JPS6231489B2 - - Google Patents
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- JPS6231489B2 JPS6231489B2 JP53082270A JP8227078A JPS6231489B2 JP S6231489 B2 JPS6231489 B2 JP S6231489B2 JP 53082270 A JP53082270 A JP 53082270A JP 8227078 A JP8227078 A JP 8227078A JP S6231489 B2 JPS6231489 B2 JP S6231489B2
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- Japan
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- shot
- signal
- time
- section
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. program control
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超高速、高精度露光を可能にする電子
線露光装置に関する。
線露光装置に関する。
ここ数年、集積回路、特に大規模集積回路
（LSI）や超LSIの製作担い手として電子線露光装
置が俄然脚光を浴び出した。
（LSI）や超LSIの製作担い手として電子線露光装
置が俄然脚光を浴び出した。
この電子線露光装置には細く集束した電子線を
使用する集束ビーム型のものや矩形断面を有する
電子線を使用する面積露光型のものがあり、近
時、後者の型に類するものとして、走査或いは回
路作製過程に於いて、描くべき図形に合わせて矩
形断面の電子線の形状及び大きさを可変し、走査
の速度を著しく速めた可変面積型のものも提案さ
れている。
使用する集束ビーム型のものや矩形断面を有する
電子線を使用する面積露光型のものがあり、近
時、後者の型に類するものとして、走査或いは回
路作製過程に於いて、描くべき図形に合わせて矩
形断面の電子線の形状及び大きさを可変し、走査
の速度を著しく速めた可変面積型のものも提案さ
れている。
しかし乍ら、何れの型の露光装置においても、
試料上に照射される電子線の照射位置をデイジタ
ル電子計算機からデイジタル・アナログコンバー
タ（以下Ｄ・Ａ・Ｃと称す）を介して位置信号が
供給される偏向系により指定して所望の図形を試
料上に描いているので、全範囲（２mm×２mmの範
囲）に図形を描こうとする場合、１μｍ×１μｍ
の断面形状の電子線で縦横（ｘ方向、ｙ方向のこ
と）0.05μｍの精度で走査しようとすれば、
０．０５μｍ／２mm＝１／４００００すなわち縦横それ
ぞれ16ビツト 以上の精度を有するＤ・Ａ・Ｃが必要となり、こ
の様なＤ・Ａ・Ｃは第１図に示す様に応答速度が
非常に遅くて（フルスイング時のセトリングタイ
ムに25μsec程度）、従つて露光時間も非常に遅い
ものとなる。
試料上に照射される電子線の照射位置をデイジタ
ル電子計算機からデイジタル・アナログコンバー
タ（以下Ｄ・Ａ・Ｃと称す）を介して位置信号が
供給される偏向系により指定して所望の図形を試
料上に描いているので、全範囲（２mm×２mmの範
囲）に図形を描こうとする場合、１μｍ×１μｍ
の断面形状の電子線で縦横（ｘ方向、ｙ方向のこ
と）0.05μｍの精度で走査しようとすれば、
０．０５μｍ／２mm＝１／４００００すなわち縦横それ
ぞれ16ビツト 以上の精度を有するＤ・Ａ・Ｃが必要となり、こ
の様なＤ・Ａ・Ｃは第１図に示す様に応答速度が
非常に遅くて（フルスイング時のセトリングタイ
ムに25μsec程度）、従つて露光時間も非常に遅い
ものとなる。
この様な欠点を補う為に、偏向範囲を大区分と
小区分に別けて、別々の偏向系で広域偏向を行な
うことにより、露光時間を大幅にスピードアツプ
できる装置が提案されている。すなわち、試料面
の一定領域（例えば２mm×２mm）を基準区画（例
