JPS6236282Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6236282Y2 JPS6236282Y2 JP1982021128U JP2112882U JPS6236282Y2 JP S6236282 Y2 JPS6236282 Y2 JP S6236282Y2 JP 1982021128 U JP1982021128 U JP 1982021128U JP 2112882 U JP2112882 U JP 2112882U JP S6236282 Y2 JPS6236282 Y2 JP S6236282Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- temperature
- semiconductor
- sensor circuit
- tester
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、半導体ウエハーの検査工程において
半導体装置検査器（以後テスターと呼ぶ）を用い
て、加熱された半導体ウエハーの検査を行なう時
に半導体ウエハーがあらかじめ定められた温度に
達しているかどうかを検出するために、温度検出
用回路（以後センサー回路と呼ぶ）が半導体ウエ
ハー上に作製されている半導体ウエハーに関す
る。
半導体装置検査器（以後テスターと呼ぶ）を用い
て、加熱された半導体ウエハーの検査を行なう時
に半導体ウエハーがあらかじめ定められた温度に
達しているかどうかを検出するために、温度検出
用回路（以後センサー回路と呼ぶ）が半導体ウエ
ハー上に作製されている半導体ウエハーに関す
る。
従来半導体ウエハーの検査工程において半導体
ウエハーの電極部とテスターの接触をとるための
探針部（以後プローブカードと呼ぶ）とウエハー
を間欠送りしながらその度毎、半導体ウエハーと
プローブカードの接触をとる装置（以後プローバ
ーと呼ぶ）を使用し電気的特性を検査し良品，不
良品の判定を行なうテスターがある。
ウエハーの電極部とテスターの接触をとるための
探針部（以後プローブカードと呼ぶ）とウエハー
を間欠送りしながらその度毎、半導体ウエハーと
プローブカードの接触をとる装置（以後プローバ
ーと呼ぶ）を使用し電気的特性を検査し良品，不
良品の判定を行なうテスターがある。
半導体ウエハー製造工程において半導体ウエハ
ハーを検査するために、半導体ウエハーに書き込
まれた情報を一定時間保持できるかどうか検査す
る項目がある（以後保持テストと呼ぶ）。この保
持テストではあらかじめ定められた温度に半導体
ウエハーを加熱し検査することにより保持テスト
時間を一定の割合で短くすることが容易に行なえ
る。前記作業で半導体ウエハーを加熱するために
プローバの半導体ウエハー搭載台を加熱する必要
があり、この方法によると搭載台を加熱するため
の設定温度と半導体ウエハー表面温度を一致させ
ることが難しく、又加熱された半導体ウエハーの
表面温度を確実に把握することができないためプ
ローブ型温度センサーを使用していた。この方法
によると半導体ウエハー表面の汚れ、キズあるい
は温度検出作業が容易に行なえないという問題が
あつた。
ハーを検査するために、半導体ウエハーに書き込
まれた情報を一定時間保持できるかどうか検査す
る項目がある（以後保持テストと呼ぶ）。この保
持テストではあらかじめ定められた温度に半導体
ウエハーを加熱し検査することにより保持テスト
時間を一定の割合で短くすることが容易に行なえ
る。前記作業で半導体ウエハーを加熱するために
プローバの半導体ウエハー搭載台を加熱する必要
があり、この方法によると搭載台を加熱するため
の設定温度と半導体ウエハー表面温度を一致させ
ることが難しく、又加熱された半導体ウエハーの
表面温度を確実に把握することができないためプ
ローブ型温度センサーを使用していた。この方法
によると半導体ウエハー表面の汚れ、キズあるい
は温度検出作業が容易に行なえないという問題が
あつた。
本考案は、かかる従来の欠点を除いた半導体ウ
エハーの提供を目的とする。
エハーの提供を目的とする。
本考案は例えば、半導体ウエハー上の半導体記
憶装置の保持テストにおいてあらかじめ定められ
た温度を検出するために前記半導体ウエハー上に
センサー回路を作製することを特徴とする半導体
ウエハーである。
憶装置の保持テストにおいてあらかじめ定められ
た温度を検出するために前記半導体ウエハー上に
センサー回路を作製することを特徴とする半導体
ウエハーである。
本考案によると前記作業を行なうために半導体
ウエハー上に作製したセンサー回路の電極部にプ
ローブカードを接触させるだけでテスターにより
容易に半導体ウエハー表面の温度測定が行なえる
ことができ従来のような半導体ウエハーの汚れ，
キズによる歩留り低下を防ぐことができ又温度検
出作業の作業効率を計ることができる。
ウエハー上に作製したセンサー回路の電極部にプ
ローブカードを接触させるだけでテスターにより
容易に半導体ウエハー表面の温度測定が行なえる
ことができ従来のような半導体ウエハーの汚れ，
キズによる歩留り低下を防ぐことができ又温度検
出作業の作業効率を計ることができる。
センサー回路の設計については、テスターから
プローブカード間の接続のための導電材料並びに
抵抗値等も含めた設計をしないと正確な温度検出
が行えなくなる。又前記センサー回路の作製では
半導体装置の電極と同一箇所に電極を配置し半導
体記憶装置の保持テストを行なう時と同一のプロ
ーブカードを使うことが望しい。プローブカード
の基板と探針を固定する樹脂については耐熱性の
材質を使用しないと半導体記憶装置あるいはセン
サー回路の電極部にプローブカードの探針群を合
わせることができなくなる。
プローブカード間の接続のための導電材料並びに
抵抗値等も含めた設計をしないと正確な温度検出
が行えなくなる。又前記センサー回路の作製では
半導体装置の電極と同一箇所に電極を配置し半導
体記憶装置の保持テストを行なう時と同一のプロ
ーブカードを使うことが望しい。プローブカード
の基板と探針を固定する樹脂については耐熱性の
材質を使用しないと半導体記憶装置あるいはセン
サー回路の電極部にプローブカードの探針群を合
わせることができなくなる。
以下本考案の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は、半導体ウエハー上に作製された半導体
記憶装置とセンサー回路を表わす。第２図は、プ
ローバの半導体ウエハー搭載台に乗せた半導体ウ
エハー上のセンサー回路をテスターで温度測定し
ている様子を表わす。第３図は、半導体ウエハー
上に作製するセンサー回路の回路図である。
第１図は、半導体ウエハー上に作製された半導体
記憶装置とセンサー回路を表わす。第２図は、プ
ローバの半導体ウエハー搭載台に乗せた半導体ウ
エハー上のセンサー回路をテスターで温度測定し
ている様子を表わす。第３図は、半導体ウエハー
上に作製するセンサー回路の回路図である。
センサー回路１は、基準電圧１２，温度センサ
ー１１，位相補正内蔵形増幅器１０により構成さ
れており基準電圧１２はテスター９からの電圧を
一定電圧に保ちかつセンサー回路１の温度上昇を
防ぐことができこれにより検出温度誤差を低く押
えることができる。又位相補正内蔵形増幅器１０
により高感度の温度測定を行なうことができる。
ー１１，位相補正内蔵形増幅器１０により構成さ
れており基準電圧１２はテスター９からの電圧を
一定電圧に保ちかつセンサー回路１の温度上昇を
防ぐことができこれにより検出温度誤差を低く押
えることができる。又位相補正内蔵形増幅器１０
により高感度の温度測定を行なうことができる。
前記のセンサー回路１は半導体ウエハー３上に
１個作製する。又このセンサー回路１を半導体ウ
エハー３上に複数個作製し温度測定することによ
りプローバ６の半導体ウエハー搭載台７の温度が
均一に保たれているかどうかを知ることができ
る。
１個作製する。又このセンサー回路１を半導体ウ
エハー３上に複数個作製し温度測定することによ
りプローバ６の半導体ウエハー搭載台７の温度が
均一に保たれているかどうかを知ることができ
る。
温度制御装置８に所定の温度を設定し半導体ウ
エハー搭載台７を加熱させ前記のようにして作製
された半導体ウエハー３を加熱している半導体ウ
エハー搭載台７の上に乗せる。その後半導体ウエ
ハー３が所定の温度に達しているかどうかセンサ
ー回路１をテスター９で温度測定する。その結果
所定の温度に達していればその時初めて半導体記
憶装置２の電気的特性試験及び保持テストが行な
われる。この時テスター９では、所定の設定温度
とセンサー回路１の温度測定結果を照合し一致し
ている時だけプローバ６が稼動するように温度制
御装置８に信号を発生する。もしテスター９の温
度測定結果所定の設定温度と一致しない時はテス
ター９より温度制御装置８にその情報を提供し温
度制御装置８の温度制御を補正する。
エハー搭載台７を加熱させ前記のようにして作製
された半導体ウエハー３を加熱している半導体ウ
エハー搭載台７の上に乗せる。その後半導体ウエ
ハー３が所定の温度に達しているかどうかセンサ
ー回路１をテスター９で温度測定する。その結果
所定の温度に達していればその時初めて半導体記
憶装置２の電気的特性試験及び保持テストが行な
われる。この時テスター９では、所定の設定温度
とセンサー回路１の温度測定結果を照合し一致し
ている時だけプローバ６が稼動するように温度制
御装置８に信号を発生する。もしテスター９の温
度測定結果所定の設定温度と一致しない時はテス
ター９より温度制御装置８にその情報を提供し温
度制御装置８の温度制御を補正する。
第１図は、半導体ウエハー上に作製された半導
体記憶装置とセンサー回路を表わす。第２図はプ
ローバの半導体ウエハー搭載台に乗せた半導体ウ
エハー上のセンサー回路をテスターで温度測定し
ている様子を表わす。第３図は半導体ウエハー上
に作製するセンサー回路の回路図である。 図中、１……センサー回路、２……半導体記憶
装置、３……半導体ウエハー、４……探針郡、５
……プローブカード、６……プローバ、７……半
導体ウエハー搭載台、８……温度制御装置、９…
…テスター、１０……位相補正内蔵形増幅器、１
１……温度センサー、１２……基準電圧、１′…
…温度検出回路又は温度検出素子を含む半導体記
憶装置、である。
体記憶装置とセンサー回路を表わす。第２図はプ
ローバの半導体ウエハー搭載台に乗せた半導体ウ
エハー上のセンサー回路をテスターで温度測定し
ている様子を表わす。第３図は半導体ウエハー上
に作製するセンサー回路の回路図である。 図中、１……センサー回路、２……半導体記憶
装置、３……半導体ウエハー、４……探針郡、５
……プローブカード、６……プローバ、７……半
導体ウエハー搭載台、８……温度制御装置、９…
…テスター、１０……位相補正内蔵形増幅器、１
１……温度センサー、１２……基準電圧、１′…
…温度検出回路又は温度検出素子を含む半導体記
憶装置、である。
Claims (1)
- 多数の半導体装置が形成された半導体ウエハー
の該半導体装置が形成されていない所定個所に設
けられた温度センサーを有する温度検出回路と、
該温度検出回路に接続された複数の電極とを有
し、前記半導体装置の電気的特性を検査するため
に用いるプローブカードの複数の探針を前記複数
の電極にそれぞれ接触させることにより前記半導
体ウエハーの温度の測定を可能ならしめたことを
特徴とする半導体ウエハー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112882U JPS58124949U (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 半導体ウエハ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112882U JPS58124949U (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 半導体ウエハ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124949U JPS58124949U (ja) | 1983-08-25 |
| JPS6236282Y2 true JPS6236282Y2 (ja) | 1987-09-16 |
Family
ID=30033259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2112882U Granted JPS58124949U (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 半導体ウエハ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58124949U (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5387669A (en) * | 1977-01-12 | 1978-08-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Inspecting system for integrated circuit device |
| JPS5497376A (en) * | 1978-01-18 | 1979-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Inspection method semiconductor device |
| JPS57102009A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-02-17 JP JP2112882U patent/JPS58124949U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58124949U (ja) | 1983-08-25 |
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