインを成長
させて一様な表示特性を持たせるように構成されている
。
しかしながら、パネル基板の表面は、その処理過程に起
因して種々の異方性を持つためにモノドメイン形成時に
多数の転位が生じて液晶パネルの表示品質に低下を来た
すという問題があった。
因して種々の異方性を持つためにモノドメイン形成時に
多数の転位が生じて液晶パネルの表示品質に低下を来た
すという問題があった。
（目的）
本発明は、このような問題に鑑み、パネルに充填されて
いる液晶物質の転位数を可及的に少なくすることができ
るスメクチック液晶装置の製造方法を提案することを目
的とする。
いる液晶物質の転位数を可及的に少なくすることができ
るスメクチック液晶装置の製造方法を提案することを目
的とする。
（問題を解決するための手段）
すなわち、本発明が特徴とするところは、液晶物質注入
後、スメクチックＡ相まで再度昇温してから除冷するよ
うにした点にある。
後、スメクチックＡ相まで再度昇温してから除冷するよ
うにした点にある。
（構成）
そこで、以下に本発明の詳細を図示した実施例に基づい
て説明する。
て説明する。
第１図は、本発明に使用するスメクチック液晶パネルを
構成するセルの一実施例を示すものであって、図中符号
１は、液晶表示パネルを構成する一方の基板で、透明導
電性材料により、セグメント電極１ａ、１ａ、１ａ・・
・・が形成されたガラス等の電気絶縁性透明板１ｂの表
面に印刷やディッピングによってポリイミドの薄膜を設
けて基板１の面方向の全ての向きに均一な配向性を持つ
ランダム水平配向膜層ＩＣを形成して構成されている。
構成するセルの一実施例を示すものであって、図中符号
１は、液晶表示パネルを構成する一方の基板で、透明導
電性材料により、セグメント電極１ａ、１ａ、１ａ・・
・・が形成されたガラス等の電気絶縁性透明板１ｂの表
面に印刷やディッピングによってポリイミドの薄膜を設
けて基板１の面方向の全ての向きに均一な配向性を持つ
ランダム水平配向膜層ＩＣを形成して構成されている。
２は、液晶表示パネルを構成する他方の基板で、セグメ
ント電極１ａ、ｌａ、ｌａ・・・・と直交するようにコ
モン電極２ａ、２ａ、２ａ・・・・が形成された電気絶
縁性透明板２ｂの表面にポリイミドの薄膜を設け、この
薄膜の表面を一方向にラビング処理を行なって一方向だ
けの配向を付与した一軸配向膜層２ｃを形成して構成さ
れている。これら２枚の基板１．２は、液晶化合物の螺
旋ピッチよりも小さい間隙を持ってランダム水平配向膜
層ＩＣと一軸配向膜層２ｃを対向させて平行に配置する
とともに、−側に液晶注入口３を設けるようにシール剤
４により接合してセルに構成されている。
ント電極１ａ、ｌａ、ｌａ・・・・と直交するようにコ
モン電極２ａ、２ａ、２ａ・・・・が形成された電気絶
縁性透明板２ｂの表面にポリイミドの薄膜を設け、この
薄膜の表面を一方向にラビング処理を行なって一方向だ
けの配向を付与した一軸配向膜層２ｃを形成して構成さ
れている。これら２枚の基板１．２は、液晶化合物の螺
旋ピッチよりも小さい間隙を持ってランダム水平配向膜
層ＩＣと一軸配向膜層２ｃを対向させて平行に配置する
とともに、−側に液晶注入口３を設けるようにシール剤
４により接合してセルに構成されている。
このように形成したセルに広く知られている手法を用い
て液晶物質を満たして液晶セルを構成した後、このセル
を自然冷却により除冷すると、セル６内の液晶物質は、
液体相からスメクチックＡ相になる過程においてドメイ
ンを形成しつつスメクチックＣ相となる（第２図り）、
注入された液晶物質が十分に冷却すると、注入口３をシ
ール材により密閉して液晶パネルに仕上げる。この時点
における液晶パネルは、ドメイン間に多数の転位を含ん
でいるため１表示品質が非常に低い（第５図）。
て液晶物質を満たして液晶セルを構成した後、このセル
を自然冷却により除冷すると、セル６内の液晶物質は、
液体相からスメクチックＡ相になる過程においてドメイ
ンを形成しつつスメクチックＣ相となる（第２図り）、
注入された液晶物質が十分に冷却すると、注入口３をシ
ール材により密閉して液晶パネルに仕上げる。この時点
における液晶パネルは、ドメイン間に多数の転位を含ん
でいるため１表示品質が非常に低い（第５図）。
この液晶パネルを恒温槽に収容してセル内部に充填され
た液晶物質がスメクチックＡ相に達するまで再び加熱す
ると（第２図■）、セル内の液晶物質は、前述のパネル
構成時に形成された層構造を保持したままで、転位部に
