JPS6297791A - レ−ザマ−キング装置 - Google Patents
レ−ザマ−キング装置Info
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- JPS6297791A JPS6297791A JP60237449A JP23744985A JPS6297791A JP S6297791 A JPS6297791 A JP S6297791A JP 60237449 A JP60237449 A JP 60237449A JP 23744985 A JP23744985 A JP 23744985A JP S6297791 A JPS6297791 A JP S6297791A
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- Japan
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- worked
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- laser
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- 238000010330 laser marking Methods 0.000 title claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハー、ガラス板等のような板状の被
加工物の少なくとも裏面に位置合わせ用のマークあるい
はロフト番号等のマークをレーザビームによって付与す
るレーザマーキング装置に関するものである。
加工物の少なくとも裏面に位置合わせ用のマークあるい
はロフト番号等のマークをレーザビームによって付与す
るレーザマーキング装置に関するものである。
現在、マーキング等に用いられるレーザとしてはＹＡＧ
レーザが最も普及している。従来から、このＹＡＧレー
ザを用いて半導体ウエノ１−等の被加工物へマークを付
与するレーザマーキング装置は既に広く知られている。
レーザが最も普及している。従来から、このＹＡＧレー
ザを用いて半導体ウエノ１−等の被加工物へマークを付
与するレーザマーキング装置は既に広く知られている。
そのうちでよく知られている装置としては、被加工物の
裏面へのマークの付与を、レーザビームを所定の方向へ
導く光学装置の光路切り換えによって行なう装置が挙げ
られる。
裏面へのマークの付与を、レーザビームを所定の方向へ
導く光学装置の光路切り換えによって行なう装置が挙げ
られる。
ところで、従来のレーザマーキング装置における光学装
置の光路切り換えの手段によっては、被加工物の表面と
裏面の同一位置に高精度でマークを付与することは極め
て困難であった。
置の光路切り換えの手段によっては、被加工物の表面と
裏面の同一位置に高精度でマークを付与することは極め
て困難であった。
本発明の目的は、被加工物の表面と裏面の同一位置に高
精度でしかも容易にマークを付与することのできるレー
ザマーキング装置を提供するにある。
精度でしかも容易にマークを付与することのできるレー
ザマーキング装置を提供するにある。
本発明は、被加工物を部分的に透過する波長のレーザビ
ームを発生するレーザ発振器と、被加工物を透過したレ
ーザビームを被加工物裏面に集光させ得る光学装置を備
えた構成とし、もって上述した目的を達成せんとするも
のである。
ームを発生するレーザ発振器と、被加工物を透過したレ
ーザビームを被加工物裏面に集光させ得る光学装置を備
えた構成とし、もって上述した目的を達成せんとするも
のである。
以下、図に示す実施例を用いて本発明の詳細な説明する
。
。
第１図は本発明に係わるレーザマーキング装置の一実施
例を示す概略構成図である。レーザ発振器１は、被加工
物（半導体ウェハー、ガラス板等）２に対して部分的に
透過する波長のレーザビーム３を発生するよう構成され
ている。そして、このレーザ発振器１から出射されたレ
ーデビーム３は、ビームエクスパンダ装置４によって拡
大され、パワー密度の低い状態で被加工物２側に導かれ
るようになっている。これをさらに詳述すると、レーザ
発振器１から出射されたレーザビーム３は、ビームエク
スパンダ装置４を構成する凹レンズ４ａｓ凸レンズ４ｂ
を順次透過した後、パワー密度の低いレーザビーム３ａ
となってグイクロイックミラー５側へ進行する。そして
、このグイクロイックミラー５にて９０度反射された後
、被加工物２側に導かれるようになっている。
例を示す概略構成図である。レーザ発振器１は、被加工
物（半導体ウェハー、ガラス板等）２に対して部分的に
透過する波長のレーザビーム３を発生するよう構成され
ている。そして、このレーザ発振器１から出射されたレ
ーデビーム３は、ビームエクスパンダ装置４によって拡
大され、パワー密度の低い状態で被加工物２側に導かれ
るようになっている。これをさらに詳述すると、レーザ
発振器１から出射されたレーザビーム３は、ビームエク
スパンダ装置４を構成する凹レンズ４ａｓ凸レンズ４ｂ
を順次透過した後、パワー密度の低いレーザビーム３ａ
となってグイクロイックミラー５側へ進行する。そして
、このグイクロイックミラー５にて９０度反射された後
、被加工物２側に導かれるようになっている。
レーザビーム３ａのうち、被加工物２を透過したレーザ
ビーム３ｂは、まず被加工物２の背後に配置された凹面
反射鏡６に当たり、反射されて被加工物２の裏面の点Ｐ
に集光するようになっている。これによって、この点Ｐ
にドツト状のマークが付与されることになる。例えば、
被加工物２が厚さ０．３ｍｍのシリコンウェハーで、レ
ーザビームの波長が１．０６μｍの場合には、約２５％
のレーザビームがシリコンウェハーを透過することにな
る。なお、ビームエクスパンダ装置４、グイクロイック
ミラー５および凹面反射鏡６にて光学装置は構成されて
いる。
ビーム３ｂは、まず被加工物２の背後に配置された凹面
反射鏡６に当たり、反射されて被加工物２の裏面の点Ｐ
に集光するようになっている。これによって、この点Ｐ
にドツト状のマークが付与されることになる。例えば、
被加工物２が厚さ０．３ｍｍのシリコンウェハーで、レ
ーザビームの波長が１．０６μｍの場合には、約２５％
のレーザビームがシリコンウェハーを透過することにな
る。なお、ビームエクスパンダ装置４、グイクロイック
ミラー５および凹面反射鏡６にて光学装置は構成されて
いる。
