JPS6236040A - 低融点封着用硝子 - Google Patents
低融点封着用硝子Info
- Publication number
- JPS6236040A JPS6236040A JP17327185A JP17327185A JPS6236040A JP S6236040 A JPS6236040 A JP S6236040A JP 17327185 A JP17327185 A JP 17327185A JP 17327185 A JP17327185 A JP 17327185A JP S6236040 A JPS6236040 A JP S6236040A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- pbo
- zno
- sealing
- low
- Prior art date
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- Withdrawn
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
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- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、低融点でかつ耐水性に優れた封着用硝子に関
するものである。
するものである。
[従来の技術]
従来より、低融(400〜800℃程度)での封着には
PbO−B’z 03−9 I02系もしくはPbO−
820+ −2110系が広く用いられてきた。これら
の系は低融点で封着できるが、耐水性が悪く、封着面の
研磨や水処理により、封着面が容易に浸食されてしまう
問題があった。
PbO−B’z 03−9 I02系もしくはPbO−
820+ −2110系が広く用いられてきた。これら
の系は低融点で封着できるが、耐水性が悪く、封着面の
研磨や水処理により、封着面が容易に浸食されてしまう
問題があった。
例えば、硝子・セラミックスによる半導体パッケージの
封着に用いると、封着模本に浸漬することにより表面に
白い反応生成物が生成する。また、磁気ヘッドのギャッ
プ形成、接合に用いた場合、木による研磨で封着面が浸
食される。
封着に用いると、封着模本に浸漬することにより表面に
白い反応生成物が生成する。また、磁気ヘッドのギャッ
プ形成、接合に用いた場合、木による研磨で封着面が浸
食される。
[発明の解決しようとする問題点]
本発明の目的は、低融(400〜600℃程度)で封着
でき、かつ耐水性に優れた封着用の硝子・で、特に磁気
ヘッドの接合用に好適に用いられる封着用硝子を提供す
ることである。
でき、かつ耐水性に優れた封着用の硝子・で、特に磁気
ヘッドの接合用に好適に用いられる封着用硝子を提供す
ることである。
[問題点を解決するための手段]
末完IJIの目的はモル%表示で木質的にTeO2lO
〜80 PbO 8〜50820
3 3〜40Zn0
3〜30TeOz+PbO+
B2O1+ZnO> 75W(h +MO030〜25 S i07 +5n02 +T i02 ”ZrO20
〜10A120x+La2O30” 10 Mg0+CaO+SrO+Ba0 0〜
25からなる低融点封着用硝子を提供する。
〜80 PbO 8〜50820
3 3〜40Zn0
3〜30TeOz+PbO+
B2O1+ZnO> 75W(h +MO030〜25 S i07 +5n02 +T i02 ”ZrO20
〜10A120x+La2O30” 10 Mg0+CaO+SrO+Ba0 0〜
25からなる低融点封着用硝子を提供する。
次に本発明の組成限定理由について説明する。
TeO2が10%より少ないと硝子の耐水性が失われる
。 TeO2が80%を越えると、硝子の失透性が強く
安定した封着ができない、 pboが8%より少ないと
硝子の粘性が大きくなり、低温で封着できなくなる。
pboが50%を越えると、硝子の失透性が強く安定し
た封着ができない。
。 TeO2が80%を越えると、硝子の失透性が強く
安定した封着ができない、 pboが8%より少ないと
硝子の粘性が大きくなり、低温で封着できなくなる。
pboが50%を越えると、硝子の失透性が強く安定し
た封着ができない。
B2O3が3%より少ないと、硝子の失透性が強く安定
した封着ができない、またB2O3が40%を越えると
、耐水性が劣化してくる。 ZnOが3%より少ないと
硝子の耐水性が劣化する。 ZnOが25%を越えると
硝子の失透性が強くなり過ぎ、封着が不0■能になる。
した封着ができない、またB2O3が40%を越えると
、耐水性が劣化してくる。 ZnOが3%より少ないと
硝子の耐水性が劣化する。 ZnOが25%を越えると
硝子の失透性が強くなり過ぎ、封着が不0■能になる。
TeO2,PbO、B2O3、ZnOの総¥が75%
以Fでは耐水性が悪くなるので好ましくない。
以Fでは耐水性が悪くなるので好ましくない。
WCh 、MnO2はTeO2系硝子の膨張係数を下げ
るが、総量で25%を越えると硝子が失透し易くなり好
ましくない、 5i02.TiO2,ZrO2は硝子の
膨張係数を下げ耐水性を向上させ、更に硝子をより安定
にする効果があるが、総量で10%を越えると均質な硝
子が得られ難く、未熔解物が残存し易くなり好ましくな
い、^1203.La2O3は5n02 。
るが、総量で25%を越えると硝子が失透し易くなり好
ましくない、 5i02.TiO2,ZrO2は硝子の
膨張係数を下げ耐水性を向上させ、更に硝子をより安定
にする効果があるが、総量で10%を越えると均質な硝
子が得られ難く、未熔解物が残存し易くなり好ましくな
い、^1203.La2O3は5n02 。
TiO2,ZrO+ と同様な働きをするが、総量で1
0%を越えると未熔解物として残存し、均質な硝子が得
られ難くなり好ましくない、 MgO,C:ao、Sr
O。
0%を越えると未熔解物として残存し、均質な硝子が得
られ難くなり好ましくない、 MgO,C:ao、Sr
O。
BaOは硝子の粘性を調整する作用があるが、総量で2
5%を越えると硝子が失透性となり好ましくない。
5%を越えると硝子が失透性となり好ましくない。
より好ましい範囲は上記範囲中、
Tl!02 20〜70%、PbO1Q〜40%、8
2035 〜35%、 Zn0 5〜25%、 丁
e07+PbO+B2O3+ ZnO>80゜WO3