おける配列の乱れた液晶分子をドメインの分子配列に引
込みつつ全ての液晶分子が長袖を基板に対して平行とな
るように整列する（第３図■）、云うまでもなく、この
スメクチックＡ相においては、液晶分子の層は基板に垂
直な方向に揃っている。スメクチックＡ相において全て
の液晶分子が整列した時点で液晶パネルの加熱を中止し
、続いて液晶パネルをスメクチックＣ相になる温度まで
徐々に冷却していくと（第２図■）、パネル内の液晶分
子は、層の方線に対して角度θを持つように一斉に傾き
始める。
た液晶物質がスメクチックＡ相に達するまで再び加熱す
ると（第２図■）、セル内の液晶物質は、前述のパネル
構成時に形成された層構造を保持したままで、転位部に
おける配列の乱れた液晶分子をドメインの分子配列に引
込みつつ全ての液晶分子が長袖を基板に対して平行とな
るように整列する（第３図■）、云うまでもなく、この
スメクチックＡ相においては、液晶分子の層は基板に垂
直な方向に揃っている。スメクチックＡ相において全て
の液晶分子が整列した時点で液晶パネルの加熱を中止し
、続いて液晶パネルをスメクチックＣ相になる温度まで
徐々に冷却していくと（第２図■）、パネル内の液晶分
子は、層の方線に対して角度θを持つように一斉に傾き
始める。
云うまでもなく、この冷却過程における温度降下速度は
、液晶分子の運動速度に比較して極めて低いため、液晶
パネル内の液晶分子は、前述の工程における配列関係を
崩すことなくスメクチックＣ相となる（第３図Ｉ）、こ
れにより、注入時に発生していた転位は、スメクチック
Ｃ相に達した時点でほとんど消失してしまう。
、液晶分子の運動速度に比較して極めて低いため、液晶
パネル内の液晶分子は、前述の工程における配列関係を
崩すことなくスメクチックＣ相となる（第３図Ｉ）、こ
れにより、注入時に発生していた転位は、スメクチック
Ｃ相に達した時点でほとんど消失してしまう。
［実施例］
強誘導性液晶物質であるＰ−デシルオキシベンジリデン
−Ｐ−アミノ−２−メチブチルシンナメートを温度１１
７℃まで加熱して液相状態としてセルに注入後、自然冷
却して製作した液晶パネルを偏光顕微鏡により観察した
ところ、第７図に示したようにパネル全面に転位が発生
しており、その密度は１ｍｒｎ’当たり１２００個にも
達した。
−Ｐ−アミノ−２−メチブチルシンナメートを温度１１
７℃まで加熱して液相状態としてセルに注入後、自然冷
却して製作した液晶パネルを偏光顕微鏡により観察した
ところ、第７図に示したようにパネル全面に転位が発生
しており、その密度は１ｍｒｎ’当たり１２００個にも
達した。
」−述の液晶パネルを恒温槽に収容して、２−メチルブ
チル−Ｐ（Ｐ−ｎ−デシロキシベンジリブアミノ）がス
メクチックＡ相に変化する温度９３℃まで再び昇温して
から除冷したところ、第５図に示したように、転位がほ
とんど消失しており、その密度は１ｍｒｎ’当たり高々
２５０個程度にまで激減した。
チル−Ｐ（Ｐ−ｎ−デシロキシベンジリブアミノ）がス
メクチックＡ相に変化する温度９３℃まで再び昇温して
から除冷したところ、第５図に示したように、転位がほ
とんど消失しており、その密度は１ｍｒｎ’当たり高々
２５０個程度にまで激減した。
なお、上述した実施例においては、Ｐ−デシルオキシベ
ンジリデン−Ｐ−アミノ−２−メチブチルシンナメート
について説明したが、 一般式 ％式％ により表わされるピリミジン系液晶化合物や５−４−
（２−メチルブチルオキシーレゾルシリデン−４−アル
キルｎ−オクチルアニリンと Ｐ−ｎ−才クチルフェニル−Ｐ’−６−メチルオクチル
オキシベンゾエート を等率混合してなる強誘電性カイラルスメクティック液
晶化合物を使用した場合においても、セルへの充填後、
各液晶物質がスメクチックＡ相となる温度まで加熱し、
ついで徐冷する工程を採ることにより転位を消失させる
ことができる。
ンジリデン−Ｐ−アミノ−２−メチブチルシンナメート
について説明したが、 一般式 ％式％ により表わされるピリミジン系液晶化合物や５−４−
（２−メチルブチルオキシーレゾルシリデン−４−アル
キルｎ−オクチルアニリンと Ｐ−ｎ−才クチルフェニル−Ｐ’−６−メチルオクチル
オキシベンゾエート を等率混合してなる強誘電性カイラルスメクティック液
晶化合物を使用した場合においても、セルへの充填後、
各液晶物質がスメクチックＡ相となる温度まで加熱し、
ついで徐冷する工程を採ることにより転位を消失させる
