JPS6233317A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6233317A JPS6233317A JP60172851A JP17285185A JPS6233317A JP S6233317 A JPS6233317 A JP S6233317A JP 60172851 A JP60172851 A JP 60172851A JP 17285185 A JP17285185 A JP 17285185A JP S6233317 A JPS6233317 A JP S6233317A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- magnetic head
- head
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録媒体の再生に用いる薄膜磁気
ヘッドに関する。
ヘッドに関する。
従来の技術
従来この種の薄膜磁気ヘッドは、例えば第４図に示すよ
うな構造になっていた。すなわち、Ｍｎ−Ｚｎ フェ
ライトなどの強磁性体基板（１）の表面に８１０２など
の絶縁膜（２）を介してＡｕなどのバイアス用導体薄膜
線（３）が形成される。さらに絶縁膜（４）を介してト
ラック巾方向の両端に電極（図示せず）の付いたＮｉ−
Ｆｅなど磁気抵抗効果（ＭＲ）膜（５）よりなるＭＲ素
子が形成され、その上に絶縁膜（６）を介して０ｏ−Ｚ
ｒなどのアモルファス磁性膜よりなるコア＜７） 、
＜８＋が形成されている。
うな構造になっていた。すなわち、Ｍｎ−Ｚｎ フェ
ライトなどの強磁性体基板（１）の表面に８１０２など
の絶縁膜（２）を介してＡｕなどのバイアス用導体薄膜
線（３）が形成される。さらに絶縁膜（４）を介してト
ラック巾方向の両端に電極（図示せず）の付いたＮｉ−
Ｆｅなど磁気抵抗効果（ＭＲ）膜（５）よりなるＭＲ素
子が形成され、その上に絶縁膜（６）を介して０ｏ−Ｚ
ｒなどのアモルファス磁性膜よりなるコア＜７） 、
＜８＋が形成されている。
発明が解決しようとする問題点
ＭＲ素子の出力Ｅは、ＭＲ膜（５）に流れる電流密度を
Ｊ１比抵抗変化をΔρ、長さを２としてに＝、Ｔ−Δρ
、＋ｅ と表わせる。△ρ、ノはＭＲ＊子の材料、形状によって
決まるものであるから、ヘッド出力を増加するにはＪを
増やすのが可能な手段である。
Ｊ１比抵抗変化をΔρ、長さを２としてに＝、Ｔ−Δρ
、＋ｅ と表わせる。△ρ、ノはＭＲ＊子の材料、形状によって
決まるものであるから、ヘッド出力を増加するにはＪを
増やすのが可能な手段である。
しかしながら、Ｊは無制限に増やせるものではなく、膜
の周囲の材料による放熱量で決まる最大電流密度があり
、たとえば５１０２膜上のＮｉ−Ｆｅ膜の場合、約５０
ｍＡ／μＲである。これ以上の電流を流すとＭＲ膜は
溶断するので、この電流密度がヘッド出力を決める。
の周囲の材料による放熱量で決まる最大電流密度があり
、たとえば５１０２膜上のＮｉ−Ｆｅ膜の場合、約５０
ｍＡ／μＲである。これ以上の電流を流すとＭＲ膜は
溶断するので、この電流密度がヘッド出力を決める。
そこで本発明はＭＲ膜からの放熱を良好にする材料と構
成によりＭＲ膜に流せる電流を大きくしてヘッドの出力
を増加することを目的としている。
成によりＭＲ膜に流せる電流を大きくしてヘッドの出力
を増加することを目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明はＸ磁気記録媒体からの信号磁束を６手枠蕃半鴫
仔鴫基板上に形成した＃耐磁気抵抗効果素子の抵抗変化
として検出する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗
効果素子を少く共放熱性、硬度性がダイヤモンド板と等
効の基板上に形成するにある。
仔鴫基板上に形成した＃耐磁気抵抗効果素子の抵抗変化
として検出する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗
効果素子を少く共放熱性、硬度性がダイヤモンド板と等
効の基板上に形成するにある。
作用
本発明は上記した構成により、ＭＲ膜からの放熱が良好
で従来の２倍以上の電流密度で動作させることが可能と
なり高出力が得られる。
で従来の２倍以上の電流密度で動作させることが可能と
なり高出力が得られる。
実施例
第１図は本発明の薄膜ヘッドの一実施例の断面図を示す
。
。
厚さｏ−ｓ ｍｍのダイヤモンド板（９）の上に、厚さ
０、０５ ｐ７３のＮｉ−ｌＦｅ膜からなるＭＲ膜Ｑｌ
が形成され抵抗変化検出用のＡｕやＯｎなどの電極（図
示せず）がトラック巾方向の両端につけられてＭＲ素子
となる。その上に０．３μｍ厚の非磁性絶縁膜αυを介
してＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒなどのアモルファス磁性膜やＮ１
−Ｆθ、センダストなどの強磁性薄膜からなる磁気コア
ＱＢ、α謙が形成される。非磁性絶縁膜０υはダイヤモ
ンド膜のような熱伝導性の良い膜の方がより効果的であ
るがＭＲ膜α〔からの熱は大部分基板に逃げるので８１
０．やＡ４０ｓのような一般的な絶縁膜を用いても従来
のフェライト基板を用いたヘッドに比べて大きな電流を
流すことができる。
０、０５ ｐ７３のＮｉ−ｌＦｅ膜からなるＭＲ膜Ｑｌ
が形成され抵抗変化検出用のＡｕやＯｎなどの電極（図
