JPS6230384A - 赤外線検知器の製造方法 - Google Patents
赤外線検知器の製造方法Info
- Publication number
- JPS6230384A JPS6230384A JP60168813A JP16881385A JPS6230384A JP S6230384 A JPS6230384 A JP S6230384A JP 60168813 A JP60168813 A JP 60168813A JP 16881385 A JP16881385 A JP 16881385A JP S6230384 A JPS6230384 A JP S6230384A
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- Japan
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- film
- layer
- anodic oxidation
- hgcdte
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- Pending
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- Light Receiving Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ＨｇＣｄＴｅ光伝導型の赤外線検知器は、ＨｇＧｄＴｅ
層を、の素子分離の後ＨｇＣｄＴｅ層の側面を酸化して
パッシベーションをなすが、このパッシベーション工程
の改良である。
層を、の素子分離の後ＨｇＣｄＴｅ層の側面を酸化して
パッシベーションをなすが、このパッシベーション工程
の改良である。
この赤外線検知器の製造方法は、サファイヤ等の絶縁性
基板ｔにＨｇＣｄＴｅ層を形成し、受光窓領域に透光性
絶縁膜を形成し、この透光性絶縁膜を挟んでＨｇＴｅ層
よりなる電極を形成し、素子分離をなし、ＨｇＴｅ層よ
りなる電極の表面とＨｇ Ｃｄ Ｔ ｅ層の側面とを陽
極酸化してパッシベートするものである。
基板ｔにＨｇＣｄＴｅ層を形成し、受光窓領域に透光性
絶縁膜を形成し、この透光性絶縁膜を挟んでＨｇＴｅ層
よりなる電極を形成し、素子分離をなし、ＨｇＴｅ層よ
りなる電極の表面とＨｇ Ｃｄ Ｔ ｅ層の側面とを陽
極酸化してパッシベートするものである。
本発明の赤外線検知器の製造方法においては、電極材料
として、従来広く使用されていたＩｎに代えて、容易に
陽極酸化され、しかも、その酸化物は絶縁物であるＨｇ
Ｔｅが使用されている。そのため、陽極酸化法をもって
なすパッシベーションに工程が、高速に、しかも、安定
してなされ、良質なパッシベーション膜がｉｆｆ現性よ
く形成される。なお、素子分離用レジスト膜を除去した
後で陽極酸化をなせば、電極の表面にもい−くらか絶縁
膜が形成されることがあるが、この絶縁膜は極めて容易
に除去しうるので、′上極機能を阿１害することばない
。
として、従来広く使用されていたＩｎに代えて、容易に
陽極酸化され、しかも、その酸化物は絶縁物であるＨｇ
Ｔｅが使用されている。そのため、陽極酸化法をもって
なすパッシベーションに工程が、高速に、しかも、安定
してなされ、良質なパッシベーション膜がｉｆｆ現性よ
く形成される。なお、素子分離用レジスト膜を除去した
後で陽極酸化をなせば、電極の表面にもい−くらか絶縁
膜が形成されることがあるが、この絶縁膜は極めて容易
に除去しうるので、′上極機能を阿１害することばない
。
本発明はＨｇＣｄＴｅ光伝導素子型の赤外線検知器の製
造方法に関する。特に、ＨｇＣｄＴｅ層の側面にパッシ
ベーション膜を形成する工程の改良に関する。
造方法に関する。特に、ＨｇＣｄＴｅ層の側面にパッシ
ベーション膜を形成する工程の改良に関する。
従来、ＨｇＣｄｔｅ光伝導素子型赤外線検知器を製造す
るには、サファイヤ等の絶縁物基板上に形成されたＨｇ
ＣｄＴｅ層の表面を陽極酸化してここに受光窓とされる
透光性絶縁膜を形成し、・この透光性絶縁膜を電極形成
領域から除去し、この電極形成領域のみに選択的にＩｎ
等の金属１模を形成して電極を形成し、この電極表面と
受光窓をなす透光性絶縁膜の表面とをフォトレジスト膜
でカバーしてアルゴンスパッター法等を使用してＨｇＣ
