JPS6233426A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS6233426A JPS6233426A JP60172878A JP17287885A JPS6233426A JP S6233426 A JPS6233426 A JP S6233426A JP 60172878 A JP60172878 A JP 60172878A JP 17287885 A JP17287885 A JP 17287885A JP S6233426 A JPS6233426 A JP S6233426A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- signal
- blanking
- detected
- deflector
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- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、電子ビーム露光方法において、偏向器に生
ずる過渡現象の収束を検知して電子ビームのブランキン
グを解除することにより、従来より待ち時間を短縮し、
スループントを向上するものである。
ずる過渡現象の収束を検知して電子ビームのブランキン
グを解除することにより、従来より待ち時間を短縮し、
スループントを向上するものである。
〔産業上の利用分野］
本発明は電子ビーム露光方法にかかり、偏向系に生ずる
過渡現象を避けるための待ち時間を短縮し、スループッ
トを向上する電子ビーム露光方法に関する。
過渡現象を避けるための待ち時間を短縮し、スループッ
トを向上する電子ビーム露光方法に関する。
電子ビーム露光方法は単に高解像力であるのみならず、
パターンジェネレータの機能を備えかつ製作時間が短縮
される利点を有し、半導体集積回路装置（以下ＩＣと略
称する）等のレチクルマスク、マスターマスク及びウェ
ーハ直接描画の何れにも適用されるが、そのスループッ
トの一層の向上が強く要望されている。
パターンジェネレータの機能を備えかつ製作時間が短縮
される利点を有し、半導体集積回路装置（以下ＩＣと略
称する）等のレチクルマスク、マスターマスク及びウェ
ーハ直接描画の何れにも適用されるが、そのスループッ
トの一層の向上が強く要望されている。
ＩＣ等の各パターンの設計データに基づく電子ビーム露
光処理は、例えば第３図に示すブロック図の如〈実施さ
れる。
光処理は、例えば第３図に示すブロック図の如〈実施さ
れる。
すなわち、磁気ディスク１１に記録された設計データは
プロセッサ１２によってハソファメモリ１３に移され、
パターンゼネレータ１４において露光処理単位とする通
常は矩形の画素の組合せに分解される。この分解された
各画素のデータに補正演算回路１５においてパターンの
歪の発生を除去するための座標変換が行われて、各画素
の座標を決定する主偏向、副偏向及び矩形の辺長を決定
するビーム成形偏向の１組のデータが決定される。
プロセッサ１２によってハソファメモリ１３に移され、
パターンゼネレータ１４において露光処理単位とする通
常は矩形の画素の組合せに分解される。この分解された
各画素のデータに補正演算回路１５においてパターンの
歪の発生を除去するための座標変換が行われて、各画素
の座標を決定する主偏向、副偏向及び矩形の辺長を決定
するビーム成形偏向の１組のデータが決定される。
ついでこれらのデータはそれぞれトライバ１６ａ。
ｂ、ｃ 、レシーバ１７ａ、ｂ、ｃにより移送され、ラ
ッチング回路１８ａ、ｂ、ｃを介してデジタル／アナロ
グコンバータ１９ａ、ｂ、ｃでアナログ信号に変換され
る。
ッチング回路１８ａ、ｂ、ｃを介してデジタル／アナロ
グコンバータ１９ａ、ｂ、ｃでアナログ信号に変換され
る。
アナログ化された信号は増幅器２０ａ、ｂ、ｃで増幅さ
れ、主偏向器２１ａ、副偏向器２１ｂ及びビーム成形偏
向器２１ｃにそれぞれ人力される。
れ、主偏向器２１ａ、副偏向器２１ｂ及びビーム成形偏
向器２１ｃにそれぞれ人力される。
この偏向器への入力に同期して、ブランキング電極２４
による電子ビームのブランキングが解除され、その成形
、偏向がこれらの偏向器２１ａ、 ｂ、 ｃで行われて
所要の露光が実施される。
による電子ビームのブランキングが解除され、その成形
、偏向がこれらの偏向器２１ａ、 ｂ、 ｃで行われて
所要の露光が実施される。
電子ビームは通常上述の如く、主偏向器２１ａにより例
えば１辺が１００μｍの正方形のサブフィールドの中心