示せず）がトラック巾方向の両端につけられてＭＲ素子
となる。その上に０．３μｍ厚の非磁性絶縁膜αυを介
してＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒなどのアモルファス磁性膜やＮ１
−Ｆθ、センダストなどの強磁性薄膜からなる磁気コア
ＱＢ、α謙が形成される。非磁性絶縁膜０υはダイヤモ
ンド膜のような熱伝導性の良い膜の方がより効果的であ
るがＭＲ膜α〔からの熱は大部分基板に逃げるので８１
０．やＡ４０ｓのような一般的な絶縁膜を用いても従来
のフェライト基板を用いたヘッドに比べて大きな電流を
流すことができる。
さらに絶縁膜α荀を介してＭＲ膜αｌにバイアス磁界を
印加するためのＡｕやＣｕ、Ａ７などからなるバイアス
用導体薄膜αり、非磁性絶縁膜αＧを挾んで強磁性薄膜
からなる磁気コアαηが形成される。
印加するためのＡｕやＣｕ、Ａ７などからなるバイアス
用導体薄膜αり、非磁性絶縁膜αＧを挾んで強磁性薄膜
からなる磁気コアαηが形成される。
本発明の薄膜磁気ヘッドは磁気コアα謙とαＤで作られ
るギャップで検出した磁気記録媒体からの信号磁束をＭ
Ｒ膜α値に導ひきＭＲ膜ａ１の抵抗変化として検知する
。ダイヤモンドの熱伝導率は約２１００ｗ／、−にで銀
の約５０倍と非常に良いので、その上に直接形成したＭ
Ｒ膜＋ＩＩは従来のＳｉｎ、膜の上に形成した場合に比
べて溶断電流密度は２倍以上になった。またダイヤモン
ドはビッカース硬度が１００００ｋｆ／ｍｒｎと非常に
硬いのでヘッド基板に用いた場合摩耗しにくい。
るギャップで検出した磁気記録媒体からの信号磁束をＭ
Ｒ膜α値に導ひきＭＲ膜ａ１の抵抗変化として検知する
。ダイヤモンドの熱伝導率は約２１００ｗ／、−にで銀
の約５０倍と非常に良いので、その上に直接形成したＭ
Ｒ膜＋ＩＩは従来のＳｉｎ、膜の上に形成した場合に比
べて溶断電流密度は２倍以上になった。またダイヤモン
ドはビッカース硬度が１００００ｋｆ／ｍｒｎと非常に
硬いのでヘッド基板に用いた場合摩耗しにくい。
ヘッド基板としては前記ダイヤモンド板の他に金属やセ
ラミックからなる基板の表面にダイヤモンド膜や高硬度
炭素膜を形成したものを用いても、膜を通しての放熱に
よりダイヤモンド板の場合に近い大きな溶断電流密度が
得られる。高硬度炭素膜はエカーボン（イオンビームス
パッタ法で作成された炭素膜）に代表されるダイヤモン
ド膜に近い性質をもつ炭素膜を総称する。ダイヤモンド
膜あるいは高硬度炭素膜は、真空中でＯＨ４ガスに高周
波を印加してプラズマ化したものに電圧を加えて加速し
基板に堆積する方法や炭素をターゲットトシてアルゴン
ガスでスパッタし基板を同時に水素ガスでたたくなどの
方法で比較的低温でも基板上に成膜することができる。
ラミックからなる基板の表面にダイヤモンド膜や高硬度
炭素膜を形成したものを用いても、膜を通しての放熱に
よりダイヤモンド板の場合に近い大きな溶断電流密度が
得られる。高硬度炭素膜はエカーボン（イオンビームス
パッタ法で作成された炭素膜）に代表されるダイヤモン
ド膜に近い性質をもつ炭素膜を総称する。ダイヤモンド
膜あるいは高硬度炭素膜は、真空中でＯＨ４ガスに高周
波を印加してプラズマ化したものに電圧を加えて加速し
基板に堆積する方法や炭素をターゲットトシてアルゴン
ガスでスパッタし基板を同時に水素ガスでたたくなどの
方法で比較的低温でも基板上に成膜することができる。
結晶性のダイヤモンド膜になるかダイヤモンドに近い高
硬度炭素膜になるかは成膜条件によって変化するが、適
当な成膜条件を選べば高硬度炭素膜でもダイヤモンドに
近い性質の膜が得られる。
硬度炭素膜になるかは成膜条件によって変化するが、適
当な成膜条件を選べば高硬度炭素膜でもダイヤモンドに
近い性質の膜が得られる。
第２図に従来の８１０２を絶縁膜にしたヘッド（ｂ）と
本発明の実施例のベリリア基板上に５μｍ厚のダイヤモ
ンド膜を形成したヘッド（Ｌ）のＭＲ雷電流対する出力
の関係を示す。
本発明の実施例のベリリア基板上に５μｍ厚のダイヤモ
ンド膜を形成したヘッド（Ｌ）のＭＲ雷電流対する出力
の関係を示す。
従来のヘッドでは５０ ｍＡ／ ｌ１ｒｒ？でＭＲ膜が
断線するのに対して本実施例のヘッドでは１００ ｍＡ
７’μ−以上の電流が流せ、それに応じて大きな出力が
得られる。
断線するのに対して本実施例のヘッドでは１００ ｍＡ
７’μ−以上の電流が流せ、それに応じて大きな出力が
得られる。
第３図に本発明の薄膜磁気ヘッドの他の実施例を示す。
ＮｉＺｎ基板０咎の一部が切欠かれダイヤモンドブロッ
ク翰が埋め込まれている。その上にＭＲ膜αＱ１磁気コ
アαｚ１α滑、バイアス用導体薄膜α９がそれぞれ非磁
性導体薄膜αυ、ａくを介して形成される。このヘッド
は磁気コアａ３を主磁極として垂直記録媒体に記録され
た信号を効率良く再生する。ＭＲ膜は第１の実施例と同
じくダイヤモンド上に形成されるので大きな信号検出電
流を流せる。
ク翰が埋め込まれている。その上にＭＲ膜αＱ１磁気コ
アαｚ１α滑、バイアス用導体薄膜α９がそれぞれ非磁
性導体薄膜αυ、ａくを介して形成される。このヘッド
は磁気コアａ３を主磁極として垂直記録媒体に記録され
た信号を効率良く再生する。ＭＲ膜は第１の実施例と同
じくダイヤモンド上に形成されるので大きな信号検出電
流を流せる。
発明の効果
本発明によれば、熱伝導性の良い基板材料の上に直接Ｍ
Ｒ膜を形成することにより、ＭＲ膜に流せる電流密度が
従来のヘッド構成の場合と比べて２倍以上になるので同
じ記録媒体を用いて２倍以上の出力電圧が得られる。
Ｒ膜を形成することにより、ＭＲ膜に流せる電流密度が
従来のヘッド構成の場合と比べて２倍以上になるので同
じ記録媒体を用いて２倍以上の出力電圧が得られる。
第１図は本発明の薄膜磁気ヘッドの第１の実施例の断面
図、第２図は本発明の薄膜磁気ヘッドの特性図、第３図
は本発明の薄膜磁気ヘッドの第°２の実施例の断面図、
第４図は従来の薄膜磁気ヘッドの断面図、を示す。 ９：ダイモンド板 １０ ： Ｍ Ｒ膜 １１：絶
縁膜【２：磁気コア １３：磁気コア １４：絶縁
膜１５：バイアス線１６：絶縁膜１７：磁気コア特許出
願人 松下電器産業株式会社代理人弁理士 阿
部 功第１図 Ｈ１疵（１多−２ 第２図
図、第２図は本発明の薄膜磁気ヘッドの特性図、第３図
は本発明の薄膜磁気ヘッドの第°２の実施例の断面図、
第４図は従来の薄膜磁気ヘッドの断面図、を示す。 ９：ダイモンド板 １０ ： Ｍ Ｒ膜 １１：絶
縁膜【２：磁気コア １３：磁気コア １４：絶縁
膜１５：バイアス線１６：絶縁膜１７：磁気コア特許出
願人 松下電器産業株式会社代理人弁理士 阿
部 功第１図 Ｈ１疵（１多−２ 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁気記録媒体からの信号磁束を 基板上に形成した磁気抵抗効果素子の抵 抗変化として検出する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁
気抵抗効果素子を少く共放熱性、硬度性がダイヤモンド
板と等効の基板上に形成することを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172851A JPS6233317A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172851A JPS6233317A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233317A true JPS6233317A (ja) | 1987-02-13 |
Family
ID=15949476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60172851A Pending JPS6233317A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233317A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995018442A1 (en) * | 1993-12-30 | 1995-07-06 | Seagate Technology, Inc. | Amorphous diamond-like carbon gaps in magnetoresistive heads |
| EP0584707A3 (en) * | 1992-08-21 | 1995-08-02 | Minnesota Mining & Mfg | Laminating and wear resistant thin layer reading device formed thereon. |
| US5557492A (en) * | 1993-08-06 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetoresistive head with reduced lead-shield shorting |
| EP0685746A3 (en) * | 1994-05-30 | 1996-12-04 | Sony Corp | Magnetic resistance effect arrangement with improved thermal resistance. |
| US5640292A (en) * | 1996-01-17 | 1997-06-17 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon encapsulation of magnetic heads |
| US5644455A (en) * | 1993-12-30 | 1997-07-01 | Seagate Technology, Inc. | Amorphous diamond-like carbon gaps in magnetoresistive heads |
| US5658470A (en) * | 1995-12-13 | 1997-08-19 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon for ion milling magnetic material |
| US5681426A (en) * | 1995-12-13 | 1997-10-28 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon wet etchant stop for formation of magnetic transducers |
| US5966273A (en) * | 1993-01-26 | 1999-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive thin film head |
| US6038101A (en) * | 1997-03-14 | 2000-03-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic head and method of manufacturing magnetic head |
| US6331548B1 (en) * | 1998-01-29 | 2001-12-18 | Suntory Limited | 1-cycloalkyl-1,8-naphthyridin-4-one derivative as type IV phosphodiesterase inhibitor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53132322A (en) * | 1977-04-22 | 1978-11-18 | Nec Corp | Magnetic head |
| JPS5724017A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-08 | Sony Corp | Magnetic resistance effect type magnetic head |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP60172851A patent/JPS6233317A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53132322A (en) * | 1977-04-22 | 1978-11-18 | Nec Corp | Magnetic head |
| JPS5724017A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-08 | Sony Corp | Magnetic resistance effect type magnetic head |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5609948A (en) * | 1992-08-21 | 1997-03-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Laminate containing diamond-like carbon and thin-film magnetic head assembly formed thereon |
| EP0584707A3 (en) * | 1992-08-21 | 1995-08-02 | Minnesota Mining & Mfg | Laminating and wear resistant thin layer reading device formed thereon. |
| EP0821349A3 (en) * | 1992-08-21 | 1998-04-01 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Laminate and wear-resistant thin-film magnetic head assembly formed thereon |
| US5966273A (en) * | 1993-01-26 | 1999-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive thin film head |
| US5557492A (en) * | 1993-08-06 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetoresistive head with reduced lead-shield shorting |
| US5644455A (en) * | 1993-12-30 | 1997-07-01 | Seagate Technology, Inc. | Amorphous diamond-like carbon gaps in magnetoresistive heads |
| WO1995018442A1 (en) * | 1993-12-30 | 1995-07-06 | Seagate Technology, Inc. | Amorphous diamond-like carbon gaps in magnetoresistive heads |
| EP0685746A3 (en) * | 1994-05-30 | 1996-12-04 | Sony Corp | Magnetic resistance effect arrangement with improved thermal resistance. |
| US5903708A (en) * | 1994-05-30 | 1999-05-11 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect device with improved thermal resistance |
| US5658470A (en) * | 1995-12-13 | 1997-08-19 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon for ion milling magnetic material |