一方、観測用光学装置７はグイクロイックミラー５の背
後に配設されており、グイクロイックミラー５を介して
被加工物２の表面の点Ｑを観測している。ところで、点
Ｐのマークの位置は丁度点Ｑの裏面にあたり、点Ｑの位
置にマークを付与すれば、これによって被加工物２の表
裏両面へのパターン作成の目印が得られることになる。
後に配設されており、グイクロイックミラー５を介して
被加工物２の表面の点Ｑを観測している。ところで、点
Ｐのマークの位置は丁度点Ｑの裏面にあたり、点Ｑの位
置にマークを付与すれば、これによって被加工物２の表
裏両面へのパターン作成の目印が得られることになる。
このように、被加工物２の表裏両面の同一位置に高精度
でしかも容易にマークを付与することができるようにな
ったので、例えば被加工物２の表裏両面から回路を形成
させるような半導体素子の製造工程において、表裏両面
でのマスクの目合わせの精度を向上させることができる
だけでなく、製造工程の短縮をも可能にできる。
でしかも容易にマークを付与することができるようにな
ったので、例えば被加工物２の表裏両面から回路を形成
させるような半導体素子の製造工程において、表裏両面
でのマスクの目合わせの精度を向上させることができる
だけでなく、製造工程の短縮をも可能にできる。
第２図は本発明に係わるレーザマーキング装置の他の実
施例を示すものである。本実施例においては、被加工物
２の上方側に比較的小径の凸レンズ８を配設すると共に
下方側に凸レンズ８より大径の凸レンズ９を配設し、さ
らにこの凸レンズ９の下方に反射鏡ｌＯを配設した構成
としたものである。なお、第２図において、図示は省略
しであるが、レーザ発振器１、ビームエクスパンダ装置
４、グイクロイックミラー５は第１図と同様に配設され
ているものとする。
施例を示すものである。本実施例においては、被加工物
２の上方側に比較的小径の凸レンズ８を配設すると共に
下方側に凸レンズ８より大径の凸レンズ９を配設し、さ
らにこの凸レンズ９の下方に反射鏡ｌＯを配設した構成
としたものである。なお、第２図において、図示は省略
しであるが、レーザ発振器１、ビームエクスパンダ装置
４、グイクロイックミラー５は第１図と同様に配設され
ているものとする。
上述したような構成のレーザマーキング装置に右いて、
拡大されたレーザビーム３ａはその一部分が凸レンズ７
によって被加工物２の表面の点Ｑ′に集光し、この点Ｑ
′にマークが付与される。これと同時に、凸レンズ８以
外の空間を通過したレーザビーム３ａはその一部が被加
工物２を透過し、この透過したレーザビーム３ｂが凸レ
ンズ９を透過した後反射鏡１０に到達する。そして、こ
の反射鏡ＩＯにて反射されたレーザビーム３ｂはさらに
凸レンズ９を透過した後、被加工物２の裏面の点Ｐ′に
集光され、この点Ｐ′上にマークを付与する。このよう
に、本実施例においては、被加工物２の表裏面に同時に
マークを付与することが可能となる。
拡大されたレーザビーム３ａはその一部分が凸レンズ７
によって被加工物２の表面の点Ｑ′に集光し、この点Ｑ
′にマークが付与される。これと同時に、凸レンズ８以
外の空間を通過したレーザビーム３ａはその一部が被加
工物２を透過し、この透過したレーザビーム３ｂが凸レ
ンズ９を透過した後反射鏡１０に到達する。そして、こ
の反射鏡ＩＯにて反射されたレーザビーム３ｂはさらに
凸レンズ９を透過した後、被加工物２の裏面の点Ｐ′に
集光され、この点Ｐ′上にマークを付与する。このよう
に、本実施例においては、被加工物２の表裏面に同時に
マークを付与することが可能となる。
なお、被加工物２の表面が砂目の状態でも透過後のレー
ザビーム３ｂの拡がり角はあまり大きくならず、凹面反
射鏡６又は反射鏡１ｏの径を若干大きくすることで十分
なレーザビーム３ｂを被加工物２の裏面に集光させるこ
とができる。
ザビーム３ｂの拡がり角はあまり大きくならず、凹面反
射鏡６又は反射鏡１ｏの径を若干大きくすることで十分
なレーザビーム３ｂを被加工物２の裏面に集光させるこ
とができる。
以上説明したように本発明に係わるレーザマーキング装
置によれば、被加工物の表面と裏面の同一位置にマスク
の目合わせ等に利用できるマークを高精度でしかも容易
に付与できるので、例えは被加工物の表裏両面から回路
を形成させるような半導体素子の製造工程において、被
加工物の両面でのマスクの目合わせの精度を向上させる
ことができるばかりでなく、製造工程の短縮化を図るこ
ともできるという極めて優れた効果を有する。
置によれば、被加工物の表面と裏面の同一位置にマスク
の目合わせ等に利用できるマークを高精度でしかも容易
に付与できるので、例えは被加工物の表裏両面から回路
を形成させるような半導体素子の製造工程において、被
加工物の両面でのマスクの目合わせの精度を向上させる
ことができるばかりでなく、製造工程の短縮化を図るこ
ともできるという極めて優れた効果を有する。
第１図は本発明に係わるレーザマーキング装置の一実施
例を示す概略構成図、第２図は本発明に係わるレーザマ
ーキング装置の他の実施例を示す要部概略構成図である
。 ■・・・・・・レーザ発振器装置、 ２・・・・・・被加工物、 ３．３ａ、３ｂ・・・・・・レーザビーム、４・・・・
・・ビームエクスパンタ装置、５・・・・・・グイクロ
イックミラー、６・・・・・・凹面反射鏡、 ７・・・・・・観測用光学装置、 ８．９・・・・・・凸レンズ、 ＩＯ・・・・・パ反射鏡。 出 願 人 日本電気株式会社 代 理 人
例を示す概略構成図、第２図は本発明に係わるレーザマ
ーキング装置の他の実施例を示す要部概略構成図である
。 ■・・・・・・レーザ発振器装置、 ２・・・・・・被加工物、 ３．３ａ、３ｂ・・・・・・レーザビーム、４・・・・
・・ビームエクスパンタ装置、５・・・・・・グイクロ
イックミラー、６・・・・・・凹面反射鏡、 ７・・・・・・観測用光学装置、 ８．９・・・・・・凸レンズ、 ＩＯ・・・・・パ反射鏡。 出 願 人 日本電気株式会社 代 理 人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被加工物に対して部分的に透過する波長のレーザビ
ームを発生するレーザ発振器と、このレーザ発振器から
のレーザビームを被加工物側へ導く光学装置を備えたレ
ーザマーキング装置において、前記光学装置は、被加工
物を透過したレーザビームを前記被加工物裏面に集光さ
せ得るよう構成されたことを特徴とするレーザマーキン
グ装置。 ２、前記光学装置は、レーザ発振器からのレーザビーム
