JPS6236847A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
- Publication number
- JPS6236847A JPS6236847A JP17633685A JP17633685A JPS6236847A JP S6236847 A JPS6236847 A JP S6236847A JP 17633685 A JP17633685 A JP 17633685A JP 17633685 A JP17633685 A JP 17633685A JP S6236847 A JPS6236847 A JP S6236847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- sealed semiconductor
- passivation film
- buffer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は樹脂封止型の半導体装置に関するものである
。
。
従来、この種の樹脂封止半導体装置は、その信頼性を確
保するために、半導体素子の主表面は二酸化シリコン、
リンガラス、窒化シリコン等の絶縁膜によって１μｍ程
度の厚さで被覆された、所謂、パッシベーション皮膜に
よって覆われていた。
保するために、半導体素子の主表面は二酸化シリコン、
リンガラス、窒化シリコン等の絶縁膜によって１μｍ程
度の厚さで被覆された、所謂、パッシベーション皮膜に
よって覆われていた。
第２図は従来の樹脂封止半導体装置を示し、図において
、１は封止樹脂であり、これば通常充填剤２着色剤、カ
ップリング剤、難燃剤等を含んでいる。２は半導体素子
３の電気信号を外部へ取出すためのリードである。３は
半導体素子で、これは能動領域３２．電極および２μｍ
以下の微細な配線の形成された配線領域３３からなり、
これらの上にはシリコンの酸化膜や窒化膜からなるパッ
シベーション膜３１がプラズマＣ，Ｖ Ｄ法等により積
層されている。また、４は半導体素子３とリード２を電
気的に接続するための金ワイヤである。
、１は封止樹脂であり、これば通常充填剤２着色剤、カ
ップリング剤、難燃剤等を含んでいる。２は半導体素子
３の電気信号を外部へ取出すためのリードである。３は
半導体素子で、これは能動領域３２．電極および２μｍ
以下の微細な配線の形成された配線領域３３からなり、
これらの上にはシリコンの酸化膜や窒化膜からなるパッ
シベーション膜３１がプラズマＣ，Ｖ Ｄ法等により積
層されている。また、４は半導体素子３とリード２を電
気的に接続するための金ワイヤである。
従来の樹脂封止半導体装置は以上のように構成されてい
るが、そのパッシベーション膜３１はピンホールがあっ
たり、膜質が本来のバルク状態の酸化物や窒化物より劣
るものであった。特に、この膜は見かけ上の硬さが不足
するため、封止樹脂中に混入されている充填剤により押
されて傷あるいはクラックが住しるなどの問題点があっ
た。
るが、そのパッシベーション膜３１はピンホールがあっ
たり、膜質が本来のバルク状態の酸化物や窒化物より劣
るものであった。特に、この膜は見かけ上の硬さが不足
するため、封止樹脂中に混入されている充填剤により押
されて傷あるいはクラックが住しるなどの問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、高い信頼性を有する樹脂封止半導体装置を提
供することを目的としている。
たもので、高い信頼性を有する樹脂封止半導体装置を提
供することを目的としている。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
この発明に係る樹脂封止半導体装置は、封止樹脂中に含
まれる充填剤より硬い材質からなるち密で強固なバッフ
ァ層をパッシベーション膜上に設けたものである。
まれる充填剤より硬い材質からなるち密で強固なバッフ
ァ層をパッシベーション膜上に設けたものである。
この発明においては、封止樹脂中に含まれる充填剤より
硬い材料からなるバッファ層はパッシベーション膜を強
化し、該パッシベーション膜が上記充填剤により損傷し
たり、クラックを発生ずるのを防止する。
硬い材料からなるバッファ層はパッシベーション膜を強
化し、該パッシベーション膜が上記充填剤により損傷し
たり、クラックを発生ずるのを防止する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例による樹脂封止半導体装置の半導
体素子の拡大図で、図中、第２図と同一符号は同一部分
を示す。図において、５は封止樹脂中に配合された充填
剤（通常は無機材料）より緻密で硬い、アルミニウム、
ベリリウム、ガリウム等の金属の酸化物、あるいは窒化
物、あるいは炭化物等からなるバッファ層である。
図は本発明の一実施例による樹脂封止半導体装置の半導
体素子の拡大図で、図中、第２図と同一符号は同一部分
を示す。図において、５は封止樹脂中に配合された充填
剤（通常は無機材料）より緻密で硬い、アルミニウム、
ベリリウム、ガリウム等の金属の酸化物、あるいは窒化
物、あるいは炭化物等からなるバッファ層である。
半導体素子３におけるパッシベーション膜３１は外部か
らの汚染源の浸入をストップする作用の他、樹脂封止半
導体装置においては封止樹脂の残留応力や熱収縮応力に
耐える強度が必要である。
らの汚染源の浸入をストップする作用の他、樹脂封止半
導体装置においては封止樹脂の残留応力や熱収縮応力に
耐える強度が必要である。
特に封止樹脂中に含まれる無機充填剤による押し付けに
より、パッシベーション膜は損傷したり、クラックを発
生したりするので、バッファ層５は少なくとも、充填剤
より硬い材料からなることが必要である。また、封止樹
脂１とバ・ソファ層５番ま強固な密着が必要であるが、
例えばアルミニウムの酸化物であれば硬度９（モース硬
度）と一般に充填剤として用いられるシリカ（モース硬
