JPS6231051A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体

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JPS6231051A
JPS6231051A JP61052113A JP5211386A JPS6231051A JP S6231051 A JPS6231051 A JP S6231051A JP 61052113 A JP61052113 A JP 61052113A JP 5211386 A JP5211386 A JP 5211386A JP S6231051 A JPS6231051 A JP S6231051A
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JP
Japan
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layer
magnetic
substrate
magneto
recording medium
Prior art date
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Pending
Application number
JP61052113A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Nakamura
均 中村
Yujiro Kaneko
裕次郎 金子
Yasuo Sawada
康雄 沢田
Hajime Machida
元 町田
Fumiya Omi
文也 近江
Atsuyuki Watada
篤行 和多田
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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    • H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
    • H01F10/20—Ferrites
    • H01F10/205—Hexagonal ferrites
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 夜権分互 本発明は六方晶金属酸化物磁性体の垂直磁気異方性薄膜
を有する光磁気記録媒体に関する。
灸末叫皮断 近年、光の熱効果を利用して垂直磁化された磁性薄膜に
磁区を書込んで情報を記録し、磁気光学効果を利用して
情報を読み出すようにした光磁気記録媒体が注目されて
いる。
従来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土
類金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが知られ
ている。このような非晶質合金磁性体を用いた光磁気記
録媒体は、一般にガラス板のような基板上に磁性体、例
えばＴｂ−Ｆｅ合金を真空蒸着、スパッタリング等の方
法で厚さ０．１〜１μｍ程度に付着させて磁性体を形成
することにより作製されている。この光磁気記録媒体へ
の情報の記録は、磁性体のキューリ一温度または補償温
度近傍における温度変化に対応した保磁力の急激な変化
特性を利用して実施され、具体的には２値信号で変調さ
れたレーザー光を磁性膜に照射、加熱して磁化の向きを
反転させることにより行われる。また再生はこうして反
転記録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用して読出
すことにより行われる。前述のような非晶質合金磁性体
を用いた光磁気記録媒体は、真空蒸着やスパッタリング
で容易に作製でき、かつキューリ一温度が７０〜２００
℃と比較的低く、記録感度が高いため、半導体レーザー
光によって高速度で記録できるという利点はあるが、非
晶質合金磁性体、特に希土類金属成分は酸化腐食を受は
易いので、経時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化する
という大きな欠点がある。これを防止するため、非晶質
磁性膜上にＳｉＯ，ＳｉＯ□等の保護膜を設けることも
知られているが、真空蒸着、スパッタリングなどによる
磁性膜あるいは保護膜の形成時に真空中に残存する０２
．基板面に吸着された０２゜Ｈ２Ｏ等および合金磁性体
のターゲット中に含まれる０２．Ｈ，○等により、経時
と共に磁性膜が酸化腐食されるうえ、記録時の光および
熱によりさらにこの酸化腐食が促進される。また、非結
晶質磁性体は熱によって結晶化され易く。
そのために磁気特性の劣化を来たし易いという欠点を有
する。
また、この磁性膜はレーザーの発信波長領域での透過率
が低いため、磁性膜表面での反射による磁気光学効果、
即ちカー効果により記録情報を読み出しているが、カー
回転角は一般に小さいため再生感度が低いという問題が
あった。
一方、本発明者らは金属酸化物磁性層の垂直磁化膜を用
いた光磁気記録媒体について開発した（特開昭５９−４
５６４４号、特開昭５９−１６８９５０号）。
従来より以下の一般式（Ａ）で表わされる六方晶マグネ
トブランバイトが磁気バブル材料として用いられること
は知られている。
Ｍ　ｅ　Ｏ・ｎ　（Ｆ　ｅ、Ｏ，）　　　　　　　　　
（Ａ）（Ｍｅ：Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂから選ばれる１種また
は２種以上の金属。
ｎ：５≦ｎ≦６） 本発明者らは、このような磁性体が安定な酸化物である
ため酸化劣化の恐れがなく、しかも。
膜厚を厚くしてもレーザー波長領域で透光性を備えてお
り、ファラデー効果を有効に利用しうろことに着目した
。しかし、上記一般式（Ａ）の六方晶マグネトブランバ
イトをそのまま光磁気記録媒体の磁性膜として用いよう
としても、キューリ一温度が高すぎる、保磁力の値が適
当でない、ファラデー効果が小さいなどの問題があり、
メモリーとしての書込み性、読出し性、感度などの点で
問題があった。本発明者らは上記一般式（Ａ）のＦｅ原
子の一部をＣＯやＮｉのような２価の金属あるいはＧａ
、Ｉｎ、Ａｌのような３価の金属など、さらにはＴ　ｉ
ｔ　Ｇ　ｅ　ｙ　Ｗ　ｓＭｏ等の４価の金属で置換し上
記問題点を解決することも先に提案し、これにより六方
晶マグネトブランバイトを光磁気記録媒体の磁性膜とし
て利用することが可能となった。
また、このような六方晶酸化物磁性膜を光磁気記録媒体
に用いる場合には、六方晶のＣ軸が基板面に配向したい
わゆる垂直磁化膜であることが必要である。
本発明者らは基板と磁性層からなる光磁気記録媒体にお
いて、支持体の特定の結晶面と酸化物磁性体の０面との
ミスフィツトを所定範囲内とすることにより垂直磁気異
方性を有する磁性層が形成されることを先に見い出した
（特開昭６０−１７５２２９号公報）。そして、この発
明の基板にはＺｎ○、ＡＩＮなどの下地層を設けてもよ
い旨を提案したが、このようにして得られる光磁気記録
媒体の磁気光学効果、ピット数の増加。
再現性、高密度記録再生可能性は酸化物磁性層のＣ軸配
向性の微妙な差異に大きく左右され、結果的にこの酸化
物磁性層が形成される下地としての基板もしくは下地層
の結晶配向性が極めて大きな影響を有するものなのであ
る。しかし、この発明では基板もしくは下地層の結晶配
向性を常に所定範囲に維持することは困難であり。
その上に形成される酸化物磁性層のＣ軸配向性、すなわ
ち垂直磁気異方性にバラツキが見られ。
光磁気記録媒体そのものの上記したような効果が十分発
揮されないものであった。
見匪立ｌ奴 本発明は、六方晶金属酸化物磁性体を磁性層とする光磁
気記録媒体における磁性層の垂直磁気異方導電性を良好
ならしめた光磁気記録媒体を提供することにある。
本発明の他の目的は、六方品金属酸化物磁性体のもつ良
好な光透過性に有効に利用して大きなファラデー効果を
得るため基板／反射層／誘電体下地層／磁性層の構成と
し、磁性層側から光を照射することにより多重反射を利
用してファラデー効果を増大せしめ、磁気光学効果が優
れた光磁気記録媒体を提供することにある。
本発明の別の目的は、基板上に順次積層した反射層、誘
電体下地層および磁性層の１反射層と誘電体下地層、お
よび、誘電体下地層と磁性層との各層の結晶面を特定の
関係とすることにより、確実にＣ面配向した垂直磁化膜
とした磁性層を形成し、ビット数が増大でき再現性が飛
薙的に向上し、高密度記録再生可能な光磁気記録媒体を
提供することにある。
見豆夏青玖 本発明の光磁気記録媒体は、基板上に反射層、誘電体下
地層および六方晶金属酸化物磁性層が順次積層され、前
記反射層とその上に形成された誘電体下地層との結晶ミ
スフィツトが±３０％以内であり、かつ、前記誘導体下
地層とその上に形成された六方晶金属酸化物磁性層との
結晶ミスフィツトが±３０％以内であることを特徴とす
る。
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の実施例を示す断面図
であり、ガイドトラックのための凹凸を設けたプレグル
ーブ基板１１上に、反射層１３、誘電体下地層１５、六
方晶金属酸化物の磁性層１７が順次積層され、さらにそ
の上に保護板１９が設けられている。
反射層１３と誘電体下地層１５との結晶ミスフィツトは
±３０％以内であり、好ましくは±１５％以内である。
ミスフィツトが上記範囲を逸脱すると、磁性層１７の垂
直磁気異方性にバラツキを生じ、所期の特性を有する光
磁気記録媒体が得られる。
ここでミスフィツトｆ、とは、２つの適当に選ばれた境
界面の方向をｆｌ＝１．２．・・・とし。
成長層とその基材結晶の原子間隔をそれぞれｂＱｔ　ａ
ｌｌとすると。
ｆ、＝上に上’−Ｘ１００（％） ａ　区 として示されるものである。より具体的に言えば、ミス
フィツトｆとは、基板の原子面間隔をａ、成長する側の
原子面間隔をｂとすると。
ｆ＝エニ”ｘｔｏｏ（％） として示されるものである。
第１表に、いくつかの反射層と誘電体下地層との結晶方
位の関係と、ミスフィツトとの関係を示す。
（以下余白） 第１表 （００２）ｆｉ　Ω１０　％　　の軟磁性スピネルフェ
ライト Ａｕ（１１１）面　１２．７　８．０　３．３　−６．
５　　　３．０Ｐｔ（１１１）面　１７．１　１２．３
　７．４　−２．７　　　７．０Ａｌ（１１１）面　１
３．５　８．８　４．１　−５．８　　　３．７Ａｇ（
１１１面　１２．５　７．８　３．１　−６．６　　　
２．８Ｒｈ（１１１）面　２０．８　１５，８　１０．
８　　０．３　　　１０．４即Ω旦）　　　１８．１　
１３．２　８．３　−１．９　　　８．０このように、
誘電体下地層が配向するためには、反射層結晶面とのエ
ピタキシャル成長によっている。たとえばＡ　ｕ　（１
１１）／　Ｚ　ｎ○（００２）　。
Ａ　ｕ　（１１１）／　Ａ　Ｉ　Ｎ　（００２）などで
あり、反射層でＡｕの（ＩＩＩ）面が配向していない場
合は（これを無配向とよぶ）、Ｚｎ○やＡＩＮの（００
２）面は成長しなかったか、成長しても次の磁性層のＣ
軸配向性が極端に悪くなるものであった。
反射層としてはＡ　ｕ　、　Ｐ　ｔ　、　Ｒｈ　、　Ｐ
　ｄ　、　Ａ　ｇ　。
Ａ１が好ましく、基板と平行方向にこれら金属の（１１
１）の結晶面が配向したことが好ましい。
このような配向は、たとえば、電子ビーム蒸着などの薄
膜形成法により基板上に反射層を形成する場合に、基板
温度を例えば２００〜３００℃に制御するなどによって
達成できる。反射層の膜厚は０．０１〜５μｍ程度が適
当であり、好ましくは０．０５〜２μｍである。
誘電体下地層は、さらに、その上に形成されるマグネト
ブランバイト型の六方晶酸化物磁性層の０面とのミスフ
ィツトが±３０％以内であることが必要であり、好まし
くは±１５％以内である。このような誘電体下地層とし
ては、たとえば、Ｚｎ○（００２）　、　Ａ　Ｉ　Ｎ　
（００２）　、　Ｍ　ｇ○（１１１）。
ＢａＯ（００２）　、　Ｎ　ｉ　−Ｚ　ｎフェライト（
１１１）等の軟磁性層を示すスピネルフェライト等が挙
げられる。これらの結晶面とバリウムフェライト（前記
一般式ＡのＭ　ｅ　＝　Ｂ　ａのもの）の結晶面Ｃ面の
ミスフィツト率を示せば次の通りである。
１２表 Ｚ　ｎ　Ｏ（００２）　　　　　　　　　　　　　　−
９，３７％Ａ　Ｉ　Ｎ（００２）　　　　　　　　　　
　　　　　１．２９％Ｍｇ○（１１１）　　　　　　　
　　　　　　　−０，９３％Ｎ　ｉ　−Ｚ　ｎフェライ
ト（１１１）等のスピネルフェライト　　　　　０．３
５％Ｂ　ｅ　Ｏ００２）　　　　　　　　　　　　　９
．１４％誘電体下地層は、たとえば、スパッタリングや
、ＣＶＤ、蒸着法により、反射層上にエピタキシャル成
長せしめて形成することができる。
誘電体下地層の膜厚は０．０２〜０．５μｍ程度が適当
であり、好ましくは０．０５〜０．３μｍである。
また、反射層１３と基板１１上にＴｉまたはＣｒからな
る中間層を形成することが好ましい。このような中間層
を設けることにより、Δθ５ｏを小さくすることができ
る。Δθ、。（デルタ・シータ・５０：配向分散角）は
、反射層の結晶面がどのくらい良く配向しているかを示
す基準、即ち配向度を示すものであり、小さいほど良好
な配向性を示す。この中間層の膜厚は０．００１〜０．
５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．０２〜０．３
μｍである。
また、中間層を形成しない場合であっても、反射層を蒸
着などにより形成した直後に４００〜６００℃でアニー
リングすることによりΔθ５ｏを小さくすることもでき
る。
本発明は、反射層と誘電体下地層、および誘電体下地層
と六方晶酸化物磁性層のミスフィツト率を制御すること
を骨子とするものであり、光磁気記録媒体の構造やその
使用材料は適宜のものを採用しうる。
たとえば、基板１１としてはプレグルーブ基板以外の基
板を用いることができるし、また、必ずしも保護板１９
は必要としない。また、六方晶酸化物磁性体も特に限定
されず、要求される特性によって選択しうるが、たとえ
ば、次のものがあげられる。
Ｍｅ○・ｎ　（ＭａｘＭｂｙＭｃｚＦｅ２−　（ｘ　＋
ｉｙ　＋ｊｚ）　Ｏ，）　　（１）（式中、Ｍｅ、Ｍａ
、Ｍｂ、Ｍｃ、ｘ、ｙ、ｚ、ｎはそれぞれ以下の通りで
ある。
Ｍｅ　：　Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｃａから選ばれる
１種または２種以上の２価の金属 Ｍａ　：Ｇａ、ＡＩ２．Ｃｒ、Ｒｈから選ばれる１種ま
たは２種以上の３価の金属 Ｍｂ：ＣｏまたはＮｉから選ばれる１種または２種以上
の２価の金属 Ｍｅ　：　Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉ　ｒ、Ｓｎ、Ｖ、Ｔａ、Ｈｆ
。
Ｐｄ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｐｔ、○Ｓ　ＨＺ　ｒ　ＨＴ　Ｃ＊
Ｒｈ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｗ、Ｔｅ、Ｐｒ、Ｃｅ。
ｐｂから選ばれる１種または２種以上の４価の金属 ｘ：０≦Ｘ≦０．５ ｙ：０＜ｙ≦０．５ ｚ：０≦２≦０．５．但し、Ｘと２は同時に零ではない
。また、Ｏ＜　ｘ　＋　ｙ　＋　ｚ≦１．０ｎ：５≦ｎ
≦６） 本発明の金属酸化物磁性体を用いて磁性膜を作るには、
たとえば、基板温度４００〜７００℃で真空蒸着、スパ
ッタリング、イオンブレーティング等の方法で膜厚０．
１〜１０μｍ程度に付着させればよい。こうして得られ
た磁性膜は垂直配向している。また、５００℃未満の基
板温度で磁性膜を形成することもできるが、この場合に
垂直配向させるためには磁性膜形成後、５００〜８００
℃の熱処理を、必要により磁界を印加しながら行う。
このような磁性膜の形成に際しては耐熱性基板が用いら
れる６基板の材料としては一般にアルミニウム、ステン
レス、銅、ニッケルのような金属；石英ガラス；　ＧＧ
Ｇ（ガリウム・ガドリウム・ガーネット）；サファイア
；リチウムタンタレート；結晶化透明ガラス；パイレッ
クスガラス、アルミノケイ酸ガラス、ソーダガラス；表
面を酸化処理したまたは処理しない単結晶シ’Ｊ　：Ｉ
　ン；　Ａ　Ｑ　２０３　＋　Ａ　Ｑ　ｚ　Ｏ：ｌ　・
Ｍ　ｇ　Ｏ、Ｍ　ｇ　Ｏ・ＬＩＦ、Ｙ２Ｏ，・ＬｉＦ、
Ｂｅｏ、ＺｒＯ，・Ｙ、０３．Ｔｈ○２・ＣａＯ等の透
明セラミック材；無機シリコン材（例えば東芝シリコン
社製トスガード、住人化学社製スミセラムＰ）等の無機
材料或いはポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機材
料が使用できる。
本発明の光磁気記録媒体への記録、再生は従来と同じく
磁性膜に変調または偏向されたレーザー光を照射して行
うことができる。たとえば、垂直磁化された磁性膜に磁
界の印加下に選択的にレーザービームを照射し、照射部
をキューリ一温度以上に加熱し保磁力を減少させて磁気
反転させ、記録ビットを形成して情報を記録する。
この情報の読み出しはレーザーの偏光を磁性膜に照射し
、ファラデー回転角の差から検出することにより行われ
る。
見豆勿麦来 本発明によれば、反射層、誘電体下地層および磁性層の
結晶の配晶面の配向性を制御することにより、磁気的均
一性に優れ、垂直磁気異方性が良好で、高密度記録が可
能な光磁気記録媒体を得ることができる。
実施例 あらかじめプレグルーブを形成したガラス基板（１００
ｍｍφ）上に１次の方法により、中間層（形成しない場
合もある）、反射層、誘電体下地層および磁性層を形成
して、本発明の光磁気記録媒体を形成した。
（１）中間層の形成 電子ビーム蒸着により、基板温度２７〜１００℃で、Ｃ
ｒまたはＴｉを０．０１〜１．Ｏｐ　ｍ蒸着した。
（２）反射層の形成 基板上または中間層上に、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ。
Ｒｈ、ＡｇまたはＡＩを、基板温度を制御して電子ビー
ム蒸着し、基板面と平行に（１１１）面を形成した。基
板温度はＡｇの場合が３００℃、他の場合は４００℃で
あった。（１１１）配向膜であることはＸ線回折により
確認した。
膜厚は、その上に形成される誘電体下地層によって、次
の通りとした。
反ｍ　　　　　　　誘」［荘二ＬＩＪＬＯ，５μｎ＋　
　　　　　　　　　　　ＺｎＯ０，２μｍ　　　　　　
　　　　　Ａ　Ｉ　Ｎｏ、２μｍ　　　　　　　　　　
　Ｍ　ｇ　００．２μｍ　　　　　　　　　　　　Ｂｅ
０Ｏ，２μｏ　　　　　　　Ｎｕ−Ｚｎフェライト０．
２　　ｒｓ　　　　　　　Ｍｎ−Ｚｎフェライト（３）
誘電体下地層の作成 反射層の上にＤＣおよびＲＦマグネトロンスパッタリン
グ法により、以下の条件でＺｎ０（膜厚０．１〜０．５
ｐｍ）　、　Ａ　Ｉ　Ｎ（膜厚０．１−０．２μｍ）　
ｔ　Ｍ　ｇ　Ｏ（膜厚０．０２〜１゜Ｏμ耐Ｂ　ｅ　Ｏ
、Ｎｉ−ＺｎあるいはＭｎ−Ｚｎフェライト膜を形成し
た。ＺｎＯ，ＢｅＯおよびＡＩＮの場合は反射層金属の
（１１１）面上に、六方晶Ｃ面。
つまり（００２）面が優先配向し、また、ＭｇＯ。
Ｎｉ−ＺｎまたはＭｎ−Ｚｎフェライトの場合は（１１
１）面が優先配向した。
（ｉ）　　ＺｎＯ，ＭｇＯ，ＢｅＯ ターゲット：　ＺｎＯ，ＭｇＯ，Ｂｅ○膜厚：０．１μ
ｍ 放電型カニ　４００Ｖ　、　０．３５Ａ基板温度：３０
０℃ 導入ガス圧：　２．ＯＸ　１０−２丁ｏｒｒ導入ガス：
０２：　Ａｒ＝１　：　１ （ｉｉ）　　ＡＩＮ ターゲット：Ａ１ 膜厚：　０．２０μｍ 放電型カニ　４００Ｖ　、　０．５ＯＡ基板温度＝３５
０℃ 導入ガス圧：　１．０Ｘ１０−３Ｔｏｒｒ導入ガス：Ａ
ｒ：Ｎ２＝２：１ （ｉｉｉ）　　Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍ　ｎ　−Ｚ　
ｎフェライト ターゲット：　Ｎ　ｉ　−Ｚ　ｎまたはＭ　ｎ　−Ｚ　
ｎフェライト 膜厚：０．２μｍ 放電型カニ　１２０Ｗ 基板温度：３００℃ 導入ガス圧：　６．０Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ導入ガス：　
Ｏｚ　：　Ａ　ｒ　”　１　：　１（４）磁性層の形成 焼結により、以下の組成のターゲット（３００Ｘ　ｔｏ
ｏ　Ｘ　５　ｍｍ）を作成し、対向ターゲットスパッタ
により磁性層を形成した。
（ｉ）　　ターゲット組成 Ｎα成 Ｔ−Ｉ　　　　Ｂａ０・６（Ｆｅ１，９゜Ｇｏ。、、Ｔ
ｉｏ、ｏ５０．）Ｔ−２Ｂａ０・６（Ｆｅ、ｓ、Ｇａｏ
２．Ｔｉ、、、Ｏ，）Ｔ−３Ｂａ０・６（Ｆｅ、□、Ｃ
ｏｏ、５Ｔｉｎ、、５０３）Ｔ−４Ｂａ０・６（Ｆｅｔ
ｓｏＣｏ６．ｏｓＴｉｏ、ａｓＯＪＴ−ｓ　　　　Ｂａ
Ｏ’　６　（Ｆｅ１７ｇ　Ｃ０６１５ｒ、ＬＯ，ｉ　Ｈ
０３）Ｔ−６Ｂａ（１６（Ｆｅｎ、ｓ、Ｃｏ、、□Ｔｉ
ｏ、、Ｇａｏ、ｔｇＯａ）Ｔ−７Ｂａ０・６［Ｆｅｎ、
ｔｏＣＯｏ、ｏｓＴｌｏ、ｏｓＡｌｏ、ｚＯｉ］ＴＪ　
　　　Ｓｒ０　・６　（Ｆｅｚ、ｅ　ｏ　Ｃｏ、、Ｔ１
０１ｏ３）ＴＪ　　　　Ｐｂ０　・６　（Ｆｅｔ、ｉ　
ｏ　ＧＯｏ、２　ＴＩｏ、２０ａ　）Ｔ−１０ＢａＱｓ
ＬａＯ，ｓＯ”６（Ｆｅ１．１２ＧＯ，、、Ｑ８０３）
Ｔ−１１Ｂａｏ２．Ｌａ、、ｚｓＯ’６（Ｆｅ１．５ｓ
ｃｏ。ｏ４０ｚ）Ｔ−１２Ｌａ０・６（Ｆｅ　　Ｃｏ　
　０（ｉｉ）　　スパッタ条件 膜厚：０．２〜０．３μｍ 放電型カニ　４００Ｖ　、　０．２Ａ 基基板塵：５５０〜７００℃ 導入ガス圧：　２　Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒ導入ガス：０
２：Ａｒ＝１：６〜１；１以上のようにして得られた記
録媒体についての測定結果を第３表に示した。
また、これらの光記録媒体を一方向に磁化させ、この磁
化方向とは逆に５０００　ｅの磁界を印加しながら出力
２０＋＋Ｉ＋ｌのレーザー光を、記録媒体表面での強度
１０ｍＶ、周波数ＩＭＨｚのパルスで照射反転せしめ記
録したところ、いずれもビット１．５μＩの記録ビット
が形成された。
（以下余白）
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の光記録媒体の構成例を示す断面図であ
る。 １１・・・基　　　　板　　　１３・・・反　射　層１
５・・・誘電体下地層　　　１７・・・磁　性　層１９
・・・保　護　板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、基板上に反射層、誘電体下地層および六方晶金属酸
    化物磁性層が順次積層され、前記反射層とその上に形成
    された誘電体下地層との結晶ミスフィットが±３０％以
    内であり、かつ、前記誘導体下地層とその上に形成され
    た六方晶金属酸化物磁性層との結晶ミスフィットが±３
    ０％以内であることを特徴とする光磁気記録媒体。
JP61052113A 1985-03-11 1986-03-10 光磁気記録媒体 Pending JPS6231051A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01215930A (ja) * 1988-02-24 1989-08-29 Kobe Steel Ltd 薄鋼板の連続焼鈍方法
US5391431A (en) * 1992-02-28 1995-02-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magneto-optical recording medium

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0740380B2 (ja) * 1985-11-19 1995-05-01 株式会社リコー 光磁気記録材料
JPS62284085A (ja) * 1986-02-14 1987-12-09 Ricoh Co Ltd ヘキサゴナルフエライト膜の製造方法および磁気記録媒体
JPS6391847A (ja) * 1986-10-03 1988-04-22 Ricoh Co Ltd 光磁気記録媒体
US4883710A (en) * 1986-10-28 1989-11-28 Ricoh Company, Ltd. Magneto-optical recording medium
US4874664A (en) * 1986-11-21 1989-10-17 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Birefringent plate and manufacturing method for the same
US4877690A (en) * 1989-03-01 1989-10-31 Eastman Kodak Company Magnetooptical recording element
PL285286A1 (en) * 1989-05-23 1991-01-28 Mitsui Petrochemical Ind Informating recording medium
JPH03219450A (ja) * 1989-11-13 1991-09-26 Hitachi Maxell Ltd 光磁気記録媒体
US5082749A (en) * 1990-03-15 1992-01-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Platinum or palladium/cobalt multilayer on a zinc oxide or indium oxide layer for magneto-optical recording
CA2039251A1 (en) * 1990-03-29 1991-09-30 Kiyotaka Shindo Magneto-optical recording media
CH683188A5 (de) † 1991-01-11 1994-01-31 Alusuisse Lonza Services Ag Aluminiumoberflächen.
EP0713598A1 (en) * 1994-06-09 1996-05-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magneto-optical recording medium
US6025205A (en) * 1997-01-07 2000-02-15 Tong Yang Cement Corporation Apparatus and methods of forming preferred orientation-controlled platinum films using nitrogen
US6054331A (en) * 1997-01-15 2000-04-25 Tong Yang Cement Corporation Apparatus and methods of depositing a platinum film with anti-oxidizing function over a substrate
US6759137B1 (en) * 1998-08-28 2004-07-06 Centre National De La Recherche Scientifique, Inc. Opto-magnetic recording medium with a garnet ferrite recording layer, and opto-magnetic information recording/reproducing device
CN1405765A (zh) * 2001-09-10 2003-03-26 株式会社理光 光信息记录媒体及使用该记录媒体的信息记录方法
US7106680B2 (en) * 2002-05-10 2006-09-12 Ricoh Company, Ltd. Device and method for recording data to optical disk using multi-pulse to enhance power pulse
JP2005276364A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Toshiba Corp 磁気記録媒体及びその製造法、並びにそれを用いた磁気記録再生装置
US7488701B2 (en) 2004-03-29 2009-02-10 Ricoh Company, Ltd. Optical information recording medium, manufacturing method thereof and image processing method
CN100434569C (zh) * 2005-10-14 2008-11-19 首都师范大学 一种环保的活塞环表面改性方法
FR3009723B1 (fr) * 2013-08-16 2015-08-28 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une couche texturee d'oxyde de fer spinelle
KR20160019253A (ko) * 2014-08-11 2016-02-19 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5945644A (ja) * 1982-09-07 1984-03-14 Ricoh Co Ltd 光磁気記録媒体
JPS59151339A (ja) * 1983-02-16 1984-08-29 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気記録用フエライト磁性体とその製法
JPS59168950A (ja) * 1983-03-17 1984-09-22 Ricoh Co Ltd 光磁気記録媒体
JPS59188106A (ja) * 1983-04-08 1984-10-25 Ricoh Co Ltd 光磁気記録媒体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01215930A (ja) * 1988-02-24 1989-08-29 Kobe Steel Ltd 薄鋼板の連続焼鈍方法
US5391431A (en) * 1992-02-28 1995-02-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magneto-optical recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
DE3608021A1 (de) 1986-09-11
DE3608021C2 (ja) 1988-11-17
GB8605905D0 (en) 1986-04-16
GB2173964A (en) 1986-10-22
US4690861A (en) 1987-09-01
GB2173964B (en) 1988-11-16

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