JPS6231131A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents
ワイヤボンデイング方法Info
- Publication number
- JPS6231131A JPS6231131A JP60168543A JP16854385A JPS6231131A JP S6231131 A JPS6231131 A JP S6231131A JP 60168543 A JP60168543 A JP 60168543A JP 16854385 A JP16854385 A JP 16854385A JP S6231131 A JPS6231131 A JP S6231131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- lead frame
- state
- tool
- capillary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/019—Manufacture or treatment of bond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07521—Aligning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07531—Techniques
- H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
- H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07553—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/923—Bond pads having multiple stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ワイヤボンディング方法に関する。
[従来の技術1
従来、例えばIC,LSI等の製造は、リードフレーム
のアイランド部に半導体ペレットを装着し、次いで半導
体ペレットの電極部とリードフレームのリード端子とを
Au線等のワイヤによりワイヤボンディングすることで
行なっている。ワイヤボンディングの行なわれたリード
フレームは、該ポンディング部分に対して樹脂封止が行
なわれ、樹脂封止の行なわれたリードフレームは各チッ
プごとに切断し1分離される。この結果、複数の接続端
子を備えたチップ状のICまたはLSIが製造されるこ
ととなる。
のアイランド部に半導体ペレットを装着し、次いで半導
体ペレットの電極部とリードフレームのリード端子とを
Au線等のワイヤによりワイヤボンディングすることで
行なっている。ワイヤボンディングの行なわれたリード
フレームは、該ポンディング部分に対して樹脂封止が行
なわれ、樹脂封止の行なわれたリードフレームは各チッ
プごとに切断し1分離される。この結果、複数の接続端
子を備えたチップ状のICまたはLSIが製造されるこ
ととなる。
電極部およびリード端子の間のワイヤボンディングには
、例えば特公昭59−19483号に示すワイヤボンデ
ィング装置が用いられる。すなわち、ワイヤボンディン
グ装置を用いてのワイヤボンディングは、ボンディング
ツールに支持されるワイヤを、ペレットの電極部とテー
ブル上に載置され前記ペレットを装着するリードフレー
ムのリード端子のそれぞれに押付けて圧着し、該電極部
とリード端子の間をワイヤにより接続することにより行
なわれる。
、例えば特公昭59−19483号に示すワイヤボンデ
ィング装置が用いられる。すなわち、ワイヤボンディン
グ装置を用いてのワイヤボンディングは、ボンディング
ツールに支持されるワイヤを、ペレットの電極部とテー
ブル上に載置され前記ペレットを装着するリードフレー
ムのリード端子のそれぞれに押付けて圧着し、該電極部
とリード端子の間をワイヤにより接続することにより行
なわれる。
ところで、ワイヤの端部を電極部またはリード端子に対
してポンディングする際、該ワイヤの端部が確実に電極
部またはリード端子に圧着される必要がある。第8図(
A)〜(C:)は、それぞれワイヤ端部のペレットの電
極部に対する圧着状態を示す断面図である。このうち、
第8図(A)は、ボンディングツールによる適切な圧着
力の付与により、ワイヤ10の端部が加熱テーブルll
上のリードフレームに載置されたペレット13の電極部
14に確実に圧着される状態である。これに対して、ボ
ンディングツールにより、過大に圧着力が付与されると
第8図(B)に示すように、ワイヤ10の端部のツブシ
が過多となり、溶融される金属が電極部14以外の部分
、例えば配線パターン上に流出する恐れがある。さらに
、ボンディングツールによる圧着力の付与が不足すると
、第8図(C)に示すように、ワイヤ10の端部が、電
極部14に対して接合不良を生じる恐れがある。
してポンディングする際、該ワイヤの端部が確実に電極
部またはリード端子に圧着される必要がある。第8図(
A)〜(C:)は、それぞれワイヤ端部のペレットの電
極部に対する圧着状態を示す断面図である。このうち、
第8図(A)は、ボンディングツールによる適切な圧着
力の付与により、ワイヤ10の端部が加熱テーブルll
上のリードフレームに載置されたペレット13の電極部
14に確実に圧着される状態である。これに対して、ボ
ンディングツールにより、過大に圧着力が付与されると
第8図(B)に示すように、ワイヤ10の端部のツブシ
が過多となり、溶融される金属が電極部14以外の部分
、例えば配線パターン上に流出する恐れがある。さらに
、ボンディングツールによる圧着力の付与が不足すると
、第8図(C)に示すように、ワイヤ10の端部が、電
極部14に対して接合不良を生じる恐れがある。
第8図(C)に示すような接合不良状態が生じる場合と
して、加熱テーブル11に対するリードフレームの浮上
りがある。リードフレームの浮上りの原因としては、該
リードフレームの型抜きの際に生ずる曲がり、搬送途中
で生ずる曲がり等が考えられ、これらの曲がりにより、
リードフレームの全体が加熱テーブルより浮上る状態と
なる。
して、加熱テーブル11に対するリードフレームの浮上
りがある。リードフレームの浮上りの原因としては、該
リードフレームの型抜きの際に生ずる曲がり、搬送途中
で生ずる曲がり等が考えられ、これらの曲がりにより、
リードフレームの全体が加熱テーブルより浮上る状態と
なる。
すなわち、リードフレームに浮上りが生じると、ボンデ
ィングツールにより加えられる圧着力がワイヤの端部か
ら電極部あるいはリード端子に対して確実に伝達されな
かったり、加熱テーブルからの熱伝達が悪くなり、これ
によりワイヤ端部の接合不良が生ずることとなる。この
結果、ひどい場合には、ワイヤのはがれを起こし、製品
の歩留り低下、信頼性の低下につながることとなる。
ィングツールにより加えられる圧着力がワイヤの端部か
ら電極部あるいはリード端子に対して確実に伝達されな
かったり、加熱テーブルからの熱伝達が悪くなり、これ
によりワイヤ端部の接合不良が生ずることとなる。この
結果、ひどい場合には、ワイヤのはがれを起こし、製品
の歩留り低下、信頼性の低下につながることとなる。
[発明が解決しようとする問題点]
上記のような不具合を解消するものとして、従来例えば
特開昭59−227134号に示すようにリードフレー
ムを押え板によりテーブル上に押え付け、これにより、
リードフレームの浮上りを防止するものがある。
特開昭59−227134号に示すようにリードフレー
ムを押え板によりテーブル上に押え付け、これにより、
リードフレームの浮上りを防止するものがある。
しかしながら、押え板の押え付けのみにより、リードフ
レームの浮上りを防止することは困難であり・これらリ
ードフレームの浮上りが生じるにもかかわらず、確実か
つ安定したワイヤ端部の圧着状態を確保するワイヤボン
ディング方法の開発が望まれている。
レームの浮上りを防止することは困難であり・これらリ
