JPS6231815A - Focus position detecting device - Google Patents

Focus position detecting device

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Publication number
JPS6231815A
JPS6231815A JP60169826A JP16982685A JPS6231815A JP S6231815 A JPS6231815 A JP S6231815A JP 60169826 A JP60169826 A JP 60169826A JP 16982685 A JP16982685 A JP 16982685A JP S6231815 A JPS6231815 A JP S6231815A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
image sensor
dark
contrast
bright
Prior art date
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Pending
Application number
JP60169826A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Makihira
牧平 坦
Hitoshi Kubota
仁志 窪田
Satoshi Fushimi
智 伏見
Shunji Maeda
俊二 前田
Yoshimasa Oshima
良正 大島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS6231815A publication Critical patent/JPS6231815A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make equal the influence of the sample surface reflecting ratio, to cancel the effect and to execute the high accuracy by preventing the interference of two detecting systems and detecting the projection pattern at the same place on the sample. CONSTITUTION:A projection pattern mask 3 is one piece, and one pattern projected on a sample 6 surface by image sensors 9 and 11 dislocated and arranged in the optical axis direction is detected commonly. As the result, the interference of two detecting systems is prevented, the sample surface reflecting ratio is also the same to detect the projection pattern of the same place on the sample 6, and as the result, the effect is cancelled. Thus, the point where the contrast of both detecting systems, the focusing target position, is equal, is not changed, nd the focusing position detection can be executed with a high accuracy.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はLSIウニ八面へ自動的に焦点合せを行なう自
動焦点装置に好適な焦点位置検出装置に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a focus position detection device suitable for an automatic focusing device that automatically focuses on eight surfaces of an LSI.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

パターン投影方式の焦点位置検出装置として試料面観察
光学系の合焦位置に対し、その前及び後へ結像面がずれ
るように、2個の投影パターンマスクをずらせて取付け
、両投形パターンが重ならないように試料面上の異なる
場所へ投影し、その投影された両パターンのコントラス
トから焦点ずれ方向を判別する装置例が、特願昭56−
168619号に示されている。
As a pattern projection type focal position detection device, two projection pattern masks are installed at different positions so that the image plane is shifted in front and behind the focal position of the sample surface observation optical system. An example of a device that projects images onto different locations on the sample surface so that they do not overlap and determines the direction of defocus from the contrast between the two projected patterns is disclosed in Japanese Patent Application No. 1983-
No. 168619.

第8図はその基本構成であり、2つのパターンマスク5
g 、 5bが照明光学系光軸にそって前後にずらせて
、また第9図忙示すように1光軸と直角平面上に並べて
配置される。このマスクのパターンはハーフミラ−4(
第8図)結像レンズ5を介して、試料6に投影される。
Figure 8 shows its basic configuration, which includes two pattern masks 5.
g and 5b are shifted back and forth along the optical axis of the illumination optical system, and are arranged side by side on a plane perpendicular to one optical axis, as shown in FIG. The pattern of this mask is Half Mirror 4 (
(FIG. 8) Projected onto the sample 6 via the imaging lens 5.

試料面に投影されたパターンはレンズ5.ハーフミラ−
4,7を介してイメージセンサ9の受光面上に結像する
。該イメージセンサ9は、第10図に示すように光電素
子91がアレイ状に配列されたもので、該光電素子で投
影パターンの明部、暗部のレベルを検出するため、光電
素子と投啄パターンピッチは対応させである。
The pattern projected onto the sample surface is captured by lens 5. half mirror
4 and 7, the image is formed on the light receiving surface of the image sensor 9. The image sensor 9 has photoelectric elements 91 arranged in an array as shown in FIG. The pitches are matched.

該イメージセンサ9の検出信号の例を第11図に示す。An example of the detection signal of the image sensor 9 is shown in FIG.

左側がマスク5zの投影パターン、右側が5hの投影パ
ターンの検出出力である。ここでコントラストCα、C
bは、投影パターンの結像面が一致していないため、試
料の光軸方向の位置によって第12図のよ5に変化する
。なお第12@の(?Nα、Cptbは正規化コントラ
ストであり第11図に示す検出信号の明暗差Ca、Cb
を平均レベルAαAAで正規化している。正規化する理
由は、試料面の反射率のばらつきが、コントラスト検出
結果に影響を及ぼすのを防ぐためである。なお第8図に
示すコントラスト検出回路50によりこの信号処理を行
なっている。また試料観察光学系(第8図)Kおげろ、
観察画像検出用イメージセンサ8に対する合焦位置は、
第12図における両正規化コントラストの等しくなる点
Zoに設定する。これにより両正規化コントラストの比
較により、焦点ずれ方向を判別することができる。
The left side is the projection pattern of the mask 5z, and the right side is the detection output of the projection pattern of 5h. Here, the contrast Cα, C
b changes to 5 as shown in FIG. 12 depending on the position of the sample in the optical axis direction since the imaging planes of the projection patterns do not coincide. Note that (?Nα, Cptb in 12th @ is the normalized contrast, and the brightness difference Ca, Cb of the detection signal shown in FIG.
is normalized by the average level AαAA. The reason for normalization is to prevent variations in the reflectance of the sample surface from affecting the contrast detection results. Note that this signal processing is performed by a contrast detection circuit 50 shown in FIG. In addition, the sample observation optical system (Fig. 8) K Ogero,
The focal position for the observation image detection image sensor 8 is
A point Zo in FIG. 12 where both normalized contrasts are equal is set. Thereby, the direction of defocus can be determined by comparing both normalized contrasts.

この装置の問題点は、2つの投影パターンを1個のイメ
ージセンサで検出するため、イメージセンサの入射窓ガ
ラス内面及びチップ表面での反射光による相互干渉が生
ずることである。
A problem with this device is that since two projected patterns are detected by one image sensor, mutual interference occurs due to reflected light from the inner surface of the incident window glass of the image sensor and the chip surface.

第15因はイメージセンサ9断1図であり、入射窓ガラ
ス95を透過した光がセンサチップ940表面で反射し
、更にガラス95の下面で再び反射しセンサチップ94
を照射する様子を示す。なおチップ表面94での反射は
、光電素子列周辺の金メッキされた部分で強く発生する
う この現象の影響が大きく現れるのは、第14図に示すよ
うに、試料面のパターンによる反射率の差が原因で、2
つの投影パターンの明るさが大幅に相違する場合である
。すなわち反射率の低い部分に対しては、明るい方から
僅かな反射光が侵入しても、それKよるオフセットvo
は前記の正規化演算を大きく狂わせる。すなわちオフセ
ラ) Voにより平均レベルが持ち上げられた結果、第
15図に示すように正規化コントラストが、正しい値c
shからCNb1に変ってしまい、両コントラスト特性
曲綜の交点が移動し誤差−を生ずる。
The fifteenth factor is that the image sensor 9 is shown in cross-section 1, in which the light transmitted through the incident window glass 95 is reflected on the surface of the sensor chip 940, and then reflected again on the lower surface of the glass 95, causing the light to pass through the incident window glass 95.
This shows how to irradiate. Note that the reflection on the chip surface 94 is greatly affected by the bulge phenomenon that occurs strongly in the gold-plated areas around the photoelectric element rows, as shown in Figure 14, due to the difference in reflectance due to the pattern on the sample surface. Because of this, 2
This is a case where the brightness of the two projection patterns is significantly different. In other words, even if a small amount of reflected light enters a part with low reflectance from the bright side, there will be an offset vo due to that K.
greatly disrupts the normalization operation described above. As a result of the average level being raised by Vo, the normalized contrast changes to the correct value c, as shown in Figure 15.
sh to CNb1, and the intersection of both contrast characteristic curves moves, causing an error.

なお両投形パターンの明るさが等しい場合には、前記乱
反射によるオフセット量と両方に等しくなり、その影響
は打消される。
Note that when the brightness of both projection patterns is equal, both of them are equal to the offset amount due to the diffused reflection, and the influence thereof is canceled.

他の問題点として、マスク5aと5hの位置がずれてい
るため、イメージセンサ9の受光面上での両パターン寸
法が異なり、光電素子トッテとの関係が、両パターンが
同一でなくなり、コントラスト検出特性に差が生ずる。
Another problem is that because the positions of the masks 5a and 5h are misaligned, the dimensions of the two patterns on the light-receiving surface of the image sensor 9 are different, and the relationship with the photoelectric element is no longer the same, resulting in contrast detection. Differences occur in characteristics.

詳しくは第6図により後で説明する。Details will be explained later with reference to FIG.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、上記の問題点による焦点位置検出誤差
の発生を防ぎ、高精度な焦点位置検出装置を提供するこ
とKある。
An object of the present invention is to prevent the occurrence of focal position detection errors due to the above-mentioned problems and to provide a highly accurate focal position detection device.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明は、従来1個のイメージセンサによって2つの投
影パターンを検出する方式で生じた不要反射による干渉
を除去するため、第1図に示すように、投影パターンマ
スク5 ヲ1 mノミとし、2個のイメージセンサ9と
11を光軸方向にずらせて配置している。この方式では
、2個のイメージセンサ9,11は、試料面上に投影さ
れたただ1つのパターンを共通に検出する。その結果、
2つの検出系が干渉することを防止できると共和、試料
上の同一場所の投影パターンを検出するため試料面反射
率の影響も同一となり、結果的にはその効果が相殺され
て高精度化が可能となる。
In the present invention, in order to eliminate the interference caused by unnecessary reflection that occurs in the conventional method of detecting two projection patterns using one image sensor, the projection pattern mask 5 is made 1 m in length and 2.0 m in length, as shown in FIG. The image sensors 9 and 11 are arranged offset in the optical axis direction. In this method, the two image sensors 9 and 11 commonly detect only one pattern projected onto the sample surface. the result,
If the two detection systems can be prevented from interfering with each other, the projection pattern at the same location on the sample will be detected, so the influence of the sample surface reflectance will be the same, and as a result, the effects will be canceled out and higher accuracy will be achieved. It becomes possible.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、本発明の詳細な説明する。第1図は本発明の基本
構成を示したもので、光源1はマスク5のパターンを試
料6に投影すると共K。
The present invention will be explained in detail below. FIG. 1 shows the basic configuration of the present invention, in which a light source 1 projects the pattern of a mask 5 onto a sample 6.

試料6を観察するための光源でもある。試料6を観察す
るためのイメージセンサ8は、マスク5のパターン結像
面に焦点を合せである。
It is also a light source for observing the sample 6. An image sensor 8 for observing the sample 6 is focused on the pattern imaging plane of the mask 5.

投影パターンを検出するイメージセンサ9.11は、マ
スク30投影パターン結像面をはさんで光軸にそって前
後にずれた位置に合焦面がくるよ5に取付ける。すなわ
ち第2図に示すようにマスク5のパターン結像面であり
同時忙イメージセンサ8の合焦面である14を中心圧し
て、レンズ5に近い方にイメージセンサ−1の合焦1f
fi1aをレンズ5から離れる方にイメージセンサ゛9
の合焦面16を位置するように配置する。また、イメー
ジセンサ9と11は試料面の同一場所の投影パターンを
検出するように取付ける。
The image sensor 9.11 for detecting the projection pattern is attached to the mask 30 so that the focal plane is at a position shifted forward and backward along the optical axis across the projection pattern imaging plane of the mask 30. That is, as shown in FIG. 2, the image sensor 1 is focused 1f on the side closer to the lens 5 by centering pressure on 14, which is the pattern imaging surface of the mask 5 and the focusing surface of the image sensor 8.
Image sensor 9 is placed on the fi1a away from the lens 5.
The focal plane 16 of Further, the image sensors 9 and 11 are installed so as to detect a projected pattern at the same location on the sample surface.

イメージセンサ9と11の出力はコントラスト検出回路
40α、40bへ接続されろ。
The outputs of image sensors 9 and 11 are connected to contrast detection circuits 40α and 40b.

コントラスト検出回Q aoa、aobでは、投影パタ
ーン検出信号の明部と暗部の差としてコントラストを求
め、これを正規化する。
In the contrast detection times Q aoa and aob, the contrast is determined as the difference between the bright part and the dark part of the projection pattern detection signal, and this is normalized.

ただし、試料面のパターンにより、場所によって反射率
が異なるので、第5図に示すように検出パターンの明パ
ターン部のレベルトシテ、暗パターン部を挾む両側の明
パターンレベルH4Hi+Jの平均値Hiを用いて計算
する。
However, since the reflectance varies depending on the pattern on the sample surface, as shown in Figure 5, the average value Hi of the bright pattern level H4Hi+J of the bright pattern part of the detection pattern and the bright pattern levels H4Hi+J on both sides of the dark pattern part is calculated. Calculate using

Hi =1臼り凹虹 従ってコントラストCiは Ci  = Hi  −Di 更に正規化演算を次式で行なう。Hi = 1 concave rainbow Therefore, the contrast Ci is Ci = Hi - Di Furthermore, a normalization operation is performed using the following equation.

Hi  −Di CNi: 重子〇i この演算をアナ京グ演算回路で行なう場合の。Hi -Di CNi: Shigeko〇i When this operation is performed using an anarchograph circuit.

回路構成を第4図に示す。The circuit configuration is shown in FIG.

アンプ41で適当なレベル増幅したパターン検出信号か
ら、Sつのサンプルホールド42,45.44カ明レベ
ルHi、明レベルHi+1. 暗1/ ヘA’ Dj 
@保持する。明レベルH4とH6−+s を保持したサ
ンプルホールド42.45の出力は等しい抵抗値の抵抗
45,46の直列回路に接続し、その中点から平均値を
出力する。この平均値出力はバッファを通し℃減算器4
8と加算器49に接続する。
From the pattern detection signal amplified to an appropriate level by the amplifier 41, S sample holds 42, 45.44 light level Hi, light level Hi+1 . Dark 1/ Hair A' Dj
@Hold. The outputs of the sample holds 42 and 45 holding the bright levels H4 and H6-+s are connected to a series circuit of resistors 45 and 46 having equal resistance values, and the average value is output from the midpoint. This average value output is passed through the buffer to the °C subtractor 4.
8 and adder 49.

また、サンプルホールド44の出力である暗レベル信号
阪も減算器48と加算器49に入力する。
In addition, the dark level signal output from the sample hold 44 is also input to a subtracter 48 and an adder 49.

減算器4Bと加算器49の出力は割算器50へ入力し正
規化演算を行なう。
The outputs of the subtracter 4B and the adder 49 are input to a divider 50 to perform a normalization operation.

他の実施例を第5図に示す。この実施例ではイメージセ
ンサ11に結像する投影パターン像の倍率を調節するた
めのレンズ12が設けられている。このレンズがない場
合は、レンズ5からイメージセンサ9及び11までの距
離が異なるため、両イメージセンサに結像する投影パタ
ーン像の倍率が異なっている。その結果、第6図に示す
よう、2つのイメージセンサの検出する場所が一致しな
くなる。図において光電素子Paは両センサ共パターン
暗レベルを検出するが、イメージセンサ11のP%I工
暗じベル部を検出していない。このような状態では正し
くコントラストを1検出できないこととなる。
Another embodiment is shown in FIG. In this embodiment, a lens 12 is provided for adjusting the magnification of the projected pattern image formed on the image sensor 11. If this lens is not present, the distances from the lens 5 to the image sensors 9 and 11 are different, so the magnifications of the projected pattern images formed on both image sensors are different. As a result, as shown in FIG. 6, the locations detected by the two image sensors no longer match. In the figure, the photoelectric element Pa detects the pattern dark level in both sensors, but does not detect the P%I dark level of the image sensor 11. In such a state, one contrast cannot be detected correctly.

即ち投影された光パターンのコントラストを2つの検出
系が正しく機出し、その値を比較することが正しい焦点
位置検出を可能とする。そのため2つのイメージセンサ
受光面に結像するパターン倍率は等しいことが好ましい
。前記レンズ12はそのために倍率を合せることが目的
である。
That is, the two detection systems correctly determine the contrast of the projected light pattern and compare the values, which enables accurate detection of the focal position. Therefore, it is preferable that the magnifications of the patterns imaged on the light receiving surfaces of the two image sensors are equal. The purpose of the lens 12 is to match the magnification for this purpose.

従来技術の問題点として述べたように、パターン検出で
のテンプル点の不適当により;ントラストな上しく検出
できた(なるという問題に対しては、他の手段として、
イメージセンサの光電素子寸法、すなわち画素寸法を小
さくする方法がある。第7図は画素寸法を小さくして検
出したパターン検出波形である。この場合、画素寸法が
小さいので、光パターンのピークと画素位置が太き(ず
れることはない。
As mentioned above as a problem with the prior art, due to the inappropriateness of the temple point in pattern detection, the detection could be performed with confidence.
There is a method of reducing the photoelectric element size, that is, the pixel size, of an image sensor. FIG. 7 shows a pattern detection waveform detected by reducing the pixel size. In this case, since the pixel size is small, the peak of the light pattern and the pixel position are thick (there is no deviation).

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

木兄明廻よれば、合焦面の異なる2つの検出系が互いに
干渉することなくコントラスト検出を行ない、かつ、試
料面上の同一場所に投影されたパターンを共通に検出す
るので、試料面の反射率が大幅に変動しても雨検出系が
等しく影響を受けることKより効果が相殺され、焦点合
せ目標位置である雨検出系コントラストの等しくなる点
は変化せず、焦点位置検出を高精度に行なうことができ
る。
According to Akira Kinoe, two detection systems with different focusing planes perform contrast detection without interfering with each other, and also commonly detect patterns projected at the same location on the sample surface, so the Even if the reflectance changes significantly, the rain detection system is affected equally.The effect is canceled out, and the point where the contrast of the rain detection system is equal, which is the focusing target position, does not change, making it possible to detect the focus position with high precision. can be done.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す図、第2図及び第5図
は当該実施例のコントラスト検出の説明図、第4図は当
該実施例中の論理判定回路を示す図、第5図は検出系の
倍率が異なるときの本発明の別の実施例を示す図、第6
図は検出。 系の倍率が異なるときに生じる不都合を説明する図、第
7図は画素サイズが小さい場合のパターン検出波形図、
第8図は従来の焦点位置検出装置の構成図、第9図は第
8図中のパターンマスクの配置を説明する図、第10図
は従来のイメージセンサと結像パターンを示す図、第1
1図及び8112図はコントラスト信号の説明図、@1
5図ないし第15図はセンナ内の光干渉とその効果の説
明国である。 1・・・光源、2,5.12・・・レンズ、5・・・パ
ターンマスク、4,7.10・・・ハーフミラ−16・
・・試料(クエハ)、8,9.11・・・イメージセン
サ、50.40・・・コントラスト検出回路、41・・
・アンプ、42,45,44・・・サンプルホールド、
45.46・・・抵抗器、47・・・バッファアンプ、
48・・・減昇器、49・・・加算器、50・・・割算
器。 代理人弁理士 小 川 勝 男・ 1、20 第 1 区 第20    第30 馬 4団 第 8 口 第 11 旧 躬 12国 見 I3 詔
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 5 are explanatory diagrams of contrast detection in the embodiment, FIG. 4 is a diagram showing a logic judgment circuit in the embodiment, and FIG. Figure 6 is a diagram showing another embodiment of the present invention when the magnification of the detection system is different.
Diagram is detection. Figure 7 is a pattern detection waveform diagram when the pixel size is small;
FIG. 8 is a block diagram of a conventional focal position detection device, FIG. 9 is a diagram explaining the arrangement of the pattern mask in FIG. 8, FIG. 10 is a diagram showing a conventional image sensor and an imaging pattern,
Figures 1 and 8112 are explanatory diagrams of contrast signals, @1
Figures 5 to 15 are illustrations of optical interference within the Senna and its effects. 1...Light source, 2,5.12...Lens, 5...Pattern mask, 4,7.10...Half mirror-16.
...Sample (Queha), 8,9.11...Image sensor, 50.40...Contrast detection circuit, 41...
・Amplifier, 42, 45, 44...sample hold,
45.46...Resistor, 47...Buffer amplifier,
48... Decrementer, 49... Adder, 50... Divider. Representative Patent Attorney Katsuo Ogawa 1, 20 1st ward 20th 30th horse 4th group 8th mouth 11 old tradition 12 Kunimi I3 Edict

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、明部と暗部を周期的に組合せた光パターンを、ハー
フミラー、レンズを介して被測定物体に投影結像せしめ
る第1の光学系と、前記被測定物体からの反射光パター
ンを前記レンズ、ハーフミラーを介して、複数の光電素
子より成るアレイ状イメージセンサに結像せしめる第2
の光学系と、アレイ状イメージセンサにより光電変換し
た出力信号から光パターンに対応した明暗情報を得、該
明暗差により前記被測定物体の焦点位置を検出するため
のコントラスト検出回路とを備えて成る焦点位置検出装
置であって、前記アレイ状イメージセンサ及びコントラ
スト検出回路を2組備え、各イメージセンサを、前記第
1の光学系の合焦位置にある被測定物体からの反射光パ
ターンを、前記第2の光学系で検出したときの結像面に
対して光軸上で前及び後へずらせて取付け、かつ両イメ
ージセンサが、被測定物体の同一個所のコントラストを
検出するように、イメージセンサ視野を設定し、該視野
で検出したコントラストを比較して焦点ずれ方向を判別
するようにした焦点位置検出装置。 2、前記2個のイメージセンサに結像する検出パターン
寸法を等しくするための倍率調節用レンズを、少なくと
も片方のイメージセンサに対して備えたことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の焦点位置検出装置。 3、周期的明暗パターンのコントラストを明暗レベル差
として検出するとき、暗(明)部に対する明(暗)レベ
ルとして、当該暗(明)部を挾む両隣接明(暗)部の平
均値を用いて算出することを特徴とする特許請求の範囲
第1項及び第2項に記載の焦点位置検出装置。
[Claims] 1. A first optical system that projects and images a light pattern that periodically combines bright and dark areas onto an object to be measured via a half mirror and a lens; A second image sensor that images the reflected light pattern through the lens and half mirror on an array image sensor made up of a plurality of photoelectric elements.
and a contrast detection circuit for obtaining brightness information corresponding to a light pattern from an output signal photoelectrically converted by an array image sensor and detecting a focal position of the object to be measured based on the brightness difference. The focal position detection device includes two sets of the arrayed image sensor and the contrast detection circuit, and each image sensor detects the reflected light pattern from the object to be measured at the focal position of the first optical system. The image sensor is installed so that it is shifted forward and backward on the optical axis with respect to the image formation plane when detected by the second optical system, and both image sensors detect contrast at the same location on the object to be measured. A focus position detection device that sets a field of view and compares the contrast detected in the field of view to determine the direction of defocus. 2. At least one of the image sensors is provided with a magnification adjusting lens for equalizing the size of the detection pattern imaged on the two image sensors. Focus position detection device. 3. When detecting the contrast of a periodic light-dark pattern as a difference in light and dark levels, the average value of both adjacent bright (dark) parts that sandwich the dark (bright) part is used as the bright (dark) level for the dark (bright) part. The focus position detection device according to claim 1 or 2, wherein the focus position detection device is calculated using the following.
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