JPS6235597Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6235597Y2 JPS6235597Y2 JP1982115001U JP11500182U JPS6235597Y2 JP S6235597 Y2 JPS6235597 Y2 JP S6235597Y2 JP 1982115001 U JP1982115001 U JP 1982115001U JP 11500182 U JP11500182 U JP 11500182U JP S6235597 Y2 JPS6235597 Y2 JP S6235597Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- optical system
- laser
- generator
- shg device
- Prior art date
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- Expired
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 32
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はレーザ光線を利用して、イオン注入半
導体の注入層内に生成された格子欠陥の除去、あ
るいは非晶質層の結晶化を目的としたレーザ・ア
ニール法に係るレーザ加工装置に関する。
導体の注入層内に生成された格子欠陥の除去、あ
るいは非晶質層の結晶化を目的としたレーザ・ア
ニール法に係るレーザ加工装置に関する。
イオン注入した半導体表面の結晶欠陥を回復さ
せる新しい手段としてレーザ光線による光照射法
の研究が最近脚光をあびている。
せる新しい手段としてレーザ光線による光照射法
の研究が最近脚光をあびている。
従来のこの種の装置は、第１図に示すようにレ
ーザ光線発生装置１とこの装置からのレーザ光線
を集光する光学系２とこの集光光学系の焦点位置
に支持される被加工物３を集光光学系の光軸に対
して相対的かつ直角に駆動する装置４とから構成
されるか、または第２図に示すようにレーザ光線
発生装置１としてNd：YAGレーザ装置が使用さ
れる様な場合、レーザ光線による光照射法の研究
領域を拡めるためレーザ光線発生装置１と集光光
学系２の間に光軸を一致させて第二高調波発生装
置６（以下SHG装置と呼ぶ）を組込み構成され
ていた。SHG装置６は、入射されたレーザ光線
の波長を二逓倍にして出射する光学素子である。
５はダイクロイツクミラーである。本考案は、特
に第２図に示すようなレーザ加工装置に関するも
のである。
ーザ光線発生装置１とこの装置からのレーザ光線
を集光する光学系２とこの集光光学系の焦点位置
に支持される被加工物３を集光光学系の光軸に対
して相対的かつ直角に駆動する装置４とから構成
されるか、または第２図に示すようにレーザ光線
発生装置１としてNd：YAGレーザ装置が使用さ
れる様な場合、レーザ光線による光照射法の研究
領域を拡めるためレーザ光線発生装置１と集光光
学系２の間に光軸を一致させて第二高調波発生装
置６（以下SHG装置と呼ぶ）を組込み構成され
ていた。SHG装置６は、入射されたレーザ光線
の波長を二逓倍にして出射する光学素子である。
５はダイクロイツクミラーである。本考案は、特
に第２図に示すようなレーザ加工装置に関するも
のである。
第２図に示すようなSHG装置６を組込まれた
レーザ加工装置では、SHG装置６の温度制御及
びSHG装置６内に在りレーザ光線の偏光面を変
える1/2λ板を操作することにより、レーザ光線
発生装置１から放出されたレーザ光線とは異なつ
た即ち波長が二逓倍されたレーザ光線をとり出す
ことができる。もちろんSHG装置６はその温度
制御及び1/2λ板の操作により、レーザ光線発生
装置１から放出されたレーザ光線を透過させるこ
ともできる。従つてこの様な装置では、二つの異
なつた波形のレーザ光線により各々レーザ・アニ
ールを行うことができ、巾広いレーザ・アニール
が可能となる。
レーザ加工装置では、SHG装置６の温度制御及
びSHG装置６内に在りレーザ光線の偏光面を変
える1/2λ板を操作することにより、レーザ光線
発生装置１から放出されたレーザ光線とは異なつ
た即ち波長が二逓倍されたレーザ光線をとり出す
ことができる。もちろんSHG装置６はその温度
制御及び1/2λ板の操作により、レーザ光線発生
装置１から放出されたレーザ光線を透過させるこ
ともできる。従つてこの様な装置では、二つの異
なつた波形のレーザ光線により各々レーザ・アニ
ールを行うことができ、巾広いレーザ・アニール
が可能となる。
しかしながら第２図に示すようなレーザ加工装
置において、レーザ光線発生装置１から放出され
た基本的波長のレーザ光線でレーザ加工を行う場
合、SHG装置６がレーザ光線の透過を阻害しレ
ーザ光線エネルギーの被加工物３への伝達効率を
低下させている。また、レーザ光線の波長を切替
える場合、SHG装置６の温度制御及び1/2λ板の