+No03 0〜20%、 Sn0?+T i02 +
ZnO20〜7 %。
2035 〜35%、 Zn0 5〜25%、 丁
e07+PbO+B2O3+ ZnO>80゜WO3
+No03 0〜20%、 Sn0?+T i02 +
ZnO20〜7 %。
Al2O*+La2O30〜7 %、 1llHO
+CaO+SrO+BaOQ 〜20%である0以上の
成分の外に)lnO2,Coo、Nip。
+CaO+SrO+BaOQ 〜20%である0以上の
成分の外に)lnO2,Coo、Nip。
Fe2O3等の着色剤、5b203 、 AS203等
の清澄剤を各1モル%まで添加できる。
の清澄剤を各1モル%まで添加できる。
本発明、による硝子は例えば次の様にして製造される。
酸化物からなる原料を目標組成となる様に調合した後8
00〜1250℃の範囲で加熱して、0.3〜2時間保
持し硝子化する0次いで、溶融硝子を水砕するか、水冷
ロールによって粗砕する0次いで、この粗砕硝子をボー
ルミル等により更に粉砕し、平均径で2〜10μ−程度
の粒度とする。かくして得られた硝子により封着するに
は例えば次の様な方法がある。
00〜1250℃の範囲で加熱して、0.3〜2時間保
持し硝子化する0次いで、溶融硝子を水砕するか、水冷
ロールによって粗砕する0次いで、この粗砕硝子をボー
ルミル等により更に粉砕し、平均径で2〜10μ−程度
の粒度とする。かくして得られた硝子により封着するに
は例えば次の様な方法がある。
硝子粉末をニトロセルロースを 1〜3 wt%含むブ
チルカルピトールアセテート溶液(有機ビヒクル)と混
合し、扱い安い粘度に調整する。
チルカルピトールアセテート溶液(有機ビヒクル)と混
合し、扱い安い粘度に調整する。
次いで、これを被接着面に塗布した後、封着部を硝子の
作業温度まで加熱し、5〜15分間保持することによっ
て封着が行なわれる。
作業温度まで加熱し、5〜15分間保持することによっ
て封着が行なわれる。
[実施例]
表1に示した組成となる様に各酸化物原料を調合し、ア
ルミナ乳ばちで混合しバッチ50gを調整した0次いで
これを白金坩堝に入れ、1000℃に加熱し30分間保
持することにより硝子化した。更に、これをよく磨いた
鉄板上に流し出し1表1に記載した硝子転移点(Tg)
より5℃程度高い温度より徐冷し各種特性を調べるため
の硝子試料を製造した。
ルミナ乳ばちで混合しバッチ50gを調整した0次いで
これを白金坩堝に入れ、1000℃に加熱し30分間保
持することにより硝子化した。更に、これをよく磨いた
鉄板上に流し出し1表1に記載した硝子転移点(Tg)
より5℃程度高い温度より徐冷し各種特性を調べるため
の硝子試料を製造した。
この硝子について同表の記載の特性を調べた。各特性に
ついては次の様に測定したものである。
ついては次の様に測定したものである。
Tg及びSpC軟化点)はそれぞれ示差熱分析計に最初
の吸熱ピークと次の吸熱ピークの開始点である。
の吸熱ピークと次の吸熱ピークの開始点である。
作業温度は硝子をスライスカー/ トし約0.2mmの
厚みとし、これを膨張係数が110〜目0!10− ’
/℃の間にあるソーダ舎カリΦライム系の板硝子基板の
間に海人し、加熱後封着できた温度である。膨張係数は
201111!5φのサンプルを研磨して作製し、示差
膨張形にてΔ一定した30〜300℃間の値である。耐
水性は流し出した硝子を約lO■角1厘■厚に切断し表
面を酸化セリウムで鏡面に仕上げた後、佛騰水で10分
間煮沸した後の表面の変化状態で、Aは表面の変質が認
められなかったもの、日は表面に曇りが生じたもの、C
は表面が白濁したものである。
厚みとし、これを膨張係数が110〜目0!10− ’
/℃の間にあるソーダ舎カリΦライム系の板硝子基板の
間に海人し、加熱後封着できた温度である。膨張係数は
201111!5φのサンプルを研磨して作製し、示差
膨張形にてΔ一定した30〜300℃間の値である。耐
水性は流し出した硝子を約lO■角1厘■厚に切断し表
面を酸化セリウムで鏡面に仕上げた後、佛騰水で10分
間煮沸した後の表面の変化状態で、Aは表面の変質が認
められなかったもの、日は表面に曇りが生じたもの、C
は表面が白濁したものである。
陥、13は比較例で、従来のPbO−8+03−5iO
;+−ZnO系の硝子である。同表より明らかなように
従来の硝子では、煮沸水中で10分間煮沸すると、白濁
してしまうが、本発明の硝子(No、1−12)は白濁
する事はなく耐水性に優れている事がわかる。また作業
温度も600℃以下で十分に低い温度で使用することが
できる。
;+−ZnO系の硝子である。同表より明らかなように
従来の硝子では、煮沸水中で10分間煮沸すると、白濁
してしまうが、本発明の硝子(No、1−12)は白濁
する事はなく耐水性に優れている事がわかる。また作業
温度も600℃以下で十分に低い温度で使用することが
できる。
[発11の効果]
本発明の硝子は耐水性に優れており、硝子月1E後の水
を使用した研磨や高温高湿での使用に十分耐えることが
できる。この特性は特に磁気ヘッド用硝子材料や車載用
電子部品に要求されており、これらの用途に好適に用い
ることができる。
を使用した研磨や高温高湿での使用に十分耐えることが
できる。この特性は特に磁気ヘッド用硝子材料や車載用
電子部品に要求されており、これらの用途に好適に用い
ることができる。
Claims (1)
- (1)モル%表示で本質的に TeO_2 1
0〜80 PbO
8〜50 B_2O_3
3〜40 ZnO
3〜30 TeO_2+PbO+B_2O_3+ZnO
>75 WO_3+MoO_3
0〜25 SiO_2+SnO_2+TiO_2+ZrO_2
0〜10 Al_2O_3+La_2O_3
0〜10 MgO+CaO+SrO+BaO