えば100μｍ×100μｍ）に区分し、該基準区画内
での電子線照射位置を高精偏向系（例えば12ビツ
トの高速Ｄ・Ａ・Ｃを使用）にて指定し（いわゆ
る小区分走査）、該基準区画を高精度偏向系（例
えば16ビツトの高精度Ｄ・Ａ・Ｃを使用）にて順
次指定（第２図に示す様にＰ，Ｑ，Ｒ，Ｓ，……
の如くジグザグ状に100μｍずつ試料上を走査す
る、いわゆる大区分走査）して所望の図形を試料
上に描いている。ここで１つの偏向系で電子線照
射位置を指定する装置と前述の大区分走査と小区
分走査にて電子線照射位置を指定する装置との露
光スピードを比較してみる。この場合、100μｍ
×100μｍの基準区画に例えば20個の図形がある
として２mm×２mmの全範囲に0.05μｍの精度を確
保して図形を描く場合を考えると、前者の走査速
度はおよそ１ステツプ25μsec程度なので、25μ
sec×20個×400回＝0.2secの露光時間を要す。こ
れに対し後者の小区分走査用Ｄ・Ａ・Ｃ
（12bitD・Ａ・Ｃ）は１ステツプ２μsec以下の応
答速度なので、露光時間は｛（２μsec×20個）＋
25μsec｝×400回＝0.026secとなり、およそ８倍
スピードアツプする。しかし乍ら、この装置の露
光スピードでも末だ満足しうるものとはいえな
い。
小区分に別けて、別々の偏向系で広域偏向を行な
うことにより、露光時間を大幅にスピードアツプ
できる装置が提案されている。すなわち、試料面
の一定領域（例えば２mm×２mm）を基準区画（例
えば100μｍ×100μｍ）に区分し、該基準区画内
での電子線照射位置を高精偏向系（例えば12ビツ
トの高速Ｄ・Ａ・Ｃを使用）にて指定し（いわゆ
る小区分走査）、該基準区画を高精度偏向系（例
えば16ビツトの高精度Ｄ・Ａ・Ｃを使用）にて順
次指定（第２図に示す様にＰ，Ｑ，Ｒ，Ｓ，……
の如くジグザグ状に100μｍずつ試料上を走査す
る、いわゆる大区分走査）して所望の図形を試料
上に描いている。ここで１つの偏向系で電子線照
射位置を指定する装置と前述の大区分走査と小区
分走査にて電子線照射位置を指定する装置との露
光スピードを比較してみる。この場合、100μｍ
×100μｍの基準区画に例えば20個の図形がある
として２mm×２mmの全範囲に0.05μｍの精度を確
保して図形を描く場合を考えると、前者の走査速
度はおよそ１ステツプ25μsec程度なので、25μ
sec×20個×400回＝0.2secの露光時間を要す。こ
れに対し後者の小区分走査用Ｄ・Ａ・Ｃ
（12bitD・Ａ・Ｃ）は１ステツプ２μsec以下の応
答速度なので、露光時間は｛（２μsec×20個）＋
25μsec｝×400回＝0.026secとなり、およそ８倍
スピードアツプする。しかし乍ら、この装置の露
光スピードでも末だ満足しうるものとはいえな
い。
本発明はこの様な点に鑑みてなされたもので、
複雑なソフトウエアーによらずに簡単なハード構
成により高精度を保持しつつ超高速露光を行う新
規なる電子線露光装置を提供するものである。
複雑なソフトウエアーによらずに簡単なハード構
成により高精度を保持しつつ超高速露光を行う新
規なる電子線露光装置を提供するものである。
先ず、本発明の原理を以下に述べる。前にも述
べた様に、Ｄ・Ａ・Ｃはビツト数と応答速度には
反比例的な関係があるので、従来の露光装置で使
用されている大区分走査用の偏向装置に使用され
る16ビツトのＤ・Ａ・Ｃは高精度ではあるが、応
答（安定）速度が遅い（フルスイングに要する時
間が約25μsecかかる）。といつて、低ビツトの
Ｄ・Ａ・Ｃを代わりに使うとスピードは上がる
が、図形の精度が落ち、実用上思わしくない。
又、16ビツトのＤ・Ａ・Ｃの安定（応答）を無視
して高速に移動させると、図形の精度が非常に悪
くなる。そこで、基準区画に描くべき図形が無い
場合には、前記高精度低速Ｄ・Ａ・Ｃの応答（安
定）を待たずに次の基準区画に移り、もし基準区
画に描くべき図形が有る場合には、いままで通り
応答を待つて高精度な露光を行なう。斯くの如き
露光を行なえば、描くべき図形の無い基準区画に
移動する場合にも長い応答時間を費やすという無
