JPS6231859B2 - - Google Patents
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- JPS6231859B2 JPS6231859B2 JP54129551A JP12955179A JPS6231859B2 JP S6231859 B2 JPS6231859 B2 JP S6231859B2 JP 54129551 A JP54129551 A JP 54129551A JP 12955179 A JP12955179 A JP 12955179A JP S6231859 B2 JPS6231859 B2 JP S6231859B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- resonator
- electrodes
- chip
- twin
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02102—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は水晶に接続されていない電極を有する
圧電双共振子に関するものである。この種の圧電
双共振子は密封容器に取り付けられた誘電物質か
らなる少なくとも第1及び第2プレートと、前記
プレート上にそれぞれ設けられた第1及び第2電
極と、前記電極間に接触しないようにして挿入さ
れた圧電体とを備えている。
圧電双共振子に関するものである。この種の圧電
双共振子は密封容器に取り付けられた誘電物質か
らなる少なくとも第1及び第2プレートと、前記
プレート上にそれぞれ設けられた第1及び第2電
極と、前記電極間に接触しないようにして挿入さ
れた圧電体とを備えている。
電極が水晶に接続されていない圧電共振子は特
に電気的及び機械的特性が良いので最近非常に用
いられるようになつて来た。この種のものとして
フランス特許第2338607号に記載のものがあげら
れる。
に電気的及び機械的特性が良いので最近非常に用
いられるようになつて来た。この種のものとして
フランス特許第2338607号に記載のものがあげら
れる。
上記の様な構成の圧電共振子が用いられるの
は、例えば、航空学の分野に於てであり、要求さ
れることは温度の上昇又は変化に対する周波数変
化が最小限の特性のものを得ることができるとい
うことである。
は、例えば、航空学の分野に於てであり、要求さ
れることは温度の上昇又は変化に対する周波数変
化が最小限の特性のものを得ることができるとい
うことである。
本発明の目的は長期間に渡つて周波数安定度の
得られる共振子を提供しようとすることであり、
温度上昇又は変化に対する感度を減少させること
である。
得られる共振子を提供しようとすることであり、
温度上昇又は変化に対する感度を減少させること
である。
本発明によれば、上記の目的は上記の構成の共
振子に更に前記第1及び第2プレートにそれぞれ
対向する誘電物質からなる第3のプレートと、そ
れぞれのプレート上に設けられ、内部接続されて
いる第3及び第4電極と、個々の独立した同じ形
の2個の圧電水晶チツプからなる圧電体を備えて
おり、このうち1つの水晶チツプは前記第1及び
第3電極間に互いに接触しないようにして挿入さ
れており、もう一方の水晶チツプは第2及び第4
電極間に互いに接触しないようにして挿入されて
おり、前記圧電水晶チツプはそれらの軸Y′が互
いに反対方向を向いている構成配置となつてい
る。
振子に更に前記第1及び第2プレートにそれぞれ
対向する誘電物質からなる第3のプレートと、そ
れぞれのプレート上に設けられ、内部接続されて
いる第3及び第4電極と、個々の独立した同じ形
の2個の圧電水晶チツプからなる圧電体を備えて
おり、このうち1つの水晶チツプは前記第1及び
第3電極間に互いに接触しないようにして挿入さ
れており、もう一方の水晶チツプは第2及び第4
電極間に互いに接触しないようにして挿入されて
おり、前記圧電水晶チツプはそれらの軸Y′が互
いに反対方向を向いている構成配置となつてい
る。
好ましくは、水晶チツプのそれぞれの軸Zは互
いに反対方向を向くように配置されている。
いに反対方向を向くように配置されている。
更に実施例によれば、圧電水晶チツプは平凸状
であり、その凸面は軸Y′方向を向いている。
であり、その凸面は軸Y′方向を向いている。
更に水晶チツプはできるだけ同性質のもの、す
なわち、1つの水晶柱から切り出したものであ
り、同じカツト技術により得られたものが望まし
い。特性は例えば2つの水晶チツプが同じ基本水
晶でありこの基本水晶の互いに隣接する部分から
切り出されたものが良い。
なわち、1つの水晶柱から切り出したものであ
り、同じカツト技術により得られたものが望まし
い。特性は例えば2つの水晶チツプが同じ基本水
晶でありこの基本水晶の互いに隣接する部分から
切り出されたものが良い。
共振子内が同一の水晶チツプで構成されている
こと及びそれぞれのチツプの軸Y′が対向してい
る配置により、温度上昇に対する周波数変化の感
度の変数が10〜20の間で改善された双共振子を作
ることができる。更に、これらの双共振子装置は
2つの水晶チツプの間に2つの電極を挿入し支持
するための1板の誘電プレートを必要とするだけ
であり、装置の大きさを従来のものと同じように
小型のものとできる。
こと及びそれぞれのチツプの軸Y′が対向してい
る配置により、温度上昇に対する周波数変化の感
度の変数が10〜20の間で改善された双共振子を作
ることができる。更に、これらの双共振子装置は
2つの水晶チツプの間に2つの電極を挿入し支持
するための1板の誘電プレートを必要とするだけ
であり、装置の大きさを従来のものと同じように
小型のものとできる。
これら上記した構造の双共振子は種々の有利な
方法にて使用することができる。
方法にて使用することができる。
例えば、そのうちの1つの方法として、第1圧
電チツプと第1及び第3電極からなる第1共振子
部と、第2圧電チツプと第2及び第4電極からな
る第2共振子部とのそれぞれの共振周波数を全く
同一のものとする方法である。
電チツプと第1及び第3電極からなる第1共振子
部と、第2圧電チツプと第2及び第4電極からな
る第2共振子部とのそれぞれの共振周波数を全く
同一のものとする方法である。
この場合、第1共振子部と第2共振子部は直列
又は並列接続する。
又は並列接続する。
次に第2の応用として、第1圧電チツプと第1
及び第3電極からなる第1共振子部と、第2圧電
チツプと第2及び第4電極からなる第2共振子部
とのそれぞれの共振周波数が明らかに異なるもの
とした方法である。
及び第3電極からなる第1共振子部と、第2圧電
チツプと第2及び第4電極からなる第2共振子部
とのそれぞれの共振周波数が明らかに異なるもの
とした方法である。
この場合、第1共振子部と第2共振子部は並列
接続する。
接続する。
第1及び第2共振子部の共振周波数は互いに少
なくとも5%異なる。
なくとも5%異なる。
互いに異なる共振周波数をもつ2つの共振子部
からなる双共振子は温度変化に対する周波数への
影響を全く除去することができるという特徴ある
性質を示す。
からなる双共振子は温度変化に対する周波数への
影響を全く除去することができるという特徴ある
性質を示す。
通常、圧電共振子は圧電水晶の温度特性が逆転
する温度すなわち周波数の温度特性変曲点で使用
されることが有利である。ゆえに共振子を温度特
性変曲点付近まで加熱することが望ましい。この
加熱は、外部からなされるものであるが、共振子
の加熱されるべき部分の容積が大きく、しかも水
晶の収容されている内部の温度変化は緩慢である
ために非常にむずかしい。
する温度すなわち周波数の温度特性変曲点で使用
されることが有利である。ゆえに共振子を温度特
性変曲点付近まで加熱することが望ましい。この
加熱は、外部からなされるものであるが、共振子
の加熱されるべき部分の容積が大きく、しかも水
晶の収容されている内部の温度変化は緩慢である
ために非常にむずかしい。
本発明は、又水晶チツプを所望の温度に簡単に
することができ、そして誘電プレートを備えてお
り、これは水晶の加熱の障害には全くならず、か
えつて共振子の加熱を容易にする部材となつてい
ることを特徴とするものである。
することができ、そして誘電プレートを備えてお
り、これは水晶の加熱の障害には全くならず、か
えつて共振子の加熱を容易にする部材となつてい
ることを特徴とするものである。
このことは第1、第2及び第3プレートが、少
なくともそれらの圧電チツプと対向する面がある
抵抗値をもつ金属の特別発熱層で覆われているプ
レートを備えていることにより達成することがで
きる。前記層は電源に接続されており、プレート
上に設けられた電極とは絶縁層により電気的に絶
縁されている。
なくともそれらの圧電チツプと対向する面がある
抵抗値をもつ金属の特別発熱層で覆われているプ
レートを備えていることにより達成することがで
きる。前記層は電源に接続されており、プレート
上に設けられた電極とは絶縁層により電気的に絶
縁されている。
変形例として、前述した加熱方法に代わるもの
又は補なうものとして、双共振子は2つの電極間
に位置された圧電チツプの能動部分のそれぞれに
囲まれた、周辺がリング状に形成された部分があ
り、前記リングは前記電極を支持する2枚のプレ
ート間のスペーサとして作用している。そして前
記リングをある抵抗値を有する発熱層で覆うこと
ができ、前記層を水晶チツプを急速に加熱するた
めに電源と接続することが可能となる。
又は補なうものとして、双共振子は2つの電極間
に位置された圧電チツプの能動部分のそれぞれに
囲まれた、周辺がリング状に形成された部分があ
り、前記リングは前記電極を支持する2枚のプレ
ート間のスペーサとして作用している。そして前
記リングをある抵抗値を有する発熱層で覆うこと
ができ、前記層を水晶チツプを急速に加熱するた
めに電源と接続することが可能となる。
第1図は本発明による圧電共振子の実施例の1
つを示したものであり、外側の密閉容器又は密閉
容器内部の操作ユニツトは示されていない。
つを示したものであり、外側の密閉容器又は密閉
容器内部の操作ユニツトは示されていない。
符号1及び2は内面が金属化処理を施されそれ
ぞれが端子A及びBに接続されている電極11及
び12を有する誘電材料からなる外部プレートで
ある。圧電チツプである2つの部材4,5がプレ
ート1及び2間に挿入されている。圧電チツプ
4,5は互いに誘電プレート3により分離されて
おり、プレート3の電極31,32はそれぞれチ
ツプ4及び5と対向して位置されている。電極3
1及び32は互いに接続されており、端子Cに接
続されている。
ぞれが端子A及びBに接続されている電極11及
び12を有する誘電材料からなる外部プレートで
ある。圧電チツプである2つの部材4,5がプレ
ート1及び2間に挿入されている。圧電チツプ
4,5は互いに誘電プレート3により分離されて
おり、プレート3の電極31,32はそれぞれチ
ツプ4及び5と対向して位置されている。電極3
1及び32は互いに接続されており、端子Cに接
続されている。
水晶チツプ4は電極11及び31間に挿入さ
れ、電極31から非常に隣接した位置にあるが接
触はしていない振動能動部41を備えている。同
様にして水晶チツプ5は電極21及び32間に挿
入され、電極32から非常に隣接した位置にある
が接触はしていない振動能動部51を備えてい
る。
れ、電極31から非常に隣接した位置にあるが接
触はしていない振動能動部41を備えている。同
様にして水晶チツプ5は電極21及び32間に挿
入され、電極32から非常に隣接した位置にある
が接触はしていない振動能動部51を備えてい
る。
通常、本発明による双共振子の構造は中心プレ
ート3の中心線J―J′に対して上下は全く対称形
であり、又場合によつてはかつ軸K―K′に対し
て左右対称形である。しかし、2つの水晶チツプ
4,5の結晶軸に対する対称性はそれ程重要では
ない。このようにして、水晶チツプ4,5はそれ
らのチツプの軸Y′が互いに反対方向となるよう
に配置される(第1図参照)。チツプ4,5が常
に平凸状の場合には、常に絶対に必要というわけ
ではないが、各チツプの軸Y′の正方向に凸面を
向けることが有利である。
ート3の中心線J―J′に対して上下は全く対称形
であり、又場合によつてはかつ軸K―K′に対し
て左右対称形である。しかし、2つの水晶チツプ
4,5の結晶軸に対する対称性はそれ程重要では
ない。このようにして、水晶チツプ4,5はそれ
らのチツプの軸Y′が互いに反対方向となるよう
に配置される(第1図参照)。チツプ4,5が常
に平凸状の場合には、常に絶対に必要というわけ
ではないが、各チツプの軸Y′の正方向に凸面を
向けることが有利である。
更に、水晶チツプ4,5は、好ましくは、プレ
ート1,2及び3間に位置されており、水晶チツ
プ4,5の軸Zが互いに対向する方向に位置され
ているとよい。もし水晶チツプ4,5がいずれも
右側又は左側水晶であれば、チツプ4,5の軸X
は同方向となる(第1図参照)。
ート1,2及び3間に位置されており、水晶チツ
プ4,5の軸Zが互いに対向する方向に位置され
ているとよい。もし水晶チツプ4,5がいずれも
右側又は左側水晶であれば、チツプ4,5の軸X
は同方向となる(第1図参照)。
電極11,31及び21,32間に位置してい
るチツプ4,5の能動部41,51は上記とは異
なる方法で支持することができる。第1図に示し
た好ましい実施例の1つによれば、チツプ4,5
のリング42,52はプレート1及び3,2及び
3とのそれぞれのスペーサとして作用している。
このようにして互いのプレート間の距離は正確に
決定され、チツプ4,5の能動部41,51は、
周辺の支持部42,52よりわずかに引つ込んだ
形状をなしており、電極11,31、及び21,
32から非常に隣接する位置となつている。
るチツプ4,5の能動部41,51は上記とは異
なる方法で支持することができる。第1図に示し
た好ましい実施例の1つによれば、チツプ4,5
のリング42,52はプレート1及び3,2及び
3とのそれぞれのスペーサとして作用している。
このようにして互いのプレート間の距離は正確に
決定され、チツプ4,5の能動部41,51は、
周辺の支持部42,52よりわずかに引つ込んだ
形状をなしており、電極11,31、及び21,
32から非常に隣接する位置となつている。
能動部41,51の周辺部の一部に設けられた
薄い中間部分43,53により振動能動部分4
1,51及び支持部42,52との機械的接触及
び振動に対しての絶縁状態を保証している。この
ような支持方法はすでにフランス特許第2338607
号により開示されている。
薄い中間部分43,53により振動能動部分4
1,51及び支持部42,52との機械的接触及
び振動に対しての絶縁状態を保証している。この
ような支持方法はすでにフランス特許第2338607
号により開示されている。
本発明はこのような支持方法に限定されるもの
ではない。例えば、部42,52は独立した環状
部分からなり、一方能動部41,51はプレート
1,2及び3は例えば熱圧縮部材によつて支持さ
れても良い。
ではない。例えば、部42,52は独立した環状
部分からなり、一方能動部41,51はプレート
1,2及び3は例えば熱圧縮部材によつて支持さ
れても良い。
本発明による双共振子は種々の変形が可能であ
る。例えば、一方に電極11,31と水晶41を
備え、他方に電極21,32と水晶51とを備え
た共振子部の周波数は実質的に等しいか又は明ら
かに異なるものとすることができる。
る。例えば、一方に電極11,31と水晶41を
備え、他方に電極21,32と水晶51とを備え
た共振子部の周波数は実質的に等しいか又は明ら
かに異なるものとすることができる。
双共振子部11,31,41及び21,32,
51が等しいか又は殆ど等しい共振周波数の場合
は、直列接続、すなわち端子AとBの交流電圧が
取り出され、端子Cは接続されない、又並列接続
では端子Cと端子A及びBが接続される、すなわ
ちAとBは接続される。いずれの場合にしても、
本発明による単共振子又は双共振子は単一の水晶
チツプを使用したものに比較して温度上昇に対す
る感度は非常に小さくされたものが得られる。ま
た同様にして得られた双共振子は短期間及び長期
間のいずれの場合にも改善された周波数安定度を
示す。
51が等しいか又は殆ど等しい共振周波数の場合
は、直列接続、すなわち端子AとBの交流電圧が
取り出され、端子Cは接続されない、又並列接続
では端子Cと端子A及びBが接続される、すなわ
ちAとBは接続される。いずれの場合にしても、
本発明による単共振子又は双共振子は単一の水晶
チツプを使用したものに比較して温度上昇に対す
る感度は非常に小さくされたものが得られる。ま
た同様にして得られた双共振子は短期間及び長期
間のいずれの場合にも改善された周波数安定度を
示す。
他の可能な接続方法として共振子部11,3
1,41及び21,32,51の共振周波数が非
常に異なつている場合、例えば、1MHz異なつて
いる場合には、前記共振子部は並列接続される。
この様な場合、水晶チツプ4及び5はできる限り
同一のものであるので(同じ構成部材であり、基
本水晶より同じ切り出し方法でカツトされたも
の)、共振子部11,31,41及び21,3
2,51のそれぞれ共振する共振周波数は全く同
一である。第2図にはチツプ41(曲線C1)の共
振周波数特性を温度の関数で示してあり、同様に
チツプ51(曲線C2)の共振周波数特性を温度の
関数で示してある。この2つの曲線は実質的に平
行であり、共振子部11,31,41及び21,
32,51が並列に接続されている時の異なる温
度t1及びt2で得られる周波数差△1及び△2は温
度とは全く無関係であり、チツプ41,51の温
度特性変曲点tiで得られる値△iの値とほぼ等し
い値である。このようにして得られるシステムは
瞬間加熱システムと呼ばれているものであり、す
なわち変曲点の温度が得られない場合でも比例す
る。
1,41及び21,32,51の共振周波数が非
常に異なつている場合、例えば、1MHz異なつて
いる場合には、前記共振子部は並列接続される。
この様な場合、水晶チツプ4及び5はできる限り
同一のものであるので(同じ構成部材であり、基
本水晶より同じ切り出し方法でカツトされたも
の)、共振子部11,31,41及び21,3
2,51のそれぞれ共振する共振周波数は全く同
一である。第2図にはチツプ41(曲線C1)の共
振周波数特性を温度の関数で示してあり、同様に
チツプ51(曲線C2)の共振周波数特性を温度の
関数で示してある。この2つの曲線は実質的に平
行であり、共振子部11,31,41及び21,
32,51が並列に接続されている時の異なる温
度t1及びt2で得られる周波数差△1及び△2は温
度とは全く無関係であり、チツプ41,51の温
度特性変曲点tiで得られる値△iの値とほぼ等し
い値である。このようにして得られるシステムは
瞬間加熱システムと呼ばれているものであり、す
なわち変曲点の温度が得られない場合でも比例す
る。
すでに述べた実施方法により温度上昇に対する
感度は非常に小さくなつている。
感度は非常に小さくなつている。
第3図に示したものは本発明の双共振子の実施
例の1つの断面図であり、水晶チツプ4,5が温
度変曲点tiに簡単に、しかも早く達することがで
きるように構成したものであり、誘電材料の容積
が非常に大きく設定温度まで上昇させるのにかな
りな熱量を必要とする場合に於ても可能なもので
ある。第3図に示した双共振子は水晶チツプ4,
5及び電極を支持しているプレート1,2,3を
含む密閉容器内に加熱装置を備えている。
例の1つの断面図であり、水晶チツプ4,5が温
度変曲点tiに簡単に、しかも早く達することがで
きるように構成したものであり、誘電材料の容積
が非常に大きく設定温度まで上昇させるのにかな
りな熱量を必要とする場合に於ても可能なもので
ある。第3図に示した双共振子は水晶チツプ4,
5及び電極を支持しているプレート1,2,3を
含む密閉容器内に加熱装置を備えている。
第3図に示した実施例によれば、ある抵抗値を
有する層は双共振子の非振動部、特に電極支持プ
レート上に設けられている、すなわち、水晶チツ
プ4,5の能動部41,51と非常に隣接した位
置である。このように抵抗層13,23はそれぞ
れ誘電プレート1,2に設けられており、一方抵
抗層35,36はプレート3上に設けられてい
る。各抵抗層13,23,35,36は対応する
誘電プレート上に直接設けられており、そして更
に酸化シリコン(SiO)等による絶縁材料の薄層
12,22,33,34により覆われている。そ
してその上に電極11,21,31又は32が設
けられている。他の実施例によれば、電極11,
21,31及び32は最初に対応するプレート
1,2及び3に金属化処理により設けられ、次に
薄い絶縁層12,22,33,34が電極上に重
ねて設けられ、熱伝導層13,23,35,36
により覆われる。
有する層は双共振子の非振動部、特に電極支持プ
レート上に設けられている、すなわち、水晶チツ
プ4,5の能動部41,51と非常に隣接した位
置である。このように抵抗層13,23はそれぞ
れ誘電プレート1,2に設けられており、一方抵
抗層35,36はプレート3上に設けられてい
る。各抵抗層13,23,35,36は対応する
誘電プレート上に直接設けられており、そして更
に酸化シリコン(SiO)等による絶縁材料の薄層
12,22,33,34により覆われている。そ
してその上に電極11,21,31又は32が設
けられている。他の実施例によれば、電極11,
21,31及び32は最初に対応するプレート
1,2及び3に金属化処理により設けられ、次に
薄い絶縁層12,22,33,34が電極上に重
ねて設けられ、熱伝導層13,23,35,36
により覆われる。
各抵抗層13,23,35及び36はそれぞれ
端子D,E,Fに接続されており、このことによ
り、前記抵抗層を流れる電流により発生されたジ
ユール熱が水晶チツプ4,5の能動部41,51
と隣接する部分に伝達される。抵抗層は電極と比
較して非常に薄いので、共振子の性能に影響を与
えることはなく、前記層は非振動部分に設けられ
ている。
端子D,E,Fに接続されており、このことによ
り、前記抵抗層を流れる電流により発生されたジ
ユール熱が水晶チツプ4,5の能動部41,51
と隣接する部分に伝達される。抵抗層は電極と比
較して非常に薄いので、共振子の性能に影響を与
えることはなく、前記層は非振動部分に設けられ
ている。
更に本発明の他の特徴によれば、抵抗層42
1,521はチツプ4,5のそれぞれの部42,
52に設けられており、その位置でプレート1,
2及び3を支持するスペーサ・リングとして作用
している。抵抗層421,521はそれぞれ端子
G,Hを介して電流源に接続されており、水晶チ
ツプ4,5の能動部41,51を急速に加熱する
ことができる。抵抗層421,521は非共振部
に設けられているので双共振子の性能に影響を与
えることはない。もちろん抵抗層421,521
を個々に独立して、又はプレート1,2,3に設
けられた層13,23,35,36と協働して用
いることも可能である。また抵抗層421,52
1は独立した環状部の周辺部同様部41,51に
接続されている周辺部42,52に設けることも
可能である。
1,521はチツプ4,5のそれぞれの部42,
52に設けられており、その位置でプレート1,
2及び3を支持するスペーサ・リングとして作用
している。抵抗層421,521はそれぞれ端子
G,Hを介して電流源に接続されており、水晶チ
ツプ4,5の能動部41,51を急速に加熱する
ことができる。抵抗層421,521は非共振部
に設けられているので双共振子の性能に影響を与
えることはない。もちろん抵抗層421,521
を個々に独立して、又はプレート1,2,3に設
けられた層13,23,35,36と協働して用
いることも可能である。また抵抗層421,52
1は独立した環状部の周辺部同様部41,51に
接続されている周辺部42,52に設けることも
可能である。
本発明は上記した実施例に限定されるものでは
なく、同様にして装置の容積を変えることなく、
適切な異なる電極との接続により、電極を備えた
別の誘電プレートにより各水晶チツプ4,5を更
に独立したチツプに細分することも可能である。
事実同様の密閉容器に追加するものは電極を支持
する更なるプレートと同時に更なる水晶チツプの
みである。
なく、同様にして装置の容積を変えることなく、
適切な異なる電極との接続により、電極を備えた
別の誘電プレートにより各水晶チツプ4,5を更
に独立したチツプに細分することも可能である。
事実同様の密閉容器に追加するものは電極を支持
する更なるプレートと同時に更なる水晶チツプの
みである。
第1図は本発明による圧電双共振子の断面図で
ある。第2図は温度対共振周波数の関係を示す図
である。第3図は本発明の他の実施例による圧電
共振子の断面図である。 図中符号、1,2:外部プレート、3:(誘
電)プレート、4,5:圧電チツプ(共振子
部)、11,21,31,32:電極、12,2
2,33,34:絶縁層、13,23,35,3
6,421,521:抵抗層(熱伝導層)、4
1,51:(振動)能動部、42,52:環状部
(リング)、43.53:中間部分、A,B,C,
D,E,F,G,H:端子。
ある。第2図は温度対共振周波数の関係を示す図
である。第3図は本発明の他の実施例による圧電
共振子の断面図である。 図中符号、1,2:外部プレート、3:(誘
電)プレート、4,5:圧電チツプ(共振子
部)、11,21,31,32:電極、12,2
2,33,34:絶縁層、13,23,35,3
6,421,521:抵抗層(熱伝導層)、4
1,51:(振動)能動部、42,52:環状部
(リング)、43.53:中間部分、A,B,C,
D,E,F,G,H:端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 水晶に接続されていない電極を有する圧電双
共振子に於て、それぞれ第1及び第2電極を有し
誘電物質からなる第1及び第2プレートと、前記
第1及び第2電極と対向し表面が互いに結合され
ている第3及び第4電極を有する誘電物質からな
る第3プレートと、独立した同一形状の水晶から
なる2つの圧電チツプとを備えており、前記第1
チツプは前記第1及び第3電極間に互いに接触し
ない状態にて挿入されており、前記第2チツプは
前記第2及び第4電極間に互いに接触しない状態
にて挿入されており、前記2つの圧電チツプの軸
Y′は互いに反対方向を向いているように構成配
置したことを特徴とする圧電双共振子。 2 更に前記2つの水晶チツプの軸Zも互いに反
対方向を向いているように構成配置したことを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載の圧電双共
振子。 3 前記圧電チツプは平凸状に形成されておりそ
の凸面は軸Y′方向を向いていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項に記載の圧電双共振子。 4 前記第1圧電チツプと第1及び第3電極から
なる第1共振子部の共振周波数は前記第2圧電チ
ツプと第2及び第4電極からなる第2共振子部の
共振周波数とは実質的に等しいこと特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の圧電双共振子。 5 前記第1及び第2共振子部は並列接続されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第4項に記
載の圧電双共振子。 6 前記第1及び第2共振子部は直列接続されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第4項に記
載の圧電双共振子。 7 前記第1圧電チツプと第1及び第3電極から
なる第1共振子部の共振周波数は前記第2圧電チ
ツプと第2及び4電極からなる第2共振子部の共
振周波数とは明らかに異なる周波数であり、前記
第1及び第2圧電チツプは直列接続されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の圧
電双共振子。 8 前記第1及び第2共振子部の共振周波数は互
いに少なくとも5%異なつていることを特徴とす
る特許請求の範囲第2項に記載の圧電双共振子。 9 前記第1、第2及び第3プレートは、少なく
とも圧電チツプと対向する側はある抵抗値を有す
る物質からなる抵抗層により覆われており、プレ
ート上に設けられた電極とは絶縁層により電気的
に絶縁されていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項に記載の圧電双共振子。 10 2つの電極間に位置する圧電チツプの能動
部にそれぞれ設けられた周辺環状部(リング)は
ある抵抗値を有する発熱層で覆われており、前記
電極を有するプレートとのスペーサとして作用す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
の圧電双共振子。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7828728A FR2438939A1 (fr) | 1978-10-09 | 1978-10-09 | Bi-resonateur piezoelectrique |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5550721A JPS5550721A (en) | 1980-04-12 |
| JPS6231859B2 true JPS6231859B2 (ja) | 1987-07-10 |
Family
ID=9213484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12955179A Granted JPS5550721A (en) | 1978-10-09 | 1979-10-09 | Piezooelectric twin resonator |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4317059A (ja) |
| EP (1) | EP0010046B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5550721A (ja) |
| DE (1) | DE2966051D1 (ja) |
| FR (1) | FR2438939A1 (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764922U (ja) * | 1980-10-01 | 1982-04-17 | ||
| US4365182A (en) * | 1980-10-14 | 1982-12-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of fabricating acceleration resistant crystal resonators and acceleration resistant crystal resonators so formed |
| FR2506553A1 (fr) * | 1981-05-20 | 1982-11-26 | France Etat | Dispositif de chauffage a micro-ondes pour resonateur haute frequence |
| US4720651A (en) * | 1982-06-10 | 1988-01-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Resonator insensitive to paraxial accelerations |
| US4410822A (en) * | 1982-06-17 | 1983-10-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Acceleration-resistant crystal resonator |
| FR2545669B1 (fr) * | 1983-05-03 | 1985-08-09 | France Etat Armement | Oscillateur a quartz compense en temperature |
| US4532450A (en) * | 1983-12-19 | 1985-07-30 | Litton Resources Systems, Inc. | Compound piezoelectric accelerometer with residual voltage matching |
| JPH0642617B2 (ja) * | 1984-06-18 | 1994-06-01 | 日本電波工業株式会社 | 圧電振動子 |
| JPS6141215A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-27 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子 |
| JPS6163107A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-01 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子 |
| FR2583578B1 (fr) * | 1985-06-14 | 1987-08-14 | France Etat Armement | Resonateur piezo-electrique a extremum de sensibilite vis-a-vis des contraintes exterieures de pression |
| JPH0377526U (ja) * | 1989-11-30 | 1991-08-05 | ||
| US5030875A (en) * | 1990-01-26 | 1991-07-09 | Motorola, Inc. | Sacrificial quartz crystal mount |
| DE4002254A1 (de) * | 1990-01-26 | 1991-08-14 | Licentia Gmbh | Ultraschallmotor mit zwei rotoren |
| US5089741A (en) * | 1990-07-19 | 1992-02-18 | Atochem North America, Inc. | Piezofilm impact detector with pyro effect elimination |
| US5109176A (en) * | 1990-11-16 | 1992-04-28 | Motorola, Inc. | Mounting for multiple crystal filter blanks |
| US5668057A (en) * | 1991-03-13 | 1997-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Methods of manufacture for electronic components having high-frequency elements |
| US5747857A (en) * | 1991-03-13 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic components having high-frequency elements and methods of manufacture therefor |
| GB2260642B (en) * | 1991-10-19 | 1995-02-08 | Northern Telecom Ltd | Crystal resonator device |
| JPH06291587A (ja) * | 1992-07-08 | 1994-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電振動子 |
| US5410789A (en) * | 1992-11-13 | 1995-05-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing piezoelectric-resonator having vibrating spaces formed therein |
| US5415175A (en) * | 1993-09-07 | 1995-05-16 | Acuson Corporation | Broadband phased array transducer design with frequency controlled two dimension capability and methods for manufacture thereof |
| US5438998A (en) * | 1993-09-07 | 1995-08-08 | Acuson Corporation | Broadband phased array transducer design with frequency controlled two dimension capability and methods for manufacture thereof |
| US5743855A (en) * | 1995-03-03 | 1998-04-28 | Acuson Corporation | Broadband phased array transducer design with frequency controlled two dimension capability and methods for manufacture thereof |
| US5955825A (en) | 1996-04-26 | 1999-09-21 | Mitsubishi Materials Corporation | Crystal oscillator and manufacturing method thereof |
| US6031317A (en) * | 1997-09-17 | 2000-02-29 | Aeptec Microsystems, Inc. | Piezoelecric shock sensor |
| JP3335122B2 (ja) | 1998-05-06 | 2002-10-15 | 松下電器産業株式会社 | 角速度センサ |
| GB2439606B (en) * | 2006-06-29 | 2011-08-17 | C Mac Quartz Crystals Ltd | An oscillator |
| EP2356743A1 (en) | 2008-11-07 | 2011-08-17 | Greenray Industries, Inc. | Crystal oscillator with reduced acceleration sensitivity |
| US9791503B1 (en) | 2015-09-30 | 2017-10-17 | Integrated Device Technology, Inc. | Packaged oscillators with built-in self-test circuits that support resonator testing with reduced pin count |