ｄＴｅ層を、電極及び受光窓（光伝導体層）以外の領域
から除去して素ｆ分離をなし、この工程に使用［７たフ
ォトレジスト膜を残留したまｓ ＨｇＣｄＴｅ層の側面
を陽極酸化していた。
るには、サファイヤ等の絶縁物基板上に形成されたＨｇ
ＣｄＴｅ層の表面を陽極酸化してここに受光窓とされる
透光性絶縁膜を形成し、・この透光性絶縁膜を電極形成
領域から除去し、この電極形成領域のみに選択的にＩｎ
等の金属１模を形成して電極を形成し、この電極表面と
受光窓をなす透光性絶縁膜の表面とをフォトレジスト膜
でカバーしてアルゴンスパッター法等を使用してＨｇＣ
ｄＴｅ層を、電極及び受光窓（光伝導体層）以外の領域
から除去して素ｆ分離をなし、この工程に使用［７たフ
ォトレジスト膜を残留したまｓ ＨｇＣｄＴｅ層の側面
を陽極酸化していた。
ところが、上記の陽極酸化工程には下記の欠点がともな
う。すなわち、まず、陽極酸化液には２ＨｇＣｄＴｅ層
上に形成されたＩｎ等の電極の側面も接触するので、Ｈ
ｇＣｄＴｅ層の側面のみならずＩｎＴｌｊ極の側面も陽
極酸化されることになる。しかし、 Ｉｒ＋の酸化物は
導電性であるから、陽極酸化−Ｌ程が少し進行すると、
電流は主としｆｉｎ電極側の側面を流れることになり、
）ＩｇＣｄＴｅ層の側面の陽極酸化が進行しなくなり
、良質な酸化膜を再現性よく形成することができない、
さらに、Ｉｎ等の電極表面はレジスト膜でカバーシて陽
極酸化するのであるから、レジストによる汚染も発生す
ることになり、この点からも良好な絶縁膜が形成され難
い。
う。すなわち、まず、陽極酸化液には２ＨｇＣｄＴｅ層
上に形成されたＩｎ等の電極の側面も接触するので、Ｈ
ｇＣｄＴｅ層の側面のみならずＩｎＴｌｊ極の側面も陽
極酸化されることになる。しかし、 Ｉｒ＋の酸化物は
導電性であるから、陽極酸化−Ｌ程が少し進行すると、
電流は主としｆｉｎ電極側の側面を流れることになり、
）ＩｇＣｄＴｅ層の側面の陽極酸化が進行しなくなり
、良質な酸化膜を再現性よく形成することができない、
さらに、Ｉｎ等の電極表面はレジスト膜でカバーシて陽
極酸化するのであるから、レジストによる汚染も発生す
ることになり、この点からも良好な絶縁膜が形成され難
い。
本発明の目的は、これらの欠点を解消し、ＨｇＣｄＴｅ
よりなる光伝導素子型の赤外線検知器の製造方法におい
て、素子分離されたＪＣｄＴｅ層の側面に良質な酸化物
よりなるパッシベーション膜が再現性よく短時間に確実
に形Ｉ＆、ネれるようにする改良をＩｎ供することにあ
る。
よりなる光伝導素子型の赤外線検知器の製造方法におい
て、素子分離されたＪＣｄＴｅ層の側面に良質な酸化物
よりなるパッシベーション膜が再現性よく短時間に確実
に形Ｉ＆、ネれるようにする改良をＩｎ供することにあ
る。
本発明は、サファイヤ等の絶縁性ノ＾板ｌ］：にＨｇＣ
ｄＴｅ層２紮形成し、このＨｇＣ：ｄＴｅＴｅＯ２面を
酸化して透光性絶縁膜３を形成し、この透光性絶縁膜３
を電極形成領域から除去し、この電極形成領域にＨｇＴ
ｅ膜よりなる電極４．５を形成し、この電ｉ４．５とこ
れらに挟まれた受光窓領域７との上にレジスト膜９を形
成し、このレジスト膜９を１ノチングマスクとして前記
のＨｇＣｄＴｅ層２をエツチングして素ｆ・分離をｔ、
１．た後、陽極酸化法を使用し５て前記のＨｇＣｄＴｅ
層２の側面を酸化してパッシベーション膜６を形成する
１−程を有する赤外線検知器の製造方法にある。
ｄＴｅ層２紮形成し、このＨｇＣ：ｄＴｅＴｅＯ２面を
酸化して透光性絶縁膜３を形成し、この透光性絶縁膜３
を電極形成領域から除去し、この電極形成領域にＨｇＴ
ｅ膜よりなる電極４．５を形成し、この電ｉ４．５とこ
れらに挟まれた受光窓領域７との上にレジスト膜９を形
成し、このレジスト膜９を１ノチングマスクとして前記
のＨｇＣｄＴｅ層２をエツチングして素ｆ・分離をｔ、
１．た後、陽極酸化法を使用し５て前記のＨｇＣｄＴｅ
層２の側面を酸化してパッシベーション膜６を形成する
１−程を有する赤外線検知器の製造方法にある。
なお、陽極酸化は素子−分離用のレジストを残留１、た
ま−実行しても、除去した後実行してもよ島、ＩＡ、１
−．１ｊ−４（弓ｒ４：、、−Ｌ−１，ｑ＋ｒ１．．’
ＺｊＬｌ”Ｐ＋シーｒａｒｉ染を免れる利益もある。な
お、このときは、電極４．５の表面も酸化されるが、こ
の酸化膜は容易に除去しうるので、何ら問題とならない
。
ま−実行しても、除去した後実行してもよ島、ＩＡ、１
−．１ｊ−４（弓ｒ４：、、−Ｌ−１，ｑ＋ｒ１．．’
ＺｊＬｌ”Ｐ＋シーｒａｒｉ染を免れる利益もある。な
お、このときは、電極４．５の表面も酸化されるが、こ
の酸化膜は容易に除去しうるので、何ら問題とならない
。
上記の欠点は、従来電極として使用されていたＩｎの酸
化物が導電性であることにあるから、このＩｎに代えて
、それ自身酸化されやすく、しかも、その酸化物は絶縁
物であるＨｇＴｅをもって電極を形成することとし、素
子分離後の陽極酸化にあたっては、ＨｇＴｅ層の表面と
ＨｇＧｄＴｅ層の側面との双方が酸化されうるが、これ
らの酸化物はいづれも絶縁物であるから、陽極酸化はＨ
ｇＴｅ層の表面とＨｇＣｌｄＴｅ層の側面とで並行して
進行し、ＨｇＣｄＴｅ層の側面には良質の絶縁膜が１１
丁現性よく形成されるようにしたものである。
化物が導電性であることにあるから、このＩｎに代えて
、それ自身酸化されやすく、しかも、その酸化物は絶縁
物であるＨｇＴｅをもって電極を形成することとし、素
子分離後の陽極酸化にあたっては、ＨｇＴｅ層の表面と
ＨｇＧｄＴｅ層の側面との双方が酸化されうるが、これ
らの酸化物はいづれも絶縁物であるから、陽極酸化はＨ
ｇＴｅ層の表面とＨｇＣｌｄＴｅ層の側面とで並行して
進行し、ＨｇＣｄＴｅ層の側面には良質の絶縁膜が１１
丁現性よく形成されるようにしたものである。
以下、図面を参照しつ覧、本発明の一実施例に係る）ｉ
ｇｃｄＴｅ范伝導ヤの赤外線検知器の製造方法ｇついて
、さらに説明する。
ｇｃｄＴｅ范伝導ヤの赤外線検知器の製造方法ｇついて
、さらに説明する。
第２図、第３図参照
サファイヤ等の絶縁物基板１Ｆに厚さ約 １００ル１の
ＨｇＣｄＴｅ層２を形成する。
ＨｇＣｄＴｅ層２を形成する。
ＨｇＣｄＴｅ層２の表面的５００人程度を陽極酸化して
透光性絶縁膜３を形成する。
透光性絶縁膜３を形成する。
透光性絶縁膜３を電極形成領域から除去する。
全面にＨｇＴｅを厚さＩｇ履程度に形成した後、電極形
成領域以外から除去して、正負の電極４．５を形成する
。
成領域以外から除去して、正負の電極４．５を形成する
。
第４図、第５図参照
レジスト１模９を形成してリソグラフィー法を使用して
これを十子領域（電極４．５とそれらに挟まれた受光窓
領域７）以外から除去する。このと５、レジスト１模９
は素子領域より僅かに大きくしておくと有利である。
これを十子領域（電極４．５とそれらに挟まれた受光窓
領域７）以外から除去する。このと５、レジスト１模９
は素子領域より僅かに大きくしておくと有利である。
第６図参照
アルゴンスパッタを使用する。ドライエツチング法等を
使用して、［−記のフォトレジスト膜９によってカバー
されていない領域から透光性絶縁１模３とＨｇＣｄＴｅ
層２とを除去する。
使用して、［−記のフォトレジスト膜９によってカバー
されていない領域から透光性絶縁１模３とＨｇＣｄＴｅ
層２とを除去する。
第１ （ａ）図、第１ （ｂ）図参照
レジスト膜９を溶解除去した後、陽極酸化液中で陽極酸
化をなし、電極４．５の表面と側面及びＨｇＣｄＴｅ層
２の側面とを酸化してパッシベーション１１り６を形成
する。
化をなし、電極４．５の表面と側面及びＨｇＣｄＴｅ層
２の側面とを酸化してパッシベーション１１り６を形成
する。
このとき、ＨｇＴｅよりなる電極４，５の表面と側面及
びＨｇＣｄＴｅ層２の側面との双方に′ｆｆＬＵが流れ
て、双方が酸化される。これらの酸化物はいづれも絶縁
物であるから、ＨｇＧｄＴｅ層２の側面は良質な絶縁膜
６が再現性よく形成されて良質なパッシベーション膜６
が形成される。そして、この上程は、レジスト膜９が除
去された後になされるので、レジストによる汚染のおそ
れはなく、パッシベーション膜６は、この点からも良質
となる。なお、陽極酸化法は、レジスト膜９を残留した
ま＼実行してもよい、その場合は、ＨｇＴｅ層よりなる
電極の表面は酸化されない。
びＨｇＣｄＴｅ層２の側面との双方に′ｆｆＬＵが流れ
て、双方が酸化される。これらの酸化物はいづれも絶縁
物であるから、ＨｇＧｄＴｅ層２の側面は良質な絶縁膜
６が再現性よく形成されて良質なパッシベーション膜６
が形成される。そして、この上程は、レジスト膜９が除
去された後になされるので、レジストによる汚染のおそ
れはなく、パッシベーション膜６は、この点からも良質