駄な時間が省け、全体の露光時間が大幅に短縮さ
れる。
べた様に、Ｄ・Ａ・Ｃはビツト数と応答速度には
反比例的な関係があるので、従来の露光装置で使
用されている大区分走査用の偏向装置に使用され
る16ビツトのＤ・Ａ・Ｃは高精度ではあるが、応
答（安定）速度が遅い（フルスイングに要する時
間が約25μsecかかる）。といつて、低ビツトの
Ｄ・Ａ・Ｃを代わりに使うとスピードは上がる
が、図形の精度が落ち、実用上思わしくない。
又、16ビツトのＤ・Ａ・Ｃの安定（応答）を無視
して高速に移動させると、図形の精度が非常に悪
くなる。そこで、基準区画に描くべき図形が無い
場合には、前記高精度低速Ｄ・Ａ・Ｃの応答（安
定）を待たずに次の基準区画に移り、もし基準区
画に描くべき図形が有る場合には、いままで通り
応答を待つて高精度な露光を行なう。斯くの如き
露光を行なえば、描くべき図形の無い基準区画に
移動する場合にも長い応答時間を費やすという無
駄な時間が省け、全体の露光時間が大幅に短縮さ
れる。
第３図は該原理に基づいてなされた本発明の一
実施例である。図中１は電子銃を示し、該電子銃
からの電子線は、適宜な集束レンズ２を通して、
例えば矩形状の孔３ｈを有するマスク板３ｍ上に
照射される。該孔を通過した断面形状が矩形にな
つた電子線は投影レンズ４により試料５上に集束
される。６及び７はｘ、ｙそれぞれ１対の偏向コ
イル等から成る小区分（基準区画）偏向装置で、
それぞれが上下二段構えで設けられており、互い
に逆励磁に構成されている。８はｘ、ｙの偏向コ
イル等から成る大区分偏向装置である。９は露光
に必要なデータを蓄積したデイスク１０からデイ
ジタルコンピユータ１２内のメモリ１１を介して
読み出した入力データに基づいて各種指令を出す
高速データ伝送制御機構（以後HSCと称す）で
ある。該HSCは基準区画内の位置を指定する小
区分走査用位置信号を、例えば12ビツトの高速
Ｄ・Ａ・Ｃ１３及び増幅器１４を介して前記小区
分（基準区画）偏向装置６，７に供給し、又、基
準区画の位置を指定する大区分走査用位置信号
を、例えば16ビツトの高精度Ｄ・Ａ・Ｃ１５及び
増幅器１６を介して例えば１μsecの間隔で前記
大区分偏向装置８へ供給する。
実施例である。図中１は電子銃を示し、該電子銃
からの電子線は、適宜な集束レンズ２を通して、
例えば矩形状の孔３ｈを有するマスク板３ｍ上に
照射される。該孔を通過した断面形状が矩形にな
つた電子線は投影レンズ４により試料５上に集束
される。６及び７はｘ、ｙそれぞれ１対の偏向コ
イル等から成る小区分（基準区画）偏向装置で、
それぞれが上下二段構えで設けられており、互い
に逆励磁に構成されている。８はｘ、ｙの偏向コ
イル等から成る大区分偏向装置である。９は露光
に必要なデータを蓄積したデイスク１０からデイ
ジタルコンピユータ１２内のメモリ１１を介して
読み出した入力データに基づいて各種指令を出す
高速データ伝送制御機構（以後HSCと称す）で
ある。該HSCは基準区画内の位置を指定する小
区分走査用位置信号を、例えば12ビツトの高速
Ｄ・Ａ・Ｃ１３及び増幅器１４を介して前記小区
分（基準区画）偏向装置６，７に供給し、又、基
準区画の位置を指定する大区分走査用位置信号
を、例えば16ビツトの高精度Ｄ・Ａ・Ｃ１５及び
増幅器１６を介して例えば１μsecの間隔で前記
大区分偏向装置８へ供給する。
１７はRSフリツプフロツプで、HSC９からビ
ームシヨツトスタート信号が供給されるとセツト
の状態、後述するビームシヨツト時間制御回路２
０からのシヨツトエンド信号が供給されるとリセ
ツト状態になり、このような状態信号はAND回
路１８の一方の入力端へ供給される。前記HSC
９からの大区分走査用位置信号はワンシヨツトマ
ルチバイブレーター１９に供給されており、該ワ
ンシヨツトマルチバイブレーター１９は該信号の
供給により一定パルス幅のパルスを発生する。該
パルス幅はＤ・Ａ・Ｃ１５が安定するのに要する
時間に等しくなるよう設定されている。該ワンシ
ヨツトマルチバイブレーター１９の出力端は前
記AND回路１８の他方の入力端に接続されてい