ードフレームの浮上りが生じるにもかかわらず、確実か
つ安定したワイヤ端部の圧着状態を確保するワイヤボン
ディング方法の開発が望まれている。
本発明は、ワイヤボンディングを確実かつ安定した状態
で行なうことを目的としている。
で行なうことを目的としている。
[問題点を解決するための手段]
上記目的を達成するために、本発明は、ボンディングツ
ールに支持されるワイヤを、ペレットの電極部とテーブ
ル上に載置され前記ペレットを装着するリードフレーム
のリード端子のそれぞれに押付けて圧着し、該電極部と
リード端子の間をワイヤにより接続するワイヤボンディ
ング方法において、テーブルに対するリードフレームの
浮上りを検出する手段と、上記浮上り状態に応じて、電
極部およびリード端子に対するワイヤの圧着力の付与状
態を調整する圧着調整手段を備えることとしている。
ールに支持されるワイヤを、ペレットの電極部とテーブ
ル上に載置され前記ペレットを装着するリードフレーム
のリード端子のそれぞれに押付けて圧着し、該電極部と
リード端子の間をワイヤにより接続するワイヤボンディ
ング方法において、テーブルに対するリードフレームの
浮上りを検出する手段と、上記浮上り状態に応じて、電
極部およびリード端子に対するワイヤの圧着力の付与状
態を調整する圧着調整手段を備えることとしている。
[作用]
本発明によれば、リードフレームの浮上り状態に応じて
ワイヤへの圧着力付与状態が変化されるので、電極部お
よびリード端子に対する安定したワイヤの圧着状態が得
られることとなる。これにより、ワイヤボンディングを
確実かつ安定した状態で行なうことが可能となる。
ワイヤへの圧着力付与状態が変化されるので、電極部お
よびリード端子に対する安定したワイヤの圧着状態が得
られることとなる。これにより、ワイヤボンディングを
確実かつ安定した状態で行なうことが可能となる。
[実施例]
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1実施例に係るワイヤボンディング
装置を示す断面図、第2図はワイヤボンディング装置に
より、ワイヤボンディングする状態を示す斜視図、第3
図は同平面図、第4図は第1図の要部回路図、第5図(
A)はボンディングツールとしてのキャピラリの駆動変
位状態を示す状態図、第5図(B)はポンディングが正
常に行なわれている場合、第5図(C)はキャピラリが
無負荷状態の場合のそれぞれの電流波形を示す波形図、
第6図(A)〜(C)は電流波形とワイヤの押付は荷重
の関係を示す線図である。
装置を示す断面図、第2図はワイヤボンディング装置に
より、ワイヤボンディングする状態を示す斜視図、第3
図は同平面図、第4図は第1図の要部回路図、第5図(
A)はボンディングツールとしてのキャピラリの駆動変
位状態を示す状態図、第5図(B)はポンディングが正
常に行なわれている場合、第5図(C)はキャピラリが
無負荷状態の場合のそれぞれの電流波形を示す波形図、
第6図(A)〜(C)は電流波形とワイヤの押付は荷重
の関係を示す線図である。
ワイヤボンディング装置20は、加熱テーブル21の上
面に第2図に示すICリードフレーム22を順次供給し
、載置可能としている。載置されるICリードフレーム
22は、中心部分にアイランド部23を備えてなり、該
アイランド部23には、略正方形状の半導体ペレット2
4が装着されてなる。半導体ペレット24の周部には、
複数の電極部25が備えらえ、一方ICリードフレーム
22には、上記電極部25と接続可能な複数のリード端
子26が備えられる。
面に第2図に示すICリードフレーム22を順次供給し
、載置可能としている。載置されるICリードフレーム
22は、中心部分にアイランド部23を備えてなり、該
アイランド部23には、略正方形状の半導体ペレット2
4が装着されてなる。半導体ペレット24の周部には、
複数の電極部25が備えらえ、一方ICリードフレーム
22には、上記電極部25と接続可能な複数のリード端
子26が備えられる。
加熱テーブル21の内部にはヒータ27が収納され、該
ヒータ27はテーブル21の上面を加熱するようにして
いる。この結果、加熱テーブル21上のICリードフレ
ーム22は、ヒータ27により加熱されることとなり、
複数の電極部25およびリード端子26も同様に加熱さ
れることとなる。加熱テーブル21上に載置されるIC
リードフレーム22は、第3図に示す枠状の押え板28
によりテーブル21の上面に押付けられる状態となり、
半導体ペレット24および各リード端子26が枠状の押
え板28の内部に配置される状態となる。
ヒータ27はテーブル21の上面を加熱するようにして
いる。この結果、加熱テーブル21上のICリードフレ
ーム22は、ヒータ27により加熱されることとなり、
複数の電極部25およびリード端子26も同様に加熱さ
れることとなる。加熱テーブル21上に載置されるIC
リードフレーム22は、第3図に示す枠状の押え板28
によりテーブル21の上面に押付けられる状態となり、
半導体ペレット24および各リード端子26が枠状の押
え板28の内部に配置される状態となる。
加熱テーブル21の上方には、ポンディング装置本体2
9が配設され、該装置本体29は、xYテーブル30の
駆動により、XY方向に移動可能とされる。装置本体2
9は支持台31を備えてなり、該支持台31には、ツー
ルリフターアーム32が配設される。ツールリフターア
ーム32は軸部33を中心とし、リニアモータ34に駆
動されて上下方向〔A方向〕に揺動自在に支持されてい
る。このリニアモータ34は装置本体29に配設される
電磁石35と上記ツールリフターアーム32の下面に下
向きに取付けられ、上記電磁石35のギャップ36の間
を上下方向に揺動する可動輪37とから構成されている
。
9が配設され、該装置本体29は、xYテーブル30の
駆動により、XY方向に移動可能とされる。装置本体2
9は支持台31を備えてなり、該支持台31には、ツー
ルリフターアーム32が配設される。ツールリフターア
ーム32は軸部33を中心とし、リニアモータ34に駆
動されて上下方向〔A方向〕に揺動自在に支持されてい
る。このリニアモータ34は装置本体29に配設される
電磁石35と上記ツールリフターアーム32の下面に下
向きに取付けられ、上記電磁石35のギャップ36の間
を上下方向に揺動する可動輪37とから構成されている
。
ツールリフターアーム32の下方には、ツールアーム3
8が配設され、該ツールアーム(本実施例においてはホ
ーンとして働く)38の先端部には、ボンディングツー
ルとしてのキャピラリ40が配設される。キャピラリ4
0は、スプール41に巻回されるAu線等からなるワイ
ヤ42を挿通可能とし、該ワイヤ42を先端部側に送り
出すようにしている。ツールアーム38の基端側は、ア
ームホルダ43に保持され、該アームホルダ43は、板
ばね44を介してツールリフターアーム32の下部に取
着される。これにより、ツールアーム38もツールリフ
ターアーム32の揺動に伴ない矢示A方向に揺動可能と
される。
8が配設され、該ツールアーム(本実施例においてはホ
ーンとして働く)38の先端部には、ボンディングツー
ルとしてのキャピラリ40が配設される。キャピラリ4
0は、スプール41に巻回されるAu線等からなるワイ
ヤ42を挿通可能とし、該ワイヤ42を先端部側に送り
出すようにしている。ツールアーム38の基端側は、ア
ームホルダ43に保持され、該アームホルダ43は、板
ばね44を介してツールリフターアーム32の下部に取
着される。これにより、ツールアーム38もツールリフ
ターアーム32の揺動に伴ない矢示A方向に揺動可能と
される。
上記アームホルダ43はその一端が上方に延長され、そ
の上部には、初期張力調節装置45が設けられている。
の上部には、初期張力調節装置45が設けられている。
この初期張力調節装置45は、張力機構46とWR節機
構47を備えてなる。このうち、張力機構46は上記ア
ームホルダ43とこれ上に設けられたばね支柱48との
間に設けられるばね49とで構成される。一方、調節機
構47は、アームホルダ43とばね支柱48との間に配
設される。この調節機構47は先端部が球面状のねじ杆
50を不図示のばねにより常時その球面状の先端部を上
記アームホルダ43の内側に当接させるとともにナツト
51を前後方向に移動させることによりツールアーム3
8の初期張力を′tA!iするようになっている。
構47を備えてなる。このうち、張力機構46は上記ア
ームホルダ43とこれ上に設けられたばね支柱48との
間に設けられるばね49とで構成される。一方、調節機
構47は、アームホルダ43とばね支柱48との間に配
設される。この調節機構47は先端部が球面状のねじ杆
50を不図示のばねにより常時その球面状の先端部を上
記アームホルダ43の内側に当接させるとともにナツト
51を前後方向に移動させることによりツールアーム3
8の初期張力を′tA!iするようになっている。
ツールリフターアーム32の先端部には。
ギャップセンサ52がツールアーム38と対向する状態
で配設される。ギャップセンサ52は、ツールアーム3
8との間の間隔T1を常時検出可能とし、ギャップ検出
回路53は、間隔T1の変化を検出可能としている。す
なわち、ツールアーム38がA方向に揺動され、例えば
キャピラリ40の先端部と電極部25またはリード端子
26が接触すると間隔Tlが小さく変化されることとな
る。このような間隔T1の変化は、ギャップ検出回路5
3からポンダ制御手段54における中央処理装置55(
以下CPU55と称す)に出力される。
で配設される。ギャップセンサ52は、ツールアーム3
8との間の間隔T1を常時検出可能とし、ギャップ検出
回路53は、間隔T1の変化を検出可能としている。す
なわち、ツールアーム38がA方向に揺動され、例えば
キャピラリ40の先端部と電極部25またはリード端子
26が接触すると間隔Tlが小さく変化されることとな
る。このような間隔T1の変化は、ギャップ検出回路5
3からポンダ制御手段54における中央処理装置55(
以下CPU55と称す)に出力される。
一方、軸部33を中心に矢示A方向に揺動されるツール
リフターアーム32は、支持台31に配設されるエンコ
ーダ56によりその揺動角度θが常時検出可能とされる
。エンコーダ56にて検出される揺動角度θは、ツール
揺動位置検出回路57に出力される。ツール揺動位置検
出回路・57は、ツールアーム38の揺動角度θを常時
CPU55に出力可能としている。CPU55は、ギャ
ップ検出回路53より入力されるギャップTIの変化、
ツール揺動位置検出回路57より入力されるツールリフ
ターアーム32の揺動角度θに基づき、モータドライバ
58へ駆動制御信号を送信可能としている。すなわち、
CPU55は、所定の揺動量に基づく駆動制御信号を送
信することで、モータドライバ58の駆動量を制御可能
としている。リニアモータ34は、モータドライバ58
の駆動に基づき作動され、この結果、ツールリフターア
ーム32が所定の位置に揺動されることとなる。
リフターアーム32は、支持台31に配設されるエンコ
ーダ56によりその揺動角度θが常時検出可能とされる
。エンコーダ56にて検出される揺動角度θは、ツール
揺動位置検出回路57に出力される。ツール揺動位置検
出回路・57は、ツールアーム38の揺動角度θを常時
CPU55に出力可能としている。CPU55は、ギャ
ップ検出回路53より入力されるギャップTIの変化、
ツール揺動位置検出回路57より入力されるツールリフ
ターアーム32の揺動角度θに基づき、モータドライバ
58へ駆動制御信号を送信可能としている。すなわち、
CPU55は、所定の揺動量に基づく駆動制御信号を送
信することで、モータドライバ58の駆動量を制御可能
としている。リニアモータ34は、モータドライバ58
の駆動に基づき作動され、この結果、ツールリフターア
ーム32が所定の位置に揺動されることとなる。
先端にキャピラリ40を取着してなるツールリフターア
ーム(ホーン)38には、振動子としてのトランスジュ
ーサ60によって矢示Y方向に微振動が加えられ、トラ
ンスジューサ60は、超音波発振器61より出力される
駆動電流Pにより矢示Y方向に超音波振動を起こすよう
にしている。
ーム(ホーン)38には、振動子としてのトランスジュ
ーサ60によって矢示Y方向に微振動が加えられ、トラ
ンスジューサ60は、超音波発振器61より出力される
駆動電流Pにより矢示Y方向に超音波振動を起こすよう
にしている。
超音波発振器61は、ポンダ制御手段54におけるCP
U55によりその駆動が制御可能とされ。
U55によりその駆動が制御可能とされ。
例えばCPU55より発信される出力指令に基づき、8
0KHzの発振がスタートする。超音波発振器61では
80KHzの発振信号を電力増幅し、出カドランス62
を経てトランジューサ60を矢示Y方向に微振動させる
。出カドランス62の2次側には流れる電流を検出する
ための抵抗70が介在されており、その両端の電圧降下
から電流検出を行なう。
0KHzの発振がスタートする。超音波発振器61では
80KHzの発振信号を電力増幅し、出カドランス62
を経てトランジューサ60を矢示Y方向に微振動させる
。出カドランス62の2次側には流れる電流を検出する
ための抵抗70が介在されており、その両端の電圧降下
から電流検出を行なう。
なお、ツールアーム(ホーン)38およびキャピラリ4
0の振動振幅は上記電流とほぼ比例関係にあることは実
験よりわかっている。
0の振動振幅は上記電流とほぼ比例関係にあることは実
験よりわかっている。
出カドランス62の2次側回路に流れる電流はモニタリ
ング回路65を介して、CPU55に帰還される。すな
わち、電流信号Qは、先ず第4図に示すモニタリング回
路65に入力され、ダイオード66で整流される。整流
された電流信号Qは、抵抗67、コンデンサ68を経て
AD変換器69へ出力される。AD変換器69へ出力さ
れる電流信号Qは、積分された状態とされる。さらにA
D変換器69へ入力される電流信号Qは、デジタル化さ
れる状態でCPU55に出力される。なお、モニタリン
グ回路65中71はアースである。
ング回路65を介して、CPU55に帰還される。すな
わち、電流信号Qは、先ず第4図に示すモニタリング回
路65に入力され、ダイオード66で整流される。整流
された電流信号Qは、抵抗67、コンデンサ68を経て
AD変換器69へ出力される。AD変換器69へ出力さ
れる電流信号Qは、積分された状態とされる。さらにA
D変換器69へ入力される電流信号Qは、デジタル化さ
れる状態でCPU55に出力される。なお、モニタリン
グ回路65中71はアースである。
上記ワイヤボンディング装置20によるポンディング作
業は、先ずCPU55の指令に基づきxYテーブル駆動
制御部72を作動させ、XYテーブル30を所定量移動
させる。これにより、ツールアーム38の先端のキャピ
ラリ40を対応する電極部25の上方へ位置決めするこ
とが可能となる。この状態で次にCPU55よりモータ
ドライバ58に駆動制御信号を出力する。これにより、
リニアモータ34が駆動され、ツールリフターアーム3
2およびツールアーム38が下方へ揺動されることとな
る。ツールアー・ム38の揺動状態はツール揺動位置検
出回路57からCPU55ヘフイードバツクされる状態
となる。ツールアーム38の下方揺動により、キャピラ
リ4oの先端部が電極部25に接触される。この状態は
ギャップセンサ52で検出される。するとCPU55は
モータドライバ58への駆動信号の送信を停止し、キャ
ピラリ40の先端部が電極部25に接触される状態で停
止することとなる。この際、キャピラリ40の揺動停止
位置は圧着調整手段73により予め設定される。この結
果、揺動停止されるキャピラリ40の先端部により、規
定のポンディング荷重が電極部25に対して加えられる
こととなる。すなわち、規定のポンディング荷重は、キ
ャピラリ40が電極部25に接触してからさらにツール
リフターアーム32を揺動させ、ばね49の変形量を制
御することにより設定する。
業は、先ずCPU55の指令に基づきxYテーブル駆動
制御部72を作動させ、XYテーブル30を所定量移動
させる。これにより、ツールアーム38の先端のキャピ
ラリ40を対応する電極部25の上方へ位置決めするこ
