JPS6234467Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6234467Y2 JPS6234467Y2 JP1981088271U JP8827181U JPS6234467Y2 JP S6234467 Y2 JPS6234467 Y2 JP S6234467Y2 JP 1981088271 U JP1981088271 U JP 1981088271U JP 8827181 U JP8827181 U JP 8827181U JP S6234467 Y2 JPS6234467 Y2 JP S6234467Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- type layer
- emitting element
- multicolor light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
- H10W72/07554—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は多色発光装置に関し、特に異なる発光
色を有する2つのPN接合部を有したNPPNもし
くはPNNP構造の多色発光素子の実装構造に関す
る。
色を有する2つのPN接合部を有したNPPNもし
くはPNNP構造の多色発光素子の実装構造に関す
る。
第1図は従来のこの種装置を示し、1は多色発
光素子であり、該素子1はGaP(ガリウム隣)の
N型基板2上にGaPからなる第1N型層3、第1P
型層4、第2P型層5、第2N型層6をエピタキタ
シヤル成長にて順次積層したものである。
光素子であり、該素子1はGaP(ガリウム隣)の
N型基板2上にGaPからなる第1N型層3、第1P
型層4、第2P型層5、第2N型層6をエピタキタ
シヤル成長にて順次積層したものである。
第1N型層3は不純物としてTe(テルル)を含
み、第1P型層4は不純物としてZn(亜鉛)とO
(酸素)とを含み発光中心としてのZn−Oペアを
有している。従つて第1N型層3と第1P型層4と
の境界には赤色発光する第1PN接合7が存在する
こととなる。
み、第1P型層4は不純物としてZn(亜鉛)とO
(酸素)とを含み発光中心としてのZn−Oペアを
有している。従つて第1N型層3と第1P型層4と
の境界には赤色発光する第1PN接合7が存在する
こととなる。
第2P型層5はZnを不純物として含み、第2N型
層6はS(硫黄)を含み、更に第2P型層5、第
2N型層6は共に発光中心としてのN(窒素)を
含んでいる。従つて第2P型層5と第2N型層6と
の境界には緑色発光を行なう第2PN接合8が存在
する。
層6はS(硫黄)を含み、更に第2P型層5、第
2N型層6は共に発光中心としてのN(窒素)を
含んでいる。従つて第2P型層5と第2N型層6と
の境界には緑色発光を行なう第2PN接合8が存在
する。
9は第2N型層6の一部分にZnを拡散してなる
拡散部であり、該拡散部9の拡散深さは第2P型
層に達する。また第2N型層6において上記拡散
部9と非拡散部とは第2P型層5に達する深さの
溝10により区切られている。11は第2N型層
6の非拡散部に形成された第1電極、12は上記
拡散部9に形成された共通電極、13はN型基板
2裏面に形成された第2電極である。
拡散部であり、該拡散部9の拡散深さは第2P型
層に達する。また第2N型層6において上記拡散
部9と非拡散部とは第2P型層5に達する深さの
溝10により区切られている。11は第2N型層
6の非拡散部に形成された第1電極、12は上記
拡散部9に形成された共通電極、13はN型基板
2裏面に形成された第2電極である。
14は導電性の第1、第2ボンデイング部1
5,16及び載置部17が表面に形成された絶縁
性の組立基板であり、上記第1ボンデイング部1
5、載置部17及び第2ボンデイング部16には
夫々上記組立基板14の裏面側に垂直に延在する
第1〜第3リード18〜20が一体形成されてい
る。また上記載置部17には多色発光素子1の第
2電極13側が導電性接着剤等で固着され、かつ
第1、第2ボンデイング部15,16は夫々上記
第1電極11及び共通電極12が金線21,21
で接続されている。
5,16及び載置部17が表面に形成された絶縁
性の組立基板であり、上記第1ボンデイング部1
5、載置部17及び第2ボンデイング部16には
夫々上記組立基板14の裏面側に垂直に延在する
第1〜第3リード18〜20が一体形成されてい
る。また上記載置部17には多色発光素子1の第
2電極13側が導電性接着剤等で固着され、かつ
第1、第2ボンデイング部15,16は夫々上記
第1電極11及び共通電極12が金線21,21
で接続されている。
上記装置では第1リード18−第3リード20
間に順方向バイアスを印加することにより第2PN
接合部8より緑色発光を得ることができ、また第
2リード19−第3リード20間に順方向バイア
スを印加すれば第1PN接合部7より赤色発光を得
ることができる。更に第1リード18−第3リー
ド20間及び第2リード19−第3リード20間
に同時順バイアスを印加すると共に斯る印加バイ
アスを調整すれば赤〜緑までの種々の発光色を得
ることができる。
間に順方向バイアスを印加することにより第2PN
接合部8より緑色発光を得ることができ、また第
2リード19−第3リード20間に順方向バイア
スを印加すれば第1PN接合部7より赤色発光を得
ることができる。更に第1リード18−第3リー
ド20間及び第2リード19−第3リード20間
に同時順バイアスを印加すると共に斯る印加バイ
アスを調整すれば赤〜緑までの種々の発光色を得
ることができる。
然るに、NPPNもしくはPNNP構造の多色発光
素子では、第1、第2PN接合を夫々構成するP層
もしくはN層が共通電極となるため斯る素子を用
いた装置では上記両接合を逆並列接続することが
できなかつた。
素子では、第1、第2PN接合を夫々構成するP層
もしくはN層が共通電極となるため斯る素子を用
いた装置では上記両接合を逆並列接続することが
できなかつた。
本考案は上記の問題に鑑みてなされたもので以
下一実施例に基づき本考案を説明する。
下一実施例に基づき本考案を説明する。
第2図は本考案の一実施例を示し、1は多色発
光素子であり、第1図と同一であるので同一番号
を付して説明を省略する。31はシリコンダイオ
ードチツプであり、該ダイオードチツプ31はN
型のシリコン基板32の表面より不純物を拡散し
て第1、第2P型領域33a,33bが形成さ
れ、実質的には周知のシリコンダイオードを2個
有する構造となつている。また上記第1、第2P
型領域33a,33b表面及びシリコン基板32
裏面には夫々第3〜第5電極34〜36が形成さ
れている。
光素子であり、第1図と同一であるので同一番号
を付して説明を省略する。31はシリコンダイオ
ードチツプであり、該ダイオードチツプ31はN
型のシリコン基板32の表面より不純物を拡散し
て第1、第2P型領域33a,33bが形成さ
れ、実質的には周知のシリコンダイオードを2個
有する構造となつている。また上記第1、第2P
型領域33a,33b表面及びシリコン基板32
裏面には夫々第3〜第5電極34〜36が形成さ
れている。
37は絶縁性の組立基板であり、該組立基板3
7表面には導電性のボンデイング部38及び第
1、第2載置部39,40が形成され、第1載置
部39にはシリコンダイオード31が、第2載置
部40には発光素子1が夫々導電性接着剤等で固
着されている。また上記ボンデイング部38及び
第2載置部40には夫々組立基板37の裏面垂直
方向に延在する第1、第2リード41,42が一
体成形されている。
7表面には導電性のボンデイング部38及び第
1、第2載置部39,40が形成され、第1載置
部39にはシリコンダイオード31が、第2載置
部40には発光素子1が夫々導電性接着剤等で固
着されている。また上記ボンデイング部38及び
第2載置部40には夫々組立基板37の裏面垂直
方向に延在する第1、第2リード41,42が一
体成形されている。
次に上記装置の電気的接続を簡単に述べると、
上記共通電極12は第1載置部39に、第1電極
11及び第3電極34は共にボンデイング部38
に、第4電極35は第2載置部40に夫々金線4
3,43…により接続されている。
上記共通電極12は第1載置部39に、第1電極
11及び第3電極34は共にボンデイング部38
に、第4電極35は第2載置部40に夫々金線4
3,43…により接続されている。
第3図は本実施例装置の回路を示し、D1は第
1PN接合部7を中心とした第1発光部、D2は第
2PN接合部8を中心とした第2発光部、D3は第
1P型領域33aとシリコン基板32とからなる
第1ダイオード、D4は第2P型領域33bとシリ
コン基板32とからなる第2ダイオード、A,B
は夫々第1、第2リード41,42に相当する第
1、第2端子である。
1PN接合部7を中心とした第1発光部、D2は第
2PN接合部8を中心とした第2発光部、D3は第
1P型領域33aとシリコン基板32とからなる
第1ダイオード、D4は第2P型領域33bとシリ
コン基板32とからなる第2ダイオード、A,B
は夫々第1、第2リード41,42に相当する第
1、第2端子である。
次に本実施例装置を第3図の回路図に基づいて
説明する。
説明する。
まず第1端子Aを正極に、第2端子Bを負極に
すると電流は第1ダイオードD3及び第2発光部
D2を通ることとなり本実施例装置は緑色発光を
示す。また上記第1、第2端子A,Bの極性をか
えると電流は第2発光ダイオードD4及び第1発
光部D1を通ることとなり本実施例装置は赤色発
光を示す。更に本実施例装置において端子A,B
間に交流波を流すと上記第1発光部D1と第2発
光部D2とが交互に発光する。このとき交流波の