る。前記AND回路１８の出力はHSC９からのビ
ームシヨツト時間指令信号によりビームシヨツト
時間を制御しているビームシヨツト時間制御回路
２０に該制御回路の作動開始信号として供給され
る。該制御回路の出力信号はブランキング偏向系
２１に供給される。該偏向系は前記制御回路２０
から信号が入ると電子銃１からの電子線を無偏向
のまま下に配置された絞り２２の孔を通過させ、
信号が入らない時は電子線を大きく偏向させて絞
り２２の孔を通過させないように働く。尚、前記
制御回路２０はある基準区画内において１回のビ
ームシヨツトが終了する毎に、シヨツトエンド信
号を前記フリツプフロツプ及びHSC９に供給す
るので、該フリツプフロツプはリセツトされ、該
HSC９から新たなビームシヨツトスタート信号
が供給されると再度セツト状態になる。又、
HSC９はある基準区画内における微小図形をす
べて描く迄、新たな大区分走査用位置信号を前記
ワンシヨツトマルチバイブレーター１９やＤ・
Ａ・Ｃ１５に供給せず、すべて描くと新たな位置
信号を供給するように作動する。
ームシヨツトスタート信号が供給されるとセツト
の状態、後述するビームシヨツト時間制御回路２
０からのシヨツトエンド信号が供給されるとリセ
ツト状態になり、このような状態信号はAND回
路１８の一方の入力端へ供給される。前記HSC
９からの大区分走査用位置信号はワンシヨツトマ
ルチバイブレーター１９に供給されており、該ワ
ンシヨツトマルチバイブレーター１９は該信号の
供給により一定パルス幅のパルスを発生する。該
パルス幅はＤ・Ａ・Ｃ１５が安定するのに要する
時間に等しくなるよう設定されている。該ワンシ
ヨツトマルチバイブレーター１９の出力端は前
記AND回路１８の他方の入力端に接続されてい
る。前記AND回路１８の出力はHSC９からのビ
ームシヨツト時間指令信号によりビームシヨツト
時間を制御しているビームシヨツト時間制御回路
２０に該制御回路の作動開始信号として供給され
る。該制御回路の出力信号はブランキング偏向系
２１に供給される。該偏向系は前記制御回路２０
から信号が入ると電子銃１からの電子線を無偏向
のまま下に配置された絞り２２の孔を通過させ、
信号が入らない時は電子線を大きく偏向させて絞
り２２の孔を通過させないように働く。尚、前記
制御回路２０はある基準区画内において１回のビ
ームシヨツトが終了する毎に、シヨツトエンド信
号を前記フリツプフロツプ及びHSC９に供給す
るので、該フリツプフロツプはリセツトされ、該
HSC９から新たなビームシヨツトスタート信号
が供給されると再度セツト状態になる。又、
HSC９はある基準区画内における微小図形をす
べて描く迄、新たな大区分走査用位置信号を前記
ワンシヨツトマルチバイブレーター１９やＤ・
Ａ・Ｃ１５に供給せず、すべて描くと新たな位置
信号を供給するように作動する。
斯くの如き装置の動作を便宜上、第４図に示す
様に、基準区画Ａ，Ｅ内に描くべき微小図形があ
つて、Ｂ，Ｃ，Ｄにない場合について以下に述べ
る。
様に、基準区画Ａ，Ｅ内に描くべき微小図形があ
つて、Ｂ，Ｃ，Ｄにない場合について以下に述べ
る。
先ず、HSC９から第５図ａに示す如き基準区
画Ａの位置を指定する位置信号ＰA，ｘA，ｙAが
ワンシヨツトマルチバイブレーター１９とＤ・
Ａ・Ｃ１５及び増幅器１６を介して大区分偏向装
置８とに供給され、又、該基準区画Ａ内の微小図
形A1の位置を指定する位置信号がＤ・Ａ・Ｃ１
３及び増幅器１４を介して小区分偏向装置６，７
へ供給され、更に、ビームシヨツト時間指令信号
がビームシヨツト時間制御回路２０に供給され
る。而して、前記ワンシヨツトマルチバイブレー
タ１９は入力されてきた位置信号に基づいて前記
Ｄ・Ａ・Ｃ１５が安定するのに必要な時間に相当
する時間幅t0を有する第５図ｂのＰA′に示す如き
パルスを発生し、該パルスをAND回路１８の一
方の入力端に供給する。該AND回路１８の他方
の入力端には前記HSC９からフリツプフロツプ
１７を介して第５図ａのＰA1に示す如きビームシ
ヨツトスタート信号が供給されるので、該AND
回路は前記HSC９が前記大区分偏向装置８に基
