JPS635522A - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS635522A JPS635522A JP61148957A JP14895786A JPS635522A JP S635522 A JPS635522 A JP S635522A JP 61148957 A JP61148957 A JP 61148957A JP 14895786 A JP14895786 A JP 14895786A JP S635522 A JPS635522 A JP S635522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- plating
- ray
- mask
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微細パターンを高精度に転写するＸ線露光装置
用のＸ線マスクの製造方法に係り、主としてステップア
ンドレピート方式のＸ線露光に使用するＸ線露光用マス
クの製造方法に関係するものである。
用のＸ線マスクの製造方法に係り、主としてステップア
ンドレピート方式のＸ線露光に使用するＸ線露光用マス
クの製造方法に関係するものである。
紫外線を用いた露光方法では波長および回折により微細
化の限界があるため、微細加工にはより短波長の４〜５
０Ａの軟Ｘ線を用いたＸ線露光が採用される。
化の限界があるため、微細加工にはより短波長の４〜５
０Ａの軟Ｘ線を用いたＸ線露光が採用される。
従来、Ｘ線露光用マスクはＳｉ ウェハ基板を支持枠と
して、その表面Ｋ Ｓｉ３Ｎ４ 、 ＳｉＮ、 ８ｉ０
２ 。
して、その表面Ｋ Ｓｉ３Ｎ４ 、 ＳｉＮ、 ８ｉ０
２ 。
８ｉＣ，ＢＮなどより構成されたＸ線透過性薄膜を形成
した後、このＸ線透過性薄膜上にＣｒ 、 Ｔｉ 。
した後、このＸ線透過性薄膜上にＣｒ 、 Ｔｉ 。
Ｔａ などのめっき下地薄膜層を形成し、更にＡｕな
とのめっき用導電性薄膜層を形成し、次にめりき用導電
性薄膜層をＸ線吸収性パターンに対応する部分が開口し
たレジストパターンで被覆してからＡｕめっきを所定の
厚さに設け、しかるのち前記レジストパターンを除去す
る方法によリ、ＡｕでＸ線吸収性パターンを形成してい
た。
とのめっき用導電性薄膜層を形成し、次にめりき用導電
性薄膜層をＸ線吸収性パターンに対応する部分が開口し
たレジストパターンで被覆してからＡｕめっきを所定の
厚さに設け、しかるのち前記レジストパターンを除去す
る方法によリ、ＡｕでＸ線吸収性パターンを形成してい
た。
電子線励起等による発散線源を用いたＸ線露光法におい
てＸ線２光用マスクのＸ線吸収性パターン付着面と被露
光基板面の間の距離（以下、マスク−ウェハ間距離と呼
ぶ）は−般に１０〜２０μ准程度であり、例えば、転写
領域内の異なる３箇所において±１μｍ前後の精度で一
定距離。
てＸ線２光用マスクのＸ線吸収性パターン付着面と被露
光基板面の間の距離（以下、マスク−ウェハ間距離と呼
ぶ）は−般に１０〜２０μ准程度であり、例えば、転写
領域内の異なる３箇所において±１μｍ前後の精度で一
定距離。
になるように被露光基板面に対しＸ線露光用マスク全体
を近づけたりしてＸＩ整する。
を近づけたりしてＸＩ整する。
しかし、上述の如きＸ線露光用マスクの製造方法では、
めっき用導電性薄膜層がＳｔ ウニへ基板の周辺部にま
で存在するので、例えめっき用導電性薄膜層がレジスト
で被われており、めっきされないはずの場所においても
、基板の取扱いなどＫより生じたレジストの傷によって
めっき用導電性層が露出し１局所的Ｋ Ａｕめっきがさ
れて突起状となることがあった。
めっき用導電性薄膜層がＳｔ ウニへ基板の周辺部にま
で存在するので、例えめっき用導電性薄膜層がレジスト
で被われており、めっきされないはずの場所においても
、基板の取扱いなどＫより生じたレジストの傷によって