操作が必要となり、レーザ加工装置として十分な
性能及び操作性が具備されていなかつた。
置において、レーザ光線発生装置１から放出され
た基本的波長のレーザ光線でレーザ加工を行う場
合、SHG装置６がレーザ光線の透過を阻害しレ
ーザ光線エネルギーの被加工物３への伝達効率を
低下させている。また、レーザ光線の波長を切替
える場合、SHG装置６の温度制御及び1/2λ板の
操作が必要となり、レーザ加工装置として十分な
性能及び操作性が具備されていなかつた。
本考案は、上記欠点を除去した、二つの異つた
波長のレーザ光線によるレーザ加工装置を提供す
るものである。本考案によれば、レーザ光線発生
装置からのレーザ光線をSHG装置の直前で折り
曲げ迂回させ集光光学系に導入するような光路を
もつた光学系でかつこの光学系がレーザ光線の光
軸に対して相対的に移動しこの光学系がレーザ光
線の光軸から外れた場合、レーザ光線がSHG装
置を通過できる可動型バイパス光学系が具備され
ていることを特徴としている。
波長のレーザ光線によるレーザ加工装置を提供す
るものである。本考案によれば、レーザ光線発生
装置からのレーザ光線をSHG装置の直前で折り
曲げ迂回させ集光光学系に導入するような光路を
もつた光学系でかつこの光学系がレーザ光線の光
軸に対して相対的に移動しこの光学系がレーザ光
線の光軸から外れた場合、レーザ光線がSHG装
置を通過できる可動型バイパス光学系が具備され
ていることを特徴としている。
従つて本考案のレーザ加工装置においては、可
動型バイパス光学系を操作することにより、二つ
の異つた波長のレーザ光線を容易に選択切替えす
ることが可能となり、またレーザ光線発生装置か
らの基本的波長のレーザ光線が選択された場合、
このレーザ光線は、SHG装置を通過せず可動型
バイパス光学系を通過するためレーザ光線が
SHG装置を通過するため、エネルギー損失は、
除去される。また二逓倍されたレーザ光線が選択
された場合、SHG装置内に在る1/2λ板の操作等
は不用となる。
動型バイパス光学系を操作することにより、二つ
の異つた波長のレーザ光線を容易に選択切替えす
ることが可能となり、またレーザ光線発生装置か
らの基本的波長のレーザ光線が選択された場合、
このレーザ光線は、SHG装置を通過せず可動型
バイパス光学系を通過するためレーザ光線が
SHG装置を通過するため、エネルギー損失は、
除去される。また二逓倍されたレーザ光線が選択
された場合、SHG装置内に在る1/2λ板の操作等
は不用となる。
以下本考案の実施例を図面を参照して説明す
る。第３図においてレーザ光線発生装置１から放
出されたレーザ光線は、ミラー７，８，９，１０
で構成される可動型バイパス光学系１１により、
ダイクロイツクミラー５へ導入された後このダイ
クロイツクミラー５により90゜偏向され集光光学
系、すなわちレンズ２により集光されて被加工物
３すなわち半導体上に照射される、被加工物３
は、XYテーブル４により支持され駆動される。
この場合、レーザアニールは、レーザ光線発生装
置１からの基本的波長のレーザ光線によつてなさ
れ、このレーザ光線は可動型バイパス光学系１１
を通過し、SHG装置６を通過するためのエネル
ギー損失は除去される。第４図は、二逓倍された
レーザ光線によりレーザアニールがなされる場合
を示している。ミラー７，８，９，１０で構成さ
れる可動型バイパス光学系１１がレーザ光線発生
装置１から放出されたレーザ光線の光軸に対して
矢印Ａの方向へ外れているのでレーザ光線発生装
置１から放出されたレーザ光線はSHG装置６へ
直接入射されるこの入射されたレーザ光線は
SHG装置６により二逓倍されたレーザ光線に変
換されて出射され、ダイクロイツクミラー５へ導
入される。この後レンズ２により集光され被加工
物３に照射される。よつてレーザ・アニールは、
二逓倍されたレーザ光線によりなされる。また二
逓倍されたレーザ光線を得るためのSHG装置６
内に在る1/2λ板の操作等は不用となる。
る。第３図においてレーザ光線発生装置１から放
出されたレーザ光線は、ミラー７，８，９，１０
で構成される可動型バイパス光学系１１により、
ダイクロイツクミラー５へ導入された後このダイ
クロイツクミラー５により90゜偏向され集光光学
系、すなわちレンズ２により集光されて被加工物
３すなわち半導体上に照射される、被加工物３
は、XYテーブル４により支持され駆動される。
この場合、レーザアニールは、レーザ光線発生装
置１からの基本的波長のレーザ光線によつてなさ
れ、このレーザ光線は可動型バイパス光学系１１
を通過し、SHG装置６を通過するためのエネル
ギー損失は除去される。第４図は、二逓倍された
レーザ光線によりレーザアニールがなされる場合
を示している。ミラー７，８，９，１０で構成さ
れる可動型バイパス光学系１１がレーザ光線発生
装置１から放出されたレーザ光線の光軸に対して
矢印Ａの方向へ外れているのでレーザ光線発生装
置１から放出されたレーザ光線はSHG装置６へ
直接入射されるこの入射されたレーザ光線は
SHG装置６により二逓倍されたレーザ光線に変