準区画Ａの位置を指定する位置信号を供給してか
らt0時間後、ビームシヨツトスタート信号ＰA1の
時間幅に相当する時間、前記ビームシヨツト時間
制御回路２０にビームシヨツト開始信号を供給す
る。該制御回路は該時間に相当する期間の間に、
HSC９からのシヨツト時間指令信号をブランキ
ング偏向系２１に供給するので、試料５上の基準
区画Ａ内に微小図形A1が描かれる。微小図形A1
が描かれると前記制御回路２０は前記フリツプフ
ロツプ１７にシヨツトエンド信号を送り、該フリ
ツプフロツプをリセツトの状態にする。この間、
HSC９は基準区画Ａ内の微小図形A2の位置を指
定する位置信号を前述と同様に小区分偏向装置
６，７へ供給し、又、直ぐ後フリツプフロツプ１
７を介してAND回路１８の他方の入力端に第５
図ｂのＰA2に示す如きビームシヨツトスタート信
号を供給するので、前述と同様な過程を行ない、
微小図形A2が描かれる。この様にして基準区画
Ａ内の微小図形A1，A2′……Ａoが描かれると、
HSC９から第５図a1PB，ＰC，ＰD，ＰEに示す如
き基準区画Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの位置を指定する位置
信号がワンシヨツトマルチバイブレータ１９と
Ｄ・Ａ・Ｃ１５及び増幅器１６を介して大区分偏
向装置８とに高速（例えば各位置信号を１μsec
毎に）に供給する。この間、各基準区画Ｂ，Ｃ，
Ｄ内には描くべき微小図形が無いので、HSC９
からフリツプフロツプ１７にビームシヨツトスタ
ート信号が供給されず、AND回路１８はビーム
シヨツト時間制御回路２０にビームシヨツト開始
信号を供給しない。従つて、電子線の照射される
べき位置は高速にＢ，Ｃ，Ｄ，Ｅと移動する。し
かし、Ｅには描くべき微小図形があるので、
HSC９から基準区画Ｅの位置信号ＰEが導入され
たワンシヨツトマルチバイブレータ１９は前に述
べた基準区画Ａの位置信号が導入されてきた時と
同様に該位置信号の供給時から時間幅t0経過する
までローレベルに保たれる出力を発生し、該出力
をAND回路１８の一方の入力端に供給する。該
AND回路の他方の入力端にはHSC９からフリツ
プフロツプ１７を介して第５図ｃのＰE1に示す如
きビームシヨツトスタート信号が供給されるの
で、前記基準区画Ａ内の微小図形を描いた時と同
様な過程が繰り返されて、基準区画Ｅ内に微小図
形E1，E2……Enが描かれる。
画Ａの位置を指定する位置信号ＰA，ｘA，ｙAが
ワンシヨツトマルチバイブレーター１９とＤ・
Ａ・Ｃ１５及び増幅器１６を介して大区分偏向装
置８とに供給され、又、該基準区画Ａ内の微小図
形A1の位置を指定する位置信号がＤ・Ａ・Ｃ１
３及び増幅器１４を介して小区分偏向装置６，７
へ供給され、更に、ビームシヨツト時間指令信号
がビームシヨツト時間制御回路２０に供給され
る。而して、前記ワンシヨツトマルチバイブレー
タ１９は入力されてきた位置信号に基づいて前記
Ｄ・Ａ・Ｃ１５が安定するのに必要な時間に相当
する時間幅t0を有する第５図ｂのＰA′に示す如き
パルスを発生し、該パルスをAND回路１８の一
方の入力端に供給する。該AND回路１８の他方
の入力端には前記HSC９からフリツプフロツプ
１７を介して第５図ａのＰA1に示す如きビームシ
ヨツトスタート信号が供給されるので、該AND
回路は前記HSC９が前記大区分偏向装置８に基
準区画Ａの位置を指定する位置信号を供給してか
らt0時間後、ビームシヨツトスタート信号ＰA1の
時間幅に相当する時間、前記ビームシヨツト時間
制御回路２０にビームシヨツト開始信号を供給す
る。該制御回路は該時間に相当する期間の間に、
HSC９からのシヨツト時間指令信号をブランキ
ング偏向系２１に供給するので、試料５上の基準
区画Ａ内に微小図形A1が描かれる。微小図形A1
が描かれると前記制御回路２０は前記フリツプフ
ロツプ１７にシヨツトエンド信号を送り、該フリ
ツプフロツプをリセツトの状態にする。この間、
HSC９は基準区画Ａ内の微小図形A2の位置を指
定する位置信号を前述と同様に小区分偏向装置
６，７へ供給し、又、直ぐ後フリツプフロツプ１
