JPS6235500A - アンテナ装置 - Google Patents
アンテナ装置Info
- Publication number
- JPS6235500A JPS6235500A JP60172716A JP17271685A JPS6235500A JP S6235500 A JPS6235500 A JP S6235500A JP 60172716 A JP60172716 A JP 60172716A JP 17271685 A JP17271685 A JP 17271685A JP S6235500 A JPS6235500 A JP S6235500A
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- JP
- Japan
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- vacuum
- antenna
- outer cylinder
- vacuum seal
- conductive outer
- Prior art date
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- Plasma Technology (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、大気圧側から真空側に高電力マイクロ波を伝
送するアンテナ装置に関する。
送するアンテナ装置に関する。
（従来の技術）
大気圧側から真空側に高電力マイクロ波を伝送するアン
テナ装置を使用する第４図に示される様なプラズマ発生
装置が知られている（工業材料、ユニ〔２〕、（１９８
１）、Ｐ、５９〜６４）。
テナ装置を使用する第４図に示される様なプラズマ発生
装置が知られている（工業材料、ユニ〔２〕、（１９８
１）、Ｐ、５９〜６４）。
この装置において、マイクロ波発振装置１から発生され
たマイクロ波は導波管２内を伝達したのちアンテナ装置
によって真空槽６内に放出されるが、このアンテナ装置
は、図示されるように大気側と真空側を隔てる導波管２
の管壁に設けられた開口３を突き抜ける管状アンテナ４
と、このアンテナ４を空間を有して包囲する誘電体の真
空シール部５とから構成されている。アンテナ４内には
冷却ガスが流入されてアンテナ装置が冷却されるように
なっている。
たマイクロ波は導波管２内を伝達したのちアンテナ装置
によって真空槽６内に放出されるが、このアンテナ装置
は、図示されるように大気側と真空側を隔てる導波管２
の管壁に設けられた開口３を突き抜ける管状アンテナ４
と、このアンテナ４を空間を有して包囲する誘電体の真
空シール部５とから構成されている。アンテナ４内には
冷却ガスが流入されてアンテナ装置が冷却されるように
なっている。
（発明が解決しようとする問題点）
従来用いられている第４図のプラズマ発生装置の欠点は
、発生プラズマによる真空シール部の衝突破壊であった
。
、発生プラズマによる真空シール部の衝突破壊であった
。
また、このようなプラズマ発生装置に外磁基、例えばマ
ルチカスプ磁場を印加した場合、磁場に閉じ込められた
高温高密度プラズマが、誘電体の真空シール部に衝突し
て、真空シール部が部分的に高温となる。その結果生じ
る熱の歪みによって真空シール部にクラックが入り、破
損して、真空を破壊する欠点があった。
ルチカスプ磁場を印加した場合、磁場に閉じ込められた
高温高密度プラズマが、誘電体の真空シール部に衝突し
て、真空シール部が部分的に高温となる。その結果生じ
る熱の歪みによって真空シール部にクラックが入り、破
損して、真空を破壊する欠点があった。
さらに、プラズマには、所望するイオン種の他に種々の
イオン、例えば炭素、鉄、ニッケル等が混入しており、
これらのイオン種が真空シール部に衝突して、真空シー
ル部の誘電体物質へのスパッタリングやイオン種の含浸
等が起こる。そのために真空シール部の肉厚が減少して
材料強度が弱まる危険性があり、また、イオン種の含浸
により誘電体物質の所でマイクロ波電力の損失を引き起
こしたり、さらには局部的に温度が上昇し誘電体１物質
を破壊する恐れがあった。
イオン、例えば炭素、鉄、ニッケル等が混入しており、
これらのイオン種が真空シール部に衝突して、真空シー
ル部の誘電体物質へのスパッタリングやイオン種の含浸
等が起こる。そのために真空シール部の肉厚が減少して
材料強度が弱まる危険性があり、また、イオン種の含浸
により誘電体物質の所でマイクロ波電力の損失を引き起
こしたり、さらには局部的に温度が上昇し誘電体１物質
を破壊する恐れがあった。
即ち、本発明の目的は、このようなアンテナ装置を改良
して、より効率的にマイクロ波をプラズマ中に輻射する