とが可能となる。この状態で次にCPU55よりモータ
ドライバ58に駆動制御信号を出力する。これにより、
リニアモータ34が駆動され、ツールリフターアーム3
2およびツールアーム38が下方へ揺動されることとな
る。ツールアー・ム38の揺動状態はツール揺動位置検
出回路57からCPU55ヘフイードバツクされる状態
となる。ツールアーム38の下方揺動により、キャピラ
リ4oの先端部が電極部25に接触される。この状態は
ギャップセンサ52で検出される。するとCPU55は
モータドライバ58への駆動信号の送信を停止し、キャ
ピラリ40の先端部が電極部25に接触される状態で停
止することとなる。この際、キャピラリ40の揺動停止
位置は圧着調整手段73により予め設定される。この結
果、揺動停止されるキャピラリ40の先端部により、規
定のポンディング荷重が電極部25に対して加えられる
こととなる。すなわち、規定のポンディング荷重は、キ
ャピラリ40が電極部25に接触してからさらにツール
リフターアーム32を揺動させ、ばね49の変形量を制
御することにより設定する。
上記のようにして、キャピラリ40の先端部が電極部2
5に接触されると、CPU55は、超音波発振器61に
対し出力指令を行なうこととなる。
5に接触されると、CPU55は、超音波発振器61に
対し出力指令を行なうこととなる。
超音波発振器61は該出力指令に基づき、予め超音波出
力調整手段74により設定された所定の振幅値に係る駆
動電流Pを出力可能としている。この結果、トランスジ
ューサ60の超音波振動を介してツールアーム38が矢
示Y方向に微振動され、よってキャピラリ40の先端部
に保持されるワイヤ42も矢示Y方向に微振動されるこ
ととなる。ワイヤ42が微振動されると、ばね49の張
力を介し電極部25に圧着されるワイヤ42の端部が摩
擦され加熱される。ざらにヒータ27の加熱力と組合わ
されてワイヤ42の端部が溶融することとなる。これに
より、ワイヤ42の先端部が所定の電極部25に圧着さ
れることとなる。
力調整手段74により設定された所定の振幅値に係る駆
動電流Pを出力可能としている。この結果、トランスジ
ューサ60の超音波振動を介してツールアーム38が矢
示Y方向に微振動され、よってキャピラリ40の先端部
に保持されるワイヤ42も矢示Y方向に微振動されるこ
ととなる。ワイヤ42が微振動されると、ばね49の張
力を介し電極部25に圧着されるワイヤ42の端部が摩
擦され加熱される。ざらにヒータ27の加熱力と組合わ
されてワイヤ42の端部が溶融することとなる。これに
より、ワイヤ42の先端部が所定の電極部25に圧着さ
れることとなる。
ワイヤ42の一端部が電極部25に圧着されると、CP
U55の指令により、超音波発振器61より出力されて
いた駆動電流Pが停止される。これと同時にリニアモー
タ34の駆動により、ツールリフターアーム32および
ツールアーム38が上方に揺動されることとなる。ツー
ルアーム38が所定の上方位置に揺動されるとCPU5
5は、XYテーブル駆動制御部72を作動させ、XYテ
ーブル30はXY方向に所定量移動される。これにより
、ツールアーム38の先端のキャピラリ40が対応する
リード端子26の上方に位置決めされることとなる。こ
の状態でCPU55の指令に基づき、再びリニアモータ
34が作動され、ツールリフターアーム32およびツー
ルアーム38が下方へ揺動されることとなる。ツールア
ーム38の揺動によりキャピラリ40の先端部がリード
端子26に接触されると、この状態がギャップ検出回路
53からCPU55へ発信され、CPU55はリニアモ
ータ34を停止するようにする。なお、キャピラリ40
の揺動停止位置は、電極部25におけるポンディングで
説明したと同様、規定のポンディング荷重を加えること
のできるように圧着調整手段73により予め設定される
0次いでCPU55は、超音波発振器61に対し出力指
令を行なうこととなる。超音波発振器61は該出力指令
に基づき、所定の振幅値に係る駆動電流Pを出力可能と
している。この結果、トランスジューサ60の超音波振
動を介してツールアーム38が矢示Y方向に微振動され
る。よってキャピラリ40に保持されるワイヤ42も矢
示Y方向に微振動されることとなる。キャピラリ40に
保持されるワイヤ42が微振動されると、ばね49の張
力により、リード端子26に 圧着するワイヤ42がリ
ード端子26との間で摩擦される状態となる。摩擦され
るワイヤ42は、ヒータ27の加熱力と組合わされて溶
融され、これにより該ワイヤ42がリード端子26に圧
着されることとなる。この状態でキャピラリ40に保持
されるワイヤ42が該圧着部分で切断され、ワイヤ42
の一端部が電極部25に、他端部がリード端子26にそ
れぞれ圧着されることとなる。
U55の指令により、超音波発振器61より出力されて
いた駆動電流Pが停止される。これと同時にリニアモー
タ34の駆動により、ツールリフターアーム32および
ツールアーム38が上方に揺動されることとなる。ツー
ルアーム38が所定の上方位置に揺動されるとCPU5
5は、XYテーブル駆動制御部72を作動させ、XYテ
ーブル30はXY方向に所定量移動される。これにより
、ツールアーム38の先端のキャピラリ40が対応する
リード端子26の上方に位置決めされることとなる。こ
の状態でCPU55の指令に基づき、再びリニアモータ
34が作動され、ツールリフターアーム32およびツー
ルアーム38が下方へ揺動されることとなる。ツールア
ーム38の揺動によりキャピラリ40の先端部がリード
端子26に接触されると、この状態がギャップ検出回路
53からCPU55へ発信され、CPU55はリニアモ
ータ34を停止するようにする。なお、キャピラリ40
の揺動停止位置は、電極部25におけるポンディングで
説明したと同様、規定のポンディング荷重を加えること
のできるように圧着調整手段73により予め設定される
0次いでCPU55は、超音波発振器61に対し出力指
令を行なうこととなる。超音波発振器61は該出力指令
に基づき、所定の振幅値に係る駆動電流Pを出力可能と
している。この結果、トランスジューサ60の超音波振
動を介してツールアーム38が矢示Y方向に微振動され
る。よってキャピラリ40に保持されるワイヤ42も矢
示Y方向に微振動されることとなる。キャピラリ40に
保持されるワイヤ42が微振動されると、ばね49の張
力により、リード端子26に 圧着するワイヤ42がリ
ード端子26との間で摩擦される状態となる。摩擦され
るワイヤ42は、ヒータ27の加熱力と組合わされて溶
融され、これにより該ワイヤ42がリード端子26に圧
着されることとなる。この状態でキャピラリ40に保持
されるワイヤ42が該圧着部分で切断され、ワイヤ42
の一端部が電極部25に、他端部がリード端子26にそ
れぞれ圧着されることとなる。
このようにして、1つの電極部25と対応するリード端
子26がワイヤボンディングされると、CPU55の指
令により超音波発振器61より出力されていた駆動電流
Pの出力が停止され、これと同時にリニアモータ34の
駆動により°、ツールリフターアーム32およびツール
アーム38が所定の上方位置に揺動されることとな゛る
。
子26がワイヤボンディングされると、CPU55の指
令により超音波発振器61より出力されていた駆動電流
Pの出力が停止され、これと同時にリニアモータ34の
駆動により°、ツールリフターアーム32およびツール
アーム38が所定の上方位置に揺動されることとな゛る
。
上記1サイクルのワイヤボンディングの過程をキャピラ
リ40の先端部の高低変位状態で表わすと第5図(A)
に示す図で表わされる。この図中で、キャピラリ40の
先端部がツールアーム38の下降駆動により電極部25
に接触される時間領域がBlで、リード端子26に接触
される時間領域はB2でそれぞれ表わされる。また、各
時間領域B1およびB2に対応する超音波の発振時間領
域は、第5図(B)におけるCIおよびC2で表わされ
、該領域においてポンディングが正常に行なわれている
場合の電流信号Qの波形は第5図 “(B)に示される
。一方キャビラリ40がペレット24に接触していない