めっき用導電性層が露出し１局所的Ｋ Ａｕめっきがさ
れて突起状となることがあった。
前述の如く、Ｘ線露光ではマスク−ウェハ間距離を近接
して露光するので、マスク−ウェハ間距離を調整する際
、ウェハ上の被露光表面にＸ線露光用マスクの支持枠外
周部に存在するめっきされた突起状のＡｕが接触し、Ｘ
線露光用マスクまたは被露光表直に欠陥が発生するとい
う問題が生じていた。
して露光するので、マスク−ウェハ間距離を調整する際
、ウェハ上の被露光表面にＸ線露光用マスクの支持枠外
周部に存在するめっきされた突起状のＡｕが接触し、Ｘ
線露光用マスクまたは被露光表直に欠陥が発生するとい
う問題が生じていた。
そこで本発明が解決しようとする問題点は、上記の如き
欠陥発生の原因となる突起状のＡｕめっきを防止する製
造方法を提供することにある。
欠陥発生の原因となる突起状のＡｕめっきを防止する製
造方法を提供することにある。
本発明者は上記問題点を解決すべく研究の結果、Ｘ線マ
スクの製造方法におい℃、−人Ｕめっき時の電極となる
リード部およびパターン部のみ罠、めっき下地となる金
属蒸着層を形成せしめ、８ｉウエハ基板の周辺部には設
けないようＫすることにより畝上の欠陥の発生を防止し
得ることを見いだし、かかる知見にもとづいて本発明を
完成させたものである。
スクの製造方法におい℃、−人Ｕめっき時の電極となる
リード部およびパターン部のみ罠、めっき下地となる金
属蒸着層を形成せしめ、８ｉウエハ基板の周辺部には設
けないようＫすることにより畝上の欠陥の発生を防止し
得ることを見いだし、かかる知見にもとづいて本発明を
完成させたものである。
本発明のＸ＠露光用マスクの製造方法は、Ｓｉウェハ基
板ＫＸ線透過性薄膜を形成する工程と。
板ＫＸ線透過性薄膜を形成する工程と。
Ｘ線透過性薄膜のめっき用電極リード部及びパターン領
域に相当する領域上に局部的１ｃ蒸着マスクを用いて蒸
着もしくはスバ、タリングによりめっき下地薄膜層およ
び電気めっき用導電性薄膜層を形成する工程と、導電性
薄膜層上をＸ線吸収性パターンに対応する領域が開口し
たレジストパターンで被覆してから露出している導電性
薄膜層領域に電気めっきしてＸ線吸収性パターンを所定
の厚さに形成し、しかるのちレジストパターンを除去す
る工程と、８ｉウエ八基板の一部をパターン面の反対側
からエツチングし除去して窓を形成する工程とからなる
。
域に相当する領域上に局部的１ｃ蒸着マスクを用いて蒸
着もしくはスバ、タリングによりめっき下地薄膜層およ
び電気めっき用導電性薄膜層を形成する工程と、導電性
薄膜層上をＸ線吸収性パターンに対応する領域が開口し
たレジストパターンで被覆してから露出している導電性
薄膜層領域に電気めっきしてＸ線吸収性パターンを所定
の厚さに形成し、しかるのちレジストパターンを除去す
る工程と、８ｉウエ八基板の一部をパターン面の反対側
からエツチングし除去して窓を形成する工程とからなる
。
本発明において、窓を形成する工程はＸ線透過性薄膜を
形成する工程の直後に行うことも可能である。
形成する工程の直後に行うことも可能である。
以下１本発明の製造方法について図面を用いて詳細に説
明する。
明する。
第１図ａ図示のような０．３〜３期厚のＳｔウェハ１を
基板とし、第１図す図示の如（８Ｌウエハ１の両面に０
．２〜４ ｔｔｍ厚の８ｉＮ４．８ｉ０２ 、ＳｉＣ。
基板とし、第１図す図示の如（８Ｌウエハ１の両面に０
．２〜４ ｔｔｍ厚の８ｉＮ４．８ｉ０２ 、ＳｉＣ。
ＳｉＮ、ＢＮなどの無機材料をスバ、タリングまたはＣ
Ｖ Ｄ （ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ ）法によりＸ線透過性薄膜２，２／を形成
し１次いで第１図Ｃ図示の如く、プラズマエツチングま
たはＲＩＢ（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎ
ｇ ）などの方法により下側のＸ線透過性材料層２′の
Ｘ線透過窓に相当する部分を除去して枠状の保護膜３を
形成する。次いで第１図ｄに示す如＜、Ｘ線透過性薄膜
のめっき用電極リード部及びパターン領域に相当する頷
誠上に局部的に蒸着マスク４を用いて例えば５０〜１０
００人のＣｒ 、 Ｔｉ 、 ＴａなどＣ） メツき下
地薄膜層５と１００〜６００人のＡｕなどのめりき用導
電性薄膜層６を連続して蒸着もしくはスバ、タリングに
より形成した後、第１図６に示す如くめっき下地層面を
Ｘ線吸収性パターンに対応する部分が開口したレジスト
パターン７で被覆してから人Ｕめっきし、しかるのち前
記レジストパターン７を除去する方法により第１図ｆｉ
示す如くＸ線吸収性パターン８を形成する。
Ｖ Ｄ （ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ ）法によりＸ線透過性薄膜２，２／を形成
し１次いで第１図Ｃ図示の如く、プラズマエツチングま
たはＲＩＢ（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎ
ｇ ）などの方法により下側のＸ線透過性材料層２′の
Ｘ線透過窓に相当する部分を除去して枠状の保護膜３を
形成する。次いで第１図ｄに示す如＜、Ｘ線透過性薄膜
のめっき用電極リード部及びパターン領域に相当する頷
誠上に局部的に蒸着マスク４を用いて例えば５０〜１０
００人のＣｒ 、 Ｔｉ 、 ＴａなどＣ） メツき下
地薄膜層５と１００〜６００人のＡｕなどのめりき用導
電性薄膜層６を連続して蒸着もしくはスバ、タリングに
より形成した後、第１図６に示す如くめっき下地層面を
Ｘ線吸収性パターンに対応する部分が開口したレジスト
パターン７で被覆してから人Ｕめっきし、しかるのち前
記レジストパターン７を除去する方法により第１図ｆｉ
示す如くＸ線吸収性パターン８を形成する。
次いで第１図ｇｌｃ示す如く、Ｘ線吸収性パターン８以
外に存在するめっき用導電性薄膜層及びめっき下地薄膜
層をドライエ、チングなどの方法により除去する。めっ
き下地薄膜層は必ずしも除去する必秩はない。
外に存在するめっき用導電性薄膜層及びめっき下地薄膜
層をドライエ、チングなどの方法により除去する。めっ
き下地薄膜層は必ずしも除去する必秩はない。
次に第１図りに示す如く、保護膜５で保護されていない
ウニへ基板の１部分を裏直からエツチング除去して窓９
を形成することによりＸ線露光用マスクを作製すること
ができる。
ウニへ基板の１部分を裏直からエツチング除去して窓９
を形成することによりＸ線露光用マスクを作製すること
ができる。
本発明において用いられる蒸着マスクの形状は、外周は
ｓｉウェ八へ板より大きいことが必要であり、パターン
領域に関してはめっきすべき領域に応じて形成すればよ
いが、−般に円形または正方形がよく用いられる。人Ｕ
めっき用の電極リード部分に関しては長方形がよく用い
られるが、Ｓｔウェ八へ板とパターン部の大きさにより
適切な長さ、幅に定めることが可能である。
ｓｉウェ八へ板より大きいことが必要であり、パターン
領域に関してはめっきすべき領域に応じて形成すればよ
いが、−般に円形または正方形がよく用いられる。人Ｕ
めっき用の電極リード部分に関しては長方形がよく用い
られるが、Ｓｔウェ八へ板とパターン部の大きさにより
適切な長さ、幅に定めることが可能である。
蒸着マスクの材料としては、蒸着またはスパッタリング
時に熱変形せず、８ｉウエ八基板に悪影響を与えない物
質で加工性の良いもの、例えば厚さ、数１０μ麓から数
１００μｍの鉄、ステンレス、アルミニウム、銅、ニッ
ケル、モリブデンなどの単体または合金を機械加工法、
フォトエ、ｆング法またはフォトエレクトロフォーミン
グ法で作製したものが用いられる。
時に熱変形せず、８ｉウエ八基板に悪影響を与えない物
質で加工性の良いもの、例えば厚さ、数１０μ麓から数
