JPS6232612B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6232612B2 JPS6232612B2 JP55029983A JP2998380A JPS6232612B2 JP S6232612 B2 JPS6232612 B2 JP S6232612B2 JP 55029983 A JP55029983 A JP 55029983A JP 2998380 A JP2998380 A JP 2998380A JP S6232612 B2 JPS6232612 B2 JP S6232612B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- electron beam
- ion beam
- reference mark
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路などのパターン製作時に電
子線を既存のパターンと位置合わせして露光する
電子線露光方法に関するものである。
子線を既存のパターンと位置合わせして露光する
電子線露光方法に関するものである。
集積回路などのパターンを、電子線を用いて露
光する方法が従来から用いられているが、この場
合に、パターンの露光を同一基板に対して繰り返
して行なう場合には、電子線とパターンの相互位
置合わせが正確に行なわれていることが必要であ
る。
光する方法が従来から用いられているが、この場
合に、パターンの露光を同一基板に対して繰り返
して行なう場合には、電子線とパターンの相互位
置合わせが正確に行なわれていることが必要であ
る。
このために、従来から基板上に例えばSiO2の
凹凸を、位置基準マーク（以下単にマークと称す
る）として付設しておき、このマークを含む領域
を、電子線で走査して、電子線と基板の位置関係
を検出することが行なわれている。
凹凸を、位置基準マーク（以下単にマークと称す
る）として付設しておき、このマークを含む領域
を、電子線で走査して、電子線と基板の位置関係
を検出することが行なわれている。
本発明をより充分に理解するために、従来技術
を第１図を用いてさらに詳細に説明する。基板１
の上に事前にマーク２を形成する。このマークは
酸化膜であつたり、金属パターンであつたりす
る。位置検出のためには第１図のごとくマーク２
を電子線３で走査しつつ、反射電子又は２次電子
の信号を測定する。
を第１図を用いてさらに詳細に説明する。基板１
の上に事前にマーク２を形成する。このマークは
酸化膜であつたり、金属パターンであつたりす
る。位置検出のためには第１図のごとくマーク２
を電子線３で走査しつつ、反射電子又は２次電子
の信号を測定する。
この信号を位置検出信号と名付ける。位置検出
信号は第２図の４のごとき波形である。これを第
２図下のブロツク図で示す回路により処理する。
すなわち、検出器５により検出された信号をパル
ス回路６によつてノイズを平滑化し、微分し、し
きい値を越える時刻にパルスを発生し、コンピユ
タもしくはマイクロプロセツサ７に送る。コンピ
ユータもしくはマイクロプロセツサ７はパルスの
送られた時刻によつてマーク２の位置を検出す
る。しかしながら、このような従来のマーク位置
検出方法はマークの高さ若しくは深さが大きくな
いとき、又は基板とマークの材質の原子番号があ
まり離れていないときには、高精度の位置検出が
できず、したがつて高精度の位置合わせで露光で
きないという欠点を有している。
信号は第２図の４のごとき波形である。これを第
２図下のブロツク図で示す回路により処理する。
すなわち、検出器５により検出された信号をパル
ス回路６によつてノイズを平滑化し、微分し、し
きい値を越える時刻にパルスを発生し、コンピユ
タもしくはマイクロプロセツサ７に送る。コンピ
ユータもしくはマイクロプロセツサ７はパルスの
送られた時刻によつてマーク２の位置を検出す
る。しかしながら、このような従来のマーク位置
検出方法はマークの高さ若しくは深さが大きくな
いとき、又は基板とマークの材質の原子番号があ
まり離れていないときには、高精度の位置検出が
できず、したがつて高精度の位置合わせで露光で
きないという欠点を有している。
本発明に係る電子線露光方法はこのような従来
の欠点を解決し、高精度に位置合わせして露光で
きることを目的とする。
の欠点を解決し、高精度に位置合わせして露光で
きることを目的とする。
すなわち、本発明によれば、イオンビームでマ
ークを照射してそのマーク位置を検出し、該検出
信号に基づいて電子線の被処理体への照射位置を
決定して電子線の露光が行われる。
ークを照射してそのマーク位置を検出し、該検出
信号に基づいて電子線の被処理体への照射位置を
決定して電子線の露光が行われる。
以下、本発明に係る電子線露光方法をその実施
例に基づいて詳細に説明する。
例に基づいて詳細に説明する。
第３図は本発明の実施例を示す説明図である。
基板１の上に事前にマーク２を形成し、その上に
電子レジストを塗布する（図では省略）。電子線
３で電子レジストを露光する前に、まずイオンビ
ーム３１でマーク２を走査してこのイオンビーム
とマーク２との相対的位置関係を検出する。この
イオンビームとマーク２との位置関係と、あらか
じめ求められているイオンビーム３１と電子線３
との位置関係とからマーク２と電子線３との位置
関係がわかるので、マーク２から所望の位置に電
子線３でパターンを露光することができる。
基板１の上に事前にマーク２を形成し、その上に
電子レジストを塗布する（図では省略）。電子線
３で電子レジストを露光する前に、まずイオンビ
ーム３１でマーク２を走査してこのイオンビーム
とマーク２との相対的位置関係を検出する。この
イオンビームとマーク２との位置関係と、あらか
じめ求められているイオンビーム３１と電子線３
との位置関係とからマーク２と電子線３との位置
関係がわかるので、マーク２から所望の位置に電
子線３でパターンを露光することができる。
本発明の方法は、従来の電子線によるマーク２
の位置の検出より高精度に行なえる。これは電子
線よりイオンビームのほうが試料中への透過度が
少なく、表面での衝突現象だけがマーク位置検出
信号として寄与するので、マーク２の厚さを厚く
する必要がなくしたがつて電子線よりイオンビー
ムでマークを走査した方がＳ／Ｎ比の大きな信号
が得られるからである。
の位置の検出より高精度に行なえる。これは電子
線よりイオンビームのほうが試料中への透過度が
少なく、表面での衝突現象だけがマーク位置検出
信号として寄与するので、マーク２の厚さを厚く
する必要がなくしたがつて電子線よりイオンビー
ムでマークを走査した方がＳ／Ｎ比の大きな信号
が得られるからである。
第４図は、イオンビームと電子線との相対的位
置を求める方法を説明するための図である。試料
の端又は試料の保持具４１にマーク４２を形成し
ておく。これをイオンビーム３１により走査して
マークとイオンビームとの相対的位置を求め、次
に電子線３により上記マーク４２を走査して電子
線とマークとの相対的位置を求める。この２つの
相対的位置からイオンビームと電子線との相対的
位置を求める。ここでマーク４２は試料の端又は
その保持具に形成するので、通常のチツプ上に形
成できないような厚いマークを形成することがで
き、電子線に対してもＳ／Ｎ比の大きいマークに
することが可能である。
置を求める方法を説明するための図である。試料
の端又は試料の保持具４１にマーク４２を形成し
ておく。これをイオンビーム３１により走査して
マークとイオンビームとの相対的位置を求め、次
に電子線３により上記マーク４２を走査して電子
線とマークとの相対的位置を求める。この２つの
相対的位置からイオンビームと電子線との相対的
位置を求める。ここでマーク４２は試料の端又は
その保持具に形成するので、通常のチツプ上に形
成できないような厚いマークを形成することがで
き、電子線に対してもＳ／Ｎ比の大きいマークに
することが可能である。
以上詳細に説明したように、本発明に係る電子
線露光方法によれば、高精度に位置合わせして露
光することができる。
線露光方法によれば、高精度に位置合わせして露
光することができる。
第１図は従来のマーク検出方法を説明するため
の断面図、第２図はマーク検出信号と処理回路の
ブロツク図である。第３図は本発明の電子線露光
方法を説明するための断面図、第４図はイオンビ
ームと電子線との相対的位置を求めるための一方
法を説明するための断面図である。 なお、図において、１，４１は基板、２，４２
はマーク、３は電子線、４は位置検出信号の波
形、５は検出器、６はパルス回路、７はコンピユ
ータ、３１はイオンビームを表わす。
の断面図、第２図はマーク検出信号と処理回路の
ブロツク図である。第３図は本発明の電子線露光
方法を説明するための断面図、第４図はイオンビ
ームと電子線との相対的位置を求めるための一方
法を説明するための断面図である。 なお、図において、１，４１は基板、２，４２
はマーク、３は電子線、４は位置検出信号の波
形、５は検出器、６はパルス回路、７はコンピユ
ータ、３１はイオンビームを表わす。
Claims (1)
- １ 位置基準マークを有する被処理体を電子線露
光するに際し、電子線露光の前に前記位置基準マ
ークをイオンビームで照射してその位置基準マー
クの位置を検出し、該検出信号に基づいて電子線
の被処理体への照射位置を決定することを特徴と
する電子線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2998380A JPS56125836A (en) | 1980-03-10 | 1980-03-10 | Method for electron beam exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2998380A JPS56125836A (en) | 1980-03-10 | 1980-03-10 | Method for electron beam exposure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56125836A JPS56125836A (en) | 1981-10-02 |
| JPS6232612B2 true JPS6232612B2 (ja) | 1987-07-15 |
Family
ID=12291188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2998380A Granted JPS56125836A (en) | 1980-03-10 | 1980-03-10 | Method for electron beam exposure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56125836A (ja) |
-
1980
- 1980-03-10 JP JP2998380A patent/JPS56125836A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56125836A (en) | 1981-10-02 |
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