JPS6316347B2 - - Google Patents
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- JPS6316347B2 JPS6316347B2 JP15049483A JP15049483A JPS6316347B2 JP S6316347 B2 JPS6316347 B2 JP S6316347B2 JP 15049483 A JP15049483 A JP 15049483A JP 15049483 A JP15049483 A JP 15049483A JP S6316347 B2 JPS6316347 B2 JP S6316347B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
- C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体、金属等の各種の膜形成がなさ
れる基板に用いるガラスに関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 各種の半導体、金属、誘電体などの薄膜は現
在、電子部品のほとんどあらゆる分野に使われて
いる。これら薄膜は適当な基板に加熱蒸着、スパ
ツタリングなどの物理的方法や熱分解、光分解な
どの化学的方法で形成される。こうした薄膜をオ
プトエレクトロニクスやデイスプレイなどに使用
する場合、基板は透明であることが必要であり、
安価、入手が簡単などの理由からガラス基板が多
用されている。 ところで、基板用ガラスは薄膜素子の厳しい要
求に対応して以下に示す高度な特性が必要となつ
てきている。 アルカリを含まないこと。基板ガラス中にア
ルカリが含まれていると、そのイオンが形成し
た薄膜中に拡散して特性を劣化させる。 耐熱性が高いこと。基板上に結晶性が良好
で、特性の優れた薄膜を形成するには高い蒸着
温度で行なうことが必要である。また、高温で
の熱処理工程を行なう場合もある。しかるに、
現在、入手できる基板用ガラスの耐熱性は500
〜600℃が限界であり、例えばシリコン薄膜ト
ランジスタのように800℃程度の熱処理を必要
とするものには不適当である。 耐薬品性に優れていること。基板上に形成さ
れた薄膜はフオトリソグラフイなどの手段でエ
ツチングされて目的とする素子に作られるが、
このパターニング工程では強酸やアルカリなど
の腐食性の高い薬品が使われ、この時基板自体
が腐食(エツチング)されてはならない。 上述した種々の要求を満すガラスとしては、従
来より石英ガラスが知られている。しかしなが
ら、石英ガラスは特殊な製法を必要とするため、
極めて高価である。また、低熱膨張という特性を
有するが、例えば異種材料との接合や封着を必要
とするデバイスの場合は欠点になり易い。 〔発明の目的〕 本発明は耐熱性、耐薬品性が共に優れ、量産的
な無アルカリの基板用ガラスを提供しようとする
ものである。 〔発明の概要〕 本発明はSiO2 45〜60モル%、AlO3/2 20〜35
モル%、ZrO2 1〜5モル%、MgO 10〜25モル
%、RO(但し、RはCa、Ba、Srのうちの少なく
とも1種)2〜10モル%、R′2O3(但し、R′はAs、
Sbのうちの少なくとも1種)2×10-4〜2×10-3
モル%からなるものである。こうした組成のガラ
スは高アルミナ質のアルカリ土類―アルミノシリ
ケートに属し、ZrO2の配合により耐熱性と耐薬
品性の向上がなされ、更にAs2O3、Sb2O3の少な
くとも一種の配合により脱泡清澄化がなされる。 次に、上記各成分の作用及びその配合割合の限
定理由について説明する。 (i) SiO2 SiO2はガラスの主成分をなすものである。
SiO2の配合割合を45モル%未満にすると耐薬
品性が低下し、例えば濃塩酸を水で1:1の割
合で希釈した希塩酸中で煮沸すると、表面が曇
る。一方、SiO2が60モル%を越えると、高温
粘性が顕著に増加し、1600℃以下で溶融できな
くなり、生産上の障害となる。 (ii) AlO3/2 AlO3/2もガラスの主成分をなすものである。
AlO3/2の配合割合を20モル%未満にすると、ガ
ラスの粘性が高くなり、脱泡が事実上不可能と
なる。一方、AlO3/2が35モル%を越えると、ガ
ラスが結晶し易くなり、通常の成形法が適用で
きなくなる。 (iii) ZrO2 ZrO2はガラスの耐熱性の向上に寄与する。
例えばSiO2―Al2O3―MgO―Ca系ガラス及び
これにZnO(酸化亜鉛)などを加えた低膨張、
耐熱性のガラスは公知であるが、実用的な組成
範囲ではガラス転移温度(Tg)が800℃に達し
ない。しかし、上記成分系にZrO2を添加する
ことで、ガラスの溶融性を損なわずにTgを800
℃以上にすることができた。また、ZrO2は耐
薬品性の向上にも寄与する。こうしたZrO2の
配合割合を1モル%未満にすると、その効果を
充分に達成できず、かといつて5モル%を越え
ると、ガラスが失透し易くなる。 (iv) MgO MgOは耐熱性等の向上の点で重要な成分で
ある。MgOの配合割合を10モル%未満にする
と、その効果を充分に発揮できず、かといつて
25モル%を越えると、ガラスが失透し易くな
る。 (v) RO ROはCaO、BaO、SrOのうちの少なくとも
1種からなるもので、MgOの補助成分であり、
溶融性の向上に寄与する。均質かつ安定なガラ
スを得るにはこれら成分を2モル%以上配合す
ることが必要であり、かといつてその量が10モ
ル%を越えると、ガラスの耐熱性が劣りTg=
800℃以上にならなくなる。なお、ROとして
特にCaOは上記特性の向上の点で最も有益であ
る。 (vi) R′O R′OはAs2O3、Sb2O3のうちの少なくとも一
種からなり、これらの配合割合は脱泡、清澄に
より均質なガラスを得る上で2×10-4〜2×
10-3モル%の範囲にすることが必要である。 なお、前述した各種の酸化物は通常のガラス原
料をそのまま使用できる。即ち、精製珪砂、水酸
化アルミニウム、マグネシヤ、ジルコニア、炭酸
カルシウム、炭酸バリウムなどを目標組成に調合
し、電気炉などで溶融、均質化させる。亜砒酸、
酸化アンチモンなどの消泡剤を使う場合は、常法
どおり成分の一部を硝酸塩の形で用い、酸化性に
する。こうして得られたガラスはロール法、プレ
ス法などで成形し、研磨して基板用ガラスとす
る。 〔発明の実施例〕 次に、本発明の実施例を説明する。 実施例 1〜8 まず、精製珪砂、水酸化アルミニウム、酸化ジ
ルコニウム、酸化マグネシウム、硝酸マグネジウ
ム、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、炭酸
バリウム、亜砒酸、三酸化アンチモンを原料と
し、これらを調合して下記第1表に示す組成のガ
ラスを作つた。なお、As2O3は低濃度であるた
め、これらを除いた酸化物の総量を100とし、こ
れに添加してある。得られたガラスの量は夫々約
2Kgで、これらを白金ルツボに収容し、酸素―都
市ガス炉で1450〜1550℃で溶解した。脱泡に要し
た時間は約6時間である。つづいて、ガラスを鉄
板上でプレスして約100mmφの円板とし、850℃か
ら徐冷した。 しかして、得られた8種の円板ガラスについて
熱膨張率、ガラス転移点、屈伏温度、及び耐薬品
性を調べた。その結果を第2表に示した。なお、
熱膨張率は円板ガラスを一部切り取り、干渉膨張
計により測定した。また、耐薬品性は表面を研磨
した円板ガラスをコンク塩酸を水で1:1となる
ように希釈した希塩酸中で2時間煮沸し、表面の
変質を観察することにより評価した。
れる基板に用いるガラスに関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 各種の半導体、金属、誘電体などの薄膜は現
在、電子部品のほとんどあらゆる分野に使われて
いる。これら薄膜は適当な基板に加熱蒸着、スパ
ツタリングなどの物理的方法や熱分解、光分解な
どの化学的方法で形成される。こうした薄膜をオ
プトエレクトロニクスやデイスプレイなどに使用
する場合、基板は透明であることが必要であり、
安価、入手が簡単などの理由からガラス基板が多
用されている。 ところで、基板用ガラスは薄膜素子の厳しい要
求に対応して以下に示す高度な特性が必要となつ
てきている。 アルカリを含まないこと。基板ガラス中にア
ルカリが含まれていると、そのイオンが形成し
た薄膜中に拡散して特性を劣化させる。 耐熱性が高いこと。基板上に結晶性が良好
で、特性の優れた薄膜を形成するには高い蒸着
温度で行なうことが必要である。また、高温で
の熱処理工程を行なう場合もある。しかるに、
現在、入手できる基板用ガラスの耐熱性は500
〜600℃が限界であり、例えばシリコン薄膜ト
ランジスタのように800℃程度の熱処理を必要
とするものには不適当である。 耐薬品性に優れていること。基板上に形成さ
れた薄膜はフオトリソグラフイなどの手段でエ
ツチングされて目的とする素子に作られるが、
このパターニング工程では強酸やアルカリなど
の腐食性の高い薬品が使われ、この時基板自体
が腐食(エツチング)されてはならない。 上述した種々の要求を満すガラスとしては、従
来より石英ガラスが知られている。しかしなが
ら、石英ガラスは特殊な製法を必要とするため、
極めて高価である。また、低熱膨張という特性を
有するが、例えば異種材料との接合や封着を必要
とするデバイスの場合は欠点になり易い。 〔発明の目的〕 本発明は耐熱性、耐薬品性が共に優れ、量産的
な無アルカリの基板用ガラスを提供しようとする
ものである。 〔発明の概要〕 本発明はSiO2 45〜60モル%、AlO3/2 20〜35
モル%、ZrO2 1〜5モル%、MgO 10〜25モル
%、RO(但し、RはCa、Ba、Srのうちの少なく
とも1種)2〜10モル%、R′2O3(但し、R′はAs、
Sbのうちの少なくとも1種)2×10-4〜2×10-3
モル%からなるものである。こうした組成のガラ
スは高アルミナ質のアルカリ土類―アルミノシリ
ケートに属し、ZrO2の配合により耐熱性と耐薬
品性の向上がなされ、更にAs2O3、Sb2O3の少な
くとも一種の配合により脱泡清澄化がなされる。 次に、上記各成分の作用及びその配合割合の限
定理由について説明する。 (i) SiO2 SiO2はガラスの主成分をなすものである。
SiO2の配合割合を45モル%未満にすると耐薬
品性が低下し、例えば濃塩酸を水で1:1の割
合で希釈した希塩酸中で煮沸すると、表面が曇
る。一方、SiO2が60モル%を越えると、高温
粘性が顕著に増加し、1600℃以下で溶融できな
くなり、生産上の障害となる。 (ii) AlO3/2 AlO3/2もガラスの主成分をなすものである。
AlO3/2の配合割合を20モル%未満にすると、ガ
ラスの粘性が高くなり、脱泡が事実上不可能と
なる。一方、AlO3/2が35モル%を越えると、ガ
ラスが結晶し易くなり、通常の成形法が適用で
きなくなる。 (iii) ZrO2 ZrO2はガラスの耐熱性の向上に寄与する。
例えばSiO2―Al2O3―MgO―Ca系ガラス及び
これにZnO(酸化亜鉛)などを加えた低膨張、
耐熱性のガラスは公知であるが、実用的な組成
範囲ではガラス転移温度(Tg)が800℃に達し
ない。しかし、上記成分系にZrO2を添加する
ことで、ガラスの溶融性を損なわずにTgを800
℃以上にすることができた。また、ZrO2は耐
薬品性の向上にも寄与する。こうしたZrO2の
配合割合を1モル%未満にすると、その効果を
充分に達成できず、かといつて5モル%を越え
ると、ガラスが失透し易くなる。 (iv) MgO MgOは耐熱性等の向上の点で重要な成分で
ある。MgOの配合割合を10モル%未満にする
と、その効果を充分に発揮できず、かといつて
25モル%を越えると、ガラスが失透し易くな
る。 (v) RO ROはCaO、BaO、SrOのうちの少なくとも
1種からなるもので、MgOの補助成分であり、
溶融性の向上に寄与する。均質かつ安定なガラ
スを得るにはこれら成分を2モル%以上配合す
ることが必要であり、かといつてその量が10モ
ル%を越えると、ガラスの耐熱性が劣りTg=
800℃以上にならなくなる。なお、ROとして
特にCaOは上記特性の向上の点で最も有益であ
る。 (vi) R′O R′OはAs2O3、Sb2O3のうちの少なくとも一
種からなり、これらの配合割合は脱泡、清澄に
より均質なガラスを得る上で2×10-4〜2×
10-3モル%の範囲にすることが必要である。 なお、前述した各種の酸化物は通常のガラス原
料をそのまま使用できる。即ち、精製珪砂、水酸
化アルミニウム、マグネシヤ、ジルコニア、炭酸
カルシウム、炭酸バリウムなどを目標組成に調合
し、電気炉などで溶融、均質化させる。亜砒酸、
酸化アンチモンなどの消泡剤を使う場合は、常法
どおり成分の一部を硝酸塩の形で用い、酸化性に
する。こうして得られたガラスはロール法、プレ
ス法などで成形し、研磨して基板用ガラスとす
る。 〔発明の実施例〕 次に、本発明の実施例を説明する。 実施例 1〜8 まず、精製珪砂、水酸化アルミニウム、酸化ジ
ルコニウム、酸化マグネシウム、硝酸マグネジウ
ム、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、炭酸
バリウム、亜砒酸、三酸化アンチモンを原料と
し、これらを調合して下記第1表に示す組成のガ
ラスを作つた。なお、As2O3は低濃度であるた
め、これらを除いた酸化物の総量を100とし、こ
れに添加してある。得られたガラスの量は夫々約
2Kgで、これらを白金ルツボに収容し、酸素―都
市ガス炉で1450〜1550℃で溶解した。脱泡に要し
た時間は約6時間である。つづいて、ガラスを鉄
板上でプレスして約100mmφの円板とし、850℃か
ら徐冷した。 しかして、得られた8種の円板ガラスについて
熱膨張率、ガラス転移点、屈伏温度、及び耐薬品
性を調べた。その結果を第2表に示した。なお、
熱膨張率は円板ガラスを一部切り取り、干渉膨張
計により測定した。また、耐薬品性は表面を研磨
した円板ガラスをコンク塩酸を水で1:1となる
ように希釈した希塩酸中で2時間煮沸し、表面の
変質を観察することにより評価した。
【表】
以上詳述した如く、本発明によれば、Tgが800
℃以上と耐熱性に優れ、かつ耐薬品性も良好で、
更に1600℃以下で均質に溶解でき、半導体、金
属、誘電体等の薄膜の蒸着に適した安価で高性能
の基板用ガラスを提供できる。
℃以上と耐熱性に優れ、かつ耐薬品性も良好で、
更に1600℃以下で均質に溶解でき、半導体、金
属、誘電体等の薄膜の蒸着に適した安価で高性能
の基板用ガラスを提供できる。
Claims (1)
- 1 SiO2 45〜60モル%、AlO3/2 20〜35モル%、
ZrO2 1〜5モル%、MgO 10〜25モル%、RO
(但しRはCa、Ba、Srのうちの少なくとも1種)
2〜10モル%、R′2O3(但しR′はAs、Sbのうちの
少なくとも1種)2×10-4〜2×10-3モル%から
なる基板用ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15049483A JPS6042246A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 基板用ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15049483A JPS6042246A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 基板用ガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042246A JPS6042246A (ja) | 1985-03-06 |
| JPS6316347B2 true JPS6316347B2 (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=15498090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15049483A Granted JPS6042246A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 基板用ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042246A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0617249B2 (ja) * | 1986-08-15 | 1994-03-09 | 松下電工株式会社 | ガラスセラミツク焼結体 |
| JPH0617250B2 (ja) * | 1986-09-19 | 1994-03-09 | 松下電工株式会社 | ガラスセラミツク焼結体 |
| DE69508706T2 (de) | 1994-11-30 | 1999-12-02 | Asahi Glass Co. Ltd., Tokio/Tokyo | Alkalifreies Glas und Flachbildschirm |
| JP2989271B2 (ja) * | 1995-07-12 | 1999-12-13 | ホーヤ株式会社 | ベアチップ搭載ボード、ベアチップ搭載ボードの製造方法及びベアチップの電極形成方法 |
| WO1997003460A1 (en) * | 1995-07-12 | 1997-01-30 | Hoya Corporation | Bare chip mounted board, method of manufacturing the board, and method of forming electrode of bare chip |
| CN113045197A (zh) * | 2015-04-03 | 2021-06-29 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃 |
-
1983
- 1983-08-18 JP JP15049483A patent/JPS6042246A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6042246A (ja) | 1985-03-06 |
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