JPS6231441B2 - - Google Patents
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- JPS6231441B2 JPS6231441B2 JP52119525A JP11952577A JPS6231441B2 JP S6231441 B2 JPS6231441 B2 JP S6231441B2 JP 52119525 A JP52119525 A JP 52119525A JP 11952577 A JP11952577 A JP 11952577A JP S6231441 B2 JPS6231441 B2 JP S6231441B2
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- Japan
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- ppm
- point
- microns
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- thickness
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- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
Description
本発明は反射板表面保護被膜に関する。
鉄板やアルミニウム板のような金属板の表面保
護被膜としてアルカリ金属硅酸塩被膜があること
は周知である。アルカリ金属硅酸塩被膜はアルカ
リ金属酸化物とシリカの塩からなる水溶液に金属
板を浸漬するかこれを金属板に塗布することによ
つて形成される。金属板上に形成されたアルカリ
金属硅酸塩被膜は被膜中に残留するアルカリ金属
の量によつて特性が大きく変化する。従つて、使
用目的によつてアルカリ金属硅酸塩被膜中の残留
アルカリ金属量を制御する必要がある。 ところで、金属板を照明用反射板として利用
し、反射板にアルカリ金属硅酸塩被膜を施すと、
反射板の反射率を低下せずに維持することができ
る上に耐蝕、耐候性が良好であることが知られて
おり現に製品化されている。このような用途にお
いては反射板の高反射率を維持することが特に重
要であり、そのため反射板上に被覆したアルカリ
金属硅酸塩被膜が経時変化等によつて曇りを発生
しないことが必要である。曇りの発生原因を追突
した処、アルカリ金属硅酸塩被膜中に含有するア
ルカリ金属が空気中の炭酸ガスと反応して炭酸塩
を生じ、この炭酸塩が曇りの原因であることが判
明した。アルカリ金属としてカリウムを使用した
場合、これを反応式で示せば次のようになるもの
と推測される。 CO2＋H2O→H2CO3 K2O＋H2O→2KOH 2KOH＋H2CO3→K2CO3＋2H2O 従つて、上記反応式で曇りの原因となる炭酸塩
（K2CO3）の生成を抑制するためにアルカリ金属、
即ちカリウムの残留量を少なくすればよいことが
判る。このような観点からアルカリ金属硅酸塩被
膜からアルカリ金属イオンをおおむね全部除去す
ることが特開昭49−24446号に開示されている。 しかし乍ら、アルカリ金属硅酸塩被膜中のアル
カリ金属を脱して残留量が少なくなると被膜にヒ
ビ割れが生ずることが実験の結果判明した。事
実、叙上の特開昭49−24446号に開示された方法
により、アルミニウム板上にアルカリ金属硅酸塩
被膜を形成し、アルカリ金属を脱処理して測定し
てみると、被膜にヒビ割れが発生した。ヒビ割れ
の発生原因は同じ非晶質のガラスを引用して説明
できる。一般にガラスは所々に非架橋酸素原子が
存在したシロキサン結合を有する不定形の網目構
造体といわれ、この部分で分子が切断されてい
る。このことから類推してアルカリ金属硅酸塩被
膜の場合にはアルカリ金属イオンがこれらの非架
橋酸素原子間に介在してこれらの酸素原子を静電
気的に結合して切断されている分子を相互に結合
していると考えられる。従つて、これらのアルカ
リ金属イオンが網目構造体から除去されると、お