状態、すなわち無負荷状態では第5図(C)のような波
形が得られる0両波形を比較してみてわかることは、時
間領域Bl、およびB2のそれぞれで、第5図(B)に
示される波形が第5図(C)に示される波形より減衰さ
れており、また時間領域B1およびB2以外においても
、両波形の振幅R1、R2とそれぞれ対応する振幅S1
.B2とがは1C同じ値を示すことがある。これは、キ
ャピラリ40により、ワイヤ42を電極部25またはリ
ード端子26に摩擦し、圧着する際、キャピラリ40の
先端に負荷(機械的拘束力)がかかり、ツールアーム(
ホーン)38の共振状態が変化し、したがって電流、変
位とも小さくなるためである。
リ40の先端部の高低変位状態で表わすと第5図(A)
に示す図で表わされる。この図中で、キャピラリ40の
先端部がツールアーム38の下降駆動により電極部25
に接触される時間領域がBlで、リード端子26に接触
される時間領域はB2でそれぞれ表わされる。また、各
時間領域B1およびB2に対応する超音波の発振時間領
域は、第5図(B)におけるCIおよびC2で表わされ
、該領域においてポンディングが正常に行なわれている
場合の電流信号Qの波形は第5図 “(B)に示される
。一方キャビラリ40がペレット24に接触していない
状態、すなわち無負荷状態では第5図(C)のような波
形が得られる0両波形を比較してみてわかることは、時
間領域Bl、およびB2のそれぞれで、第5図(B)に
示される波形が第5図(C)に示される波形より減衰さ
れており、また時間領域B1およびB2以外においても
、両波形の振幅R1、R2とそれぞれ対応する振幅S1
.B2とがは1C同じ値を示すことがある。これは、キ
ャピラリ40により、ワイヤ42を電極部25またはリ
ード端子26に摩擦し、圧着する際、キャピラリ40の
先端に負荷(機械的拘束力)がかかり、ツールアーム(
ホーン)38の共振状態が変化し、したがって電流、変
位とも小さくなるためである。
次に、ICリードフレーム22のうちのリード端子26
の底部または、電極部25下方のリードフレーム22の
底部が第11ifflZ部に示すように加熱テーブル2
1に対して浮上っている場合について説明する。ICリ
ードフレーム22に上記のような浮上がりが生じている
と、ポンディングを行なう際、上記のことからモニタリ
ング回路65に第5図(C)に示す無負荷波形に近い電
流信号が入力されることとなる。これは、ワイヤ42を
電極部25およびリード端子26に圧着を行なう際、I
Cリードフレーム22に上記浮き上りが生じているため
であり、圧着の際の負荷抵抗が小さいことに起因する。
の底部または、電極部25下方のリードフレーム22の
底部が第11ifflZ部に示すように加熱テーブル2
1に対して浮上っている場合について説明する。ICリ
ードフレーム22に上記のような浮上がりが生じている
と、ポンディングを行なう際、上記のことからモニタリ
ング回路65に第5図(C)に示す無負荷波形に近い電
流信号が入力されることとなる。これは、ワイヤ42を
電極部25およびリード端子26に圧着を行なう際、I
Cリードフレーム22に上記浮き上りが生じているため
であり、圧着の際の負荷抵抗が小さいことに起因する。
すなわち、圧着の際に、駆動電流Pに基づき出力される
超音波振動エネルギーが、電極部25またはリード端子
26の負荷抵抗が小さいために減衰されない状態となる
ためである。このため、このままの状態でワイヤボンデ
ィングが行なわれるとワイヤ42の圧着不良を生じさせ
ることとなる。
超音波振動エネルギーが、電極部25またはリード端子
26の負荷抵抗が小さいために減衰されない状態となる
ためである。このため、このままの状態でワイヤボンデ
ィングが行なわれるとワイヤ42の圧着不良を生じさせ
ることとなる。
このようなことから、モニタリング回路65に入力され
る電流信号Qの振幅が、キャピラリ40が無負荷状態の
時の振幅S1.32と同じかまたはそれに近い一定値以
上とされると、CPU55がICリードフレーム22に
浮上りが生じているものと判断し、ポンダ制御手段54
の圧着調整手段73に制御信号Uが送信される。圧着調
整手段73は入力される制御信号Uに基づき、キャピラ
リ40先端による圧着力の付与状態を調整する。
る電流信号Qの振幅が、キャピラリ40が無負荷状態の
時の振幅S1.32と同じかまたはそれに近い一定値以
上とされると、CPU55がICリードフレーム22に
浮上りが生じているものと判断し、ポンダ制御手段54
の圧着調整手段73に制御信号Uが送信される。圧着調
整手段73は入力される制御信号Uに基づき、キャピラ
リ40先端による圧着力の付与状態を調整する。
この際、ICリードフレーム22の加熱テーブル21に
対する浮上り状態は、モニタリング回路65に入力され
る電流信号Qのうち、振幅値を検出することで行なわれ
、該検出は、時間領域B1およびB2のうちの最初の5
msの時点で検出される。すなわち、第6図(A)に示
す電流信号Qの入力波形は、モニタリング回路65のダ
イオード66で整流され、さらに抵抗67、コンデンサ
68を経ることにより第6図CB)で示す積分値で表わ
されることとなる。この積分値が一定のスライスレベル
Dを超えると、これらの状態がAD変換器69を介して
ポンダ制御手段54のCPU55へ出力され、CPU5
5がICリードフレーム22の浮上り状態を検出するこ
ととなる。このようにして、検出された浮上り状態は、
CPU55から圧着調整手段73へ出力される。圧着調
整手段73は、検出される浮上り状態に応じてモータド
ライバ58に所定の駆動信号を送信可能としている。こ
の結果、該駆動信号に基づきモータドライバ58がりニ
アモータ34の駆動量を調整し、ツールアーム38をさ
らに下方の揺動停止位置まで揺動させるようにする。し
たがって、電極部25またはリード端子26に対するワ
イヤ42の押付は荷重が第6図(C)に示すように増加
されることとなる。キャピラリ40によるワイヤ42の
押付は荷重が増加すると、加熱テーブル21に対するI
Cリードフレーム22の浮上り状態が解消される。これ
により第6図(C)に示す荷重Gを加えた領域に対応す
る積分値が第6図(B)に示すようにスライスレベルD
以下とされる状態となる。また第5図CD)および第6
図(A)に示す電流信号Qも第5図CB)に示す正常な
電流信号と同様な振幅状態を呈することとなる。したが
って、ワイヤ42と電極部25またはリード端子26と
の間で適正な摩擦状態が得られることとなり、ワイヤ4
2が各部に確実に圧着されることとなる。
対する浮上り状態は、モニタリング回路65に入力され
る電流信号Qのうち、振幅値を検出することで行なわれ
、該検出は、時間領域B1およびB2のうちの最初の5
msの時点で検出される。すなわち、第6図(A)に示
す電流信号Qの入力波形は、モニタリング回路65のダ
イオード66で整流され、さらに抵抗67、コンデンサ
68を経ることにより第6図CB)で示す積分値で表わ
されることとなる。この積分値が一定のスライスレベル
Dを超えると、これらの状態がAD変換器69を介して
ポンダ制御手段54のCPU55へ出力され、CPU5
5がICリードフレーム22の浮上り状態を検出するこ
ととなる。このようにして、検出された浮上り状態は、
CPU55から圧着調整手段73へ出力される。圧着調
整手段73は、検出される浮上り状態に応じてモータド
ライバ58に所定の駆動信号を送信可能としている。こ
の結果、該駆動信号に基づきモータドライバ58がりニ
アモータ34の駆動量を調整し、ツールアーム38をさ
らに下方の揺動停止位置まで揺動させるようにする。し
たがって、電極部25またはリード端子26に対するワ
イヤ42の押付は荷重が第6図(C)に示すように増加
されることとなる。キャピラリ40によるワイヤ42の
押付は荷重が増加すると、加熱テーブル21に対するI
Cリードフレーム22の浮上り状態が解消される。これ
により第6図(C)に示す荷重Gを加えた領域に対応す
る積分値が第6図(B)に示すようにスライスレベルD
以下とされる状態となる。また第5図CD)および第6
図(A)に示す電流信号Qも第5図CB)に示す正常な