アンテナ装置を提供することにある。
して、より効率的にマイクロ波をプラズマ中に輻射する
アンテナ装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するため、本発明では、大気圧側と真空
側を隔てる壁に設けられた開口を突き抜けて設置される
アンテナ、およびこのアンテナを空間を有して包囲する
誘電体の真空シール部を備え、この真空シール部を通し
て大気圧側から真空側に高電力マイクロ波を伝送するア
ンテナ装置において、 前記真空シール部が、細隙が設けられた誘電体外筒によ
って覆われていることを特徴とするアンテナ装置 を提案するものである。
側を隔てる壁に設けられた開口を突き抜けて設置される
アンテナ、およびこのアンテナを空間を有して包囲する
誘電体の真空シール部を備え、この真空シール部を通し
て大気圧側から真空側に高電力マイクロ波を伝送するア
ンテナ装置において、 前記真空シール部が、細隙が設けられた誘電体外筒によ
って覆われていることを特徴とするアンテナ装置 を提案するものである。
なお、導電性外筒の細隙の長さは、使用マイクロ波の半
波長であることが好ましく、細隙の幅はデバイ長よりも
狭いことが好ましい。さらに、真、空シール部と導電性
外筒との間隔は荷電粒子の平均自由行程以下であること
が好ましい。
波長であることが好ましく、細隙の幅はデバイ長よりも
狭いことが好ましい。さらに、真、空シール部と導電性
外筒との間隔は荷電粒子の平均自由行程以下であること
が好ましい。
（作 用）
本発明で、真空シール部の外側に、細隙が設けられた導
電性外筒を設置しているため、アンテナと導電性外筒と
によって、一種の同軸導波管が形成され、マイクロ波が
導電性外筒の細隙から真空槽内の希薄気体に輻射される
。
電性外筒を設置しているため、アンテナと導電性外筒と
によって、一種の同軸導波管が形成され、マイクロ波が
導電性外筒の細隙から真空槽内の希薄気体に輻射される
。
また、前記導電性外筒に設けられた細隙の幅がデバイ長
よりも狭いと、プラズマ中からのイオン種がこの導電性
外筒の細隙から侵入して、真空シール部に衝突すること
がない。細隙の幅がデバイ長よりも広い場合であっても
、導電性外筒内に侵入するイオンの数が導電性外筒の全
表面積分の細隙の面積に低減する。
よりも狭いと、プラズマ中からのイオン種がこの導電性
外筒の細隙から侵入して、真空シール部に衝突すること
がない。細隙の幅がデバイ長よりも広い場合であっても
、導電性外筒内に侵入するイオンの数が導電性外筒の全
表面積分の細隙の面積に低減する。
（実施例）
以下、本発明を図面を参・照しつつ詳細に説明する。第
１図は本発明のアンテナ装置を使用するプラズマ発生装
置の概略側断面図である。マイクロ波発生装置（図示せ
ず）から発生されたマイクロ波は、導波管２によって伝
達され本発明によるアンテナ装置により真空槽６内に放
出される。
１図は本発明のアンテナ装置を使用するプラズマ発生装
置の概略側断面図である。マイクロ波発生装置（図示せ
ず）から発生されたマイクロ波は、導波管２によって伝
達され本発明によるアンテナ装置により真空槽６内に放
出される。
アンテナ装置は、アンテナ４を取り囲むセラミック製の
真空シール部５の外側に、導電性外筒７が配置され、該
導電性外筒の大気圧側端部が導波管２と電気的に接続さ
れている。
真空シール部５の外側に、導電性外筒７が配置され、該
導電性外筒の大気圧側端部が導波管２と電気的に接続さ
れている。
導電性外筒７には、第２図に示すように、長さが使用さ
れるマイクロ波の波長の１／２であり、幅 □が
デバイ長よりも狭い複数の細隙７１が設けられている。
れるマイクロ波の波長の１／２であり、幅 □が
デバイ長よりも狭い複数の細隙７１が設けられている。
導波管２より伝送されてきたマイクロ波は、ア
□ンテナ４、導電性外筒７からなる同軸導波管に導入さ
れ、導電性外筒７に設けられた細隙７１から真空槽６内
に輻射され、プラズマに供給される。
□ンテナ４、導電性外筒７からなる同軸導波管に導入さ
れ、導電性外筒７に設けられた細隙７１から真空槽６内
に輻射され、プラズマに供給される。
この場合、第３図に示すような電界がアンテナ部分にお
いて形成されており、細隙７１よりマイクロ波が輻射さ
れる。
いて形成されており、細隙７１よりマイクロ波が輻射さ
れる。
なお、導電性外筒７の細隙７１は上記実施例のように外
筒７の円周方向に沿っている必要はなく、円周方向に対
して傾斜して設けてもよい。
筒７の円周方向に沿っている必要はなく、円周方向に対
して傾斜して設けてもよい。
（発明の効果）
本発明によれば、イオン、電子を含むプラズマは、導電
性外筒によって真空シール部に侵入することが阻止され
るので、真空シール部を構成するセラミックスの部分は
常に清浄であり、マイクロ波が局部的に損失されること