を被加工物の表面に集光させ得るレンズを有して成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレーザマー
キング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60237449A JPS6297791A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | レ−ザマ−キング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60237449A JPS6297791A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | レ−ザマ−キング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297791A true JPS6297791A (ja) | 1987-05-07 |
Family
ID=17015506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60237449A Pending JPS6297791A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | レ−ザマ−キング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6297791A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01251689A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-06 | Tokai Rika Co Ltd | 被覆基板の両面へのパターン同時形成法 |
| JP2004503832A (ja) * | 2000-06-15 | 2004-02-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | パターン化された光を用いる多光子吸収法 |
| JP2004503831A (ja) * | 2000-06-15 | 2004-02-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | マルチパス多光子吸収方法および装置 |
| US7014988B2 (en) | 2000-06-15 | 2006-03-21 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton curing to provide encapsulated optical elements |
| US7026103B2 (en) | 2000-06-15 | 2006-04-11 | 3M Innovative Properties Company | Multicolor imaging using multiphoton photochemical processes |
| US7060419B2 (en) | 2000-06-15 | 2006-06-13 | 3M Innovative Properties Company | Process for producing microfluidic articles |
| US7091255B2 (en) | 2000-06-15 | 2006-08-15 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photosensitization system |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP60237449A patent/JPS6297791A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01251689A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-06 | Tokai Rika Co Ltd | 被覆基板の両面へのパターン同時形成法 |
| JP2004503832A (ja) * | 2000-06-15 | 2004-02-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | パターン化された光を用いる多光子吸収法 |
| JP2004503831A (ja) * | 2000-06-15 | 2004-02-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | マルチパス多光子吸収方法および装置 |
| US7014988B2 (en) | 2000-06-15 | 2006-03-21 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton curing to provide encapsulated optical elements |
| US7026103B2 (en) | 2000-06-15 | 2006-04-11 | 3M Innovative Properties Company | Multicolor imaging using multiphoton photochemical processes |
| US7060419B2 (en) | 2000-06-15 | 2006-06-13 | 3M Innovative Properties Company | Process for producing microfluidic articles |
| US7091255B2 (en) | 2000-06-15 | 2006-08-15 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photosensitization system |
| US7601484B2 (en) | 2000-06-15 | 2009-10-13 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton curing to provide encapsulated optical elements |
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