互の分子は切断されたことになり、ヒビ割れ現象
を起こしてヒビ割れを発生することになる。この
ような理由でアルカリ金属硅酸塩被膜中のアルカ
リ金属の残留量が少なければ反射板表面の保護被
膜として好ましくない。何故ならば、被膜の耐蝕
性が低下するからである。従つて、被膜中のアル
カリ金属残留量を制御する必要がある。 叙上の如く、アルカリ金属硅酸塩被膜のヒビ割
れはアルカリ金属の残留量に主として基因する
が、この被膜を施した反射板を照明器具として組
立てランプを点灯すると反射板の温度上昇に伴い
被膜にヒビ割れが発生することがある。これは反
射板と被膜の熱膨張の差に基因するものである。
熱膨張差は温度の関数であるので温度条件を考慮
しなければならない。一般に照明器具に使用され
る反射板はランプを点灯するとその温度が200℃
近くまで上昇するので、150℃〜200℃の雰囲気中
で被膜にヒビ割れが発生しないようにすることが
望ましい。かゝる温度条件のもとに反射板と被膜
の熱膨張差を考察すると、アルカリ金属硅酸塩被
膜の膜厚と残留アルカリ金属量が熱膨張差に影響
を与える要因であることがわかる。一般的には膜
厚を厚くすればヒビ割れを生じ易くなり、残留ア
ルカリ金属量が多くなると膨張率は大きくなる。
そのため、良好な反射板表面保護被膜を提供する
ためにはアルカリ金属硅酸塩被膜の膜厚とアルカ
リ金属の残留量の相関をとり両者を適切に制御す
ることが必要である。 従つて、本発明は反射板上に被膜したアルカリ
金属硅酸塩被膜中のアルカリ金属の残留量とその
膜厚を曇りやヒビ割れが発生しない適切な範囲内
に設定し良好な反射板表面保護被膜を提供するこ
とを目的とするものである。 アルカリ金属硅酸被膜を形成するに当り、アル
カリ金属として何を選定するか当初問題である
が、カリウムは処理工程中に白色化しにくい性質
があるため、本発明においてはカリウムを主成分
とするアルカリ金属を選定して反射板上にカリウ
ムを含むアルカリ金属硅酸塩保護被膜を形成する
ものである。しかし乍ら、他のアルカリ金属、例
えばナトリウム、リチウムを混合しても本発明と
同じ効果を奏する限り本発明を逸脱するものでは
ない。 以下、本発明を図面に関連して説明することに
する。第１図はカリウム硅酸塩被膜が反射板に被
覆された投光器の一実施例を示す。投光器は前部
灯体１０と後部灯体１１よりなり、前部灯体と後
部灯体の一部は反射板を構成しており、反射内面
にはカリウム硅酸塩被膜２０が被覆されている。
前部灯体１０と後部灯体１１は開閉機構１２によ
つて開閉自在に結合されている。前部灯体１０の
前面開口部には前面ガラス１３が気密的に装着さ
れ、後部開口周縁には支持枠１４を取付け、これ
が支持脚１５に軸支されている。後部灯体１１は
内部にソケツト１６を収納し、これにランプ１７
が装着されており、ソケツトからはフイーダ１８
が引出されている。 周知のように、照明用反射板はその反射面の反
射率が高く、しかも高反射率を長時間維持するこ
とができると共に、耐蝕、耐候性が優れているこ
とが必要である。そのため通常反射板に保護被膜
を施しているが、被膜自体に曇りやヒビ割れを生
ずると所期の目的は達成できない結果となる。実
験によると、良好なカリウム硅酸塩被膜を施した
アルミニウム反射板の反射率は80〜82％である
が、経時変化により被膜に曇りを発生したものは
反射率が70％以下に低下することが判つている。 本発明においては反射板上に被覆したカリウム
硅酸塩被膜にこのような曇りを発生しない反面、
ヒビ割れも生じない良好な保護被膜を提供するた
めの被膜中の残留カリウム量と膜厚が適切な範囲
内にあるように制御される。 先づ、機械加工して成形された反射板、例えば
第１図の１０が用意される。反射板は鉄板、アル
ミニウム板等所望の材料の金属板でよいが、反射
率を向上するため本発明の実施例においてはアル
ミニウム板を用いられている。アルミニウムより
なる反射板は常套的な方法で脱脂し水洗いした後
電気的又は化学的に研摩して再び水洗いする。 次に、反射板の内面にカリウム硅酸塩溶液が塗
布される。一実施例ではカリウム硅酸塩溶液は次
の成分よりなる。 カリウム酸化物（K2O） 1.6％ シリカ（SiO2） 4.1％ 水 94.3％ 反射板に対する水溶液の塗布はスプレー法によ
つて行われるが、勿論浸漬法で行つてもよい。浸
漬法によると反射板の外面にも被膜が被覆される
ことになるが、これは反射板外面の耐蝕、耐候
性、美観の上から有用なものである。カリウム硅
酸塩溶液は一度に塗布しても複数回塗布してもよ
い。いづれにしても被膜が所定の膜厚となるよう
に溶液を塗布する必要がある。一度に塗布する場
合には空気中の塵埃や溶液中に混入している不純
物等により被膜にピンホールが生じることがあ
る。従つて、同じ膜厚の被膜を得るのに２回以上
塗布した方が耐蝕性が改善されることになる。 カリウム硅酸塩溶液の塗布、焼付けを１回又は
それ以上行つて形成したカリウム硅酸塩被膜はそ
の中に多量のイオン化したカリウムを含有してい
る。従つて、被膜の曇りを防ぐため脱カリウム処
理が行われる。脱カリウム処理は稀硝酸又は温水
に所定時間の間浸漬して行われる。前者の場合脱
カリウム処理での脱カリウム量は硝酸溶液の濃度
及び温度に関係するが浸漬時間にも関係する。従
つて、溶液の濃度及び温度を一定にした場合、浸
漬時間を変えて脱カリウム量、従つてまた被膜中
の残留カリウム量を制御することが出来る。実験
によれば、硝酸３％の水溶液を70℃に保ちこれに
３分間浸漬した場合、厚さ２μのカリウム硅酸塩
被膜に残留するカリウム量は約２〜3ppmであつ
た。後に第２図より明らかとなるように、残留カ
リウム量を少なくする場合は浸漬時間を長く、多
くする場合には短かくすればよく、浸漬時間によ
つて残留カリウム量を自由に制御できる。尚、脱
カリウム処理は被膜の焼付け後その都度行うこと
も出来るが、残留カリウム量の制御に注意しなけ
ればならない。 先に述べた如く、カリウム硅酸塩被膜中に残留
するカリウム量が少ない場合にはヒビ割れを生
じ、逆に残留カリウム量が多い場合には被膜に曇
りを発生する。従つて、残留カリウム量を適切な
値となるように制御しなければならない。ところ
が、残留カリウム量と被膜の膜厚は相関関係があ
り、膜厚との関係で残留カリウム量が適切な範囲
に定められる。 下記第１表は叙上の方法によつて反射板の上に
形成されたカリウム硅酸塩被膜の試料の各々につ
いてその膜厚と残留カリウム量の測定値と、その
測定値に対応する各試料の外観（くもり、ひび割
れの有無）を示す。
護被膜としてアルカリ金属硅酸塩被膜があること
は周知である。アルカリ金属硅酸塩被膜はアルカ
リ金属酸化物とシリカの塩からなる水溶液に金属
板を浸漬するかこれを金属板に塗布することによ
つて形成される。金属板上に形成されたアルカリ
金属硅酸塩被膜は被膜中に残留するアルカリ金属
の量によつて特性が大きく変化する。従つて、使
用目的によつてアルカリ金属硅酸塩被膜中の残留
アルカリ金属量を制御する必要がある。 ところで、金属板を照明用反射板として利用
し、反射板にアルカリ金属硅酸塩被膜を施すと、
反射板の反射率を低下せずに維持することができ
る上に耐蝕、耐候性が良好であることが知られて
おり現に製品化されている。このような用途にお
いては反射板の高反射率を維持することが特に重
要であり、そのため反射板上に被覆したアルカリ
金属硅酸塩被膜が経時変化等によつて曇りを発生
しないことが必要である。曇りの発生原因を追突
した処、アルカリ金属硅酸塩被膜中に含有するア
ルカリ金属が空気中の炭酸ガスと反応して炭酸塩
を生じ、この炭酸塩が曇りの原因であることが判
明した。アルカリ金属としてカリウムを使用した
場合、これを反応式で示せば次のようになるもの
と推測される。 CO2＋H2O→H2CO3 K2O＋H2O→2KOH 2KOH＋H2CO3→K2CO3＋2H2O 従つて、上記反応式で曇りの原因となる炭酸塩
（K2CO3）の生成を抑制するためにアルカリ金属、
即ちカリウムの残留量を少なくすればよいことが
判る。このような観点からアルカリ金属硅酸塩被
膜からアルカリ金属イオンをおおむね全部除去す
ることが特開昭49−24446号に開示されている。 しかし乍ら、アルカリ金属硅酸塩被膜中のアル
カリ金属を脱して残留量が少なくなると被膜にヒ