７を介してAND回路１８の他方の入力端に第５
図ｂのＰA2に示す如きビームシヨツトスタート信
号を供給するので、前述と同様な過程を行ない、
微小図形A2が描かれる。この様にして基準区画
Ａ内の微小図形A1，A2′……Ａoが描かれると、
HSC９から第５図a1PB，ＰC，ＰD，ＰEに示す如
き基準区画Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの位置を指定する位置
信号がワンシヨツトマルチバイブレータ１９と
Ｄ・Ａ・Ｃ１５及び増幅器１６を介して大区分偏
向装置８とに高速（例えば各位置信号を１μsec
毎に）に供給する。この間、各基準区画Ｂ，Ｃ，
Ｄ内には描くべき微小図形が無いので、HSC９
からフリツプフロツプ１７にビームシヨツトスタ
ート信号が供給されず、AND回路１８はビーム
シヨツト時間制御回路２０にビームシヨツト開始
信号を供給しない。従つて、電子線の照射される
べき位置は高速にＢ，Ｃ，Ｄ，Ｅと移動する。し
かし、Ｅには描くべき微小図形があるので、
HSC９から基準区画Ｅの位置信号ＰEが導入され
たワンシヨツトマルチバイブレータ１９は前に述
べた基準区画Ａの位置信号が導入されてきた時と
同様に該位置信号の供給時から時間幅t0経過する
までローレベルに保たれる出力を発生し、該出力
をAND回路１８の一方の入力端に供給する。該
AND回路の他方の入力端にはHSC９からフリツ
プフロツプ１７を介して第５図ｃのＰE1に示す如
きビームシヨツトスタート信号が供給されるの
で、前記基準区画Ａ内の微小図形を描いた時と同
様な過程が繰り返されて、基準区画Ｅ内に微小図
形E1，E2……Enが描かれる。
尚、本発明を各々矩形状の孔を有する複数のマ
スクとその間に偏向系を配置して該偏向系により
最終段に設けられたマスクの孔を通過する電子線
の断面形状を可変する様になした可変面積型露光
装置に用いても有効である。
スクとその間に偏向系を配置して該偏向系により
最終段に設けられたマスクの孔を通過する電子線
の断面形状を可変する様になした可変面積型露光
装置に用いても有効である。
又、前記実施例では基準区画内を走査する小偏
向用の偏向装置と基準区画毎に走査する大偏向用
の偏向装置を別々に設けるように記載したが、１
つの偏向装置でこれらを兼用することができるこ
とは論を俟たない。
向用の偏向装置と基準区画毎に走査する大偏向用
の偏向装置を別々に設けるように記載したが、１
つの偏向装置でこれらを兼用することができるこ
とは論を俟たない。
本発明によれば、複雑なソフトウエアーを用い
ることなく、極めて簡単なハード構成により、比
較的大きな偏向を行つて描画すべき基準区画を変
えて露光する場合のみ自動的に高精度偏向系の応
答を待つて露光できる電子線露光装置が提供さ
れ、露光精度を損うことなく露光速度を向上させ
ることができる。
ることなく、極めて簡単なハード構成により、比
較的大きな偏向を行つて描画すべき基準区画を変
えて露光する場合のみ自動的に高精度偏向系の応
答を待つて露光できる電子線露光装置が提供さ
れ、露光精度を損うことなく露光速度を向上させ
ることができる。
第１図はＤ・Ａ・Ｃのビツト数と応答速度の特
性を示すグラフ、第２図は従来装置の大区分の偏
向の仕方を表わした図、第３図は本発明の一実施
例を示す電子線露光装置、第４図及び第５図は本
発明の動作を説明するために用いた図である。 １：電子銃、３ｍ：マスク、５：試料、６，
７：小区分偏向装置、８：大区分偏向装置、９：
高速データ伝送制御機構、１３，１５：Ｄ・Ａ・
Ｃ、１７：RSフリツプフロツプ、１８：AND回
路、１９：ワンシヨツトマルチバイブレータ、２
０：ビームシヨツト時間制御回路。
性を示すグラフ、第２図は従来装置の大区分の偏
向の仕方を表わした図、第３図は本発明の一実施
例を示す電子線露光装置、第４図及び第５図は本
発明の動作を説明するために用いた図である。 １：電子銃、３ｍ：マスク、５：試料、６，
７：小区分偏向装置、８：大区分偏向装置、９：
高速データ伝送制御機構、１３，１５：Ｄ・Ａ・
Ｃ、１７：RSフリツプフロツプ、１８：AND回