に偏向され、この中心を基準として副偏向器２１ｂによ
りサブフィールド内の照射位置に偏向される。通常この
主偏向器２１ａは電磁偏向器、副偏向器２１ｂは静電偏
向器であり、これらは電気回路的にリアクタンスを含ん
で、偏向信号を入力したときに顕著な過渡現象を伴い、
或いは雑音の混入により過渡現象を含むレスポンスを生
ずる。
えば１辺が１００μｍの正方形のサブフィールドの中心
に偏向され、この中心を基準として副偏向器２１ｂによ
りサブフィールド内の照射位置に偏向される。通常この
主偏向器２１ａは電磁偏向器、副偏向器２１ｂは静電偏
向器であり、これらは電気回路的にリアクタンスを含ん
で、偏向信号を入力したときに顕著な過渡現象を伴い、
或いは雑音の混入により過渡現象を含むレスポンスを生
ずる。
偏向信号の入力から過渡現象が収束するまでの時間は出
力整定時間と呼ばれ、電子ビームのブランキングはその
経過を待って解除される。この出力整定時間は電子ビー
ム偏向位置移動量の大きさにより長短があるが、従来の
電子ビーム露光方法においては、このための待ち時間を
最長時間の一定値としている。
力整定時間と呼ばれ、電子ビームのブランキングはその
経過を待って解除される。この出力整定時間は電子ビー
ム偏向位置移動量の大きさにより長短があるが、従来の
電子ビーム露光方法においては、このための待ち時間を
最長時間の一定値としている。
電子ビーム露光に際して、偏向信号入力後などの過渡現
象の影響を排除することは当然に必要であるが、従来は
待ち時間を最長時間の一定値としているために、多くの
場合に出力整定後露光処理開始までの時間を損失してい
る。
象の影響を排除することは当然に必要であるが、従来は
待ち時間を最長時間の一定値としているために、多くの
場合に出力整定後露光処理開始までの時間を損失してい
る。
電子ビーム露光のスループ７）を向上することは、集積
度の大幅な増大を続けているＩＣの製造プロセスにおい
ては重要な問題であり、前記の時間損失についてもその
改善が強く要望されている。
度の大幅な増大を続けているＩＣの製造プロセスにおい
ては重要な問題であり、前記の時間損失についてもその
改善が強く要望されている。
前記問題点は、偏向器に偏向信号を入力したときに住す
る過渡現象の収束を検知して、電子ビームのブランキン
グを解除する本発明による電子ビーム露光方法により解
決される。
る過渡現象の収束を検知して、電子ビームのブランキン
グを解除する本発明による電子ビーム露光方法により解
決される。
なお前記過渡現象の収束の検知は、例えば偏向器の電流
又は電圧の微分係数の絶対値或いはピーク値と所定の基
準値とを比較するなど、従来から知られている回路技術
により容易に可能である。
又は電圧の微分係数の絶対値或いはピーク値と所定の基
準値とを比較するなど、従来から知られている回路技術
により容易に可能である。
本発明によれば、電子ビーム偏向器に偏向信号を入力し
たときに生ずる過渡現象を各偏向毎に検知し、電流又は
電圧に含まれる過渡現象成分が所定の基準値以下となれ
ば直ちに電子ビームのブランキングを解除し、その画素
の露光を実施する。
たときに生ずる過渡現象を各偏向毎に検知し、電流又は
電圧に含まれる過渡現象成分が所定の基準値以下となれ
ば直ちに電子ビームのブランキングを解除し、その画素
の露光を実施する。
これにより従来方法における過大な待ち時間による損失
が解消され、スループットの向上が実現される。
が解消され、スループットの向上が実現される。
（実施例〕
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第１図は本発明を副偏向系に適用した実施例のタイミン
グチャート、第２図は構成を示すブロック図である。
゛ 本実施例では第２図に示す如く、ブランキング制御系に
ブランキング信号発生回路２２Ｎ、増幅器２３、偏向電
極２４を、副偏向系にデジタル／アナログ変換器１９ｂ
、増幅器２０ｂ、偏向電極２１ｂを従来と同様に備える
が、微分回路１、ピーク値検出回路２及びレベル検出回
路３が新たに設けられており、ブランキング信号を停止
する動作が従来とは異なっている。
グチャート、第２図は構成を示すブロック図である。
゛ 本実施例では第２図に示す如く、ブランキング制御系に
ブランキング信号発生回路２２Ｎ、増幅器２３、偏向電
極２４を、副偏向系にデジタル／アナログ変換器１９ｂ
、増幅器２０ｂ、偏向電極２１ｂを従来と同様に備える
が、微分回路１、ピーク値検出回路２及びレベル検出回
路３が新たに設けられており、ブランキング信号を停止
