JPS6235520A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体装置の製造における基板からのレジスト除去にお
いて、 加熱により蒸発させ冷却液化させたレジスト剥離液で容
器内の基板を浸すことをレジスト剥離液を循環させなが
ら繰り返すことにより、レジスト剥離液の消費量を低減
させると共に使用中のレジスト剥離液による再汚染を低
減させたものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、基板か
らレジストを除去する方法の改良に関す。

半導体装置の製造におけるウヱーハプロセス（基板処理
）においては、ホトリソグラフィ技術が多用され、この
技術においては、例えばエツチングやイオン注入などの
加工用マスクとしてレジストを用いることが多い。そし
てこの加工の後にはレジストの除去が必須であるが、こ
の除去は基板を汚染することなく経済的に行うことが望
まれている。

〔従来の技術〕

第２図は基板からレジストを除去する従来の方法を実施
する装置例の要部構成図である。

同図において、１と２は例えばアセトンまたは酢酸ブチ
ルなどのレジスト剥離液、３と４はレジスト剥離液ｌと
２とのそれぞれを入れる上部開口の容器である。

基板（具体的にはウェーハ）Ｗからのレジメト除去は、
複数の基板Ｗを収容出来るウェーハキャリアＣに基板Ｗ
を入れ、ウェーハキャリアＣと共に基板Ｗを矢印ａで示
す如くレジスト剥離液１に浸漬して一定時間例えば５分
間放置し、次いでレジスト剥離液２に浸漬して一定時間
例えば５分間放置する操作によって行う。

この浸漬によりレジストはレジスト剥離液に熔解（場合
によっては一部が鱗片状に剥離）し基板Ｗからレジスト
が除去される。

なお通常は、図示されないが、基板Ｗの濡れ性を確保す
る前処理とレジスト剥離液を除去する後処理がなされる
。

上記レジスト除去において、レジスト剥離液を１と２の
二つにしたのは、レジスト剥離液内のレジスト熔解濃度
が高くなると、レジスト除去が不充分になり勝ちとなる
ばかでなく該レジスト剥離液が基板Ｗを再汚染させるの
で、この不都合を回避するため荒除去用と仕上除去用と
に分けたからである。

このことから、レジスト除去をした基板Ｗが成る一定数
（ウェーハキャリアＣで成る一定数）に達したところで
、容器３のレジスト剥離液１を廃棄し、容器４のレジス
ト剥離液２を容器３に移して新たなレジスト剥離液１と
なし、容器４にｔよ新鮮なレジスト剥離液を補充して２
とするのが一般である。

従って、上記従来例では容器を３と４の二つにしたが、
その数は一個でもまた三個以上でもレジスト除去が可能
である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記説明から明らかなように従来方法では、レジスト剥
離液の交換頻度を少なくすると基板Ｗの再汚染が増大し
、交換頻度を多くすると再汚染を低減させることが出来
るがレジスト剥離液の消費量が増大して不経済となる問
題がある。

〔問題点を解決するための手段〕

第１図は本発明の方法を実施する装置実施例の要部構成
図である。

上記問題点は、第１図に示される如く、レジストの被着
された基板Ｗを第一の容器１４に入れ、レジスト剥離液
１１を第二の容器１３にて加熱し蒸発させ冷却液化して
第一の容器１４に流入させながら、第一の容器１４に溜
って基板Ｗを浸したレジスト剥！？＆１２を一括して第
二の容器１３に戻すことを繰り返して、該レジストを基
板Ｗから除去する本発明の方法によって解決される。

〔作用〕

上記構成によれば、レジスト除去は第一の容器１４にて
行われ、第一の容器１４に連続的に補充されるレジスト
剥離液はレジスト剥離液】１が蒸溜された新鮮なもので
あり、基板Ｗを浸す第一の容器１４内のレジスト剥離液
１２は周期的に一括して排出される。