度７程度）より硬く、樹脂との密着力も十分あることが
確認された。
より、パッシベーション膜は損傷したり、クラックを発
生したりするので、バッファ層５は少なくとも、充填剤
より硬い材料からなることが必要である。また、封止樹
脂１とバ・ソファ層５番ま強固な密着が必要であるが、
例えばアルミニウムの酸化物であれば硬度９（モース硬
度）と一般に充填剤として用いられるシリカ（モース硬
度７程度）より硬く、樹脂との密着力も十分あることが
確認された。
このように本実施例装置においては、封止樹脂に含まれ
る充填剤より硬く、緻密な材料からなるバッファ層が、
封止樹脂材と半導体素子材との熱膨張の差に起因する、
いわゆる熱応力や、成形時に残留する樹脂の収縮応力に
より、封止樹脂中の充填材がパッシベーション膜を損傷
したり、該膜がクランクを発生したりするのを防止でき
、また、充填剤が半導体素子に加圧、貫入されたりして
アルミ配線が断線するのを防止できる。そしてこれによ
り、装置の信頼性を向上し、歩留を高めることができる
。
る充填剤より硬く、緻密な材料からなるバッファ層が、
封止樹脂材と半導体素子材との熱膨張の差に起因する、
いわゆる熱応力や、成形時に残留する樹脂の収縮応力に
より、封止樹脂中の充填材がパッシベーション膜を損傷
したり、該膜がクランクを発生したりするのを防止でき
、また、充填剤が半導体素子に加圧、貫入されたりして
アルミ配線が断線するのを防止できる。そしてこれによ
り、装置の信頼性を向上し、歩留を高めることができる
。
なお、上記実施例ではバッファ層にアルミニウムの酸化
物、窒化物、炭化物を用いたものについて述べたが、こ
れはガリウムやベリリウムあるいはクロムの酸化物、窒
化物、炭化物を用いた場合でも、上記実施例と同様の効
果が認められる。
物、窒化物、炭化物を用いたものについて述べたが、こ
れはガリウムやベリリウムあるいはクロムの酸化物、窒
化物、炭化物を用いた場合でも、上記実施例と同様の効
果が認められる。
以上のように、この発明によれば、バンシベーション膜
上に封止樹脂に含まれる充填剤より硬い材料からなるバ
ッファ層を設けたので、高い信頼性を有する半導体装置
を歩留まりよく得られる効果がある。
上に封止樹脂に含まれる充填剤より硬い材料からなるバ
ッファ層を設けたので、高い信頼性を有する半導体装置
を歩留まりよく得られる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例による樹脂封止半導体装置
の半導体素子の一部拡大図、第２図は従来の樹脂封止半
導体装置を示す断面図である。 １・・・封止樹脂、３・・・半導体素子、３１・・・パ
ッシベーション膜、３３・・・アルミ配線領域、５・・
・バッファ層。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
の半導体素子の一部拡大図、第２図は従来の樹脂封止半
導体装置を示す断面図である。 １・・・封止樹脂、３・・・半導体素子、３１・・・パ
ッシベーション膜、３３・・・アルミ配線領域、５・・
・バッファ層。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）半導体素子が形成された半導体基板の少なくとも
該素子の能動領域上と配線領域上とが金属酸化物又は金
属窒化物からなるパッシベーション膜により絶縁コーテ
ィングされた樹脂封止半導体装置において、 上記封止樹脂中に含まれる充填剤より硬い材料からなる
バッファ層を上記パッシベーション膜を覆うように設け
たことを特徴とする樹脂封止半導体装置。 - （２）上記バッファ層はアルミニウム又はベリリウム又
はガリウム又はクロムの酸化物あるいは窒化物あるいは
炭化物からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の樹脂封止半導体装置。 - （３）上記配線は２μｍ以下であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項又は第２項記載の樹脂封止半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17633685A JPS6236847A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17633685A JPS6236847A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236847A true JPS6236847A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=16011801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17633685A Pending JPS6236847A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236847A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50134766A (ja) * | 1974-04-15 | 1975-10-25 | ||
| JPS56165345A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP17633685A patent/JPS6236847A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50134766A (ja) * | 1974-04-15 | 1975-10-25 | ||
| JPS56165345A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
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