JPS6231801A - 光学用成形品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

（朧業上の利用分野） 本発明は光学用成形品に関し、更に詳しくは少量の安定
剤を含有する高度に精製されたポリカーボネートから成
形された優れた性能を有する光学用成形品に関する。 （従来技術） 最近ポリカーボネートが光学用途、ＷＥ情報処理機器部
品の材料として１脚光を浴びるようになった。かかる用
途の中でも特に情報記鎌用基盤として使用されるときは
、その表面に例えば金属や金属化合物の薄膜を付けたり
１色素を含む層を°付けたりする。ヌメガネ用レンズに
使用されるとぎには表面硬度の改善、防曇、防眩などを
目的とした薄膜を付けることが多い。かかる場合には基
盤表面の化学的性質が重畳な因子となる。 従来、一般のポリカーボネートは僅かではあるが、溶媒
として使用された塩化メチレンや未反応残基であるクロ
ロホーメート基を有する化合物などの塩素化合物を含有
しており。 これらの化合物は３００℃以上の如き高温で成形すると
きに分解して酸性物質を生じ、金型腐食の原因となった
り、更に成形品の表面に金属、金属化合物などの薄膜１
色素を含有する薄膜、或はその他の薄膜が付けられると
きには、それらの薄膜９色素などを変質させる原因とな
る。しかして、かかる塩素化合物を可及的に除去したポ
リカーボネートは、高温成形にお℃・て、酸性物質を生
じろことはないが１例えば３５０℃以上の成形において
は、焼けや着色を回避することはできなかった。 かかる場合Ｋ、従来の一般用ポリカーホネートの熱安定
剤として最も広く使用されている亜リン酸エステルを配
合すると、焼けや着色は解消しうろが、得られた成形品
を高温多湿の雰囲気下に長時間＠露するとポリカーボネ
ートの平均分子ｆｉ＆）低下をもたらすと同時にその表
面に前記の薄膜を付けであるときは、それらに対して悪
影響を与えることがある。 （発明の目的） 本発明の目的は塩素系酸性物質を実質上問題のない程度
にまでしか発生せず、かつ高温多湿の雰囲気下にお（・
てもその表面に付けられる金属や金属化合資の薄膜、そ
の他の薄層に悪影響を与えることのない光学用成形品を
提供することＫある。 （発明の構成） 本発明は、ポリカーボネートの重量を基準圧して０．０
００１重ＪｔＸ以上０．０２重ｆＩｋ％未病の有機ホス
フィンが配合されており、かつ塩素含有量が０．００４
０重量九未満である。平均公刊１１３，０００〜１８，
０００　（１）ｙｔ：　！７　、ｆｌ−；Ｈネート樹脂
組成物を溶ｌｉｉ！に成形してなる光学用成形品である
。 本発明で使用されるポリカーボネートは２価フェノール
とカーボネート先駆体との反応によって得られる透明な
樹脂であり２価フェノールとしてはハイドロキノン＋４
．４’−ジオキシジフェニル、ビス（ヒドロキシフェニ
ル）フルカン、ビス（ヒドロキシフェニル）ジクロフル
カン、ビス（ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（ヒ
ドロキシフェニル）ケトン−ビス（ヒドロキシフェニル
）スルフィド、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン及
びこれらの低級アルキル、ハロゲン等の置換体を挙げる
ことができるが、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン（以下ビスフェノールＡという＞　　＋　
１１１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２．
２−ヒス（４−ヒドロキシフェニル）−へキサフルオロ
プロパン等が好ましく使用できる。これらの２価フェノ
ールは単体で、或は混合して使用することができる。更
に本発明で使用されるポリカーボネートは、炭酸残基の
一部が芳香族二塩基酸残基で＊換されていてもよいし１
分岐構造になっていてもよい。 これらのポリカーボネートは、２０℃で塩化メチレン１
００紅に樹脂０．７．９（＝Ｃ）を溶解した溶液の比粘
度ηｓｐをオストワルド粘度計で測定しηｓｐ／Ｃ＝（
ｙ）　＋〇、４５　（ｖ）”Ｃで得られろ極限粘度の値
を次の式ｉｌｌ　Ｋ代入して求められる平均分子量が１
３．０００〜１８，０００の範囲にあることが必要であ
る。 （ｙ）　＝　１．２３　Ｘ　１ｏ　’Ｍ　０°８３　　
、、、、、、、、、　ｆｉ＋平均分子量が１３．０００
未満では、得られた成形品の強度が夾用に耐えないので
適当でない。又ｉ　ｓ、ｏ　ｏ　ｏを起えるときは、成
形品の光学的性質、特に光学歪９色相、透明性などに問
題な生じ易いので適当でない。 又、ポリカーボネートはその重合反応において使用され
た塩化メチレンや二価フェノールのクロロホーメート、
或は末端にクロロホーメート基を有するオリゴマーやポ
リマーを含有しており、これらの含有量は通常一括し

【
塩素の含有量で表わされる。３００℃以上での溶融成形
に使用するポリカーボネート或はその組成愉の塩素含有
量が０．００４０重量％以上では、成形機内でこれらの
塩素化合物が分解し酸性物質を生じて金星腐食の原因に
なったり、更に成形品の表面に金属、金属化合物などの
薄膜９色素を含有する薄膜、戒はその他の薄膜が付けら
れろときにはそれらの薄膜１色素などを変質させる原因
になるので適当でない。塩素含有量が０．００４０重量
％未満のときは、これらの有害作用は製品の実用上から
は無視しうる程度である。 また、ポリカーボネートは、その製造過程において添加
されたリン糸安定剤、例えば亜リン酸エステル、有機ホ
スホナイトなどを含有していてもよいが、その含有量は
リン原子として０．０００３３１童九以下であることが
望ましい。 本発明で使用されるポリカーボネート樹脂組成物は有機
ホスフィンをポリカーボネートの重量を基準にして０．
０００１１量％以上０．０２ｍ童％未満配合されたもの
である。更に好ましい配合量はｏ、ｏ　ｏ　ｏ　ｓ重量
％以上ｏ、ｏｉｘ＊九未満である。 ポリカーボネートの熱安定剤としズ有機ホスフィンが有
効であることは特開［４７−２２０８８号公報９％開昭
４８−９０３５０号公報及び特開昭６０−９０２５４号
公報で知られており、その配合量はｏ、ｏ　ｏ　ｓ〜１
０１Ｌ量九が適当であるとされている。 本発明者の検討によれば１本発明において使用する塩素
含有量が０．００４０重量九未満のポリカーボネート組
成物においては、有機ホスフィンの配合量を前記提案で
好ましいとされ【いる０、０２〜２重量％にしたときに
は、成形時における熱安定効果は充分にみられたが、そ
の成形品の表面の一部にアルミ蒸着を施し、高温・多湿
の雰囲気に！！ｋＲ間曝露したとき忙、フルｊｌｌＫ穴
があき光沢を失なって変質する場合のあることが認めら
れ、本発明の目的に適当でないことが判った。塩素含有
量の低い場合は有機ホスフィンの量がｏ、ｏｏｓ重量Ｓ
未満でも有効であることが認められたが、０．０００１
重量九重量和したときＫは成形時における熱安定効果が
殆んどみられなかったＯ 従って、本発明で使用されるポリカーボネート組成物は
、ポリカーボネートの重量を基準にして、塩素含有量が
０．００４０重量％未満。 好ましくは０．００２０重量九以下であり、かつ、有機
ホスフィンがｏ、ｏ００１１ｉ量Ｓ以上０．０２重量％
未満、好ましくはｏ、ｏ　ｏ　ｏ　ｓ重量％以上０．０
１３１量九未満配合されたものである。 木兄ｆｌｉＫ用いられる有機ホスフィ／は例えば、トリ
エチルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン嗜トリ
ーｎ−ブチルホスフィン管トリシクロヘキシルホスフィ
ン、アリルジフェニルホスフィン１トリフエニルホスフ
イン−ジフェニルホスフィン、トリー２，４−ジメチル
フェニルホスフィン、トリー２ｔ４ｔ６　　）リメチル
フェニルホスフィン豐トリー〇　−）リルホスフィン、
トリーｏ　−７ニシルホスフイン、ジフェニルブチルホ
スフィン會ジフェニルオクタデシルホスフィン、トリス
−（ｐ−ノニルフェニル）−ホスフィン、トリス−ナフ
チルホスフィン、ジフェニル−（ヒト−キシメチル）−
ホスフィン、ジフェニルアセトキシメチルホスフィン、
ジフェニル−（／−エチルカルボキシエチル）ホスフィ
ン９ジフエニルベンジルホスフイン、ジフェニル−（ｐ
−ヒドロキシフェニル）−ホスフィン、ジフェニル−１
，４−ジヒドロキシフェニル−２−ホスフィン、フェニ
ルナフチルベンジルホスフィンなどを例示することがで
きる。 更に本発明で使用される組成物には、ステ７リルステ７
し一ト、モンタン酸ワックス。 グリセリンモノステアレート−ペンタエリスリトールの
ステアレートなどの高級脂肪酸と一価又は多価フルフー
ルとのエステル又は部分エステル系の離証剤（０，０１
〜０．５重量％）、ベンゾトリアゾール系−７セトフエ
ノン系９サリチル酸エステル系などの紫外線吸収剤（０
，１〜０．７重量九）などを配合することができる。 本発明で使用されるポリカーボネート樹脂組成物はポリ
カーボネートと有機ホスフィンを混合することによって
得られる。例えばタンブラ−＠　Ｖ　Ｍ１７’レンダ−
、スーパーミキサー等によってポリカーボネートの粉末
又はベレットと有機ホスフィンを簡単に混合することが
できる。またポリカーボネートの溶液に有機ホスフィン
を混合し１次いで溶媒を除去するなどの公知の手段によ
って容易に調製することができる。更にポリカーボネー
トの粉末又はベレットと有機ホスフィンを連続的に押出
し機に投入することによっても調製できる。 例えば溶融押出しの如き配合方法を採用したときは有機
ホスフィンは他のリン化合物に変化することが予想され
るが、そのような場合も本発明の範囲内圧含まれるもの
とする。 本発明の光学用成形品はインジェクション成形、フンプ
レッション成形、或はインジェクション−フンプレッシ
ョン成形ｆｘ　トによって成形されるが、ＷＫ好ましい
インジェクション成形の成形条件は樹脂温度３２０〜３
８０”Ｃ。 金型温度７０〜１２０’Ｃである。 本発明の光学用成形品は、光線ろ過率が９０％前後で極
めて透明であり、がっ、複屈折で代表される光学歪が非
常に小さいので、成形品中での光の屈折現象が殆んどな
く、また、前記の如き種々の薄膜を付けてもそれらに変
質を生ずることがないなどの優れた性能を有するので、
レンズ、プリズム、７レネルレンズ或は各穐情報記碌デ
ィスク等の基盤として光分に実用に供しうるものである
。 （発明の効果） 本発明の成形品は、透明性、光学歪などが極めて優れて
おり、更に金属や金属化合物或は色水などの記録材料を
含む薄膜或は表面硬度、防曇、防眩などのための薄膜を
付けてもその耐久性に＆れるなどの光学用成形品とし°
〔の必賛な特性を充分ＫＡ偏するものである。 （実施例） 以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を説明する。な
お、成形盤の複屈折、透過率の測定と蒸着品の評価（外
観判定）は以下の方法によった。 複屈折の測定 ペレットを３オンス射出成形機（ネオマット１５０／７
５型−住友重機工業社Ｍ）を用い％樹脂温度３５０℃、
金型温度１１．０℃で厚さ１．２ｍ＋直径１２０ｆｌの
円盤に成形し、■溝尻光学工業所製偏光解析装置を用い
て中心から３０ｍ周辺部に向かって測定し面で表示した
。 透過率の測定 上記、成形円盤を日立目配分光光度計 Ｕ−３４００形で５００〜１１０００ｎの波長範囲で測
定し、透過率を九で表示した。 真空蒸着装置のペルジャー内ｉＣ＃述した成形板を入れ
１０−５）−ルでアルミニウムを片面のみ蒸着し、ウレ
タン樹脂を塗布したのち、湿度９５％ＲＨ、温度８５℃
の雰囲気の恒温恒湿機に７２時間放置し、処理前後に発
生したピンホールの数を数えて評価した。ピンホールが
発生すると情報を正確に記録することができないので好
ましくな（ゝＯ （実施例１〜３） 平均分子量１４，９００のポリカーボネート樹脂粉末に
第１表記載の割合で有機ボスフィンな配合し、３０ｍ−
ベント付き押出機を用いて２６０℃でスレッドを押し出
しカッターで切断してペレットを得た。ベレットの塩素
含有量は第１表のとおりであった。得られたベレットを
３オンスの射出成形機を用い樹脂温度３５０℃、金型温
度１１０℃の条件で厚さ１．２ｕ＋＋直径１２０ｍの円
板に成形したのち複屈折と透過率を測定した。更にこの
成形板にアル４ニウムを蒸着シ、更にウレタン樹脂を塗
布して湿熱処理をおこない、外観の変化を発生したピン
ホールの数で評価した結果をｇｉ表に示した。 （実施例４〜５） 平均分子量１７．１００のポリカーボネート樹脂粉末を
使用する以外は実施例２〜３と同様に行ない、その結果
を第１表に示した。 （比較例１．２） 有機ホスフィンの配合量を変えたほかは、実施例１と同
様に操作した。結果はあ１表に示した。 （比較例３） 押出機のベントの吸引を行なわなかったほかは、実施例
２と同様に操作した。結果は第１表に示した、 （比較例４） 有機ホスフィンをトリフェニルホスファイトに替えたほ
かは、実施例２と同様に操作した。 結果は詑１表に示した。 （実施例６） ステアリン酸モノグリセライド０．０４重ＪＩＸを有機
ホスフィンと一緒に配合したほかは、実施例１と同様に
操作した。 ベレットの平均分子量は１４，８００．塩素含有量は０
．００１５重量Ｓ、成形円盤の透過率は９０％。 複屈折は７　ｎｍで蒸着した円板のピンホールはなく、
湿熱処理後にも観察されなかった。 Ａニトリフェニルホスフィン Ｂニジフェニル−】、４−ジヒドロキシフェニル−２−
ホスフィン Ｃニトリフェニルホスファイト

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　ポリカーボネートの重量を基隼にして ０．０００１重量％以上０．０２重量％未満の有機ホス
   フィンが配合されており、かつ塩素含有量が０．００４
   ０重量％未満である平均分子量１３，０００〜１８，０
   ００のポリカーボネート組成物を溶融成形してなる光学
   用成形品。