路、１９：ワンシヨツトマルチバイブレータ、２
０：ビームシヨツト時間制御回路。
Claims (1)
- １ 試料上に照射される電子線を制御するための
データを読み出して各種指令を出す手段と、該手
段から描画すべき試料の基準区画を指定する大区
分走査用位置信号が供給される高精度偏向系と、
該手段から描画すべき基準区画内での電子線照射
位置を指定する小区分走査用位置信号が供給され
る高速偏向系とを備えた装置において、前記手段
から供給されるビームシヨツトスタート信号によ
つてセツトされるフリツプフロツプ回路と、該フ
リツプ回路よりの信号が供給されるゲート回路
と、該ゲート回路を介して前記セツト信号が供給
されると前記手段からのビームシヨツト時間指令
信号に従つてブランキング偏向系を制御してビー
ムシヨツトを開始させると共にシヨツトが終わる
と次のビームシヨツトスタート信号を前記手段に
要求し且つ前記フリツプフロツプ回路をリセツト
させるためのビームシヨツト時間制御回路と、基
準区画内の全描画が終了する毎に前記手段から供
給される前記大区分走査用位置信号の供給に基づ
いて高精度偏向系が安定するのに要する一定時間
だけ前記ゲート回路を閉じるためのパルスを発生
するワンシヨツトマルチバイブレーターとを具備
することを特徴とする電子線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8227078A JPS559447A (en) | 1978-07-06 | 1978-07-06 | Electron ray exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8227078A JPS559447A (en) | 1978-07-06 | 1978-07-06 | Electron ray exposure device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS559447A JPS559447A (en) | 1980-01-23 |
| JPS6231489B2 true JPS6231489B2 (ja) | 1987-07-08 |
Family
ID=13769783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8227078A Granted JPS559447A (en) | 1978-07-06 | 1978-07-06 | Electron ray exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS559447A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5577136A (en) * | 1978-12-06 | 1980-06-10 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure control system |
| JPS5730331A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-18 | Nec Corp | Method for exposure of electron beam |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52113683A (en) * | 1976-03-19 | 1977-09-22 | Nec Corp | Electron beam stabilizing time control circuit |
-
1978
- 1978-07-06 JP JP8227078A patent/JPS559447A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS559447A (en) | 1980-01-23 |
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