電流信号と同様な振幅状態を呈することとなる。したが
って、ワイヤ42と電極部25またはリード端子26と
の間で適正な摩擦状態が得られることとなり、ワイヤ4
2が各部に確実に圧着されることとなる。
次に上記実施例の作用を説明する。
上記実施例に係るワイヤボンディング装置20によれば
、ICリードフレーム22の加熱テーブル21に対する
浮上り状態が、モニタリング回路65に入力される電流
信号Qの振幅状態に基づき、CPU55にて検出される
こととなる。この結果、該CPU55による浮上り状態
の検出に基づき、圧着調整整手段73が作動され、リニ
アモータ34の駆動調整により、ワイヤ42の押付は荷
重が増大されることとなる。したがって、ICリードフ
レーム22の浮上り状態が減少され、電極部25および
リード端子26に対する安定したワイヤ42の圧着状態
が得られることとなる。これによりワイヤボンディング
を確実かつ安定した状態で行なうことが可能となる。
、ICリードフレーム22の加熱テーブル21に対する
浮上り状態が、モニタリング回路65に入力される電流
信号Qの振幅状態に基づき、CPU55にて検出される
こととなる。この結果、該CPU55による浮上り状態
の検出に基づき、圧着調整整手段73が作動され、リニ
アモータ34の駆動調整により、ワイヤ42の押付は荷
重が増大されることとなる。したがって、ICリードフ
レーム22の浮上り状態が減少され、電極部25および
リード端子26に対する安定したワイヤ42の圧着状態
が得られることとなる。これによりワイヤボンディング
を確実かつ安定した状態で行なうことが可能となる。
第7図は本発明の他の実施例に係るワイヤボンディング
装置である。前記実施例に係るワイヤボンディング装置
20は、超音波発振器61により出力される超音波振動
およびヒータ27による加熱を介してワイヤ42を熱圧
着する熱−超音波振動併用方式である。これに対し、本
実施例に係るワイヤボンディング装置80は、ヒータ2
7による熱圧着方式に係る。すなわち、このワイヤボン
ディング装置80は、加熱テーブル21の上面をヒータ
27により加熱し、該加熱テーブル21の上面に供給さ
れるICリードフレーム22を加熱するようにしている
。
装置である。前記実施例に係るワイヤボンディング装置
20は、超音波発振器61により出力される超音波振動
およびヒータ27による加熱を介してワイヤ42を熱圧
着する熱−超音波振動併用方式である。これに対し、本
実施例に係るワイヤボンディング装置80は、ヒータ2
7による熱圧着方式に係る。すなわち、このワイヤボン
ディング装置80は、加熱テーブル21の上面をヒータ
27により加熱し、該加熱テーブル21の上面に供給さ
れるICリードフレーム22を加熱するようにしている
。
加熱テーブル21上方のポンディング装置本体29は、
XYテーブル駆動制御部72の指令に基づき、XYテー
ブル30をY方向に±10g程度の微振動可能としてい
る。これにより、ツールアーム38の先端に取着される
キャピラリ40も矢示Y方向に微振動されることとなる
。
XYテーブル駆動制御部72の指令に基づき、XYテー
ブル30をY方向に±10g程度の微振動可能としてい
る。これにより、ツールアーム38の先端に取着される
キャピラリ40も矢示Y方向に微振動されることとなる
。
ワイヤボンディング装置80によるポンディングは、先
ずCPU55の指令によりXYテーブル駆動制御部72
を作動させる。XYテーブル30は、該制御部72の指
令によりXY方向に移動され、先ずキャピラリ40が対
応する電極部25の上方へ位置決めされる。この状態で
CPU55の指令に基づき、モータドライバ58へ駆動
信号が出力される。これにより、リニアモータ34が作
動され、ツールアーム38が下方に揺動される。
ずCPU55の指令によりXYテーブル駆動制御部72
を作動させる。XYテーブル30は、該制御部72の指
令によりXY方向に移動され、先ずキャピラリ40が対
応する電極部25の上方へ位置決めされる。この状態で
CPU55の指令に基づき、モータドライバ58へ駆動
信号が出力される。これにより、リニアモータ34が作
動され、ツールアーム38が下方に揺動される。
ツールアーム38が下方に揺動され、キャピラリ40の
先端部が電極部25に接触されると、キャピラリ40に
保持されワイヤ42の先端部より、電極部25に対して
規定のポンディング荷重が加えられることとなる。これ
により、キャピラリ40に保持されるワイヤ42の先端
部は、ヒータ27により加熱される電極部25に圧接さ
れることとなる。圧接されるワイヤ42の先端部は、加
熱される電極部25と接触することで溶融される。この
状態でCPU55の指令によりXYテーブル駆動制御部
72が作動され、XYテーブル駆動制御部72はXYテ
ーブル30をY方向に微振動(いわゆるスクラブという
)することとなる。
先端部が電極部25に接触されると、キャピラリ40に
保持されワイヤ42の先端部より、電極部25に対して
規定のポンディング荷重が加えられることとなる。これ
により、キャピラリ40に保持されるワイヤ42の先端
部は、ヒータ27により加熱される電極部25に圧接さ
れることとなる。圧接されるワイヤ42の先端部は、加
熱される電極部25と接触することで溶融される。この
状態でCPU55の指令によりXYテーブル駆動制御部
72が作動され、XYテーブル駆動制御部72はXYテ
ーブル30をY方向に微振動(いわゆるスクラブという
)することとなる。
この結果、溶融されるワイヤ42の先端部が電極部25
との間でスクラブされ、ワイヤ42の先端部が電極部2
5に圧着されることとなる。
との間でスクラブされ、ワイヤ42の先端部が電極部2
5に圧着されることとなる。
ワイヤ42の一端部が電極部25に圧着されると、CP
U55の指令によりツールアーム38が上昇される0次
いでXYテーブル30がXY方向に移動される。XYテ
ーブル30の移動は、キャピラリ40が対応するリード
端子26の上方に対して位置決めされる状態で行なわれ
る。キャピラリ40が対応するリード端子26の上方に
位置決めされると、再びCPU55の指令によりツール
アーム38が下方へ揺動される。これにより、キャピラ
リ40の先端部がリード端子26に接触することとなる
。キャピラリ40の先端部が対応するリード端子26に
接触されると、キャピラリ40に保持されるワイヤ42
が規定のポンディング荷重でリード端子26に圧接され
ることとなる。圧接されるワイヤ42は、加熱されるリ
ード端子26と接触することで溶融され、この状態でC
PU55はXYテーブル駆動制御部72へ指令を行なう
こととなる。XYテーブル駆動制御部72は、該指令に
より作動され、XYテーブル30をY方向に微振動させ
ることとなる。この結果、溶融されるワイヤ42がリー
ド端子26との間でスクラブされ、ワイヤ42がリード
端子26に圧着されることとなる。この状態でキャピラ
リ40に保持されるワイヤ42が該圧着部分で切断され
、ワイヤ42の一端部が電極部25に、他端部がリード
端子26にそれぞれ圧着されることとなる。
U55の指令によりツールアーム38が上昇される0次
いでXYテーブル30がXY方向に移動される。XYテ
ーブル30の移動は、キャピラリ40が対応するリード
端子26の上方に対して位置決めされる状態で行なわれ
る。キャピラリ40が対応するリード端子26の上方に
位置決めされると、再びCPU55の指令によりツール
アーム38が下方へ揺動される。これにより、キャピラ
リ40の先端部がリード端子26に接触することとなる
。キャピラリ40の先端部が対応するリード端子26に
接触されると、キャピラリ40に保持されるワイヤ42
が規定のポンディング荷重でリード端子26に圧接され
ることとなる。圧接されるワイヤ42は、加熱されるリ
ード端子26と接触することで溶融され、この状態でC
PU55はXYテーブル駆動制御部72へ指令を行なう
こととなる。XYテーブル駆動制御部72は、該指令に
より作動され、XYテーブル30をY方向に微振動させ
ることとなる。この結果、溶融されるワイヤ42がリー