ビ割れが生ずることが実験の結果判明した。事
実、叙上の特開昭49−24446号に開示された方法
により、アルミニウム板上にアルカリ金属硅酸塩
被膜を形成し、アルカリ金属を脱処理して測定し
てみると、被膜にヒビ割れが発生した。ヒビ割れ
の発生原因は同じ非晶質のガラスを引用して説明
できる。一般にガラスは所々に非架橋酸素原子が
存在したシロキサン結合を有する不定形の網目構
造体といわれ、この部分で分子が切断されてい
る。このことから類推してアルカリ金属硅酸塩被
膜の場合にはアルカリ金属イオンがこれらの非架
橋酸素原子間に介在してこれらの酸素原子を静電
気的に結合して切断されている分子を相互に結合
していると考えられる。従つて、これらのアルカ
リ金属イオンが網目構造体から除去されると、お
互の分子は切断されたことになり、ヒビ割れ現象
を起こしてヒビ割れを発生することになる。この
ような理由でアルカリ金属硅酸塩被膜中のアルカ
リ金属の残留量が少なければ反射板表面の保護被
膜として好ましくない。何故ならば、被膜の耐蝕
性が低下するからである。従つて、被膜中のアル
カリ金属残留量を制御する必要がある。 叙上の如く、アルカリ金属硅酸塩被膜のヒビ割
れはアルカリ金属の残留量に主として基因する
が、この被膜を施した反射板を照明器具として組
立てランプを点灯すると反射板の温度上昇に伴い
被膜にヒビ割れが発生することがある。これは反
射板と被膜の熱膨張の差に基因するものである。
熱膨張差は温度の関数であるので温度条件を考慮
しなければならない。一般に照明器具に使用され
る反射板はランプを点灯するとその温度が200℃
近くまで上昇するので、150℃〜200℃の雰囲気中
で被膜にヒビ割れが発生しないようにすることが
望ましい。かゝる温度条件のもとに反射板と被膜
の熱膨張差を考察すると、アルカリ金属硅酸塩被
膜の膜厚と残留アルカリ金属量が熱膨張差に影響
を与える要因であることがわかる。一般的には膜
厚を厚くすればヒビ割れを生じ易くなり、残留ア
ルカリ金属量が多くなると膨張率は大きくなる。
そのため、良好な反射板表面保護被膜を提供する
ためにはアルカリ金属硅酸塩被膜の膜厚とアルカ
リ金属の残留量の相関をとり両者を適切に制御す
ることが必要である。 従つて、本発明は反射板上に被膜したアルカリ
金属硅酸塩被膜中のアルカリ金属の残留量とその
膜厚を曇りやヒビ割れが発生しない適切な範囲内
に設定し良好な反射板表面保護被膜を提供するこ
とを目的とするものである。 アルカリ金属硅酸被膜を形成するに当り、アル
カリ金属として何を選定するか当初問題である
が、カリウムは処理工程中に白色化しにくい性質
があるため、本発明においてはカリウムを主成分
とするアルカリ金属を選定して反射板上にカリウ
ムを含むアルカリ金属硅酸塩保護被膜を形成する
ものである。しかし乍ら、他のアルカリ金属、例
えばナトリウム、リチウムを混合しても本発明と
同じ効果を奏する限り本発明を逸脱するものでは
ない。 以下、本発明を図面に関連して説明することに
する。第１図はカリウム硅酸塩被膜が反射板に被
覆された投光器の一実施例を示す。投光器は前部
灯体１０と後部灯体１１よりなり、前部灯体と後
部灯体の一部は反射板を構成しており、反射内面
にはカリウム硅酸塩被膜２０が被覆されている。
前部灯体１０と後部灯体１１は開閉機構１２によ
つて開閉自在に結合されている。前部灯体１０の
前面開口部には前面ガラス１３が気密的に装着さ
れ、後部開口周縁には支持枠１４を取付け、これ
が支持脚１５に軸支されている。後部灯体１１は
内部にソケツト１６を収納し、これにランプ１７
が装着されており、ソケツトからはフイーダ１８
が引出されている。 周知のように、照明用反射板はその反射面の反
射率が高く、しかも高反射率を長時間維持するこ
とができると共に、耐蝕、耐候性が優れているこ
とが必要である。そのため通常反射板に保護被膜
を施しているが、被膜自体に曇りやヒビ割れを生
ずると所期の目的は達成できない結果となる。実
験によると、良好なカリウム硅酸塩被膜を施した
アルミニウム反射板の反射率は80〜82％である
が、経時変化により被膜に曇りを発生したものは