| US5681426A (en) * | 1995-12-13 | 1997-10-28 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon wet etchant stop for formation of magnetic transducers |
| US6215630B1 (en) | 1995-12-13 | 2001-04-10 | Seagate Technology Llc | Diamond-like carbon and oxide bilayer insulator for magnetoresistive transducers |
| US5640292A (en) * | 1996-01-17 | 1997-06-17 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon encapsulation of magnetic heads |
| US5718949A (en) * | 1996-01-17 | 1998-02-17 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon encapsulation of magnetic heads |
| US6038101A (en) * | 1997-03-14 | 2000-03-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic head and method of manufacturing magnetic head |
| US6331548B1 (en) * | 1998-01-29 | 2001-12-18 | Suntory Limited | 1-cycloalkyl-1,8-naphthyridin-4-one derivative as type IV phosphodiesterase inhibitor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4896235A (en) | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect | |
| US6190764B1 (en) | Inductive write head for magnetic data storage media | |
| EP0472187B1 (en) | Planar thin film magnetic head | |
| JPS6233317A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| US6101067A (en) | Thin film magnetic head with a particularly shaped magnetic pole piece and spaced relative to an MR element | |
| US4700252A (en) | Magnetic thin film head | |
| US5535077A (en) | Magnetoresistive head having magnetically balanced magnetoresistive elements laminated on opposite sides of an electrically conductive film | |
| US5014149A (en) | Thin film magnetic head | |
| JP2546875B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH0375929B2 (ja) | ||
| JPH0473210B2 (ja) | ||
| JPS61134913A (ja) | 磁気抵抗型薄膜ヘツド | |
| JPH0441415B2 (ja) | ||
| JPS63129511A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0227383Y2 (ja) | ||
| US5870261A (en) | Magnetoresistive head | |
| JPH0572642B2 (ja) | ||
| JP3070495B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜変換素子 | |
| JPH01201812A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6381616A (ja) | 垂直記録用単磁極型磁気ヘツド | |
| JPS62146420A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH05101342A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘツド | |
| JPH103618A (ja) | ヨーク型磁気ヘッド | |
| JPH0375926B2 (ja) | ||
| JPS60115012A (ja) | 薄膜磁気ヘッド |