１００μｍの鉄、ステンレス、アルミニウム、銅、ニッ
ケル、モリブデンなどの単体または合金を機械加工法、
フォトエ、ｆング法またはフォトエレクトロフォーミン
グ法で作製したものが用いられる。
Ｓｔウェハの工、チングは、Ｘ線透過性薄膜、Ｘ線吸収
性パターンを保護したのちエツチング液として例えば２
０〜３０％のＫＯＨ水溶液やＨＦ ：ＨＮＯ，：ＣＨ，
Ｃ０ＯＨ＝ １ ： ３ ： １のＨＦ系、混合液を使
用することにより良好）（８ｉウエハの一部を工、ｆ−
ング除去できる。
性パターンを保護したのちエツチング液として例えば２
０〜３０％のＫＯＨ水溶液やＨＦ ：ＨＮＯ，：ＣＨ，
Ｃ０ＯＨ＝ １ ： ３ ： １のＨＦ系、混合液を使
用することにより良好）（８ｉウエハの一部を工、ｆ−
ング除去できる。
以下、実施例によりさらに本発明の詳細な説明する。
厚さ０．４ 麿、 ２” Ｓｉウェハを基板としたＸ
線露光用マスクの製造を以下の手順で行なった。
線露光用マスクの製造を以下の手順で行なった。
鏡面研摩された８４ウエハの両面１ＣＣｖＤ法により厚
さ１μ重のＸ線通過膜ＳｉＮを形成する。次に片側のＳ
ｉＮ膜をドライエ、チング法によりＸ線透過窓に相当す
る部分を工、チング除去し、保護膜を形成した。次いで
もう一方のＳＥＮ 膜上に。
さ１μ重のＸ線通過膜ＳｉＮを形成する。次に片側のＳ
ｉＮ膜をドライエ、チング法によりＸ線透過窓に相当す
る部分を工、チング除去し、保護膜を形成した。次いで
もう一方のＳＥＮ 膜上に。
正方形のパターン領域とＡｕめっき用電極リード部分の
形状を有する厚さ０．１ Ｍのステンレス製蒸着マスク
を密着させ、厚さ５０ＡのＣｒと厚さ２５０ＡＣ）Ａｕ
を連続してスバ、タリングしてめっき下地薄膜層とめっ
き用導電性薄膜層を形成させた。次にＡｕ ′ＩＩｉ膜
層上にパターン形成した厚さ１．５μｍのフォトレジス
トＡＺ−１３５０（ヘキスト製）をめっきスペーサとし
てＡｕを０．８μｍ成長させた。その後、アセトンによ
り人Ｚ−１３５０を溶解除去し、めっき用導電性薄膜層
であるＡｕ及びめっき下地薄膜層Ｃｒをスバ、タエ、チ
ングで除去し、人ｕパターンを形成した。
形状を有する厚さ０．１ Ｍのステンレス製蒸着マスク
を密着させ、厚さ５０ＡのＣｒと厚さ２５０ＡＣ）Ａｕ
を連続してスバ、タリングしてめっき下地薄膜層とめっ
き用導電性薄膜層を形成させた。次にＡｕ ′ＩＩｉ膜
層上にパターン形成した厚さ１．５μｍのフォトレジス
トＡＺ−１３５０（ヘキスト製）をめっきスペーサとし
てＡｕを０．８μｍ成長させた。その後、アセトンによ
り人Ｚ−１３５０を溶解除去し、めっき用導電性薄膜層
であるＡｕ及びめっき下地薄膜層Ｃｒをスバ、タエ、チ
ングで除去し、人ｕパターンを形成した。
尚金めつきの作業条件は下記の通りであった。
即ち、メツキ液としてｐＨ７のオウロール２９２Ｍ（ジ
ャパンロナール社製）を用いて設定電流密度ｌ ｍＡ、
４オ１、液温５０℃、メツキ時間１３分間により１．２
ＩｎＩＬの厚さを有する人Ｕ膜を形成した。
ャパンロナール社製）を用いて設定電流密度ｌ ｍＡ、
４オ１、液温５０℃、メツキ時間１３分間により１．２
ＩｎＩＬの厚さを有する人Ｕ膜を形成した。
最後に２０ ％ ＫＯＨ水溶液でＳｉ裏面エツチングを
行ないＸ線露光用マスクを作製した。
行ないＸ線露光用マスクを作製した。
本発明の製造方法によれば、蒸着マスクを用いて必要と
される部分のみしかめっ惠用導電性薄膜層を設けないの
で、Ｘ線露光用マスクの外枠周辺部に欠陥発生の原因と
なる突起状の人Ｕが成長することがなく、Ｘ線露光にお
いてマスク及び被露光表面に欠陥を生ずることがなく、
歩留りの高いＸ線露光が期待できる。
される部分のみしかめっ惠用導電性薄膜層を設けないの
で、Ｘ線露光用マスクの外枠周辺部に欠陥発生の原因と
なる突起状の人Ｕが成長することがなく、Ｘ線露光にお
いてマスク及び被露光表面に欠陥を生ずることがなく、
歩留りの高いＸ線露光が期待できる。
第１図１ないしｈは本発明の製造方法の製造過程を示す
断面図、第２図は本発明に用いる蒸着マスクの例を示す
平面図である。 １・・・・・・・・・Ｓｉウェハ ２．２′・・・・・・Ｘ線透過性薄膜 ３・・・・・・・・・保′ａｙ！ ４・・・・・・・・・蒸着マスク ５・・・・・・・・・めっき下地薄膜層６・・・・・・
・・・めっき用導電性薄膜層７・・・・・・・・・レジ
ストパターン８・・・・・・・・・Ｘ線吸収性パターン
９・・・・・・・・・窓
断面図、第２図は本発明に用いる蒸着マスクの例を示す
平面図である。 １・・・・・・・・・Ｓｉウェハ ２．２′・・・・・・Ｘ線透過性薄膜 ３・・・・・・・・・保′ａｙ！ ４・・・・・・・・・蒸着マスク ５・・・・・・・・・めっき下地薄膜層６・・・・・・
・・・めっき用導電性薄膜層７・・・・・・・・・レジ
ストパターン８・・・・・・・・・Ｘ線吸収性パターン
９・・・・・・・・・窓
Claims (1)
- Ｓｉウェハ基板の一面側にＸ線透過性薄膜を形成する工
程と、Ｘ線透過性薄膜のめっき用電極リード部及びパタ
ーン領域に相当する領域上に局部的に蒸着マスクを用い
て蒸着もしくはスパッタリングによりめっき下地薄膜層
および電気めっき用導電性薄膜層を形成する工程と、導
電性薄膜層上にＸ線吸収性パターンに対応する領域が開
口したレジストパターンで被覆してから露出している導
電性薄膜層面領域に電気めっきしてＸ線吸収性パターン
を所定の厚さに形成し、しかるのちレジストパターンを
除去する工程と、Ｓｉウェハ基板の他面側からＳｉの一
部をエッチング除去して窓を形成する工程とからなるこ
とを特徴とするＸ線露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61148957A JPS635522A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61148957A JPS635522A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS635522A true JPS635522A (ja) | 1988-01-11 |
Family
ID=15464442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61148957A Pending JPS635522A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS635522A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5113360A (en) * | 1989-10-31 | 1992-05-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Portable apparatus with a structure to secure a printed circuit board to a base unit |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP61148957A patent/JPS635522A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5113360A (en) * | 1989-10-31 | 1992-05-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Portable apparatus with a structure to secure a printed circuit board to a base unit |
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