換されて出射され、ダイクロイツクミラー５へ導
入される。この後レンズ２により集光され被加工
物３に照射される。よつてレーザ・アニールは、
二逓倍されたレーザ光線によりなされる。また二
逓倍されたレーザ光線を得るためのSHG装置６
内に在る1/2λ板の操作等は不用となる。
従つて本考案のような構成によれば、二つの異
つた波長のレーザ光線を切替選択し一つの波長の
レーザ光線によりレーザアニールする場合、可動
型バイパス光学系を矢印Ａの方向に操作するだけ
で、レーザ光線の選択が行なわれ、SHG装置６
内に在る1/2λ板の操作等は不用となり、かつレ
ーザ光線発生装置１からの基本的波長のレーザ光
線によりレーザアニールする場合、このレーザ光
線は可動型バイパス光学系１１を通過するので、
SHG装置６によるエネルギー損失は除去され
る。
つた波長のレーザ光線を切替選択し一つの波長の
レーザ光線によりレーザアニールする場合、可動
型バイパス光学系を矢印Ａの方向に操作するだけ
で、レーザ光線の選択が行なわれ、SHG装置６
内に在る1/2λ板の操作等は不用となり、かつレ
ーザ光線発生装置１からの基本的波長のレーザ光
線によりレーザアニールする場合、このレーザ光
線は可動型バイパス光学系１１を通過するので、
SHG装置６によるエネルギー損失は除去され
る。
第１図及び第２図は従来のレーザ加工装置を示
す。第３図及び第４図は、本考案によるレーザ加
工装置の実施例を示す。 １……レーザ光線発生装置、２……レンズ、３
……被加工物、４……XYテーブル、５……ダイ
クロイツクミラー、６……SHG装置、７，８，
９，１０……ミラー。
す。第３図及び第４図は、本考案によるレーザ加
工装置の実施例を示す。 １……レーザ光線発生装置、２……レンズ、３
……被加工物、４……XYテーブル、５……ダイ
クロイツクミラー、６……SHG装置、７，８，
９，１０……ミラー。
Claims (1)
- レーザ光線発生装置と、この装置からのレーザ
光線の波長を二逓倍する第二高調波発生装置と、
この装置を通過したレーザ光線を集光する光学系
と、この光学系の焦点位置に支持される被加工物
を集光光学系の光軸に対して相対的に、かつ直角
に駆動する装置と、前記レーザ光線発生装置から
のレーザ光線を第二高調波発生装置から迂回させ
前記集光光学系へ導入させるような光路をもち、
レーザ光線の光軸に対して相対的に移動できる可
動型バイパス光学系とを具備することを特徴とす
るレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982115001U JPS5920985U (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | レ−ザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982115001U JPS5920985U (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | レ−ザ加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5920985U JPS5920985U (ja) | 1984-02-08 |
| JPS6235597Y2 true JPS6235597Y2 (ja) | 1987-09-10 |
Family
ID=30265619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982115001U Granted JPS5920985U (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | レ−ザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5920985U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USD587766S1 (en) | 2006-07-20 | 2009-03-03 | Kee Action Sports I Llc | Paintball field marker |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP1982115001U patent/JPS5920985U/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USD587766S1 (en) | 2006-07-20 | 2009-03-03 | Kee Action Sports I Llc | Paintball field marker |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5920985U (ja) | 1984-02-08 |
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