| WO2020041219A1 (en) | 2018-08-20 | 2020-02-27 | Woolsey David | An acoustic resonator |
| CN113690513B (zh) * | 2021-08-18 | 2023-08-29 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电池模块及电子设备 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2210045A (en) * | 1937-10-30 | 1940-08-06 | Telefunken Gmbh | Piezo-electric crystal holder |
| US2232277A (en) * | 1938-09-02 | 1941-02-18 | Telefunken Gmbh | Piezoelectric crystal holder |
| DE912709C (de) * | 1939-12-06 | 1954-06-03 | Zeiss Carl Fa | Piezoelektrische Resonatoreinrichtung |
| US2321358A (en) * | 1941-06-30 | 1943-06-08 | Rca Corp | Art of mounting piezoelectric crystals |
| US2293485A (en) * | 1941-11-04 | 1942-08-18 | Gen Electric | Piezoelectric device holder |
| US2483677A (en) * | 1946-06-24 | 1949-10-04 | Brush Dev Co | Moistureproof piezoelectric crystal and method of making same |
| FR1196933A (fr) * | 1956-11-16 | 1959-11-26 | Gen Electric Co Ltd | éléments piezo-électriques et circuits électriques les utilisant |
| US3339091A (en) * | 1964-05-25 | 1967-08-29 | Hewlett Packard Co | Crystal resonators |
| US3478573A (en) * | 1965-07-29 | 1969-11-18 | Exxon Research Engineering Co | Integral heater piezoelectric devices |
| US3431392A (en) * | 1967-01-13 | 1969-03-04 | Hughes Aircraft Co | Internally heated crystal devices |
| USRE26707E (en) * | 1969-02-11 | 1969-11-04 | Crystal resonators | |
| GB1430398A (en) * | 1972-12-29 | 1976-03-31 | Onoe M | Temperature compensation piezoelectric oscillator |
| FR2338607A1 (fr) * | 1976-01-16 | 1977-08-12 | France Etat | Resonateur a quartz a electrodes non adherentes au cristal |
| JPS5434272A (en) * | 1977-08-23 | 1979-03-13 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Electronic wristwatch |
| JPS54113308A (en) * | 1978-02-23 | 1979-09-04 | Sony Corp | Tracking device for magnetic head |
-
1978
- 1978-10-09 FR FR7828728A patent/FR2438939A1/fr active Granted
-
1979
- 1979-09-26 US US06/079,239 patent/US4317059A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-10-05 EP EP79400710A patent/EP0010046B1/fr not_active Expired
- 1979-10-05 DE DE7979400710T patent/DE2966051D1/de not_active Expired
- 1979-10-09 JP JP12955179A patent/JPS5550721A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2438939B1 (ja) | 1982-11-12 |
| DE2966051D1 (en) | 1983-09-15 |
| EP0010046B1 (fr) | 1983-08-10 |
| US4317059A (en) | 1982-02-23 |
| JPS5550721A (en) | 1980-04-12 |
| EP0010046A1 (fr) | 1980-04-16 |
| FR2438939A1 (fr) | 1980-05-09 |
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