JPS6233433A - 高耐圧半導体素子の製造方法 - Google Patents
高耐圧半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6233433A JPS6233433A JP17244585A JP17244585A JPS6233433A JP S6233433 A JPS6233433 A JP S6233433A JP 17244585 A JP17244585 A JP 17244585A JP 17244585 A JP17244585 A JP 17244585A JP S6233433 A JPS6233433 A JP S6233433A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- high voltage
- semiconductor element
- semiconductor
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は高耐圧半導体素子の製造方法に関し、特に高
耐圧半導体素子の製造における高電圧測定、電気特性測
定に適用されるものである。
耐圧半導体素子の製造における高電圧測定、電気特性測
定に適用されるものである。
半導体ウェーハに形成された高耐圧半導体素子（以下半
導体素子と略称する）、または上記に分割を施して形成
された個々の半導体素子に対する高電圧測定や電気特性
の測定は、例えば第２図に半導体ウェーハ１０１に形成
された未分割の半導体素子１０２．１０２・・・に逐次
測定針１０３，１０３を圧接させて行なわれていた。な
お、半導体素子における１１２は一部の電極を示す。
導体素子と略称する）、または上記に分割を施して形成
された個々の半導体素子に対する高電圧測定や電気特性
の測定は、例えば第２図に半導体ウェーハ１０１に形成
された未分割の半導体素子１０２．１０２・・・に逐次
測定針１０３，１０３を圧接させて行なわれていた。な
お、半導体素子における１１２は一部の電極を示す。
上記測定におけるスパークの発生または破壊等を防止す
るために、スパークまたは破壊を生ずる電圧値よりも低
い電圧で施すほかなく、従って製品に組立てたのち正規
の高電圧測定または電気特性の測定を施す検査を行なっ
ていた。
るために、スパークまたは破壊を生ずる電圧値よりも低
い電圧で施すほかなく、従って製品に組立てたのち正規
の高電圧測定または電気特性の測定を施す検査を行なっ
ていた。
なお、上記測定は未分割の半導体素子についての場合を
例示したが、分割後の個々の半導体素子について施す場
合も同様である。
例示したが、分割後の個々の半導体素子について施す場
合も同様である。
叙上の背景技術によると、半導体素子の状態での検査、
測定には、例えば６００ボルトを超える高電圧による半
導体素子上でのスパーク、半導体素子の破壊、そして高
電圧スパークノイズ等による測定器の故障などから逃れ
るために、検査にきめられた電圧よりも低い電圧で粗選
別を施し、組み立てを行なっていた。このため、組み立
てされた最終製品に対する検査で耐圧、電気特性に対す
る不良が多く、品質、歩留り上重大な問題があった。
測定には、例えば６００ボルトを超える高電圧による半
導体素子上でのスパーク、半導体素子の破壊、そして高
電圧スパークノイズ等による測定器の故障などから逃れ
るために、検査にきめられた電圧よりも低い電圧で粗選
別を施し、組み立てを行なっていた。このため、組み立
てされた最終製品に対する検査で耐圧、電気特性に対す
る不良が多く、品質、歩留り上重大な問題があった。
この発明は上記問題点に鑑み、半導体素子の状態で所定
の高電圧を印加して測定、検査を可能にする半導体素子
の製造方法を提供する６〔発明の概要〕 この発明にかかる半導体素子の製造方法は高耐圧半導体
素子の製造にかかり、高電圧測定、電気特性測定に先立
ち半導体素子（１０２）の表面に電気絶縁液（１１）を
塗着して上記測定を施すことを特徴とする。
の高電圧を印加して測定、検査を可能にする半導体素子
の製造方法を提供する６〔発明の概要〕 この発明にかかる半導体素子の製造方法は高耐圧半導体
素子の製造にかかり、高電圧測定、電気特性測定に先立
ち半導体素子（１０２）の表面に電気絶縁液（１１）を
塗着して上記測定を施すことを特徴とする。
以下、この発明の一実施例につき第１図を参照して説明
する。なお、説明において従来と変わらない部分につい
ては図面に従来と同じ符号をつけて示し説明を省略する
。
する。なお、説明において従来と変わらない部分につい
ては図面に従来と同じ符号をつけて示し説明を省略する
。
第１図ａに示す状態の半導体素子１０２は、背景技術に
おける第２図に示した状態まで加工が施されて高耐圧測
定、電気特性測定が施される直前の状態である。ここで
第１図すに上面図で、また同図Ｃに断面図で示すように
、半導体素子１０２に対し上記測定が施される側の主面
に絶縁液、例えばシリコーンオイル（商品名ＣＹ５２−
００５（東しシリコン製））をスピンコード等によって
薄く均一なシリコーンオイルＷＡｌｌを塗着する。つい
で、測定針１０３を立て高電圧測定を実施する。この場
合、ｉ１１！Ｉ定針は絶縁液のシリコーンオイル膜上か
ら直接に半導体素子上に立てる。このようにして高電圧
を印加し測定を実施した場合、スパークまたは破壊等は
全く生じない。また、半導体ウェーハに形成された複数
の半導体素子に対する選別もプローブ・マシン等によっ
て高電圧を印加して自動的に実施が゛可能となる。これ
で検出された不良素子に対する表示の傷付も自在である
。また、測定が終了したのちのシリコーンオイルの除去
はトリクロルエチレン、トリクロルエタン等の洗浄処理
で容易に達成できる。
おける第２図に示した状態まで加工が施されて高耐圧測
定、電気特性測定が施される直前の状態である。ここで
第１図すに上面図で、また同図Ｃに断面図で示すように
、半導体素子１０２に対し上記測定が施される側の主面
に絶縁液、例えばシリコーンオイル（商品名ＣＹ５２−
００５（東しシリコン製））をスピンコード等によって
薄く均一なシリコーンオイルＷＡｌｌを塗着する。つい
で、測定針１０３を立て高電圧測定を実施する。この場
合、ｉ１１！Ｉ定針は絶縁液のシリコーンオイル膜上か
ら直接に半導体素子上に立てる。このようにして高電圧
を印加し測定を実施した場合、スパークまたは破壊等は
全く生じない。また、半導体ウェーハに形成された複数
の半導体素子に対する選別もプローブ・マシン等によっ
て高電圧を印加して自動的に実施が゛可能となる。これ
で検出された不良素子に対する表示の傷付も自在である
。また、測定が終了したのちのシリコーンオイルの除去
はトリクロルエチレン、トリクロルエタン等の洗浄処理
で容易に達成できる。
なお、上記測定は未分割の半導体素子についての場合を
例示したが１分割後の個々の半導体素子について施す場
合も同様である。
例示したが１分割後の個々の半導体素子について施す場
合も同様である。
この発明によれば、組立て前の高耐圧測定、電気特性測
定が確実にでき、従って所定の電気特性の得られた半導
体素子のみ組立て製品化できるので、材料その他の経済
性や時間的損失等が大幅に改善されるという顕著な利点
があ゛る。さらにスパーク等の発生がないので測定器等
の故障によるトラブルの発生もないなどの利点もある。
定が確実にでき、従って所定の電気特性の得られた半導
体素子のみ組立て製品化できるので、材料その他の経済
性や時間的損失等が大幅に改善されるという顕著な利点
があ゛る。さらにスパーク等の発生がないので測定器等
の故障によるトラブルの発生もないなどの利点もある。
第１図はこの発明の一実施例の製造方法を説明するため
の製造工程の一部を示し、図ａおよび図すはいずれも上
面図、図Ｃは図すの断面図、第２図は従来例の製造工程
の一部を示す断面図である。 １１ シリコーンオイル膜 １０１ 半導体ウェーハ １０２、１０２・・・ 半導体素子 １０３．１０３・・・ 圧接針
の製造工程の一部を示し、図ａおよび図すはいずれも上
面図、図Ｃは図すの断面図、第２図は従来例の製造工程
の一部を示す断面図である。 １１ シリコーンオイル膜 １０１ 半導体ウェーハ １０２、１０２・・・ 半導体素子 １０３．１０３・・・ 圧接針
Claims (1)
- 高耐圧半導体素子の製造において、高電圧測定、電気特
性測定に先立ち、半導体素子の表面に電気絶縁液を塗着
して上記測定を施すことを特徴とする高耐圧半導体素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17244585A JPS6233433A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 高耐圧半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17244585A JPS6233433A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 高耐圧半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233433A true JPS6233433A (ja) | 1987-02-13 |
Family
ID=15942113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17244585A Pending JPS6233433A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 高耐圧半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233433A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010021070A1 (ja) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | パナソニック株式会社 | 半導体素子の耐圧測定装置および耐圧測定方法 |
| WO2014038283A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | 住友電気工業株式会社 | 測定装置および測定方法、ならびに該測定方法を備える素子製造方法 |
| JP2015072230A (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の発熱解析方法及び発熱解析装置 |
| JP2015228444A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | 住友電気工業株式会社 | 耐圧測定方法および半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-07 JP JP17244585A patent/JPS6233433A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010021070A1 (ja) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | パナソニック株式会社 | 半導体素子の耐圧測定装置および耐圧測定方法 |
| JP4482061B2 (ja) * | 2008-08-19 | 2010-06-16 | パナソニック株式会社 | 半導体素子の耐圧測定装置および耐圧測定方法 |
| JPWO2010021070A1 (ja) * | 2008-08-19 | 2012-01-26 | パナソニック株式会社 | 半導体素子の耐圧測定装置および耐圧測定方法 |
| WO2014038283A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | 住友電気工業株式会社 | 測定装置および測定方法、ならびに該測定方法を備える素子製造方法 |
| JP2014053454A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 測定装置および測定方法、ならびに該測定方法を備える素子製造方法 |
| JP2015072230A (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の発熱解析方法及び発熱解析装置 |
| JP2015228444A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | 住友電気工業株式会社 | 耐圧測定方法および半導体装置の製造方法 |
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