従って本方法によるレジスト除去は、常に基板Ｗを新鮮
なレジスト剥離液に複数回浸漬するのと同じになり、基
板Ｗの数に関係なく再汚染を低減させた状態を維持する
。

然もレジスト剥離液１１と１２が循環するので、レジス
ト剥離液の消費量は従来方法に比較して大幅に低減する
。

〔実施例〕

以下、第１図を用い実施例について説明する。

第１図に示す装置は、ソックスレー型抽出装置を改造し
て本発明の方法が実施出来るようにしたものである。

同図において、１３はレジスト剥離液１１を蒸発させる
蒸発容器（先に述べた第二の容器）、１４はウェーハキ
ャリアＣと共に基板Ｗを入れレジスト剥離液１２がレジ
ストを除去する剥離容器（先に述べた第一の容器）、１
５はレジスト剥離液１１を加熱するヒータ、１６は蒸発
容器１３で発生したレジスト剥離液１１の蒸気を剥離容
器１４に導く蒸気供給管、１７は剥離容器１４に導かれ
た蒸気を液化する冷却装置、１８は上記液化により剥離
容器１４に溜り基板Ｗを浸したレジスト剥離液１２をサ
イフオン作用により蒸発容器１３に戻す剥離液復流管、
１９は剥離液復流管１８の途中に設けられ例えばガラス
ウールなどで構成されるフィルタ、２０と２１は蒸発容
器に設けられたドレインと剥離液供給口、である。

基板Ｗからのレジスト除去ば、蒸発容器１３に従来と同
様なレジスト剥離液を入れてレジスト剥離液１１を用意
しておき、剥離容器１４にウェーハキャリアＣと共に基
板Ｗを入れてヒータ１５でレジスト剥離液１１を加熱し
て行う。

さすれば、范発容器１３で連続的に発生したレジスト剥
離液１１の蒸気は蒸気供給管１６を通って剥離容器１４
に入り、冷却装置１７で冷却されて液化し新鮮なレジス
ト剥離液となって剥離容器１４に溜りレジスト剥離液１
２となる。

そして、その液面が高くなるにつれて基板Ｗを完全に浸
し基＋ａＷのレジストを溶解（場合によっては一部を鱗
片状に剥離）して除去する。

レジスト剥離液１２は、レジストの溶解を進めながらそ
の液面が更に高くなったところで、剥離液復流管１８の
サイフオン作用社より蒸発容器１３に戻され、剥離容器
１４は一旦空になる。

この戻りにより、溶解したレジストは蒸発容器１３に移
され、上記鱗片状レジストはフィルタ１９に捕捉される
。

そしてレジスト剥離液１１には溶解したレジストが混入
するが、剥離容器１４に供給されるレジスト剥離液は、
蒸発と液化即ち蒸溜の過程を経て新鮮なものとなり然も
その供給が連続的であるので、基板Ｗは再び新鮮なレジ
スト剥離液１２に浸されることを繰り返す。

本願の発明者は、上記繰り返しの周期を約２分にし５回
の繰り返しで、再汚染が認められず然も十分なレジスト
除去を得ることが出来た。

レジスト除去した基板Ｗの数が多くなると、レジスト剥
離液１１の下部が溶解したレジストで淀むうになるが、
その際には、ドレイン２０を通してその淀みを排出し、
剥離液供給口２１からレジスト剥離液を補充すれば良い
。

また、剥離容器１４の上部開口などから散逸してレジス
ト剥離液１１が目減りした分も同様に補充すれば良い。

かくして、基板Ｗの処理数に対するレジスト剥離液の消
費量は、実に従来のｌ／１０以下になった。

なお、フィルタ１９は、その目詰り状態により適時交換
すれば良い。

また、本レジスト除去の前後に従来例で述べた前処理と
後処理を行うのは従来と同様で良い。

〔発明の効果〕

以−ヒ説明したように本発明の構成によれば、半導体装
置の製造における基板からのレジスト除去において、レ
ジスト剥離液の消費量を低減させると共に使用中のレジ
スト剥離液による再汚染を低減させることが出来て、そ
の作業の経済化と品質向上を可能にさせる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法を実施する装置実施例の要部構成
図、 第２図は従来の方法を実施する装置例の要部構成図、で
ある。 図において、 １．２．１１．１２はレジスト剥離液、１３は蒸発容器
（第二の容器）、 １４は剥離容器（第一の容器）、 １５はヒータ、 １６は蒸気供給管、 １７は冷却装置、 １８は剥離液復流管、 １９はフィルタ、 Ｗは基板（ウェーハ）、 Ｃはウェーハキャリア、である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. レジストの被着された基板（Ｗ）を第一の容器（１４）
   に入れ、レジスト剥離液を第二の容器（１３）にて加熱
   し蒸発させ冷却液化して該第一の容器（１４）に流入さ
   せながら、該第一の容器（１４）に溜って該基板（Ｗ）
   を浸したレジスト剥離液を一括して該第二の容器（１３
   ）に戻すことを繰り返して、該レジストを該基板（Ｗ）
   から除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。