JPS6230879A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPS6230879A JPS6230879A JP16909085A JP16909085A JPS6230879A JP S6230879 A JPS6230879 A JP S6230879A JP 16909085 A JP16909085 A JP 16909085A JP 16909085 A JP16909085 A JP 16909085A JP S6230879 A JPS6230879 A JP S6230879A
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Links
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Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は真空蒸着法やイオンブレーティング法等による
薄膜形成方法に関する。
薄膜形成方法に関する。
（従来の技術）
従来、真空雰囲気中で、帯状体を一つのキャンに沿って
走行させながら、２以上の処理、例えば、蒸着、スパッ
タリング、イオンブレーティング、ＣＶＯ１イオンビー
ムスパッタリング、イオンボンバード等の処理を任意に
組み合わせて行ない、帯状体に１膜を形成することがあ
る。
走行させながら、２以上の処理、例えば、蒸着、スパッ
タリング、イオンブレーティング、ＣＶＯ１イオンビー
ムスパッタリング、イオンボンバード等の処理を任意に
組み合わせて行ない、帯状体に１膜を形成することがあ
る。
（発明が解決しようとする問題点）
この場合、キャンが一つであるために、帯状体の巻き付
は角が大きくなり、帯状体にシワが生じ易く、また、張
力が伝わり難く必要な箇所に必すなだけの張力が得られ
なかったり、さらに、通常キャンを加熱しているため帯
状体が伸び易く必然的に大きな張力をかけなければなら
ず、途中で切断し易い等の欠点があった。
は角が大きくなり、帯状体にシワが生じ易く、また、張
力が伝わり難く必要な箇所に必すなだけの張力が得られ
なかったり、さらに、通常キャンを加熱しているため帯
状体が伸び易く必然的に大きな張力をかけなければなら
ず、途中で切断し易い等の欠点があった。
本発明は１以上の欠点を改良し、帯状体のシワの発生を
軽減し、張力の伝達を容易にし切断を低下しうる薄膜形
成方法の提供を目的とするものである。
軽減し、張力の伝達を容易にし切断を低下しうる薄膜形
成方法の提供を目的とするものである。
（問題点を解決するための手ｆｆ１）
本発明は、−Ｆ記の目的を達成するために、真空雰囲気
中において帯状体をキャンの周側面に沿って走行させ、
その途中２箇所゛以上で前記帯状体に処理をして薄膜を
形成しうる薄膜形成方法において、帯状体に処理を施こ
す箇所間で、前記帯状体をキトンから離隔し、この離隔
箇所の前（りで前記帯状体の張力を別々に１］す御する
ことを特’＋Ｙ′ｉとづる薄膜形成方法を提供するもの
である。
中において帯状体をキャンの周側面に沿って走行させ、
その途中２箇所゛以上で前記帯状体に処理をして薄膜を
形成しうる薄膜形成方法において、帯状体に処理を施こ
す箇所間で、前記帯状体をキトンから離隔し、この離隔
箇所の前（りで前記帯状体の張力を別々に１］す御する
ことを特’＋Ｙ′ｉとづる薄膜形成方法を提供するもの
である。
（作用）
本発明によれば、帯状体に処理を施こす箇所間で、帯状
体をキャンから離隔しその離隔箇所の前後で帯状体の張
力を別々に制（卸しているために、各部分への張力の伝
達が容易になり、シワの発生や切断等を低下しうるちの
である。
体をキャンから離隔しその離隔箇所の前後で帯状体の張
力を別々に制（卸しているために、各部分への張力の伝
達が容易になり、シワの発生や切断等を低下しうるちの
である。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明づる。
第１図において、１は真空雰囲気中に配設された円筒状
のキャンである。２はこのキャン１の周側面に沿って走
（テされる高分子フィルムや紙、布等の帯状体である。
のキャンである。２はこのキャン１の周側面に沿って走
（テされる高分子フィルムや紙、布等の帯状体である。
３及び４は帯状体２をキャン１に導きさらに送出するた
めのガイドローラである。５は、帯状体２がキャン１の
周側面に沿って走行し始める箇所イ；」近にｂ２けられ
た放電処理手段であり、帯状（Ａ ２の表面を放電処理
するものである。Ｇは、キＸ・ン１を介して放電処理手
段５にほぼ対向する位置に設けられた蒸発手段であり、
「ＣやＧｏ、Ｎｉ、Ａｌ、 Ｚｎ、 Ｃｕ等の金５属冴
の１カ質を蒸発し、放電処理された帯状体２の表面にぞ
の蒸発物質を蒸谷し薄膜を形成するものである。、７は
、キャン１の周側面に沿って放電処理手段５と蒸着手段
６のほぼ中間に設けられた平行ローラやエクスパンダ−
ローラ等の離隔用【コーラであり、帯状体２をキャン１
から一時的に１４１１隔するものである。
めのガイドローラである。５は、帯状体２がキャン１の
周側面に沿って走行し始める箇所イ；」近にｂ２けられ
た放電処理手段であり、帯状（Ａ ２の表面を放電処理
するものである。Ｇは、キＸ・ン１を介して放電処理手
段５にほぼ対向する位置に設けられた蒸発手段であり、
「ＣやＧｏ、Ｎｉ、Ａｌ、 Ｚｎ、 Ｃｕ等の金５属冴
の１カ質を蒸発し、放電処理された帯状体２の表面にぞ
の蒸発物質を蒸谷し薄膜を形成するものである。、７は
、キャン１の周側面に沿って放電処理手段５と蒸着手段
６のほぼ中間に設けられた平行ローラやエクスパンダ−
ローラ等の離隔用【コーラであり、帯状体２をキャン１
から一時的に１４１１隔するものである。
上記装量を用いた薄膜形成方法を述べると、帯状体２を
ガイドローラ３にＪ：リキャン１に送り込みその周側面
に沿って走行させ、放電処理手段５によりその表面を放
電処理する。放電処理後、帯状体２は離隔用【コーラ７
を通り、キャン１の周側面から一時的に離隔する。離隔
用ローラ７を通過後、帯状体２の放電処理面に蒸発手段
６により金属等を蒸着して薄膜な形成する。
ガイドローラ３にＪ：リキャン１に送り込みその周側面
に沿って走行させ、放電処理手段５によりその表面を放
電処理する。放電処理後、帯状体２は離隔用【コーラ７
を通り、キャン１の周側面から一時的に離隔する。離隔
用ローラ７を通過後、帯状体２の放電処理面に蒸発手段
６により金属等を蒸着して薄膜な形成する。
すなわち、本発明によればＭ電姐埋と蒸着処理との間で
、帯状体２をＩ！！ｌｔ隔用ローラ７によりキャン１か
ら一時的に離隔しているため、ガイドローラ３と離隔用
ローラ７との間と、離隔用ローラ７とがイドローラ４と
の間の張力を別々に制御でき、シワの発生や切断等を低
下しうる。
、帯状体２をＩ！！ｌｔ隔用ローラ７によりキャン１か
ら一時的に離隔しているため、ガイドローラ３と離隔用
ローラ７との間と、離隔用ローラ７とがイドローラ４と
の間の張力を別々に制御でき、シワの発生や切断等を低
下しうる。
また、第２図は、本発明の他の実施例に用いる狡賢を示
し、第１図と同一のものは同一の符号で示している。こ
の装置では、特に、１隔用ローラ７の両側にガイドロー
ラ８及び９を設けており、キＸ・ン１から離隔している
帯状体２の長さを翔かくでき、キャン１による加熱処理
等を第１図に示す場合よりも効果的に利用できる。
し、第１図と同一のものは同一の符号で示している。こ
の装置では、特に、１隔用ローラ７の両側にガイドロー
ラ８及び９を設けており、キＸ・ン１から離隔している
帯状体２の長さを翔かくでき、キャン１による加熱処理
等を第１図に示す場合よりも効果的に利用できる。
なお、上記実施例では、帯状体２に放電処理と蒸着処理
とを行なったが、必ずしもこれ等の処理に限定されるこ
となく、他に液の塗布処理や、薄膜の酸化処理等を行な
ってもよく、また、蒸着処理を２以上行なってもよい。
とを行なったが、必ずしもこれ等の処理に限定されるこ
となく、他に液の塗布処理や、薄膜の酸化処理等を行な
ってもよく、また、蒸着処理を２以上行なってもよい。
また、処理箇所間に、ｂいて帯状体を２回以上キトンか
ら離してもよい。
ら離してもよい。
ざらに、処理を３箇所以上で行なう場合には、第３図に
示す通り、どれか隣り合う処理手段１０及び１１の間で
離隔用ローラ１２により１芥状体１３をキャン１４から
離隔し、他の処理手段１１及び１５の間では必ずしも離
隔させなくてもよい。
示す通り、どれか隣り合う処理手段１０及び１１の間で
離隔用ローラ１２により１芥状体１３をキャン１４から
離隔し、他の処理手段１１及び１５の間では必ずしも離
隔させなくてもよい。
（発明の効果）
以上の通り、本発明によれば、帯状体に２以上の処理を
（テなう場合に、その処理の間で帯状体をキャンからｆ
ＩＪＪ隔し、その隔離部分のｎむ後で帯状体の張力を別
々に制■するため、シワの発生や切断が少なく信頼性を
向上しうる薄膜形成方法が１ｒ１−られる。
（テなう場合に、その処理の間で帯状体をキャンからｆ
ＩＪＪ隔し、その隔離部分のｎむ後で帯状体の張力を別
々に制■するため、シワの発生や切断が少なく信頼性を
向上しうる薄膜形成方法が１ｒ１−られる。
第１図は本発明の実施例に用いる装置の正面図の一部、
第２図及び第３図は本発明の他の実施例に用いる装置の
正面図の一部を示す。 １．１４・・・キャン、 ２，１３・・・帯状体、５・
・・ｈ交電処理手段、 ６・・・蒸発手段、７．１２・
・・離隔用ローラ、 １０．１１．１５・・・処理手段。
第２図及び第３図は本発明の他の実施例に用いる装置の
正面図の一部を示す。 １．１４・・・キャン、 ２，１３・・・帯状体、５・
・・ｈ交電処理手段、 ６・・・蒸発手段、７．１２・
・・離隔用ローラ、 １０．１１．１５・・・処理手段。
Claims (1)
- （１）真空雰囲気中において帯状体をキャンの周側面に
沿つて走行させ、その途中２箇所以上で前記帯状体に処
理をして薄膜を形成しうる薄膜形成方法において、帯状
体に処理を施こす箇所間で、前記帯状体をキャンから離
隔し、この離隔箇所の前後で前記帯状体の張力を別別に
制御することを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16909085A JPS6230879A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16909085A JPS6230879A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230879A true JPS6230879A (ja) | 1987-02-09 |
Family
ID=15880137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16909085A Pending JPS6230879A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6230879A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5088908A (en) * | 1989-03-20 | 1992-02-18 | Hitachi, Ltd. | Continuous vacuum processing apparatus |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP16909085A patent/JPS6230879A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5088908A (en) * | 1989-03-20 | 1992-02-18 | Hitachi, Ltd. | Continuous vacuum processing apparatus |
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