ド端子26との間でスクラブされ、ワイヤ42がリード
端子26に圧着されることとなる。この状態でキャピラ
リ40に保持されるワイヤ42が該圧着部分で切断され
、ワイヤ42の一端部が電極部25に、他端部がリード
端子26にそれぞれ圧着されることとなる。
一ヒ記のようにしてワイヤボンディング装置80は、l
サイクルのワイヤボンディングを行ない。
サイクルのワイヤボンディングを行ない。
対応する電極部25とリード端子26を順次圧着するよ
うにしている。このようにして、熱圧着方式によりワイ
ヤボンディングを行なう際に、ICリードフレーム22
が加熱テーブル21に対して第9図W部に示すように浮
上る状態であると、ICリードフレーム22の加熱が十
分性なわれないこととなる。また、リードフレーム22
に浮上りが生じているとばね49によるポンディング荷
重あるいはスクラブ力が十分伝達されないのでワイヤ4
2と対応する電極部25あるいはリード端子26との間
で圧着不良を生じることとなる。
うにしている。このようにして、熱圧着方式によりワイ
ヤボンディングを行なう際に、ICリードフレーム22
が加熱テーブル21に対して第9図W部に示すように浮
上る状態であると、ICリードフレーム22の加熱が十
分性なわれないこととなる。また、リードフレーム22
に浮上りが生じているとばね49によるポンディング荷
重あるいはスクラブ力が十分伝達されないのでワイヤ4
2と対応する電極部25あるいはリード端子26との間
で圧着不良を生じることとなる。
このようなことから、ワイヤボンディング装置80には
、ICリードフレーム22の浮上り検出手段としての検
出カメラ81が備えられる。この検出カメラ81は、押
え板28に支持され、加熱テーブル21の上面とICリ
ードフレーム22の間に赤外線信号を照射するようにし
ている。これにより5検出カメラ81は加熱テーブル2
1に対するICリードフレーム22の浮上り状態を検出
可能としている。検出カメラ81により検出される浮上
り状態はCPU55に入力され、CPU55は該浮上り
状態に基づき、スクラブ量調整手段としてのXYテーブ
ル駆動制御部72へ作動信号を出力可能としている。す
なわち、XYテーブル駆動制御部72は、入力される作
動信号に基づき、各浮上り状態に応じたスクラブ回数、
スクラブ時間を調整可能とし、浮上りが大きくなるにし
たがってスクラブ回数、スクラブ時間を多く調整するよ
うにしている。この結果、たとえ、ICリードフレーム
22が加熱テーブル21に対して浮上りを生じる場合に
おいても上記のようにしてスクラブ量を調整することで
ワイヤ42と電極部25またはリード端子26との間で
適正の摩擦状態が得られ、安定した状態でワイヤボンデ
ィングを行なうことが可能となる。さらにワイヤボンデ
ィング装置80は、検出される浮上り状態に基づき圧着
調整手段73に制御信号Uを送信し、該圧着調整手段7
3によりキャピラリの押付は荷重を増大させることも可
能とされる。その他の構成および作用は、前記実施例と
同様である。
、ICリードフレーム22の浮上り検出手段としての検
出カメラ81が備えられる。この検出カメラ81は、押
え板28に支持され、加熱テーブル21の上面とICリ
ードフレーム22の間に赤外線信号を照射するようにし
ている。これにより5検出カメラ81は加熱テーブル2
1に対するICリードフレーム22の浮上り状態を検出
可能としている。検出カメラ81により検出される浮上
り状態はCPU55に入力され、CPU55は該浮上り
状態に基づき、スクラブ量調整手段としてのXYテーブ
ル駆動制御部72へ作動信号を出力可能としている。す
なわち、XYテーブル駆動制御部72は、入力される作
動信号に基づき、各浮上り状態に応じたスクラブ回数、
スクラブ時間を調整可能とし、浮上りが大きくなるにし
たがってスクラブ回数、スクラブ時間を多く調整するよ
うにしている。この結果、たとえ、ICリードフレーム
22が加熱テーブル21に対して浮上りを生じる場合に
おいても上記のようにしてスクラブ量を調整することで
ワイヤ42と電極部25またはリード端子26との間で
適正の摩擦状態が得られ、安定した状態でワイヤボンデ
ィングを行なうことが可能となる。さらにワイヤボンデ
ィング装置80は、検出される浮上り状態に基づき圧着
調整手段73に制御信号Uを送信し、該圧着調整手段7
3によりキャピラリの押付は荷重を増大させることも可
能とされる。その他の構成および作用は、前記実施例と
同様である。
なお、上記各実施例においては、ポンディング荷重をば
ね49により付与するようにしているが、ワイヤボンデ
ィング荷重を7クチユエータ等を用いて直接ツールアー
ム38に付与することとしてもよい。さらにリードフレ
ーム22の浮上り状態は、リードフレーム22の温度差
を測定し、温度の低い点を検出することによってもでき
る。
ね49により付与するようにしているが、ワイヤボンデ
ィング荷重を7クチユエータ等を用いて直接ツールアー
ム38に付与することとしてもよい。さらにリードフレ
ーム22の浮上り状態は、リードフレーム22の温度差
を測定し、温度の低い点を検出することによってもでき
る。
[発明の効果]
以上のように、本発明は、ボンディングツールに支持さ
れるワイヤを、ベレットの電極部とテーブル上に載置さ
れ前記ベレットを装着するリードフレームのリード端子
のそれぞれに押付けて圧着し、該電極部とリード端子と
ポンディング部の間をワイヤにより接続するワイヤボン
ディング方法において、テーブルに対するリードフレー
ムの浮上りを検出する手段と、上記浮上り状態に応じて
、電極部およびリード端子に対するワイヤの圧着力の付
与状態を調整する圧着調整手段を備えることとしたため
、ワイヤボンディングを確実かつ安定した状態で行なう
ことができるとい゛う効果がある。
れるワイヤを、ベレットの電極部とテーブル上に載置さ
れ前記ベレットを装着するリードフレームのリード端子
のそれぞれに押付けて圧着し、該電極部とリード端子と
ポンディング部の間をワイヤにより接続するワイヤボン
ディング方法において、テーブルに対するリードフレー
ムの浮上りを検出する手段と、上記浮上り状態に応じて
、電極部およびリード端子に対するワイヤの圧着力の付
与状態を調整する圧着調整手段を備えることとしたため
、ワイヤボンディングを確実かつ安定した状態で行なう
ことができるとい゛う効果がある。
第1図は本発明の第1実施例に係るワイヤボンディング
装置を示す断面図、第2図はワイヤボンディング装置に
より、ワイヤボンディングする状態を示す斜視図、第3
図は同平面図、第4図は第1図の要部回路図、第5図(
A)はボンディングツールとしてのキャピラリの駆動変
位状態を示す状態図、第5図(B)はポンディングが正
常に行なわれている場合、第5図(C)はキャピラリが
無負荷状態の場合のそれぞれの電流波形を示す波形図、
第6図(A)〜(C)は電流波形とワイヤの押付は荷重
の関係を示す線図、第7図は本発明の他の実施例に係る
ワイヤボンディング装置ヲ示す断面図、第8図(A)、
CB)、(C)はそれぞれワイヤ端部のベレット電極部
に対する圧着状態を示す断面図である。 20.80・・・ワイヤボンディング装置、21・・・
加熱テーブル、 22・・・ICリードフレーム、 24・・・半導体ペレット、 25・・・電極部部、 26・・・リード端子、 38・・・ツールアーム、 40・・・キャピラリ〔ボンディングツール〕、42・
・・ワイヤ、 54・・・ポンダ制御手段、 55・・・CPU、 61・・・超音波発振器、 65・・・モニタリング回路、 72・・・XYテーブル駆動制御部、 73・・・圧着調整手段、 74・・・超音波出力調整手段、 81・・・検出カメラ。 代理人 弁理士 塩 川 修 治 第 2 図 第 3 図 第 4 図 第 6′1ffi 時間(TrLS)
装置を示す断面図、第2図はワイヤボンディング装置に
より、ワイヤボンディングする状態を示す斜視図、第3
図は同平面図、第4図は第1図の要部回路図、第5図(
A)はボンディングツールとしてのキャピラリの駆動変
位状態を示す状態図、第5図(B)はポンディングが正
常に行なわれている場合、第5図(C)はキャピラリが