反射率が70％以下に低下することが判つている。 本発明においては反射板上に被覆したカリウム
硅酸塩被膜にこのような曇りを発生しない反面、
ヒビ割れも生じない良好な保護被膜を提供するた
めの被膜中の残留カリウム量と膜厚が適切な範囲
内にあるように制御される。 先づ、機械加工して成形された反射板、例えば
第１図の１０が用意される。反射板は鉄板、アル
ミニウム板等所望の材料の金属板でよいが、反射
率を向上するため本発明の実施例においてはアル
ミニウム板を用いられている。アルミニウムより
なる反射板は常套的な方法で脱脂し水洗いした後
電気的又は化学的に研摩して再び水洗いする。 次に、反射板の内面にカリウム硅酸塩溶液が塗
布される。一実施例ではカリウム硅酸塩溶液は次
の成分よりなる。 カリウム酸化物（K2O） 1.6％ シリカ（SiO2） 4.1％ 水 94.3％ 反射板に対する水溶液の塗布はスプレー法によ
つて行われるが、勿論浸漬法で行つてもよい。浸
漬法によると反射板の外面にも被膜が被覆される
ことになるが、これは反射板外面の耐蝕、耐候
性、美観の上から有用なものである。カリウム硅
酸塩溶液は一度に塗布しても複数回塗布してもよ
い。いづれにしても被膜が所定の膜厚となるよう
に溶液を塗布する必要がある。一度に塗布する場
合には空気中の塵埃や溶液中に混入している不純
物等により被膜にピンホールが生じることがあ
る。従つて、同じ膜厚の被膜を得るのに２回以上
塗布した方が耐蝕性が改善されることになる。 カリウム硅酸塩溶液の塗布、焼付けを１回又は
それ以上行つて形成したカリウム硅酸塩被膜はそ
の中に多量のイオン化したカリウムを含有してい
る。従つて、被膜の曇りを防ぐため脱カリウム処
理が行われる。脱カリウム処理は稀硝酸又は温水
に所定時間の間浸漬して行われる。前者の場合脱
カリウム処理での脱カリウム量は硝酸溶液の濃度
及び温度に関係するが浸漬時間にも関係する。従
つて、溶液の濃度及び温度を一定にした場合、浸
漬時間を変えて脱カリウム量、従つてまた被膜中
の残留カリウム量を制御することが出来る。実験
によれば、硝酸３％の水溶液を70℃に保ちこれに
３分間浸漬した場合、厚さ２μのカリウム硅酸塩
被膜に残留するカリウム量は約２〜3ppmであつ
た。後に第２図より明らかとなるように、残留カ
リウム量を少なくする場合は浸漬時間を長く、多
くする場合には短かくすればよく、浸漬時間によ
つて残留カリウム量を自由に制御できる。尚、脱
カリウム処理は被膜の焼付け後その都度行うこと
も出来るが、残留カリウム量の制御に注意しなけ
ればならない。 先に述べた如く、カリウム硅酸塩被膜中に残留
するカリウム量が少ない場合にはヒビ割れを生
じ、逆に残留カリウム量が多い場合には被膜に曇
りを発生する。従つて、残留カリウム量を適切な
値となるように制御しなければならない。ところ
が、残留カリウム量と被膜の膜厚は相関関係があ
り、膜厚との関係で残留カリウム量が適切な範囲
に定められる。 下記第１表は叙上の方法によつて反射板の上に
形成されたカリウム硅酸塩被膜の試料の各々につ
いてその膜厚と残留カリウム量の測定値と、その
測定値に対応する各試料の外観（くもり、ひび割
れの有無）を示す。
【表】
【表】
【表】
実験には第１表の最左欄に試料番号１〜50と記
したように50の試料が供され、未処理の試料を除
き脱カリウム処理条件を逐一変えて膜厚と残留カ
リウムを測定した結果、第１表に示す測定値を得
た。脱カリウム処理条件として70℃〜90℃の硝酸
又は水を処理液として用い、30秒〜30分間の範囲
内で個別的に処理した。こゝで留意すべきことは
反射板上に形成されたアルカリ金属硅酸塩被膜に
くもりやひび割れを生ずるのはその膜厚と残留カ
リウム量に依存し、両者が適切な範囲となるよう
に処理条件を制御すればよいということである。 第２図は前記第１表を作図化した片対数グラフ
である。叙上のように、くもりが生ぜずしかもひ
び割れを生起しないアルカリ金属硅酸塩被膜を反
射板上に形成するにはその膜厚と残留カリウム量
を適切に制御すればよいことが第２図よりわか
る。横軸に被膜の膜厚をμ単位でとり、縦軸に残