する動作が従来とは異なっている。
すなわちデジタル／アナログ変換器１９ｂから副偏向信
号が出力されたとき（第１図（ａ））、副偏向電極２１
ｂの例えば電圧を検出しく第１図（ｂ））、微分回路ｌ
でこれを微分しく第１図（Ｃ））、ピーク値検出回路２
で適当な時定数のピーク値或いは絶対値を求めてレベル
検出回路３でこれを予め設定した許容基準値と比較しく
第１図（ｄ））、基準値以下となればブランキング信号
発生回路２２Ｎに信号を送り（第１図（ｅ））、副偏向
信号に同期して送出されているブランキング信号を解除
する（第１図（ｆ））。
号が出力されたとき（第１図（ａ））、副偏向電極２１
ｂの例えば電圧を検出しく第１図（ｂ））、微分回路ｌ
でこれを微分しく第１図（Ｃ））、ピーク値検出回路２
で適当な時定数のピーク値或いは絶対値を求めてレベル
検出回路３でこれを予め設定した許容基準値と比較しく
第１図（ｄ））、基準値以下となればブランキング信号
発生回路２２Ｎに信号を送り（第１図（ｅ））、副偏向
信号に同期して送出されているブランキング信号を解除
する（第１図（ｆ））。
本実施例では従来例えば３００μｓｅｃ程度に設定され
ていた待ち時間が、１００〜２００μｓｅｃ程度に短縮
され１．顕著な効果が実証されている。なお前記実施例
は静電偏向形の副偏向器を対象としているが、通常電磁
偏向形で待ち時間が大きい主偏向器についても同等基−
ヒの効果が得られる。
ていた待ち時間が、１００〜２００μｓｅｃ程度に短縮
され１．顕著な効果が実証されている。なお前記実施例
は静電偏向形の副偏向器を対象としているが、通常電磁
偏向形で待ち時間が大きい主偏向器についても同等基−
ヒの効果が得られる。
以上説明した如く本発明によれば、従来時間損失の大き
い要因であった偏向系の過渡現象のための待ち時間が短
縮されて効率が改善され、スループソｌ−が顕著に向上
する効果が得られる。
い要因であった偏向系の過渡現象のための待ち時間が短
縮されて効率が改善され、スループソｌ−が顕著に向上
する効果が得られる。
第１図は本発明の実施例のタイミングチャート、第２図
は本発明の実施例のブロック図、第３図は従来の電子ビ
ーム露光システムのブロック図である。 図において、 ■は微分回路、 ２はピーク値検出回路、 ３はレベル検出回路、 １９ｂはデジタル／アナログ変換器、 ２０ｂ及び２３は増幅器、 ２１ｂ及び２４は偏向電極、 ２２Ｎはブランキング信号発生回路を示す。 彰も り」つタイｚ′／フナヤーＹ
は本発明の実施例のブロック図、第３図は従来の電子ビ
ーム露光システムのブロック図である。 図において、 ■は微分回路、 ２はピーク値検出回路、 ３はレベル検出回路、 １９ｂはデジタル／アナログ変換器、 ２０ｂ及び２３は増幅器、 ２１ｂ及び２４は偏向電極、 ２２Ｎはブランキング信号発生回路を示す。 彰も り」つタイｚ′／フナヤーＹ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）偏向器に偏向信号を入力したときに生ずる過渡現象
の収束を検知して、電子ビームのブランキングを解除す
ることを特徴とする電子ビーム露光方法。 ２）前記過渡現象の収束の検知を、該偏向器の電流又は
電圧の微分係数の絶対値或いはピーク値と、所定の基準
値とを比較することにより行うことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172878A JPS6233426A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172878A JPS6233426A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233426A true JPS6233426A (ja) | 1987-02-13 |
Family
ID=15949980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60172878A Pending JPS6233426A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233426A (ja) |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP60172878A patent/JPS6233426A/ja active Pending
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