無負荷状態の場合のそれぞれの電流波形を示す波形図、
第6図(A)〜(C)は電流波形とワイヤの押付は荷重
の関係を示す線図、第7図は本発明の他の実施例に係る
ワイヤボンディング装置ヲ示す断面図、第8図(A)、
CB)、(C)はそれぞれワイヤ端部のベレット電極部
に対する圧着状態を示す断面図である。 20.80・・・ワイヤボンディング装置、21・・・
加熱テーブル、 22・・・ICリードフレーム、 24・・・半導体ペレット、 25・・・電極部部、 26・・・リード端子、 38・・・ツールアーム、 40・・・キャピラリ〔ボンディングツール〕、42・
・・ワイヤ、 54・・・ポンダ制御手段、 55・・・CPU、 61・・・超音波発振器、 65・・・モニタリング回路、 72・・・XYテーブル駆動制御部、 73・・・圧着調整手段、 74・・・超音波出力調整手段、 81・・・検出カメラ。 代理人 弁理士 塩 川 修 治 第 2 図 第 3 図 第 4 図 第 6′1ffi 時間(TrLS)
Claims (3)
- (1)ボンディングツールに支持されるワイヤを、ペレ
ットの電極部とテーブル上に載置され前記ペレットを装
着するリードフレームのリード端子のそれぞれに押付け
て圧着し、該電極部とリード端子との間をワイヤにより
接続するワイヤボンディング方法において、テーブルに
対するリードフレームの浮上りを検出する手段と、上記
浮上り状態に応じて、電極部とリード端子に対するワイ
ヤの圧着力の付与状態を調整する圧着調整手段を備えて
なるワイヤボンディング方法。 - (2)上記圧着調整手段が、ワイヤ端部の押付け荷重調
整手段である特許請求の範囲第1項に記載のワイヤボン
ディング方法。 - (3)上記圧着調整手段が、ワイヤ端部のスクラブ量調
整手段である特許請求の範囲第1項に記載のワイヤボン
ディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60168543A JPS6231131A (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | ワイヤボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60168543A JPS6231131A (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | ワイヤボンデイング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6231131A true JPS6231131A (ja) | 1987-02-10 |
| JPH0533534B2 JPH0533534B2 (ja) | 1993-05-19 |
Family
ID=15869961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60168543A Granted JPS6231131A (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | ワイヤボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6231131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272644A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造装置 |
-
1985
- 1985-08-01 JP JP60168543A patent/JPS6231131A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272644A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0533534B2 (ja) | 1993-05-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4925083A (en) | Ball bonding method and apparatus for performing the method | |
| JP5426000B2 (ja) | ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法 | |
| US5314105A (en) | Wire bonding ultrasonic control system responsive to wire deformation | |
| EP0368533B1 (en) | Quality control for wire bonding | |
| JP6715402B2 (ja) | ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置 | |
| US9899348B2 (en) | Wire bonding apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
| US8123108B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and wire bonding apparatus | |
| US20150246411A1 (en) | Wire-bonding apparatus and method of wire bonding | |
| JP2010067999A (ja) | バンプ接合判定装置及び方法、並びに半導体部品製造装置及び方法 | |
| US5230458A (en) | Interconnect formation utilizing real-time feedback | |
| TW201829108A (zh) | 打線接合裝置以及打線接合方法 | |
| US5607096A (en) | Apparatus and method for ultrasonic bonding lead frames and bonding wires in semiconductor packaging applications | |
| US20080093416A1 (en) | Wire bonding and wire bonding method | |
| JPS6231134A (ja) | 超音波ワイヤボンディング方法および装置 | |
| JPS6231131A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| KR20010014832A (ko) | 초음파 접합에 의해 서스펜션에 장착된 헤드 ic 칩을갖는 디스크 장치의 헤드 조립체 | |
| JP3724875B2 (ja) | ワイヤーボンディング方法とそのワイヤーボンディング方法を使用した半導体実装方法ならびにワイヤーボンディング装置とそのワイヤーボンディング装置を備えた半導体実装装置。 | |
| JP2722886B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JP2996847B2 (ja) | ワイヤボンディング装置及び該装置を用いたボンディング状態検査方法 | |
| JP2005079117A (ja) | 半導体素子のボンディング装置及びボンディング方法 | |
| JPH05283463A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP2767302B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPS63257238A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| JPS609664B2 (ja) | 起音波ワイヤボンダ | |
| JP2856881B2 (ja) | 半導体封止装置 |