JPS623665B2 - - Google Patents

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JPS623665B2
JPS623665B2 JP16575578A JP16575578A JPS623665B2 JP S623665 B2 JPS623665 B2 JP S623665B2 JP 16575578 A JP16575578 A JP 16575578A JP 16575578 A JP16575578 A JP 16575578A JP S623665 B2 JPS623665 B2 JP S623665B2
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voltage
circuit
bidirectional
capacitor
thyristor
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JP16575578A
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Japanese (ja)
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JPS5588110A (en
Inventor
Noryuki Jitosho
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は調光装置等に用いられる交流電力制御
回路に関するものであり、電源電圧の変動に対す
る補償手段を有する回路を提供しようとするもの
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an AC power control circuit used in a light control device and the like, and it is an object of the present invention to provide a circuit having means for compensating for fluctuations in power supply voltage.

従来、交流電力制御回路で双方向性3端子サイ
リスタ(以下単にサイリスタという)を用いて位
相制御するものが知られている。この回路で最も
簡単な構成を第1図に示しており、可変抵抗(以
下VRという)1―1を調整することによりラン
プ1―2の明るさを制御することができるもので
ある。ここで、第2図に示すようにVR2―1を
挿入した回路構成としてもよい。要するに時定数
がVR1―1,2―1を調整することにより変れ
ばよいのである。第1図および第2図で、2―2
はランプ、1―3および2―3はサイリスタ、1
―4および2―4は双方向性トリガ素子(以下単
にトリガ素子という)、1―5および2―5,2
―8は抵抗、1―6,1―7および2―6,2―
7はコンデンサである。
BACKGROUND ART Conventionally, AC power control circuits that perform phase control using bidirectional three-terminal thyristors (hereinafter simply referred to as thyristors) are known. The simplest configuration of this circuit is shown in FIG. 1, and the brightness of the lamp 1-2 can be controlled by adjusting a variable resistor (hereinafter referred to as VR) 1-1. Here, a circuit configuration in which VR2-1 is inserted as shown in FIG. 2 may be used. In short, the time constant only needs to be changed by adjusting VR1-1 and VR1-1. In Figures 1 and 2, 2-2
is a lamp, 1-3 and 2-3 are thyristors, 1
-4 and 2-4 are bidirectional trigger elements (hereinafter simply referred to as trigger elements), 1-5 and 2-5, 2
-8 is resistance, 1-6, 1-7 and 2-6, 2-
7 is a capacitor.

上記の時定数を変える手段としてVRと等価な
ものがあれば第1図および第2図のVR1―1,
2―1の置換えができる。
If there is something equivalent to VR as a means of changing the above time constant, VR1-1 in Figures 1 and 2,
2-1 replacement is possible.

本発明者はこの手段として絶縁ゲート型電界効
果トランジスタ(以下MOSFETという)とコン
デンサの組合せを用いることを先に提案した(実
願昭53―107366(実公昭61―3269号公報参照)以
下先願という)。
The present inventor previously proposed the use of a combination of an insulated gate field effect transistor (hereinafter referred to as MOSFET) and a capacitor as a means for this purpose (see Utility Model Application No. 53-107366 (see Japanese Utility Model Publication No. 61-3269) and earlier applications). ).

すなわち、第3図イのMOSFET3―1のゲー
トに接がれたコンデンサ3―2は、MOSFET3
―1のゲートバイアス電圧を保持するためのもの
であり、MOSFET3―1のドレインDとソース
S間の電気抵抗は上記コンデンサ3―2の電圧に
より変化する。これは第3図ロに示すように等価
的にVRと考えることができる。このMOSFETの
ドレイン、ソース間の抵抗は電圧の極性により差
があるので、Nチヤンネル型かPチヤンネル型か
によりドレイン、ソース間にかかる電圧の極性を
一定にしなければならない。
In other words, the capacitor 3-2 connected to the gate of MOSFET 3-1 in Fig. 3A is
This is to maintain a gate bias voltage of -1, and the electrical resistance between the drain D and source S of the MOSFET 3-1 changes depending on the voltage of the capacitor 3-2. This can be equivalently considered as VR, as shown in Figure 3B. The resistance between the drain and source of this MOSFET varies depending on the voltage polarity, so the polarity of the voltage applied between the drain and source must be constant depending on whether it is an N-channel type or a P-channel type.

第4図にNチヤンネル型のMOSFETを用いた
本先願回路の一実施例を示す。図において、4―
1はサイリスタ、4―2は上記サイリスタ4―1
をトリガするトリガ素子である。また、4―3〜
4―6はMOSFET4―7に流れる電流方向を決
める整流用ダイオード、4―8はMOSFET4―
7のゲートに接がれた電荷保存用コンデンサ、4
―9はその電荷保存用コンデンサ4―8の電荷の
漏れを防ぐネオン放電管、4―10は一端がネオ
ン放電管4―9を介してMOSFET4―7のゲー
トに接がれた入力抵抗、4―11および4―13
は平滑用コンデンサ、4―12および4―14は
正、負電圧を作る整流ダイオード、4―15は上
記正、負電圧を選ぶ中立付きスイツチ、4―16
はランプ、4―17および4―16は位相回路用
の抵抗、4―19および4―20は位相回路用の
コンデンサである。
FIG. 4 shows an embodiment of the circuit of this prior application using an N-channel MOSFET. In the figure, 4-
1 is the thyristor, 4-2 is the above thyristor 4-1
This is a trigger element that triggers. Also, 4-3~
4-6 is a rectifier diode that determines the direction of current flowing to MOSFET 4-7, 4-8 is MOSFET 4-
Charge storage capacitor connected to the gate of 7, 4
4-10 is an input resistor whose one end is connected to the gate of MOSFET 4-7 via the neon discharge tube 4-9; -11 and 4-13
is a smoothing capacitor, 4-12 and 4-14 are rectifier diodes that create positive and negative voltages, 4-15 is a neutral switch that selects the above positive and negative voltages, 4-16
is a lamp, 4-17 and 4-16 are resistors for the phase circuit, and 4-19 and 4-20 are capacitors for the phase circuit.

今、スイツチ4―15が中立の時はMOSFET
4―7はそのゲートに接がれたコンデンサ4―8
に蓄えられている電圧によつて決まる抵抗を示
し、サイリスタ4―1は上記MOSFET4―7の
抵抗と位相回路の抵抗4―17,4―18および
コンデンサ4―19,4―20による時定数で決
まる点弧位相で導通し、負荷のランプ4―16は
電力を供給される。つぎに、スイツチ4―15を
十側に倒すとネオン放電管4―9は放電し、コン
デンサ4―8は抵抗4―10との時定数で+に充
電され、MOSFET4―7はより導通する(抵抗
が低くなる)。これによりサイリスタ4―1の点
弧位相は遅れ、ランプ4―16への供給電力は小
さくなる。反対にスイツチ4―15を−側にすれ
ばコンデンサ4―8の電圧は減少してMOSFET
4―7はカツトオフの方向になり(抵抗が高くな
る)、サイリスタ4―1の点弧位相は早くなり、
ランプ4―16への供給電力は大きくなる。
Now, when switch 4-15 is neutral, MOSFET
4-7 is the capacitor 4-8 connected to its gate.
thyristor 4-1 has a resistance determined by the voltage stored in Conducting at a determined ignition phase, the load lamp 4-16 is energized. Next, when the switch 4-15 is turned to the 0 side, the neon discharge tube 4-9 is discharged, the capacitor 4-8 is charged to + due to the time constant with the resistor 4-10, and the MOSFET 4-7 becomes more conductive ( (lower resistance). As a result, the ignition phase of the thyristor 4-1 is delayed, and the power supplied to the lamp 4-16 is reduced. On the other hand, if switch 4-15 is set to the negative side, the voltage across capacitor 4-8 decreases and the MOSFET
4-7 is in the cut-off direction (resistance becomes higher), the firing phase of thyristor 4-1 becomes earlier,
The power supplied to lamp 4-16 increases.

また、スイツチ4―15を中立にするとその状
態を保持する。すなわち、コンデンサ4―8の電
圧(電荷)はネオン放電管4―9が放電を停止し
た状態(スイツチ4―15が中立の状態)では、
ネオン放電管4―9の高絶縁性およびMOSFET
4―7のゲートの高絶縁性により長時間保持され
るので、ランプ4―16への供給電力は長時間保
持される。
Further, when the switch 4-15 is set to neutral, that state is maintained. That is, when the neon discharge tube 4-9 stops discharging (the switch 4-15 is in the neutral state), the voltage (charge) of the capacitor 4-8 is as follows.
High insulation of neon discharge tube 4-9 and MOSFET
The power supplied to the lamp 4-16 is maintained for a long time because of the high insulation property of the gate of the lamp 4-7.

第4図の実施例では電荷保存用コンデンサ4―
8はMOSFET4―7のゲートとソース間に入れ
ているが、これは第5図に示すようにMOSFET
5―1のゲートとドレイン間にコンデンサ5―2
を入れてもよい。この場合の特長はドレイン側よ
りゲートに負帰還がかかるので、動作が第4図の
実施例と比較して滑らかになる。しかし、第5図
の回路は変化の滑らかさがよくなる反面、
MOSFET5―1がカツトオフ、完全導通になる
まで時間がかかり、また完全導通時(負荷に供給
する電力最大時)の抵抗が第4図の場合より高く
なる欠点があり、第4図に比較して第5図の構成
によると負荷に供給される最大電力が小さくなる
欠点を有している。この両者の欠点を改良するに
は、第6図に示すようにコンデンサ6―2,6―
3をMOSFET6―1のソース側、ドレイン側両
方に入れれば上記の欠点は解決される。
In the embodiment shown in FIG. 4, the charge storage capacitor 4-
8 is placed between the gate and source of MOSFET4-7, which is connected to the MOSFET as shown in Figure 5.
Capacitor 5-2 between the gate and drain of 5-1
You may also include The advantage of this case is that negative feedback is applied to the gate from the drain side, so that the operation is smoother than in the embodiment shown in FIG. However, while the circuit shown in Figure 5 provides smoother changes,
There is a disadvantage that it takes time for MOSFET5-1 to cut off and become fully conductive, and the resistance when fully conductive (maximum power supplied to the load) is higher than in the case shown in Figure 4. The configuration shown in FIG. 5 has the disadvantage that the maximum power supplied to the load is small. In order to improve both of these drawbacks, capacitors 6-2, 6-
3 on both the source and drain sides of MOSFET 6-1 will solve the above drawback.

ここまでの回路ではMOSFETの耐電圧(ドレ
イン・ソース間)については充分高いものとして
説明したが、耐圧は50V(AC100Vで使用する場
合)以上必要であり、小信号用MOSFETではこ
れを満足するものは少ない。この場合は第7図に
示すように構成する。すなわち、MOSFET7―
1のドレインにエミツタが接続された補償用のト
ランジスタ7―4のベースにツエナーダイオード
7―2のカソードが接がれており、このツエナー
ダイオード7―2のアノードはMOSFET7―1
のソースに接続されている。7―3はトランジス
タ7―4のベースとコレクタ間に接続された抵抗
である。そして、ツエナーダイオード7―2のツ
エナー電圧はMOSFET7―1の耐電圧より小さ
いものである。これによりMOSFET7―1のド
レイン電圧はツエナーダイオード7―2のツエナ
ー電圧以上に上らないで、トランジスタ7―4で
分担される。
In the circuits so far, we have explained that the MOSFET's withstand voltage (between drain and source) is sufficiently high, but the withstand voltage is required to be 50V or more (when used at 100V AC), and a small-signal MOSFET must meet this requirement. There are few. In this case, the configuration is as shown in FIG. In other words, MOSFET7-
The cathode of a Zener diode 7-2 is connected to the base of a compensating transistor 7-4 whose emitter is connected to the drain of MOSFET 7-1.
connected to the source. 7-3 is a resistor connected between the base and collector of the transistor 7-4. The Zener voltage of the Zener diode 7-2 is smaller than the withstand voltage of the MOSFET 7-1. As a result, the drain voltage of MOSFET 7-1 does not rise above the Zener voltage of Zener diode 7-2, and is shared by transistor 7-4.

第4図の回路ではダイオード4―3〜4―6に
より全波整流回路を構成しているが、簡易化とし
て第8図に示すようにダイオード8―1,8―2
による半波整流回路の構成でも特性(最大負荷供
給電力が小さくなり、また正負点弧位相が非対称
になる)は落ちるが、使用方法によつては有効で
ある。
In the circuit shown in Fig. 4, a full-wave rectifier circuit is constructed by diodes 4-3 to 4-6, but for simplification, diodes 8-1 and 8-2 are used as shown in Fig. 8.
Although the configuration of a half-wave rectifier circuit according to the method described above has degraded characteristics (the maximum load supply power becomes smaller and the positive and negative firing phases become asymmetric), it can be effective depending on the method of use.

つぎに、第4図の回路の調光(電力制御を調光
として説明する)特性について第9図イ,ロ,ハ
とともに説明する。今、サイリスタ4―1の点弧
位相が遅れている場合の該サイリスタ4―1の両
端の電圧とこの時のコンデンサ4―11,4―1
3の電圧を第9図イ,ロ,ハのaに示す。ここ
で、スイツチ4―15を一側に倒すと前に説明し
た通りサイリスタ4―1の点弧位相は早くなり
(ランプ4―16は明るくなる)、第9図イ,ロ,
ハのbに示すように180゜から約90゜近くまでは
ほぼコンデンサ4―13の電圧は変化しなく同じ
であるが、90゜を越えると段々に下り第9図イ,
ロ,ハのcに示すようになる。この時コンデンサ
4―13の電圧がネオン放電管4―9の放電電圧
より低くなるとコンデンサ4―8の放電は停止
し、これ以上サイリスタ4―1の点弧位相は早く
ならないのでスイツチ4―15を一側に倒し続け
てもある一定以上は明るくならずリミツターの役
を果す。
Next, the dimming (power control is explained as dimming) characteristics of the circuit shown in FIG. 4 will be explained with reference to FIGS. 9A, 9B, and 9C. Now, when the firing phase of thyristor 4-1 is delayed, the voltage across the thyristor 4-1 and the capacitors 4-11 and 4-1 at this time.
The voltages of No. 3 are shown in a, a, b, and c of Fig. 9. Here, when the switch 4-15 is turned to one side, the firing phase of the thyristor 4-1 becomes earlier (the lamp 4-16 becomes brighter) as explained earlier, and as shown in FIG.
As shown in Figure 9b, the voltage across capacitors 4-13 remains almost the same from 180° to approximately 90°, but as it exceeds 90°, it gradually decreases as shown in Figure 9a.
It becomes as shown in c of B and C. At this time, when the voltage of the capacitor 4-13 becomes lower than the discharge voltage of the neon discharge tube 4-9, the discharge of the capacitor 4-8 will stop, and the firing phase of the thyristor 4-1 will no longer be accelerated, so the switch 4-15 will be turned on. Even if you keep pushing it to one side, it will not light up beyond a certain point and will act as a limiter.

一方、スイツチ4―15を+側に倒すとサイリ
スタ4―1の点弧位相は遅れ、第9図イ,ロ,ハ
のc→b→aと移行する。しかし、コンデンサ4
―11の電圧は点弧位相が180゜になつても高く
なつたままであり、サイリスタ4―1が不導通に
なつても(調光照度零)コンデンサ4―8の充電
は進行する。このためコンデンサ4―8は過充電
の状態になり、部品の破壊を生じる恐れがあり、
またつぎにスイツチ4―15を一側に倒し調光照
度を上げようとした時にサイリスタ4―1が導通
し始めるまでに遅れが生じ操作性が悪くなる。
On the other hand, when the switch 4-15 is turned to the + side, the firing phase of the thyristor 4-1 is delayed, and the sequence changes from c to b to a in A, B, and C of FIG. 9. However, capacitor 4
The voltage at -11 remains high even when the ignition phase becomes 180°, and charging of the capacitor 4-8 continues even if the thyristor 4-1 becomes non-conductive (the dimming illuminance is zero). As a result, capacitors 4-8 may become overcharged, potentially causing damage to the components.
Furthermore, when the switch 4-15 is next turned to one side to increase the dimming illuminance, there is a delay before the thyristor 4-1 starts conducting, resulting in poor operability.

上記の問題を解決する回路構成をつぎに説明す
る。ここで必要なのは+電圧であるのでその部分
のみ第10図に示し説明する。また、第11図
イ,ロ,ハにサイリスタ10―1の両端の電圧
と、この時のコンデンサ10―2(第4図のコン
デンサ4―11に相当)とスイツチングトランジ
スタ10―3のコレクタ電圧を示してある。第1
0図で10―4は整流ダイオード(第4図の整流
ダイオード4―12に相当)、10―5は抵抗、
10―6は上記トランジスタ10―3のコレクタ
電圧をスイツチ部(図示せず)に取出す端子であ
る。今、サイリスタ10―1が不導通の場合トラ
ンジスタ10―3は導通し、コンデンサ10―2
の電圧は第11図に示すようにサイリスタ10―
1の電圧とほぼ同じ変化をする。つぎに、サイリ
スタ10―1が導通するとトランジスタ10―3
は不導通になり、コンデンサ10―2の電圧はそ
の時の電圧を保持する。一方、トランジスタ10
―3のコレクタ電圧としてはサイリスタ10―1
が不導通の間コンデンサ10―2の電圧が取出さ
れる。このトランジスタ10―3のコレクタ電圧
を使うことによりサイリスタ10―1の点弧位相
が遅れれば端子10―6の電圧は下り、ついには
第4図に示すネオン放電管4―9の放電電圧より
低くなり、同じく第4図に示すコンデンサ4―8
の充電は停止してリミツタ効果をもつことにな
る。
A circuit configuration for solving the above problem will now be described. Since what is required here is a positive voltage, only that part will be shown and explained in FIG. 10. In addition, Fig. 11 A, B, and C show the voltage across the thyristor 10-1 and the collector voltage of the capacitor 10-2 (corresponding to capacitor 4-11 in Fig. 4) and the switching transistor 10-3 at this time. is shown. 1st
In Figure 0, 10-4 is a rectifier diode (corresponding to rectifier diode 4-12 in Figure 4), 10-5 is a resistor,
10-6 is a terminal for taking out the collector voltage of the transistor 10-3 to a switch section (not shown). Now, when the thyristor 10-1 is non-conductive, the transistor 10-3 is conductive, and the capacitor 10-2
As shown in Fig. 11, the voltage of thyristor 10-
It changes almost the same as the voltage of 1. Next, when the thyristor 10-1 becomes conductive, the transistor 10-3
becomes non-conductive, and the voltage of the capacitor 10-2 maintains the voltage at that time. On the other hand, transistor 10
-3 collector voltage is thyristor 10-1
The voltage of the capacitor 10-2 is taken out while the capacitor 10-2 is not conducting. By using the collector voltage of this transistor 10-3, if the firing phase of the thyristor 10-1 is delayed, the voltage at the terminal 10-6 decreases, and finally becomes lower than the discharge voltage of the neon discharge tube 4-9 shown in Fig. 4. Therefore, capacitor 4-8 shown in Fig. 4
charging will stop and there will be a limiter effect.

さて、本発明は低電力(位相角小)における位
相角の電源電圧の変動に対する補償の動きをする
回路を提供することにある。
The object of the present invention is to provide a circuit that compensates for variations in phase angle power supply voltage at low power (small phase angle).

本発明の一実施例を第12図に示しており、ト
リガ素子12―1を位相回路に組込んで構成さ
れ、このトリガ素子12―1は低電力(位相角
小)における位相角の電源電圧の変動に対する補
償の働きをするものである。また、トリガ素子1
2―1と直列にそれの保護抵抗12―2が挿入接
続されている。上記トリガ素子12―1の具体的
な働きについて第13図により説明する。第13
図aに第12図のA点の電圧波形を示しており、
A点の電圧波形は図のようにトリガ素子12―1
のブレークオーバー電圧により一定の電圧にな
る。つぎに、第13図bに例えば低電力における
A点の電源電圧変動時の電圧波形を示す。この第
13図bでイが通常電源電圧とすると、ロが上昇
した場合、ハが下降した場合の波形となる。図の
ように位相角イ′,ロ′,ハ′は電源電圧の変動と
ともに変化し、電力すなわち照度を一定に保つ働
きをする。これにより例えば調光におけるランプ
のちらつきを防止することができる。以上がトリ
ガ素子12―1の働きであるが、上述した保護抵
抗12―2の定数はこのトリガ素子12―1を破
壊しない電流を供給するものでなくてはならな
い。また、トリガ素子12―1のブレークオーバ
ー電圧は点弧用のトリガ素子12―3(第4図の
トリガ素子4―1に相当)のそれの2〜3倍が好
ましい。
An embodiment of the present invention is shown in FIG. 12, and is configured by incorporating a trigger element 12-1 into a phase circuit, and this trigger element 12-1 is connected to a phase angle power supply voltage at low power (small phase angle). This serves to compensate for fluctuations in In addition, trigger element 1
A protective resistor 12-2 is inserted and connected in series with 2-1. The specific function of the trigger element 12-1 will be explained with reference to FIG. 13. 13th
Figure a shows the voltage waveform at point A in Figure 12,
The voltage waveform at point A is generated by trigger element 12-1 as shown in the figure.
The voltage becomes constant due to the breakover voltage. Next, FIG. 13b shows a voltage waveform when the power supply voltage at point A fluctuates at low power, for example. In FIG. 13b, if A is the normal power supply voltage, the waveform will be when B rises and C falls. As shown in the figure, the phase angles A', B', and C' change with fluctuations in the power supply voltage, and serve to keep the power, or illuminance, constant. This can prevent flickering of the lamp during dimming, for example. The above is the function of the trigger element 12-1, but the constant of the protection resistor 12-2 described above must be such that it can supply a current that does not destroy the trigger element 12-1. Further, the breakover voltage of the trigger element 12-1 is preferably two to three times that of the trigger element 12-3 for ignition (corresponding to the trigger element 4-1 in FIG. 4).

つぎに、第12図中の整流回路を構成するコン
デンサ12―4,12―5(第4図のコンデンサ
4―11,4―13に相当)と並列に接続された
抵抗12―6,12―7について説明する。この
抵抗12―6,12―7はともにこれに並列に接
がれたコンデンサ12―4,12―5の放電用の
抵抗である。この抵抗12―6,12―7がない
場合、電源電圧のOFF時においてもコンデンサ
12―4,12―5に電源電圧ON時における充
電電圧の残留によつてスイツチ12―8(第4図
のスイツチ4―15に相当)の操作によりネオン
放電管12―9(第4図のネオン放電管4―9に
相当)が放電し、電源電圧はOFFにもかかわら
ず位相角が変つてしまうことがあつた。この欠点
をなくすために挿入されたのが抵抗12―6,1
2―7である。
Next, resistors 12-6, 12-5 connected in parallel with capacitors 12-4, 12-5 (corresponding to capacitors 4-11, 4-13 in FIG. 4) constituting the rectifier circuit in FIG. 7 will be explained. The resistors 12-6 and 12-7 are both for discharging the capacitors 12-4 and 12-5 connected in parallel. If the resistors 12-6 and 12-7 were not present, even when the power supply voltage was OFF, the charge voltage remaining in the capacitors 12-4 and 12-5 when the power supply voltage was ON would cause the switch 12-8 (see Figure 4) to be activated. Neon discharge tube 12-9 (corresponding to neon discharge tube 4-9 in Figure 4) is discharged by operating the switch (corresponding to switch 4-15), and the phase angle may change even though the power supply voltage is OFF. It was hot. Resistor 12-6,1 was inserted to eliminate this drawback.
It is 2-7.

また、第12図で12―10は極性が反転した
時のトランジスタ12―11(第10図のトラン
ジスタ10―3に相当)の保護用ダイオード、1
2―12および12―13は整流回路を構成する
ダイオード12―14,12―15(第4図のダ
イオード4―12,4―14に相当)の保護抵抗
である。さらに、第12図では上記のリミツタ回
路を第4図の回路に組込んだ実施例をも示してい
る。なお、位相回路に組込まれた整流回路を省略
しても別段動作上では致命的な問題はないが、そ
の時には第7図で説明したMOSFETの耐電圧を
補償する回路を加えた方が好ましい。
In addition, 12-10 in FIG. 12 is a protection diode for the transistor 12-11 (corresponding to the transistor 10-3 in FIG. 10) when the polarity is reversed;
2-12 and 12-13 are protective resistors for diodes 12-14 and 12-15 (corresponding to diodes 4-12 and 4-14 in FIG. 4) constituting the rectifier circuit. Furthermore, FIG. 12 also shows an embodiment in which the limiter circuit described above is incorporated into the circuit of FIG. 4. It should be noted that even if the rectifier circuit incorporated in the phase circuit is omitted, there will be no fatal problem in terms of operation, but in that case, it is preferable to add a circuit that compensates for the withstand voltage of the MOSFET as explained in FIG.

以上が本発明の実施例を含めた説明であり、今
までの説明では第2図のVR2―1に応用した例
を示したが、これは第1図のVR1―1に応用し
ても構成できることは以上の説明から明らかであ
る。また、以上の実施例ではMOSFETを使用し
て説明したが、電荷の漏れがある程度許されるな
らMOSFETに代えて接合ゲート型電界効トラン
ジスタを用いることもできる。
The above is an explanation including the embodiments of the present invention, and the explanation so far has shown an example applied to VR2-1 in Fig. 2, but this can also be applied to VR1-1 in Fig. 1. What can be done is clear from the above explanation. Further, although the above embodiments have been described using MOSFETs, a junction gate field effect transistor may be used instead of MOSFETs if charge leakage is allowed to some extent.

以上のように本発明は構成されているものであ
り、簡単な回路構成で今までにない調光装置等の
電力制御装置が得られ、該電力制御装置がスイツ
チにより制御できるという特長を有し、また低電
力(位相角小)における位相角の電源電圧の変動
に対する補償を図ることができ、例えば調光時の
ランプのちらつきを防止できる等の特徴をもつ、
従来にない新しい操作手段を提供することができ
るものである。
The present invention is configured as described above, and has the feature that an unprecedented power control device such as a light control device can be obtained with a simple circuit configuration, and that the power control device can be controlled by a switch. In addition, it is possible to compensate for fluctuations in the power supply voltage of the phase angle at low power (small phase angle), and has features such as being able to prevent flickering of the lamp during dimming, etc.
It is possible to provide a new operating means that has not existed before.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図および第2図はそれぞれ従来例における
調光装置を示す電気的回路図、第3図イ,ロは本
発明者が先に提案した回路を構成する要部の電気
的回路図とその等価回路図、第4図は先願に係る
交流電力制御回路の一実施例を示す電気的回路
図、第5図および第6図は先願回路におけるそれ
ぞれ電荷保存用コンデンサの他の接続例を示す要
部の電気的回路図、第7図は同MOSFETの耐電
圧を補償する要部の電気的回路図、第8図は同整
流回路の他の例を示す要部の電気的回路図、第9
図イ,ロ,ハは第4図における各部の電圧波形
図、第10図は先願回路におけるリミツタ回路の
要部の電気的回路図、第11図イ,ロ,ハは第1
0図の回路における各部の電圧波形図、第12図
は本発明回路の一実施例を示す電気的回路図、第
13図a,bは第12図の回路のA点における電
圧波形図と低電力における同じくA点の電圧波形
図である。 4―1,10―1……双方向性3端子サイリス
タ、4―2,12―3……第1の双方向性トリガ
素子、4―3〜4―6,8―1,8―2……別の
整流回路(ダイオード)、4―7,5―1,6―
1,7―1……電界効果トランジスタ
(MOSFET)、4―8,5―2,6―2,6―3
……電荷保存用コンデンサ、4―8,12―1,
12―9……ネオン放電管、4―11,4―1
3,12―4,12―5,4―12,4―14,
12―14,12―15,12―6,12―7…
…整流回路(平滑用コンデンサ、整流ダイオー
ド、抵抗)、4―15,12―8……スイツチ
部、4―16……負荷(ランプ)、12―1……
第2の双方向性トリガ素子。
Figures 1 and 2 are electrical circuit diagrams showing a conventional light control device, respectively, and Figures 3A and 3B are electrical circuit diagrams of the main parts constituting the circuit proposed earlier by the inventor. An equivalent circuit diagram, FIG. 4 is an electrical circuit diagram showing one embodiment of the AC power control circuit according to the earlier application, and FIGS. 5 and 6 show other connection examples of charge storage capacitors in the circuit of the earlier application. Fig. 7 is an electrical circuit diagram of the main part that compensates for the withstand voltage of the MOSFET, Fig. 8 is an electrical circuit diagram of the main part showing another example of the same rectifier circuit, 9th
Figures A, B, and C are voltage waveform diagrams of various parts in Figure 4, Figure 10 is an electrical circuit diagram of the main part of the limiter circuit in the circuit of the prior application, and Figure 11 A, B, and C are the voltage waveform diagrams of each part in Figure 4.
Figure 12 is an electrical circuit diagram showing an embodiment of the circuit of the present invention; Figures 13a and b are voltage waveform diagrams at point A of the circuit in Figure 12, and It is a voltage waveform diagram of the same point A in electric power. 4-1, 10-1... Bidirectional 3-terminal thyristor, 4-2, 12-3... First bidirectional trigger element, 4-3 to 4-6, 8-1, 8-2... ...Another rectifier circuit (diode), 4-7, 5-1, 6-
1, 7-1...Field effect transistor (MOSFET), 4-8, 5-2, 6-2, 6-3
...Charge storage capacitor, 4-8, 12-1,
12-9...Neon discharge tube, 4-11, 4-1
3, 12-4, 12-5, 4-12, 4-14,
12-14, 12-15, 12-6, 12-7...
... Rectifier circuit (smoothing capacitor, rectifier diode, resistor), 4-15, 12-8 ... Switch section, 4-16 ... Load (lamp), 12-1 ...
a second bidirectional trigger element;

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 ランプ等の負荷の点弧位相を制御する双方向
性3端子サイリスタと、この双方向性3端子サイ
リスタを点弧する第一の双方向性トリガ素子と、
上記双方向性3端子サイリスタの出力端に接続さ
れる抵抗と第二の双方向性トリガ素子の直列回路
とこの抵抗とこの第二の双方向性トリガ素子の接
続点に接がれる他の抵抗とコンデンサとで構成さ
れる位相制御回路と、この位相制御回路に組込ま
れた全波整流回路の出力端にドレインとソースの
接がれた絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
ここ絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート
とドレイン間に接がれた電荷保存用コンデンサ
と、上記絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲ
ートに接がれた片側にスイツチ部を有するネオン
放電管と、このスイツチ部に接がれた正負の電圧
を発生する為のダイオードとコンデンサで構成さ
れ前記双方向性3端子サイリスタの出力端を入力
とする半波整流回路とにより構成されたことを特
徴とする交流電力制御回路。
1. A bidirectional three-terminal thyristor that controls the firing phase of a load such as a lamp, and a first bidirectional trigger element that fires the bidirectional three-terminal thyristor.
A series circuit of a resistor connected to the output terminal of the bidirectional three-terminal thyristor and a second bidirectional trigger element, and another resistor connected to the connection point of this resistor and this second bidirectional trigger element. and a capacitor; an insulated gate field effect transistor whose drain and source are connected to the output terminal of a full-wave rectifier circuit incorporated in the phase control circuit;
A charge storage capacitor connected between the gate and drain of the insulated gate field effect transistor, a neon discharge tube having a switch portion on one side connected to the gate of the insulated gate field effect transistor, and this switch. and a half-wave rectifier circuit which is connected to a half-wave rectifier circuit and which is composed of a diode and a capacitor for generating positive and negative voltages, and whose input is the output end of the bidirectional three-terminal thyristor. control circuit.
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