留アルカリ量をppm単位でとつて対数目盛で示
されている。 残留カリウム量の測定は次のような条件で行わ
れる。即ち、表面積3000mm2のカリウム硅酸塩被膜
被覆試料を数個に分割し、その全てを弗酸５重量
％の溶液50mlに約10分間以上浸漬させてアルミニ
ウム反射板上のカリウム硅酸塩被膜を完全に溶解
する。溶解後反射板を溶液より取り出し、この弗
酸溶液50ml中のカリウム量を測定する。この際、
使用する弗酸溶液中に不純物として含有してるカ
リウム量及びアルミニウム反射板より溶出したカ
リウム量は除外してカリウム硅酸塩被膜中のカリ
ウム量のみの測定値とする。測定方法は原子吸光
法又は炎光分析法による。本願明細書中に記載さ
れ図面に示されているカリウム硅酸塩被膜中の残
留カリウム量は上記測定条件で測定されたもので
あるが、測定値はアルミニウム反射板の反射面の
みに被膜が被覆されている場合のものである。
尚、試料を作製する際、3000mm2の大きさの反射板
試料にアルカリ硅酸塩被膜を塗布するよりそれよ
りも大きい反射板試料に塗布したものから3000mm2
の大きさに切り出すと測定値にバラツキのない安
定した測定データが得られることに留意すべきで
ある。 第２図のグラフより明らかな如く、カリウム硅
酸塩被膜の膜厚と残留アルカリ量は相関関係があ
り、膜厚によつて残留カリウム量の許容量が変化
する。例えば、被膜の膜厚が１μの場合には残留
カリウム量は0.03ppm〜5.8ppmの範囲が適正量
となり、被膜の膜厚が３μの場合には残留カリウ
ム量は8.8ppm〜53ppmの範囲が適正量となる。
被膜の膜厚に対する残留カリウム量が第２図に斜
線を施した範囲にあると、ヒビ割れも曇りも発生
しない良好なカリウム硅酸塩被膜が得られる。
たゞ、実際上は第２図の斜線を施した適正範囲に
含まれる場合でも耐摩耗性及び耐蝕性の観点から
膜厚は１μ以上にするのが望ましい。他方、膜厚
を厚くする場合には処理工程を複数回繰返す必要
があるから製造コストの面からみて膜厚は４μ程
度以下とすることが望ましい。 膜厚の測定方法には諸種の方法があるが、反射
板上の被膜の分光反射率に基づく光の干渉波形を
観測することによつて非破壊的に測定できる。被
膜の膜厚が３μ以上になれば高周波による渦電流
の変化を測定することによつても測定可能であ
る。本明細書中における膜厚の測定値は上記方法
によつて測定されたものである。 以上述べた如く、本発明によりカリウム硅酸塩
被膜の膜厚に対し残留カリウム量を第２図の斜線
を施した適正範囲に入るように制御すると、ヒビ
割れが生ぜずしかも曇りも発生しない良好な保護
被膜が得られる。
したように50の試料が供され、未処理の試料を除
き脱カリウム処理条件を逐一変えて膜厚と残留カ
リウムを測定した結果、第１表に示す測定値を得
た。脱カリウム処理条件として70℃〜90℃の硝酸
又は水を処理液として用い、30秒〜30分間の範囲
内で個別的に処理した。こゝで留意すべきことは
反射板上に形成されたアルカリ金属硅酸塩被膜に
くもりやひび割れを生ずるのはその膜厚と残留カ
リウム量に依存し、両者が適切な範囲となるよう
に処理条件を制御すればよいということである。 第２図は前記第１表を作図化した片対数グラフ
である。叙上のように、くもりが生ぜずしかもひ
び割れを生起しないアルカリ金属硅酸塩被膜を反
射板上に形成するにはその膜厚と残留カリウム量
を適切に制御すればよいことが第２図よりわか
る。横軸に被膜の膜厚をμ単位でとり、縦軸に残
留アルカリ量をppm単位でとつて対数目盛で示
されている。 残留カリウム量の測定は次のような条件で行わ
れる。即ち、表面積3000mm2のカリウム硅酸塩被膜
被覆試料を数個に分割し、その全てを弗酸５重量
％の溶液50mlに約10分間以上浸漬させてアルミニ
ウム反射板上のカリウム硅酸塩被膜を完全に溶解
する。溶解後反射板を溶液より取り出し、この弗
酸溶液50ml中のカリウム量を測定する。この際、
使用する弗酸溶液中に不純物として含有してるカ
リウム量及びアルミニウム反射板より溶出したカ
リウム量は除外してカリウム硅酸塩被膜中のカリ
ウム量のみの測定値とする。測定方法は原子吸光