0〜25 からなる低融点封着用硝子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17327185A JPS6236040A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 低融点封着用硝子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17327185A JPS6236040A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 低融点封着用硝子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236040A true JPS6236040A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=15957353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17327185A Withdrawn JPS6236040A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 低融点封着用硝子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236040A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01252547A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Sharp Corp | 磁気ヘッド用低融着性ガラス組成物 |
| JPH01308844A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-13 | Sharp Corp | 磁気ヘッド用低融着性ガラス組成物 |
| WO1992000925A1 (en) * | 1990-07-09 | 1992-01-23 | Cookson Group Plc | Glass compositions |
| US5245492A (en) * | 1989-11-28 | 1993-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head |
| US5273948A (en) * | 1991-06-24 | 1993-12-28 | Hitachi Metals, Ltd. | Bonding glass for assembling a magnetic head, and a magnetic head |
| US5283211A (en) * | 1990-11-28 | 1994-02-01 | Corning Incorporated | Thallium germanate, tellurite, and antimonite glasses |
| JPH06290410A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-18 | Sony Corp | 磁気ヘッド |
| JP2013533187A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛−テルル−リチウム−チタン−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
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| US10658528B2 (en) | 2017-04-18 | 2020-05-19 | Dupont Electronics, Inc. | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP17327185A patent/JPS6236040A/ja not_active Withdrawn
Cited By (21)
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| US8889980B2 (en) | 2010-05-04 | 2014-11-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead—tellurium—lithium—oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US8889979B2 (en) | 2010-05-04 | 2014-11-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead—tellurium—lithium—titanium—oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US8895843B2 (en) | 2010-05-04 | 2014-11-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| JP2013533187A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛−テルル−リチウム−チタン−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
| US10069020B2 (en) | 2010-05-04 | 2018-09-04 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US10468542B2 (en) | 2010-05-04 | 2019-11-05 | Dupont Electronics, Inc. | Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US10559703B2 (en) | 2010-05-04 | 2020-02-11 | Dupont Electronics, Inc. | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US11043605B2 (en) | 2010-05-04 | 2021-06-22 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US20140175340A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Young Wook Choi | Glass frit, composition for solar cell electrodes including the same, and electrode fabricated using the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |