JPS6236325Y2 - - Google Patents

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JPS6236325Y2
JPS6236325Y2 JP1753281U JP1753281U JPS6236325Y2 JP S6236325 Y2 JPS6236325 Y2 JP S6236325Y2 JP 1753281 U JP1753281 U JP 1753281U JP 1753281 U JP1753281 U JP 1753281U JP S6236325 Y2 JPS6236325 Y2 JP S6236325Y2
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JP
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waveguide
plane
height
ferrimagnetic
phase shifter
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JP1753281U
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JPS57131002U (ja
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  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、不要モードの共振を抑制しできる
だけ挿入損失を小さくした導波管形フエリ磁性体
移相器に関するものである。
第1図aは、従来の不要モードを抑制している
導波管形フエリ磁性体移相器の斜視図であつて、
この移相器は導波管1、フエリ磁性体2、磁化用
導線3、整合誘電体4、誘電体板5、電波吸収体
6より構成され、フエリ磁性体2と整合誘電体4
の間から導波管H面と平行にかつ導波管E面と斜
交して引き出した磁化用導線3を導波管E面管壁
に設けた小孔7を通して導波管1外へ取り出し、
さらに電波吸収体6を塗布または蒸着した誘電体
板5を磁化用導線3に沿つて導波管H面と平行に
配置した構造となつている。
第1図bは第1図aのA−A断面図であり、磁
化用導線3は、フエリ磁性体2の孔8中に配置さ
れている構造を示している。
第1図cは第1図aのB−B断面図であり、導
波管H面管壁の一方の面に厚さの薄い導体板9を
用い、他方の面には所定の長さにわたり導波管高
が低くなるように段差10を設けた導波管内に、
フエリ磁性体2と整合誘電体4を導波管H面両壁
に接触するように配置した構造を示している。
次に従来の移相器の動作説明をする。磁化用導
線3に流す電流を切換えることにより、フエリ磁
性体2は、マイクロ波に対し二つの異なつた透磁
率を示す。このため一定の位相を持つ入射波に対
し、電流の方向を切換えることにより透過波に位
相差を生じ、したがつて移相器として動作する。
この構造の導波管形フエリ磁性体移相器では、
導波管H面管壁の一方を厚みの薄い導体板9を用
いることにより、フエリ磁性体2に加わる圧力を
減少し、厳しい環境条件のもとでの温度変化によ
る膨張、収縮から生ずるフエリ磁性体2の破損を
防止している。このため、移相器のマイクロ波特
性を劣化する不要導波管モードの伝ぱんを阻止す
るように導波管高を低くするには、厚みの薄い導
体板10に段差を設ける加工が困難となるので、
導波管H面管壁の他方の面にのみ段差10を設け
て、導波管上下非対称構造としている。
第2図a,bは、第1図の従来の移相器をそれ
ぞれ上面と側面から拡大して見た透視図であり、
上記の導波管高さを低くする方法では抑制できな
い磁化用導線3を内導体、導波管1を外導体とす
る同軸モードの抑圧するための構造を示したもの
である。磁化用導線3を導波管H面と平行かつ導
波管E面と斜交させ、第2図a中、矢印破線で示
した同軸モードの電界を導波管H面と平行な面に
集中し、導波管H面に平行に配置された電波吸収
体6を塗布または蒸着した誘電体5と上記磁化用
導線3とを近接させて、前記同軸モードの電界を
有効に吸収している。
ところが、上記構造において、導波管1には上
下非対称となるように段差10を設けているの
で、この部分での境界条件を満たす電界は、第2
図b中、矢印破線で示したように、導波管E面に
平行な成分ばかりではなく、導波管H面に平行な
成分をもつ。したがつて、従来のフエリ磁性体移
相器では、導波管H面に平行な成分をもつ電界が
存在する領域に、磁化用導線3および電波吸収体
6を塗布または蒸着した誘電体板5が配置されて
いると、導波管H面に平行な電界成分が、直接電
波吸収体6に吸収され、さらに磁化用導線3と結
合したのち電波吸収体6で吸収され、挿入損失が
増加するという欠点があつた。
この考案はこれらの欠点を解決するため磁化用
導線3の配置と電波吸収体5を塗布または蒸着す
る位置に工夫を加え、同軸モードの共振に起因す
る損失増加のみを有効に抑制することを目的とし
たものであり、以下図面について詳細に説明す
る。
第3図はこの考案の実施例を示す斜視図であ
り、第4図a,bは段差8近傍の拡大図で、それ
ぞれ移相器を上面側面から透視したものである。
フエリ磁性体2と整合誘電体4の間から導波管H
面と平行にかつ導波管E面と斜交して引き出した
磁化用導線3を導波管高の低い導波管E面管壁に
設けた小孔7に通して導波管1外へ取り出し、さ
らに、誘電体板5を上記磁化用導線3に沿つて導
波管H面と平行に配置している。さらにこの誘電
体板5には導波管高の低い部分に挿入されかつ磁
化用導線3に沿つた部分にのみ電波吸収体6を塗
布または蒸着した構造としている。
第4図bに示すように電界は、導波管高の高い
部分では導波管H面に平行な成分をもつか、導波
管高の低い部分では、ほとんど導波管H面に平行
な成分はもたないので、この導波管高の低い部分
にのみ電波吸収体6が付着している誘電体板5が
配置されても挿入損失の増加を起すことなく同軸
モードを効率良く吸収する。
それ故、上下非対称構造でも、基本モードの電
力に損失を与えることなく、同軸モードによる共
振現象を抑圧することが可能となり、移相器の特
性劣化を防ぐことができる。
なお、以上は磁化用導線3が一本の場合につい
て説明したが、この考案はこれに限らず、磁化用
導線3が複数の場合にも適用できる。
以上のように、この考案による導波管形フエリ
磁性体移相器では、導波管H面管壁の一方に設け
た段差10によつて生ずる電界の導波管H面成分
の存在しない位置に磁化用導線3と電波吸収体6
を配置することにより通過電力の損失増加を招く
ことなく、同軸モードの共振を抑圧することが可
能となり、良好なマイクロ波特性を与える移相器
を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図aは従来の導波管形フエリ磁性体移相器
の斜視図、第1図bは第1図aのA−A断面図、
第1図cは第1図aのB−B断面図、第2図aは
従来の導波管形フエリ磁性体移相器の段差の付近
を上面から見た透視図、第2図bは第2図aの部
分を側面から見た透視図、第3図はこの考案の一
実施例の斜視図、第4図aはこの考案による導波
管形フエリ磁性体移相器の段差付近を上面から見
た透視図、第4図bは第4図aの部分を側面から
見た透視図である。 図中、1は導波管、2はフエリ磁性体、3は磁
化用導線、4は整合誘電体、5は誘電体板、6は
電波吸収体、7は導波管E面小孔、8はフエリ磁
性体孔、9は薄い導体板、10は段差である。な
お、図中、同一あるいは相当部分には同一符号を
付して示してある。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. トロイド形状フエリ磁性体の孔に、磁化用導線
    を通し、前記フエリ磁性体の両端に整合誘電体を
    取付け、導波管H面管壁の一方の面は平面とし他
    方の面には所定の長さにわたり導波管高が低くな
    るように段差を設けた導波管内に、前記フエリ磁
    性体と整合誘電体を導波管H面両壁に接触するよ
    うに配置し、フエリ磁性体と整合誘電体の間から
    導波管H面と平行に、かつ導波管E面と斜交して
    引き出した磁化用導線を導波管高が低い導波管の
    導波管E面管壁に設けた小孔に通して導波管外へ
    取り出し、さらに誘電体板を上記磁化用導線に沿
    つて導波管H面と平行に配置し、導波管高の低い
    導波管内に挿入した誘電体板には電波吸収体を塗
    布または蒸着したことを特徴とする導波管形フエ
    リ磁性体移相器。
JP1753281U 1981-02-10 1981-02-10 Expired JPS6236325Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP1753281U JPS6236325Y2 (ja) 1981-02-10 1981-02-10

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JP1753281U JPS6236325Y2 (ja) 1981-02-10 1981-02-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57131002U JPS57131002U (ja) 1982-08-16
JPS6236325Y2 true JPS6236325Y2 (ja) 1987-09-16

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JPS57131002U (ja) 1982-08-16

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