がない。その結果、アンテナ部は常に安定にマイクロ波
を輻射できる。
性外筒によって真空シール部に侵入することが阻止され
るので、真空シール部を構成するセラミックスの部分は
常に清浄であり、マイクロ波が局部的に損失されること
がない。その結果、アンテナ部は常に安定にマイクロ波
を輻射できる。
また、真空シール部が損傷することがなくなった。
第１図は本発明のアンテナ装置を使用するプラズマ発生
装置の側断面図、 第２図は本発明に係る導電性外筒の概略図、第３図は本
発明のアンテナ装置における電磁場分布を現わす図、 第４図は従来のアンテナ装置を使用する従来のプラズマ
発生装置の側断面図である。 ｌ・・・・・・マイクロ波発振装置、２・・・・・・導
波管、３・・・・・・開口、４・・・・・・管状アンテ
ナ、５・・・・・・真空シール部、６・・・・・・真空
槽、７・・・・・・導電性外筒。 第１図 メＢＹ９１ンセＬ 第２図 第３図 第４ＷＪ 葭 ン〒′押力Ｃ（
装置の側断面図、 第２図は本発明に係る導電性外筒の概略図、第３図は本
発明のアンテナ装置における電磁場分布を現わす図、 第４図は従来のアンテナ装置を使用する従来のプラズマ
発生装置の側断面図である。 ｌ・・・・・・マイクロ波発振装置、２・・・・・・導
波管、３・・・・・・開口、４・・・・・・管状アンテ
ナ、５・・・・・・真空シール部、６・・・・・・真空
槽、７・・・・・・導電性外筒。 第１図 メＢＹ９１ンセＬ 第２図 第３図 第４ＷＪ 葭 ン〒′押力Ｃ（
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 大気圧側と真空側を隔てる壁に設けられた開口を突き
抜けて設置されるアンテナ、およびこのアンテナを空間
を有して包囲する誘電体の真空シール部を備え、この真
空シール部を通して大気圧側から真空側に高電力マイク
ロ波を伝送するアンテナ装置において、 前記真空シール部が、細隙が設けられた導電性外筒によ
って覆われていることを特徴とするアンテナ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172716A JPH0754757B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | アンテナ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172716A JPH0754757B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | アンテナ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235500A true JPS6235500A (ja) | 1987-02-16 |
| JPH0754757B2 JPH0754757B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=15947007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60172716A Expired - Lifetime JPH0754757B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | アンテナ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754757B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS579868A (en) * | 1980-06-18 | 1982-01-19 | Toshiba Corp | Surface treating apparatus with microwave plasma |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP60172716A patent/JPH0754757B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS579868A (en) * | 1980-06-18 | 1982-01-19 | Toshiba Corp | Surface treating apparatus with microwave plasma |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0754757B2 (ja) | 1995-06-07 |
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