法又は炎光分析法による。本願明細書中に記載さ
れ図面に示されているカリウム硅酸塩被膜中の残
留カリウム量は上記測定条件で測定されたもので
あるが、測定値はアルミニウム反射板の反射面の
みに被膜が被覆されている場合のものである。
尚、試料を作製する際、3000mm2の大きさの反射板
試料にアルカリ硅酸塩被膜を塗布するよりそれよ
りも大きい反射板試料に塗布したものから3000mm2
の大きさに切り出すと測定値にバラツキのない安
定した測定データが得られることに留意すべきで
ある。 第２図のグラフより明らかな如く、カリウム硅
酸塩被膜の膜厚と残留アルカリ量は相関関係があ
り、膜厚によつて残留カリウム量の許容量が変化
する。例えば、被膜の膜厚が１μの場合には残留
カリウム量は0.03ppm〜5.8ppmの範囲が適正量
となり、被膜の膜厚が３μの場合には残留カリウ
ム量は8.8ppm〜53ppmの範囲が適正量となる。
被膜の膜厚に対する残留カリウム量が第２図に斜
線を施した範囲にあると、ヒビ割れも曇りも発生
しない良好なカリウム硅酸塩被膜が得られる。
たゞ、実際上は第２図の斜線を施した適正範囲に
含まれる場合でも耐摩耗性及び耐蝕性の観点から
膜厚は１μ以上にするのが望ましい。他方、膜厚
を厚くする場合には処理工程を複数回繰返す必要
があるから製造コストの面からみて膜厚は４μ程
度以下とすることが望ましい。 膜厚の測定方法には諸種の方法があるが、反射
板上の被膜の分光反射率に基づく光の干渉波形を
観測することによつて非破壊的に測定できる。被
膜の膜厚が３μ以上になれば高周波による渦電流
の変化を測定することによつても測定可能であ
る。本明細書中における膜厚の測定値は上記方法
によつて測定されたものである。 以上述べた如く、本発明によりカリウム硅酸塩
被膜の膜厚に対し残留カリウム量を第２図の斜線
を施した適正範囲に入るように制御すると、ヒビ
割れが生ぜずしかも曇りも発生しない良好な保護
被膜が得られる。
第１図は本発明によるカリウム硅酸塩被膜を施
した反射板を有する投光器の一実施例を示す側面
図、第２図はカリウム硅酸塩被膜の膜厚と残留カ
リウムの測定値を示す片対数グラフである。 〔主要部分の符号の説明〕、反射板……１０、
カリウム硅酸塩被膜……２０。
した反射板を有する投光器の一実施例を示す側面
図、第２図はカリウム硅酸塩被膜の膜厚と残留カ
リウムの測定値を示す片対数グラフである。 〔主要部分の符号の説明〕、反射板……１０、
カリウム硅酸塩被膜……２０。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ カリウムを含むアルカリ金属ケイ酸塩反射表
面保護被膜において、 該被膜の膜厚と残留カリウムの量が、 該被膜の膜厚0.3ミクロンにおいて0.05ppmの
点(6)、 該被膜の膜厚0.5ミクロンにおいて0.02ppmの
点(8)、 該被膜の膜厚1.3ミクロンにおいて0.066ppmの
点（20）、 該被膜の膜厚1.5ミクロンにおいて0.61ppmの
点（21）、 該被膜の膜厚1.1ミクロンにおいて1.2ppmの点
（17）、 該被膜の膜厚2.5ミクロンにおいて6.5ppmの点
（29）、 該被膜の膜厚2.7ミクロンにおいて14.0ppmの
点（32）、 該被膜の膜厚4.0ミクロンにおいて21.0ppmの
点（39）、 該被膜の膜厚5.2ミクロンにおいて49.0ppmの
点（43）、 該被膜の膜厚7.0ミクロンにおいて71.0ppmの
点（47）、 該被膜の膜厚5.5ミクロンにおいて68.0ppmの
点（44）、 該被膜の膜厚4.0ミクロンにおいて53.0ppmの
点（40）、 該被膜の膜厚2.9ミクロンにおいて32.0ppmの
点（33）、 該被膜の膜厚1.5ミクロンにおいて10.0ppmの
点（22）、 該被膜の膜厚1.2ミクロンにおいて3.4ppmの点
（19）、 該被膜の膜厚0.5ミクロンにおいて0.5ppmの点
(10)、 該被膜の膜厚0.3ミクロンにおいて0.05ppmの
点(6)、 を順次直線で結んだ経路によつて囲まれる範囲と 該被膜の膜厚1.1ミクロンにおいて1.2ppmの点