ことができる。
また、上述の実施例においては基板として表面にポリイ
ミドにより一軸配向膜層、及びランダム水平配向膜層を
形成したものを用いたが、−軸配向膜をポリビニールア
ルコール、弗素樹脂、シラン等の有機膜やＳ ｉ ０２
斜方蒸着膜などにより形成した基板を、またランダム水
平配向膜をエポキシ、ポリビニールアルコール、弗素樹
脂、ポリウレタン、シラン、フェノール、尿素などの有
機膜、５ｉ０２やＭｇＦ２などを蒸着してなる無機膜な
どにより形成してなる基板を用いた場合にも同様の作用
を奏することを確認した。
ミドにより一軸配向膜層、及びランダム水平配向膜層を
形成したものを用いたが、−軸配向膜をポリビニールア
ルコール、弗素樹脂、シラン等の有機膜やＳ ｉ ０２
斜方蒸着膜などにより形成した基板を、またランダム水
平配向膜をエポキシ、ポリビニールアルコール、弗素樹
脂、ポリウレタン、シラン、フェノール、尿素などの有
機膜、５ｉ０２やＭｇＦ２などを蒸着してなる無機膜な
どにより形成してなる基板を用いた場合にも同様の作用
を奏することを確認した。
（効果）
以上、説明したように本発明においては、液晶物質をセ
ルに注入した後、この液晶物質を再度スメクチックＡ相
まで加熱してから徐々に冷却する工程を付加したので、
液晶物質の充填時に発生するディスロケーションを効果
的に除去して表示品質が高いスメクチック液晶装置を実
現することができる。
ルに注入した後、この液晶物質を再度スメクチックＡ相
まで加熱してから徐々に冷却する工程を付加したので、
液晶物質の充填時に発生するディスロケーションを効果
的に除去して表示品質が高いスメクチック液晶装置を実
現することができる。
第１図（イ）（ロ）は、それぞれ本発明に使用する液晶
セルの一実施例を示す装置の斜視断面図及び断面図、第
２図は、本発明による製造方法における液晶物質の温度
サイクルを示す説明図、第３図は、再熱処理過程におけ
る相転移を示す基板の上側から分子配列状態を見た説明
図、第４図は、本発明に係る熱処理後における液晶パネ
ルの転位を示す説明図、第５図は、従来装置における転
位を示す説明図、第６図は、カイラルスメクティック液
晶の分子配列を示す模式図、第７図（イ）（ロ）は、そ
れぞれセル間隙を液晶分子の螺旋ピッチ以下にしたとき
の分子の配列を示す模式図、第８図は、スメクチックＡ
相のドメインと偏光の関係を示す説明図である。 １・・・・基板 １ａ・・・・電気絶縁性透明板
ＩＣ・・・・ランダム水平配向膜層 ２・・・・基板 ２ａ・・・・電気絶縁性透明板
２Ｃ・・・・−軸配向膜層 ３・・・・注入口 ４・・・・シール材第１図 （イ） ？ｂ （ロ） 第２図 Ｉ ［■ 第３図 工■
セルの一実施例を示す装置の斜視断面図及び断面図、第
２図は、本発明による製造方法における液晶物質の温度
サイクルを示す説明図、第３図は、再熱処理過程におけ
る相転移を示す基板の上側から分子配列状態を見た説明
図、第４図は、本発明に係る熱処理後における液晶パネ
ルの転位を示す説明図、第５図は、従来装置における転
位を示す説明図、第６図は、カイラルスメクティック液
晶の分子配列を示す模式図、第７図（イ）（ロ）は、そ
れぞれセル間隙を液晶分子の螺旋ピッチ以下にしたとき
の分子の配列を示す模式図、第８図は、スメクチックＡ
相のドメインと偏光の関係を示す説明図である。 １・・・・基板 １ａ・・・・電気絶縁性透明板
ＩＣ・・・・ランダム水平配向膜層 ２・・・・基板 ２ａ・・・・電気絶縁性透明板
２Ｃ・・・・−軸配向膜層 ３・・・・注入口 ４・・・・シール材第１図 （イ） ？ｂ （ロ） 第２図 Ｉ ［■ 第３図 工■
Claims (1)
- ２枚の基板を対向させてなるセル構造体に、強誘電性カ
イラルスメクティック液晶化合物を封入してからスメク
チックＣ相に冷却する工程と、前記セル構造体に封入さ
れている液晶物質をスメクチックＡ相まで加熱した後、
スメクチック相まで冷却する工程とからなるスメクティ
ック液晶装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60169974A JPH0785144B2 (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | スメクテイツク液晶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60169974A JPH0785144B2 (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | スメクテイツク液晶装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230222A true JPS6230222A (ja) | 1987-02-09 |
| JPH0785144B2 JPH0785144B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=15896256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60169974A Expired - Lifetime JPH0785144B2 (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | スメクテイツク液晶装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785144B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6380226A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学素子 |
| JPH01100514A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置作製方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59201021A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Canon Inc | 光学変調素子の製造法 |
| JPS59214824A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学装置 |
| JPS60114824A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-21 | Canon Inc | カイラルスメクティック液晶の配向制御方法 |
| JPS60122919A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPS60156043A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-16 | Canon Inc | カイラルスメクティック液晶素子 |
-
1985
- 1985-08-01 JP JP60169974A patent/JPH0785144B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59201021A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Canon Inc | 光学変調素子の製造法 |
| JPS59214824A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学装置 |
| JPS60114824A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-21 | Canon Inc | カイラルスメクティック液晶の配向制御方法 |
| JPS60122919A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPS60156043A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-16 | Canon Inc | カイラルスメクティック液晶素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6380226A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学素子 |
| JPH01100514A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0785144B2 (ja) | 1995-09-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |