JPS6231119A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS6231119A JPS6231119A JP60171321A JP17132185A JPS6231119A JP S6231119 A JPS6231119 A JP S6231119A JP 60171321 A JP60171321 A JP 60171321A JP 17132185 A JP17132185 A JP 17132185A JP S6231119 A JPS6231119 A JP S6231119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- exposure
- time
- current density
- system clock
- Prior art date
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- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、電子ビーム露光方法において、電子ビーム
電流密度の変動に対する露光量の補正を、システムクロ
ック周期を一定とし、ブランキング時間の増減で行うこ
とにより、 全システムを一定のクロック周期で動作させ、その安定
性、能力を向上するものである。
電流密度の変動に対する露光量の補正を、システムクロ
ック周期を一定とし、ブランキング時間の増減で行うこ
とにより、 全システムを一定のクロック周期で動作させ、その安定
性、能力を向上するものである。
本発明は電子ビーム露光方法にかかり、その安定性、能
力を向上するシステム制御方法の改善に関する。
力を向上するシステム制御方法の改善に関する。
半導体集積回路装置（以下ＩＣと略称する）等の微細で
高密度のパターンを実現する微細加工技術は、レジスト
をパターニングする技術と、このレジストパターンをマ
スクとして半導体基体等をエツチングする技術との複合
技術である。
高密度のパターンを実現する微細加工技術は、レジスト
をパターニングする技術と、このレジストパターンをマ
スクとして半導体基体等をエツチングする技術との複合
技術である。
レジストをバターニングするための露光方法として、電
子ビーム露光方法は単に高解像力であるのみならず、パ
ターンジェネレータの機能を備えかつ製作時間が短縮さ
れる利点を有し、ＩＣ等のレチクルマスク、マスターマ
スク及びウェーハ直接描画の何れにも適用されるが、そ
のシステムの一層の改善が要望されている。
子ビーム露光方法は単に高解像力であるのみならず、パ
ターンジェネレータの機能を備えかつ製作時間が短縮さ
れる利点を有し、ＩＣ等のレチクルマスク、マスターマ
スク及びウェーハ直接描画の何れにも適用されるが、そ
のシステムの一層の改善が要望されている。
ＩＣ等の各パターンの設計データに基づく電子ビーム露
光処理は、例えば第２図に示すブロック図の如〈実施さ
れる。
光処理は、例えば第２図に示すブロック図の如〈実施さ
れる。
すなわち、磁気ディスク１１に記録された設計データは
プロセ・７す１２によってバッファメモリ１３に移され
、パターンゼネレータ１４において露光処理単位とする
通常は矩形の画素の組合せに分解される。この分解され
た各画素のデータに補正演算回路１５においてパターン
の歪の発生を除去するための座標変換が行われて、各画
素の座標を決定する主偏向、副偏向及び矩形の辺長を決
定するビーム成形偏向の１組のデータが決定される。
プロセ・７す１２によってバッファメモリ１３に移され
、パターンゼネレータ１４において露光処理単位とする
通常は矩形の画素の組合せに分解される。この分解され
た各画素のデータに補正演算回路１５においてパターン
の歪の発生を除去するための座標変換が行われて、各画
素の座標を決定する主偏向、副偏向及び矩形の辺長を決
定するビーム成形偏向の１組のデータが決定される。
ついでこれらのデータはそれぞれドライバ１６、レシー
バ１７により移送され、う・７チング回路１８を介して
デジタル／アナログコンバータ１９でアナログ信号に変
換される。アナログ化された信号は増幅器２０で増幅さ
れ、主偏向器２１ａ、副偏向器２１ｂ及びビーム成形偏
向器２１ｃにそれぞれ入力される。
バ１７により移送され、う・７チング回路１８を介して
デジタル／アナログコンバータ１９でアナログ信号に変
換される。アナログ化された信号は増幅器２０で増幅さ
れ、主偏向器２１ａ、副偏向器２１ｂ及びビーム成形偏
向器２１ｃにそれぞれ入力される。
半導体装置のウェーハ直接露光において、通常電子ビー
ムは主偏向器２１ａにより例えば１辺１００μｍの正方
形のサブフィールドの中心に偏向され、この中心を基準
として副偏向器２１ｂによりサブフィールド内の照射位
置に偏向される。なお、偏向信号が入力されて過渡現象
が収束す・るまでの出力整定時間には、ブランキング電
極２３によって電子ビームが阻止されており、ブランキ
ング信号の解除により電子ビーム露光が開始される。
ムは主偏向器２１ａにより例えば１辺１００μｍの正方
形のサブフィールドの中心に偏向され、この中心を基準
として副偏向器２１ｂによりサブフィールド内の照射位
置に偏向される。なお、偏向信号が入力されて過渡現象
が収束す・るまでの出力整定時間には、ブランキング電
極２３によって電子ビームが阻止されており、ブランキ
ング信号の解除により電子ビーム露光が開始される。
電子ビームの必要な露光量はレジストの感度、厚さ等で
定まるが、これを実現するには露光Ｍｌ （Ｃ／ｃｍ”
） ＝電流密度（Ａ／ｃｍ”） Ｘ露光時間（ｓｅｃ）
の関係により、設定した電流密度について露光時間を求
めている。電流密度は必要な露光量に即して設定される
が、電子光学系の軸ずれ、汚れ等による若干の変動を生
ずるために、電流密度を定期的に測定して変動を吸収し
ている。
定まるが、これを実現するには露光Ｍｌ （Ｃ／ｃｍ”
） ＝電流密度（Ａ／ｃｍ”） Ｘ露光時間（ｓｅｃ）
の関係により、設定した電流密度について露光時間を求
めている。電流密度は必要な露光量に即して設定される
が、電子光学系の軸ずれ、汚れ等による若干の変動を生
ずるために、電流密度を定期的に測定して変動を吸収し
ている。
すなわち例えば必要な露光量がＩ Ｘ １Ｏ−５Ｃ／ｃ
ｍ”で、電流密度を１０．ＯＡ／ｃｍ”に設定した場合
の露光時間Ｔ、。は、 Ｔｓｏ＝ Ｉ Ｘ１０−’／１０＝１．０ＯＸ１０−６
ｓｅｃであるが、電流密度が９．９Ａ／ａｍ”に変動し
た場合に。
ｍ”で、電流密度を１０．ＯＡ／ｃｍ”に設定した場合
の露光時間Ｔ、。は、 Ｔｓｏ＝ Ｉ Ｘ１０−’／１０＝１．０ＯＸ１０−６
ｓｅｃであるが、電流密度が９．９Ａ／ａｍ”に変動し
た場合に。
は、露光時間Ｔ３を、
Ｔｓ ＝ Ｉ Ｘｌ０−’／９．９″、１．０１ Ｘ
１Ｏ−６ｓｅｃに８周整する。
１Ｏ−６ｓｅｃに８周整する。
第３図（ａｌ、（ｂｌに示す如く、この露光時間Ｔ３と
ブランキング電極２３によって電子ビームが阻止される
ブランキング時間ＴＢＯ（従来予め選択した一定値とし
ている）とが交互に循環し、この露光時間Ｔ、とブラン
キング時間Ｔ”ａｏとの和Ｔがシステムクロックの周期
である。
ブランキング電極２３によって電子ビームが阻止される
ブランキング時間ＴＢＯ（従来予め選択した一定値とし
ている）とが交互に循環し、この露光時間Ｔ、とブラン
キング時間Ｔ”ａｏとの和Ｔがシステムクロックの周期
である。
この周期Ｔのシステムクロックはシステムクロック発生
器２から、ブランキング時間ＴＢＯはシステムクロック
に同期してブランキング時間発生器３から、それぞれ主
クロツクパルス（主クロツク発生器１で与える）に基づ
いて送出される。
器２から、ブランキング時間ＴＢＯはシステムクロック
に同期してブランキング時間発生器３から、それぞれ主
クロツクパルス（主クロツク発生器１で与える）に基づ
いて送出される。
先に説明した全システムの動作はシステムクロックパル
スに従って進行し、その周期Ｔが電子ビーム露光の基本
的な周期となっている。
スに従って進行し、その周期Ｔが電子ビーム露光の基本
的な周期となっている。
従来の電子ビーム露光方法においては、露光時間Ｔ、の
増減によりシステムクロック周′＃Ｊ４’１’がそのま
ま増減する。
増減によりシステムクロック周′＃Ｊ４’１’がそのま
ま増減する。
電子ビーム露光処理では先に説明した如き多段階のデー
タ処理、転送がこのシステムクロックに従って行われて
おり、全システムのクロック周期が変動するために制御
系が複雑化するのみならず、データの誤りを発生する確
率が大きくなっている。
タ処理、転送がこのシステムクロックに従って行われて
おり、全システムのクロック周期が変動するために制御
系が複雑化するのみならず、データの誤りを発生する確
率が大きくなっている。
パターンの微細化を推進し、同時に集積度の増大、スル
ープットの向上など露光システムの能力を向上するため
に、システム制御の基本にかかわるこの問題の解決が強
く要望されている。
ープットの向上など露光システムの能力を向上するため
に、システム制御の基本にかかわるこの問題の解決が強
く要望されている。
前記問題点は、電子ビーム電流密度の変動に対する露光
量の補正を露光時間の調整によって行うに際して、シス
テムクロック周期を一定値に保持し、電子ビームブラン
キング時間の増減により該調整を行う本発明による電子
ビーム露光方法により解決される。
量の補正を露光時間の調整によって行うに際して、シス
テムクロック周期を一定値に保持し、電子ビームブラン
キング時間の増減により該調整を行う本発明による電子
ビーム露光方法により解決される。
本発明によれば、電子ビーム電流密度の変動に対する露
光量の補正を従来と同様に露光時間の増減によって行う
が、露光時間とブランキング時間との和であるシステム
クロック周期を一定値に保持し、電子ビームブランキン
グ時間を増減する。
光量の補正を従来と同様に露光時間の増減によって行う
が、露光時間とブランキング時間との和であるシステム
クロック周期を一定値に保持し、電子ビームブランキン
グ時間を増減する。
電子ビーム電流密度の変動はさほど大きくはなく通常数
％程度に止まり、電子ビームブランキング時間をこの程
度増減しても特に問題を生じない。
％程度に止まり、電子ビームブランキング時間をこの程
度増減しても特に問題を生じない。
本発明により一連の露光処理を一定周期のシステムクロ
ックで動作させることが可能となり、先に述べた如き問
題に対して大きい効果が得られる。
ックで動作させることが可能となり、先に述べた如き問
題に対して大きい効果が得られる。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
例えば必要な露光量がＩ Ｘ １Ｏ−ＳＣ７ｃｍ”で電
流密度を１０．０＾／ｃｍ”に設定した場合に、基準の
露光時間Ｔ、。＝１．ＯＯμｓｅｃとなり、電子ビーム
ブランキング時間Ｔｉ＋ｏ＝０．３０μＳｅＣとすれば
、システムクロック周期Ｔ０は第１図（ａｌに示す如く
、Ｔｏ＝Ｔｓｏ＋Ｔｇｏ＝１．３０μｓｅｃとなる。
流密度を１０．０＾／ｃｍ”に設定した場合に、基準の
露光時間Ｔ、。＝１．ＯＯμｓｅｃとなり、電子ビーム
ブランキング時間Ｔｉ＋ｏ＝０．３０μＳｅＣとすれば
、システムクロック周期Ｔ０は第１図（ａｌに示す如く
、Ｔｏ＝Ｔｓｏ＋Ｔｇｏ＝１．３０μｓｅｃとなる。
この状態で開始した電子ビーム露光継続中に電流密度が
例えば９．９Ａ／ｃｍ”に変動した場合には、露光時間
をＴｓ ”１．０１μｓｅｃに調整することが必要とな
る。
例えば９．９Ａ／ｃｍ”に変動した場合には、露光時間
をＴｓ ”１．０１μｓｅｃに調整することが必要とな
る。
本発明によればシステムクロック周期Ｔ０は変更せず、
同図中）に示す如く電子ビームブランキング時間を’ｒ
Ｉ＝０．２９μｓｅｃに調整することにより、露光時間
Ｔ、を、 Ｔｓ＝ Ｔｏ −Ｔｍ＝１．３０−０．２９＝１．０１
μｓｅｃとする。
同図中）に示す如く電子ビームブランキング時間を’ｒ
Ｉ＝０．２９μｓｅｃに調整することにより、露光時間
Ｔ、を、 Ｔｓ＝ Ｔｏ −Ｔｍ＝１．３０−０．２９＝１．０１
μｓｅｃとする。
本実施例では、第２図のシステムクロックパルス発生回
路２は基準の露光時間Ｔ、。とブランキング時間Ｔ、。
路２は基準の露光時間Ｔ、。とブランキング時間Ｔ、。
との和の周期Ｔ０のクロックパルスを、例えば周＃Ｊ］
１０ｎｓｅｃの主クロツクパルス１３０個をカウントし
て発生し、一連の露光処理継続中この初期設定を変更し
ない。
１０ｎｓｅｃの主クロツクパルス１３０個をカウントし
て発生し、一連の露光処理継続中この初期設定を変更し
ない。
例えば前記の露光時間Ｔ、 ＝１．０１μｓｅｃは、ブ
ランキング時間発生器３に対してカウントする主クロツ
クパルス数を３０個から２９個とする命令を与えること
で容易に実現される。
ランキング時間発生器３に対してカウントする主クロツ
クパルス数を３０個から２９個とする命令を与えること
で容易に実現される。
以上説明した如く本発明によれば、電子ビーム露光にお
いて露光時間を調整してもシステムクロック周期は一定
値に保たれ、データ処理、転送などを含めて全システム
が一定のクロック周期で進行するために、制御系の安定
性が向上しデータの誤りの発生確率などが低減され、シ
ステムの能力が向上する。
いて露光時間を調整してもシステムクロック周期は一定
値に保たれ、データ処理、転送などを含めて全システム
が一定のクロック周期で進行するために、制御系の安定
性が向上しデータの誤りの発生確率などが低減され、シ
ステムの能力が向上する。
第１図は本発明の実施例のタイムチャート、第２図は電
子ビーム露光システムのブロック図、第３図は従来例の
タイムチャートである。 図において、 １は主クロツクパルス発生器、 ２はシステムクロックパルス発生器、 ３はブランキング時間発生器、 １１は磁気ディスク、 １２はプロセッサ、１３はバッ
ファメモリ、１４はパターンゼネレータ、１５は補正演
算回路、 １６はドライバ、１７はレシーバ、 １
８はラッチング回路、１９はデジタル／アナログコンバ
ータ、２０及び２２は増幅器、 ２１ａは主偏向器、２
１ｂは副偏向器、 ２１ｃはビーム成形偏向器、２
３はブランキング電極を示す。 第 １ 圀 戯亡辛（仔・１のタイＡ干イード 築 づ 圀
子ビーム露光システムのブロック図、第３図は従来例の
タイムチャートである。 図において、 １は主クロツクパルス発生器、 ２はシステムクロックパルス発生器、 ３はブランキング時間発生器、 １１は磁気ディスク、 １２はプロセッサ、１３はバッ
ファメモリ、１４はパターンゼネレータ、１５は補正演
算回路、 １６はドライバ、１７はレシーバ、 １
８はラッチング回路、１９はデジタル／アナログコンバ
ータ、２０及び２２は増幅器、 ２１ａは主偏向器、２
１ｂは副偏向器、 ２１ｃはビーム成形偏向器、２
３はブランキング電極を示す。 第 １ 圀 戯亡辛（仔・１のタイＡ干イード 築 づ 圀
Claims (1)
- 電子ビーム電流密度の変動に対する露光量の補正を露光
時間の調整によって行うに際して、システムクロック周
期を一定値に保持し、電子ビームブランキング時間の増
減により該調整を行うことを特徴とする電子ビーム露光
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171321A JPS6231119A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171321A JPS6231119A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6231119A true JPS6231119A (ja) | 1987-02-10 |
Family
ID=15921077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60171321A Pending JPS6231119A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6231119A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62125617A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-06 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
| JPH01278725A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-09 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光装置 |
| US5327247A (en) * | 1988-12-23 | 1994-07-05 | Rank Cintel Ltd. | Compensation of losses and defects in telecine devices |
| JP2010114437A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-20 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | 粒子ビーム描画方法、粒子ビーム描画装置、及びそのメンテナンス方法 |
| JP2020198427A (ja) * | 2019-05-03 | 2020-12-10 | アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー | マルチビーム描画機における露光スロットの持続時間の適合化 |
-
1985
- 1985-08-02 JP JP60171321A patent/JPS6231119A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62125617A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-06 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
| JPH01278725A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-09 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光装置 |
| US5327247A (en) * | 1988-12-23 | 1994-07-05 | Rank Cintel Ltd. | Compensation of losses and defects in telecine devices |
| JP2010114437A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-20 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | 粒子ビーム描画方法、粒子ビーム描画装置、及びそのメンテナンス方法 |
| JP2020198427A (ja) * | 2019-05-03 | 2020-12-10 | アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー | マルチビーム描画機における露光スロットの持続時間の適合化 |
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