JPS6236829A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents

樹脂封止半導体装置

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Publication number
JPS6236829A
JPS6236829A JP60176335A JP17633585A JPS6236829A JP S6236829 A JPS6236829 A JP S6236829A JP 60176335 A JP60176335 A JP 60176335A JP 17633585 A JP17633585 A JP 17633585A JP S6236829 A JPS6236829 A JP S6236829A
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JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor device
passivation film
sealed semiconductor
film
Prior art date
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Pending
Application number
JP60176335A
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English (en)
Inventor
Takashi Kondo
隆 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS6236829A publication Critical patent/JPS6236829A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10W72/90Bond pads, in general
    • HELECTRICITY
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    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
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Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は樹脂封止型半導体素子の主表面を、 。
樹脂に混合されている無機充填剤より硬い被験でコート
した、信頼性のすぐれた樹脂封止半導体装置に関するも
のである。
〔従来の技術〕
第2図は従来のこの種の樹脂封止半導体装置を示す。
図中、3は半導体素子、31はパッシベーション膜、3
2−能動領域、33はアルミ配線領域、2ば半導体素子
3の電気信号を外部へ取り出すためのリード、4は半導
体素子3とリード2とを電気的に接続するための金ワイ
ヤである。また1は封止樹脂であり、通常、充填剤、着
色剤、カップリング剤、難燃剤等を含んでいる。
従来のこの種の半導体素子は信頼性を確保するため、そ
の主表面に、二酸化シリコン、リンガラス、窒化シリコ
ン、酸化アルミニウム等の絶縁膜、即ちパッシベーショ
ン膜31が1μm程度の厚さで被覆されている。
半導体素子3はパッシベーション膜31、能動領域3.
2、電極および配線領域33等からなり、パッシベーシ
ョン膜31はシリコンの酸化膜や窒化膜からなり、外部
からの汚染を防止するために付与されている。これらは
、スパッタリング法やプラズマCVD法によって、ウェ
ハ状態で積層され、所要の部分が、通常は電極部分のみ
が写真製版等の手段によって露出される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このため、従来のバンジベーシランl1131はピンホ
ールがあったり、膜質が本来の酸化物や窒化物より少し
劣り、と(に、硬さが不足するため、封止樹脂1中に混
入されている充填剤により、傷あるいはクランクが生じ
る場合がある。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、信頼性の高い、樹脂封止半導体装置を得る
ことを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る樹脂封止半導体装置は封止樹脂中の充填
剤より硬い金属酸化物、金属窒化物、又は金属炭化物か
らなるパッシベーション膜をスパッタリング法やCVD
法で形成した後、その表面層のみを加熱溶融させたもの
である。
〔作用〕
この発明においては、封止樹脂中の充填剤より硬い金属
酸化物、金属窒化物、又は金属炭化物からなるパッシベ
ーション膜をスパッタリング法やCVD法で形成した後
、その表面層のみを加熱溶融させたから、パッシベーシ
ョン膜の膜質が向上し、半導体装置の高信頼度化を達成
できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図は本発明の一実施例による樹脂封止半導体装置を示す
。図中第2図と同一符号は同一のものを示し、31は封
止樹脂中の充填剤より硬い金属酸化物、金属窒化物、金
属炭化物等からなるパッシベーション膜で、311はそ
の表面部をレーザや電子ビーム等の高エネルギ源で極薄
く加熱し、硬化処理を施した強化層(溶融層)である。
このように、半導体素子3の主表面部にプラズマCVD
法やスパッタリング法で積層されたパッシベーション膜
の表面に加熱処理を施して強化層を形成することにより
、該パッシベーション膜中のピンホールの除去や膜質の
向上を達成でき、半導体装置の高信顛化を達成できる。
即ち、半導体素子3におけるパッシベーション膜31は
外部からの汚染源の侵入をストツプする作用の他、樹脂
封止半導体装置においては封止樹脂の残留応力に耐える
強度が必要であるが、上記のようにシリコン、アルミニ
ウム等の窒化膜や酸化膜からなるパッシベーション膜を
局部的に加熱し、熱処理を施すことにより該膜を強化し
ているのでこの強度を保有することとなる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、封止樹脂中の充填剤
より硬い金属酸化物、金属窒化物、又は金属炭化物から
なるパッシベーション膜を局部的に加熱溶融し、該膜の
強化を図ったので、ピンホールの除去や膜質の向上を達
成でき、高信頼度な樹脂封止半導体装置が得られる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による樹脂封止半導体装置の
一部拡大断面図、第2図は従来の樹脂封止半導体装置を
示す図である。 1は封止樹脂、2はリード、3は半導体素子、31はパ
ッシベーション膜、311は強化N(加熱溶融層)であ
る。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体素子が形成された半導体基板の、少なくと
    も該素子の能動領域上と微細な配線領域上に、スパッタ
    リング法又はプラズマCDV法により形成した封止樹脂
    中の充填剤より硬い金属酸化物、金属窒化物、又は金属
    炭化物からなるパッシベーション膜と、該パッシベーシ
    ョン膜の表面層のみを加熱溶融させて形成した溶融層と
    を備えたことを特徴とする樹脂封止半導体装置。
  2. (2)上記溶融層は、レーザビームあるいは電子ビーム
    により局部的に溶融して形成したことを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の半導体装置。
JP60176335A 1985-08-09 1985-08-09 樹脂封止半導体装置 Pending JPS6236829A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60176335A JPS6236829A (ja) 1985-08-09 1985-08-09 樹脂封止半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60176335A JPS6236829A (ja) 1985-08-09 1985-08-09 樹脂封止半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6236829A true JPS6236829A (ja) 1987-02-17

Family

ID=16011784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60176335A Pending JPS6236829A (ja) 1985-08-09 1985-08-09 樹脂封止半導体装置

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JP (1) JPS6236829A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002352609A (ja) * 2001-05-28 2002-12-06 Fine Rubber Kenkyusho:Kk 光源用透光性被覆材及びその被覆材を備えた光源

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002352609A (ja) * 2001-05-28 2002-12-06 Fine Rubber Kenkyusho:Kk 光源用透光性被覆材及びその被覆材を備えた光源

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