となる。なお、陽極酸化法は、レジスト膜９を残留した
ま＼実行してもよい、その場合は、ＨｇＴｅ層よりなる
電極の表面は酸化されない。
以」−説明せるとおり、本発明においては、ＨｇＣｄＴ
ｅ光伝導型の赤外線検知器の電極として、それ自身容易
に酸化されやすく、その酸化物は絶縁物であるＨｇＴｅ
膜が使用されているので、パッシベーションのための陽
極酸化］［程において、ＨｇＣｄＴｅ層の側面に良質の
絶縁膜が再現性よく形成される。
ｅ光伝導型の赤外線検知器の電極として、それ自身容易
に酸化されやすく、その酸化物は絶縁物であるＨｇＴｅ
膜が使用されているので、パッシベーションのための陽
極酸化］［程において、ＨｇＣｄＴｅ層の側面に良質の
絶縁膜が再現性よく形成される。
第１ （ａ）図、第１ （ｂ）図は、本発明に係る赤外
線検知器の製造方法をもって製造されたＨ ｇ Ｃｄ
Ｔ ｅ光伝導型の赤外線検知器の１１而図とそのＡ−Ａ
断面図である。 第２〜６図は、本発明の一実施例に係る赤外線検知器の
製造方法のＬ要下程完了後のノ、（板モ面図とそのＡ−
Ａ断面図である。 １・争・絶縁性基板（サファイセ）、 ２・・・Ｈｇ
ＣｄＴｅ層、 ３・・・透光性絶縁膜、 ４．５・
１１＃正負の電極（ＨｇＴｅ１漠）、 ６・ ・ −
パッジ／＜’、’、、（／ｌ１７＋７＋＋＋Ｐｒ＋、Ｎ
−レ’−＋、メー１【＝：Ｑ−−−１シスト膜。
線検知器の製造方法をもって製造されたＨ ｇ Ｃｄ
Ｔ ｅ光伝導型の赤外線検知器の１１而図とそのＡ−Ａ
断面図である。 第２〜６図は、本発明の一実施例に係る赤外線検知器の
製造方法のＬ要下程完了後のノ、（板モ面図とそのＡ−
Ａ断面図である。 １・争・絶縁性基板（サファイセ）、 ２・・・Ｈｇ
ＣｄＴｅ層、 ３・・・透光性絶縁膜、 ４．５・
１１＃正負の電極（ＨｇＴｅ１漠）、 ６・ ・ −
パッジ／＜’、’、、（／ｌ１７＋７＋＋＋Ｐｒ＋、Ｎ
−レ’−＋、メー１【＝：Ｑ−−−１シスト膜。
Claims (1)
- 絶縁性基板（１）上にＨｇＣｄＴｅ層（２）を形成し、
該ＨｇＣｄＴｅ層（２）の表面を酸化して透光性絶縁膜
（３）を形成し、該透光性絶縁膜（３）を電極形成領域
から除去し、該電極形成領域にＨｇＴｅ膜よりなる電極
（４）、（５）を形成し、該電極（４）、（５）とこれ
に挟まれた受光窓領域（７）との上にレジスト膜（９）
を形成し、該レジスト膜（９）をエッチングマスクとし
て前記ＨｇＣｄＴｅ層（２）をエッチングして素子分離
をなした後、陽極酸化法を使用して前記ＨｇＣｄＴｅ層
（２）の側面を酸化してパッシベーション膜（６）を形
成する工程を有する赤外線検知器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60168813A JPS6230384A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 赤外線検知器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60168813A JPS6230384A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 赤外線検知器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230384A true JPS6230384A (ja) | 1987-02-09 |
Family
ID=15874968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60168813A Pending JPS6230384A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 赤外線検知器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6230384A (ja) |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP60168813A patent/JPS6230384A/ja active Pending
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