周期を極端に短くすれば第1、第2発光部D1,
D2が見掛け上同時に発光して斯る両発光部から
発する色の混合色が得られる。
すると電流は第1ダイオードD3及び第2発光部
D2を通ることとなり本実施例装置は緑色発光を
示す。また上記第1、第2端子A,Bの極性をか
えると電流は第2発光ダイオードD4及び第1発
光部D1を通ることとなり本実施例装置は赤色発
光を示す。更に本実施例装置において端子A,B
間に交流波を流すと上記第1発光部D1と第2発
光部D2とが交互に発光する。このとき交流波の
周期を極端に短くすれば第1、第2発光部D1,
D2が見掛け上同時に発光して斯る両発光部から
発する色の混合色が得られる。
尚本実施例ではNPPN構造を有した多色発光素
子を用いたがPNNP構造の素子を用いてもよく、
この場合第3図の回路においてD3,D4が多色発
光素子の第1、第2発光部に、D1,D2がシリコ
ンダイオードからなる第1、第2ダイオードに
夫々相当することとなり、従つて本実施例と同様
に動作する。
子を用いたがPNNP構造の素子を用いてもよく、
この場合第3図の回路においてD3,D4が多色発
光素子の第1、第2発光部に、D1,D2がシリコ
ンダイオードからなる第1、第2ダイオードに
夫々相当することとなり、従つて本実施例と同様
に動作する。
以上の説明から明らかな如く、本考案によれば
NPPNもしくはPNNP構造の多色発光素子の2つ
の接合を逆並列に接続してなる多色発光装置を簡
単に得ることができる。
NPPNもしくはPNNP構造の多色発光素子の2つ
の接合を逆並列に接続してなる多色発光装置を簡
単に得ることができる。
第1図は従来の多色発光装置を示す断面図、第
2図は本考案における多色発光装置を示す断面
図、第3図は第2図実施例装置の回路を示す回路
図である。 1……多色発光素子、7,8……第1、第2PN
接合部、D3,D4……第1、第2ダイオード。
2図は本考案における多色発光装置を示す断面
図、第3図は第2図実施例装置の回路を示す回路
図である。 1……多色発光素子、7,8……第1、第2PN
接合部、D3,D4……第1、第2ダイオード。
Claims (1)
- 夫々発光色が異なる第1、第2PN接合部を有
し、NPPN(もしくはPNNP)構造をした各色発
光素子と、第1、第2ダイオードとを有し、該第
1、第2ダイオードの両N層(もしくはP層)と
上記多色発光素子のP層(もしくはN層)とは互
いに電気的に接続され、上記多色発光素子の一方
のN層(もしくはP層)と上記第1ダイオードの
P層(もしくはN層)、及び上記多色発光素子の
他方のN層(もしくはP層)と上記第2ダイオー
ドのP層(もしくはN層)とは夫々電気的に接続
されていることを特徴とする多色発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981088271U JPS6234467Y2 (ja) | 1981-06-15 | 1981-06-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981088271U JPS6234467Y2 (ja) | 1981-06-15 | 1981-06-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57200048U JPS57200048U (ja) | 1982-12-20 |
| JPS6234467Y2 true JPS6234467Y2 (ja) | 1987-09-02 |
Family
ID=29883451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981088271U Expired JPS6234467Y2 (ja) | 1981-06-15 | 1981-06-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6234467Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4953668U (ja) * | 1972-08-21 | 1974-05-11 | ||
| JPS4985064U (ja) * | 1972-11-10 | 1974-07-23 | ||
| JPS52148055U (ja) * | 1976-05-07 | 1977-11-09 |
-
1981
- 1981-06-15 JP JP1981088271U patent/JPS6234467Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57200048U (ja) | 1982-12-20 |
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