（17）、 該被膜の膜厚1.5ミクロンにおいて0.61ppmの
点（21）、 該被膜の膜厚2.0ミクロンにおいて9.0ppmの点
（26）、 該被膜の膜厚2.5ミクロンにおいて6.5ppmの点
（29）、 該被膜の膜厚3.5ミクロンにおいて21.0ppmの
点（36）、 該被膜の膜厚7.0ミクロンにおいて71.0ppmの
点（47）、 該被膜の膜厚5.5ミクロンにおいて68.0ppmの
点（44）、 該被膜の膜厚3.5ミクロンにおいて21.0ppmの
点（36）、 該被膜の膜厚2.0ミクロンにおいて9.0ppmの点
（26）、 該被膜の膜厚1.2ミクロンにおいて3.4ppmの点
（19）、 該被膜の膜厚1.1ミクロンにおいて1.2ppmの点
（17）、 を順次直線で結んだ経路によつて囲まれる範囲と 該被膜の膜厚1.2ミクロンにおいて3.4ppmの点
（19）、 該被膜の膜厚4.0ミクロンにおいて21.0ppmの
点（39）、 該被膜の膜厚2.3ミクロンにおいて1.5ppmの点
（27）、 該被膜の膜厚1.2ミクロンにおいて3.4ppmの点
（19）、 を順次直線で結んだ経路によつて囲まれる範囲と
和集合から成る範囲によつて規定されることを特
徴とする反射板表面保護被膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11952577A JPS5454481A (en) | 1977-10-06 | 1977-10-06 | Protective film for reflective plate surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11952577A JPS5454481A (en) | 1977-10-06 | 1977-10-06 | Protective film for reflective plate surface |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5454481A JPS5454481A (en) | 1979-04-28 |
| JPS6231441B2 true JPS6231441B2 (ja) | 1987-07-08 |
Family
ID=14763426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11952577A Granted JPS5454481A (en) | 1977-10-06 | 1977-10-06 | Protective film for reflective plate surface |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5454481A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131332U (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-06 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007254783A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Honda Motor Co Ltd | アルミニウム材料の表面処理方法 |
-
1977
- 1977-10-06 JP JP11952577A patent/JPS5454481A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131332U (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-06 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5454481A (en) | 1979-04-28 |
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