JPS6232674A - レ−ザ光減衰装置 - Google Patents
レ−ザ光減衰装置Info
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- JPS6232674A JPS6232674A JP60171611A JP17161185A JPS6232674A JP S6232674 A JPS6232674 A JP S6232674A JP 60171611 A JP60171611 A JP 60171611A JP 17161185 A JP17161185 A JP 17161185A JP S6232674 A JPS6232674 A JP S6232674A
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- Japan
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- light
- laser
- phase matching
- laser light
- energy intensity
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- Pending
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
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- Plasma & Fusion (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザ光減衰装置に関し、例えばレーザ加工装
置に適用し得るものである。
置に適用し得るものである。
例えばレーザ加工装置においては、レーザ光を用いて加
工対象の切断、孔あけ、表面処理（例えば半導体回路パ
ターンの切断、アニーリング等）を行う場合、照射する
加工用レーザ光を加工目的に適合する゛ような強さに任
意に設定できるようにするためレーザ光減衰装置が用い
られている。この種のレーザ光減衰装置としては従来、
吸収作用を利用したＮＤフィルタ、光の偏光を利用した
偏光フィルタ、又は超音波による結晶の屈折率の変化を
利用した音響光学素子等が用いられている。
工対象の切断、孔あけ、表面処理（例えば半導体回路パ
ターンの切断、アニーリング等）を行う場合、照射する
加工用レーザ光を加工目的に適合する゛ような強さに任
意に設定できるようにするためレーザ光減衰装置が用い
られている。この種のレーザ光減衰装置としては従来、
吸収作用を利用したＮＤフィルタ、光の偏光を利用した
偏光フィルタ、又は超音波による結晶の屈折率の変化を
利用した音響光学素子等が用いられている。
ところで最近のレーザ加工装置においては、高いエネル
ギーをもちかつ狭いパルス幅をもつ高出力レーザパルス
が用いられるようになって来ている。この高出力レーザ
パルスに対して、ＮＤフィルタや偏光フィルタを用いて
大きな減衰を得ようとすると、フィルタを形成する素材
のエネルギー吸収が大きくなって破壊するおそれがある
。また、音響光学素子についても同様に破壊するおそれ
がある上に、さらに発振周波数に対応するノイズが生ず
る欠点がある。
ギーをもちかつ狭いパルス幅をもつ高出力レーザパルス
が用いられるようになって来ている。この高出力レーザ
パルスに対して、ＮＤフィルタや偏光フィルタを用いて
大きな減衰を得ようとすると、フィルタを形成する素材
のエネルギー吸収が大きくなって破壊するおそれがある
。また、音響光学素子についても同様に破壊するおそれ
がある上に、さらに発振周波数に対応するノイズが生ず
る欠点がある。
結局、従来のレーザ光減衰装置によっては、実用上大き
な減衰を得ることが困難であり、従って被加工物体に対
して照射させるレーザ光のエネルギーを微妙に制御する
ことによって高精度の加工をしなければならないような
用途には適用し得ない問題がある。
な減衰を得ることが困難であり、従って被加工物体に対
して照射させるレーザ光のエネルギーを微妙に制御する
ことによって高精度の加工をしなければならないような
用途には適用し得ない問題がある。
かかる問題点を解決する方法として誘電体蒸着膜による
フィルタを用いられることが考えられる。
フィルタを用いられることが考えられる。
このフィルタは、高出力レーザにより破壊されるおそれ
はないが、透過率を連続的に変化させることができない
という問題がある。
はないが、透過率を連続的に変化させることができない
という問題がある。
また、他の方法として、レーザのランプ電圧や電流を変
化させることによりレーザの出力エネルギーを変化させ
ることが考えられるが、レーザの出力安定性を考慮する
と、その可変範囲は狭く、また設定精度も低いという問
題がある。
化させることによりレーザの出力エネルギーを変化させ
ることが考えられるが、レーザの出力安定性を考慮する
と、その可変範囲は狭く、また設定精度も低いという問
題がある。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、入射する
レーザ光のエネルギー強度を必要に応じて連続的に可変
制御し得るようにすると共に、エネルギー吸収による破
壊を有効に回避し得るようにしたレーザ光減衰装置を提
案しようとするものである。
レーザ光のエネルギー強度を必要に応じて連続的に可変
制御し得るようにすると共に、エネルギー吸収による破
壊を有効に回避し得るようにしたレーザ光減衰装置を提
案しようとするものである。
かかる問題点を解決するため本発明は、結晶の方位をレ
ーザ入射光の電場ベクトルに対して相対的に変更するこ
とによって位相整合条件が変更されるようになされた非
線形結晶体１７を有し、上記結晶体１７を上記入射光に
対して変位させて上記位相整合条件を変更することによ
り、出力光のエネルギー強度を制御するようにする。
ーザ入射光の電場ベクトルに対して相対的に変更するこ
とによって位相整合条件が変更されるようになされた非
線形結晶体１７を有し、上記結晶体１７を上記入射光に
対して変位させて上記位相整合条件を変更することによ
り、出力光のエネルギー強度を制御するようにする。
非線形結晶体１７に入射したレーザ光は、その電場ベク
トルに対する結晶の方位の相対的関係に応じて決る位相
整合の程度に応じた量だけ結晶体１７を透過し得る。従
って結晶体１７が回動等の変位をすることにより位相整
合条件が変更されると、出力光のエネルギー強度が変更
制御される。
トルに対する結晶の方位の相対的関係に応じて決る位相
整合の程度に応じた量だけ結晶体１７を透過し得る。従
って結晶体１７が回動等の変位をすることにより位相整
合条件が変更されると、出力光のエネルギー強度が変更
制御される。
従って結晶体１７を必要に応じて運動変位させることに
より出力光のエネルギー強度を連続的に変更制御し得、
かくするにつき入射光の吸収による破壊を有効に回避し
得るレーザ光減衰装置を容易に実現し得る。
より出力光のエネルギー強度を連続的に変更制御し得、
かくするにつき入射光の吸収による破壊を有効に回避し
得るレーザ光減衰装置を容易に実現し得る。
以下図面について本発明の一実施例を詳述する。
第１図は全体としてレーザ加工装置を示すもので、１は
レーザであり、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザが用いられ、
レーザ光２（波長１．０６ Ｃμｍ））が可変減衰器３
に送られる。
レーザであり、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザが用いられ、
レーザ光２（波長１．０６ Ｃμｍ））が可変減衰器３
に送られる。
可変減衰器３は、レーザ光２に対する結晶の位相整合条
件を制御することによって出力レーザ光６のエネルギー
を制御するもので、第２図及び第３図に示すように、平
行平面板状の第２高調波発生器１７と、光軸補正板２０
と、ダイクロイックミラー１９とからなる。第２高調波
発生器１７は、非線形光学効果を有する結晶体、例えば
透明なＫＤＰ（リン酸二水素カリウム）からなり、基本
波（波長１．０６ Ｃμｍ））のレーザ光が入射したと
き、基本波成分と第２高調波（波長０．５３ Ｃμｍ）
）成分とでなる出射光１８が得られる。
件を制御することによって出力レーザ光６のエネルギー
を制御するもので、第２図及び第３図に示すように、平
行平面板状の第２高調波発生器１７と、光軸補正板２０
と、ダイクロイックミラー１９とからなる。第２高調波
発生器１７は、非線形光学効果を有する結晶体、例えば
透明なＫＤＰ（リン酸二水素カリウム）からなり、基本
波（波長１．０６ Ｃμｍ））のレーザ光が入射したと
き、基本波成分と第２高調波（波長０．５３ Ｃμｍ）
）成分とでなる出射光１８が得られる。
ここで第２高調波発生器１７の出射光１８のエネルギー
強度は、ＫＤＰ結晶子の方位と、電場ベクトルの方向と
の位相整合条件に応じた値になり、位相整合がとれたと
き最大値を呈するようになされている。
強度は、ＫＤＰ結晶子の方位と、電場ベクトルの方向と
の位相整合条件に応じた値になり、位相整合がとれたと
き最大値を呈するようになされている。
第２高調波発生器１７は、第２図、第３図の仮想軸３８
を中心にして入射光２に対して前後方向に回動し得るよ
うに回動自在に設けられ、かくして第２高調波発生器１
７の結晶と入射光との間の相対的位相関係を連続的に変
更し得るようになされている。ここで、第２高調波発生
器１７を仮想軸３８を中心に回動させると、第４図に示
すようにある回動角の範囲内では回動角θが入射光２と
結晶との間の位相整合がとれたマツチング回動角θ。に
なったとき出射光Ｉ８のエネルギー強度が最大になり、
回動角がこのマツチング回動角θ。
を中心にして入射光２に対して前後方向に回動し得るよ
うに回動自在に設けられ、かくして第２高調波発生器１
７の結晶と入射光との間の相対的位相関係を連続的に変
更し得るようになされている。ここで、第２高調波発生
器１７を仮想軸３８を中心に回動させると、第４図に示
すようにある回動角の範囲内では回動角θが入射光２と
結晶との間の位相整合がとれたマツチング回動角θ。に
なったとき出射光Ｉ８のエネルギー強度が最大になり、
回動角がこのマツチング回動角θ。
からずれて行くに従って出射光Ｉ８のエネルギー強度が
低下して行く関係が得られる。
低下して行く関係が得られる。
その結果、第２高調波発生器１７の出射光１８のエネル
ギー強度は、回動角をマツチング回動角θ。を中心にし
て調整することにより制ｉｌｌすることができる。
ギー強度は、回動角をマツチング回動角θ。を中心にし
て調整することにより制ｉｌｌすることができる。
この実施例の場合第２高調波発生器１７は可変減衰器駆
動装置９の駆動出力ｓ１によって回動制御される。
動装置９の駆動出力ｓ１によって回動制御される。
かくして第２高８１１波発生器１７から得られる出射光
１８のエネルギー強度が制御されるが、その際に回動角
に応じた星だけ光軸が平行に位置ずれする（第３図参照
）。この先軸の位置ずれは、ガラス材料でなる光軸補正
板２０によって補正され、その出射光３９がダ・イクロ
イックミラ−１９に送出される。
１８のエネルギー強度が制御されるが、その際に回動角
に応じた星だけ光軸が平行に位置ずれする（第３図参照
）。この先軸の位置ずれは、ガラス材料でなる光軸補正
板２０によって補正され、その出射光３９がダ・イクロ
イックミラ−１９に送出される。
ダイク【コイツクミラーＩ９は、光軸補正板２゜を通過
したレーザ光３９のうち、基本波を抜き出してトラップ
４に導いて吸収させ、これにより、第２高調波成分だけ
を可変減衰器３の出力光６として送出する。
したレーザ光３９のうち、基本波を抜き出してトラップ
４に導いて吸収させ、これにより、第２高調波成分だけ
を可変減衰器３の出力光６として送出する。
可変減衰器３の出力光６はハーフミラ−５に入射される
。ハーフミラ−５は、出力光６の一部を引き出して光検
出器７に導き、その検出出力Ｓ２を制御装置８に供給す
ることにより、検出出力Ｓ２の値に従って出力光６のエ
ネルギー強度が目標値になるような制御信号Ｓ３を制御
装置８から可変減衰器駆動装置９に与え、第２図及び第
３図について上述したように可変減衰器３の回動角θ。
。ハーフミラ−５は、出力光６の一部を引き出して光検
出器７に導き、その検出出力Ｓ２を制御装置８に供給す
ることにより、検出出力Ｓ２の値に従って出力光６のエ
ネルギー強度が目標値になるような制御信号Ｓ３を制御
装置８から可変減衰器駆動装置９に与え、第２図及び第
３図について上述したように可変減衰器３の回動角θ。
を制御する。
他方、ハーフミラ−５を通過した［／−ザ光は、ビーム
エキスパンダ１０でビーム径を拡大された後、反射ミラ
ー１１を介して可変アパーチャ１２上に照射される。可
変アパーチャ１２によって所定の断面形状に整形された
後得られる光３７は、加工用レーザ光として対物レンズ
１３によって加工対象上に集光される。
エキスパンダ１０でビーム径を拡大された後、反射ミラ
ー１１を介して可変アパーチャ１２上に照射される。可
変アパーチャ１２によって所定の断面形状に整形された
後得られる光３７は、加工用レーザ光として対物レンズ
１３によって加工対象上に集光される。
ミラー１５は、可変アパーチャ１２を通過したレーザ光
３７の一部を引き出して光検出器１６に導き、その検出
出力Ｓ ａを制御装置８に供給することにより、加工光
３７のエネルギー強度が目標値になるような制御信号Ｓ
５を制御装置８から駆動回路２１に与え、可変アパーチ
ャ１２の開口面積を制御する。
３７の一部を引き出して光検出器１６に導き、その検出
出力Ｓ ａを制御装置８に供給することにより、加工光
３７のエネルギー強度が目標値になるような制御信号Ｓ
５を制御装置８から駆動回路２１に与え、可変アパーチ
ャ１２の開口面積を制御する。
第５図は、可変減衰器３の他の実施例を示したもので、
第２図との対応部分に同一符号を付して示すように、第
２高調波発生器１７の回転軸を直線偏光されているレー
ザ光２の光軸と一致させた状態で回動させることができ
るように設けられている。
第２図との対応部分に同一符号を付して示すように、第
２高調波発生器１７の回転軸を直線偏光されているレー
ザ光２の光軸と一致させた状態で回動させることができ
るように設けられている。
この実施例においても、上記実施例と同様に、第２高調
波発生器１７の結晶と入射光との間の位相整合条件を、
直線偏光面に対して回動させることにより、連続的に変
更し得、これにより、出射光のエネルギー強度を制御す
るようになされている。ただこの実施例の場合は、第２
高羽波発生器１７を光軸を中心に回動させることにより
位相整合条件を変更し得るようになされている点が第２
図の実施例とは相違し、第２高調波発生器１７としてそ
のように切り出された結晶が用いられている。
波発生器１７の結晶と入射光との間の位相整合条件を、
直線偏光面に対して回動させることにより、連続的に変
更し得、これにより、出射光のエネルギー強度を制御す
るようになされている。ただこの実施例の場合は、第２
高羽波発生器１７を光軸を中心に回動させることにより
位相整合条件を変更し得るようになされている点が第２
図の実施例とは相違し、第２高調波発生器１７としてそ
のように切り出された結晶が用いられている。
なおこの実施例において、入射するレーザ光２が直線偏
光していない場合は、偏光板等を挿入して直線偏光にす
れば良い。
光していない場合は、偏光板等を挿入して直線偏光にす
れば良い。
第６図は、さらに別の実施例を示すもので、２４．２５
は１／４ｍ長板、１７は第２高調波発生器をそれぞれ示
す。
は１／４ｍ長板、１７は第２高調波発生器をそれぞれ示
す。
この実施例は、入射光２が直線偏光しているとき適用し
得、入射光２を１／４波長板２４を通過させることによ
り円偏光の光に変換した後、さらに１／４波長板２５を
通過させて再び直線偏光に戻す。そして、このレーザ光
２９を第２高調波発生器１７に入射することにより第２
高調波を得る。
得、入射光２を１／４波長板２４を通過させることによ
り円偏光の光に変換した後、さらに１／４波長板２５を
通過させて再び直線偏光に戻す。そして、このレーザ光
２９を第２高調波発生器１７に入射することにより第２
高調波を得る。
この実施例の場合、１／４波長板２４．２５のいずれか
一方を光軸及び第２高調波発生器１７０回転軸に一致さ
せて回動させれば、レーザ光のエネルギー強度を制御で
きる。
一方を光軸及び第２高調波発生器１７０回転軸に一致さ
せて回動させれば、レーザ光のエネルギー強度を制御で
きる。
なおこれに代え、１／４波長板２４．２５を回転させず
、第２高調波発生器Ｉ７を回転させることによっても上
述の実施例の場合と同様の効果を得ることができる。
、第２高調波発生器Ｉ７を回転させることによっても上
述の実施例の場合と同様の効果を得ることができる。
また、この場合も、レーザ光が直線偏光していない場合
には、偏光板等を挿入して直線偏光とすれば良い。
には、偏光板等を挿入して直線偏光とすれば良い。
上記実施例の可変減衰器では第２高調波発生器を採用し
たが、本発明はこれに限らず、より高次の高調波発生器
を採用したものも含まれる。
たが、本発明はこれに限らず、より高次の高調波発生器
を採用したものも含まれる。
以上のように本発明によれば、可変減衰器として、人力
光に対する結晶板の位相整合条件を必要に応じて変更制
御することにより、出力光のエネルギー強度を制御し得
るようにしたので、吸収による破壊を生ずることなく、
連続的に出力光のエネルギー強度を可変制御し得るレー
ザ光減衰装置を容易に得ることができる。
光に対する結晶板の位相整合条件を必要に応じて変更制
御することにより、出力光のエネルギー強度を制御し得
るようにしたので、吸収による破壊を生ずることなく、
連続的に出力光のエネルギー強度を可変制御し得るレー
ザ光減衰装置を容易に得ることができる。
第１図は本発明によるレーザ光減衰装置の一実施例を示
すブロック図、第２図はその可変減衰器の一実施例を示
す斜視図、第３図は第２図の可変減衰器の側面図、第４
図はレーザ光のエネルギー強度と回動角θとの関係を示
す図、第５図及び第６図は可変減衰器の他の実施例を示
す斜視図である。 １・・・・・・レーザ、３・・・・・・可変減衰器、５
・・・・・・ハーフミラ−１１０・・・・・・ビームエ
キスパンダ、１１・・・・・・反射ミラー、１２・・・
・・・可変アパーチャ、１５・・・・・・ミラー、１３
・・・・・・対物レンズ。
すブロック図、第２図はその可変減衰器の一実施例を示
す斜視図、第３図は第２図の可変減衰器の側面図、第４
図はレーザ光のエネルギー強度と回動角θとの関係を示
す図、第５図及び第６図は可変減衰器の他の実施例を示
す斜視図である。 １・・・・・・レーザ、３・・・・・・可変減衰器、５
・・・・・・ハーフミラ−１１０・・・・・・ビームエ
キスパンダ、１１・・・・・・反射ミラー、１２・・・
・・・可変アパーチャ、１５・・・・・・ミラー、１３
・・・・・・対物レンズ。
Claims (1)
- 結晶の方位をレーザ入射光の電場ベクトルに対して相対
的に変更することによつて位相整合条件が変更されるよ
うになされた非線形光学結晶体を有し、上記結晶体を上
記入射光に対して変位させて上記位相整合条件を変更す
ることにより、出力光のエネルギー強度を制御するよう
にしたことを特徴とするレーザ光減衰装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171611A JPS6232674A (ja) | 1985-08-03 | 1985-08-03 | レ−ザ光減衰装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171611A JPS6232674A (ja) | 1985-08-03 | 1985-08-03 | レ−ザ光減衰装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6232674A true JPS6232674A (ja) | 1987-02-12 |
Family
ID=15926380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60171611A Pending JPS6232674A (ja) | 1985-08-03 | 1985-08-03 | レ−ザ光減衰装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6232674A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6444295A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-16 | Nec Corp | Laser beam trimming device |
| WO2002065597A1 (fr) * | 2001-02-14 | 2002-08-22 | Nikon Corporation | Source lumineuse et dispositif de rayonnement optique et production de ces dispositifs |
| JP2007275908A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Nippon Sharyo Seizo Kaisha Ltd | レーザ加工装置 |
| US7528079B2 (en) * | 1995-01-13 | 2009-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of changing an energy attenuation factor of a linear light in order to crystallize a semiconductor film |
| JP2015217402A (ja) * | 2014-05-15 | 2015-12-07 | 日本特殊陶業株式会社 | レーザ装置およびレーザ光の制御方法 |
| CN106949861A (zh) * | 2017-04-24 | 2017-07-14 | 中北大学 | 一种非线性超声在线监测金属材料应变变化的方法 |
| CN107186336A (zh) * | 2016-03-09 | 2017-09-22 | 住友重机械工业株式会社 | 激光加工装置 |
-
1985
- 1985-08-03 JP JP60171611A patent/JPS6232674A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6444295A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-16 | Nec Corp | Laser beam trimming device |
| US7528079B2 (en) * | 1995-01-13 | 2009-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of changing an energy attenuation factor of a linear light in order to crystallize a semiconductor film |
| WO2002065597A1 (fr) * | 2001-02-14 | 2002-08-22 | Nikon Corporation | Source lumineuse et dispositif de rayonnement optique et production de ces dispositifs |
| JPWO2002065597A1 (ja) * | 2001-02-14 | 2004-06-17 | 株式会社ニコン | 光源装置及び光照射装置、並びにデバイス製造方法 |
| US6894826B2 (en) | 2001-02-14 | 2005-05-17 | Nikon Corporation | Light source unit and light irradiation unit, and device manufacturing method |
| JP2007275908A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Nippon Sharyo Seizo Kaisha Ltd | レーザ加工装置 |
| JP2015217402A (ja) * | 2014-05-15 | 2015-12-07 | 日本特殊陶業株式会社 | レーザ装置およびレーザ光の制御方法 |
| CN107186336A (zh) * | 2016-03-09 | 2017-09-22 | 住友重机械工业株式会社 | 激光加工装置 |
| CN107186336B (zh) * | 2016-03-09 | 2021-08-27 | 住友重机械工业株式会社 | 激光加工装置 |
| CN106949861A (zh) * | 2017-04-24 | 2017-07-14 | 中北大学 | 一种非线性超声在线监测金属材料应变变化的方法 |
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