JPS6236960A - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ファクシミリ等の送信装置に用いられる原稿
幅と同一の大きさを有する大型イメージセンサの高速読
取のできる画像読取装置に関するものである。

従来の技術 従来のこの種の画像読取装置では、例えば特願昭５９−
１８１７５１号に示されているように、第３図のような
構造になっていた。

すなわち固体光源５で原稿６を照射し、その反射光３を
集束性ファイバアレイ２で光電変換素子１上に結像して
原稿の情報を読み取ると共に、光電変換素子１の光応答
速度を改善するために、固体光源９の光をバイアス光８
として光電変換素子１上に直接照射し、原稿６の反射光
３にバイアス光８を重畳する事によって高速度の画像読
取をする構造になっている。つまり、光電変換素子１に
ＣｄＳ、ＣｄＳｅおよび固溶体Ｇｄ５−Ｃｄｓｅ　等の
光３ページ 導電体膜を用いた場合の光応答時間（１ｏ　ｍ５ｅｃ程
度）をバイアス光の付加により捧〜殉程度に高速化でき
るものである。

発明が解決しようとする問題点 しかし、従来の構造では、固体光源が、原稿照射用とバ
イアス光用と最低でも２本必要であり、コストア・ツブ
の要因となる。さらに長時間使用時に固体光源の発熱が
大きく、光電変換素子に発熱による影響や固体光源自体
にも発光効率の低下をまねくという問題があった。

捷た、各原稿照射用６とバイアス光用９の固体光源の主
走査方向の光量バラツキが同一でなく、さらに原稿照射
後の反射光が集束性ファイバアレイによる光量伝達特性
のバラツキと重なり、光電変換素子上での光量バラツキ
が非常に大きくなり、走査回路での出力補正や白・黒の
二値信号のしきい値の設定が困難であるという問題点が
あった。

そこで、本発明は、簡単な構造でバイアス光を照射しか
つ容易に高速読取のできる画像読取装置を提供すること
を目的としている。

問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するため、集束性ファイガ
ア１／イの側面にバイアス光を入射させるガイド溝を設
けることにより原稿照明用とノ（イアス光用に固体光源
を兼用するものである。

作用 本発明は上記した構造により、同一固体光源で原稿照射
用とバイアス光用を兼用することで、光源の光量バラツ
キや集束性ファイガア１／イの光量伝達特性バラツキが
相対的になくなるとともに、バイアス光の反射光への重
畳によりバイアス光がキャリアのトラップを実効的に減
少させる事により光応答時間を速くでき高速読取ができ
る。

実施例 第１図は本発明の画像読取装置の実施例を示す副走査方
向の断面図である。第１図に示すように、Ｃｄｓ、Ｃｄ
Ｓｅや固溶体ＣｄＳ−　ＣｄＳｅ等の光導電体からなる
光電変換素子１を主走査方向に、例え゛ば８本／８でＡ
４版（２１６ｅ）の大きさで１７２８素子形成し、この
光電変換素子１上に、５ページ 固体光源５、例えばＬＥＤ等で光電変換素子１の分光特
性に適した波長の光を用いて原稿面６に照射し、その原
稿６からの反射光３が集束性ファイバアｌ／イ２に入射
すると同時に固体光源５からの直接光をバイアス光８と
して集束性ファイバアレイ２の側面に設けらり、たガイ
ド溝４で集束性ファイバアレイ２に入射させ、集束性フ
ァイバアレイ２内で、原稿６からの反射光３とバイアス
光８を重畳させ、光電変換素子１上に反射光３を結像さ
ぜると共にバイアス光８を照射する構造である。

ここでバイアス光８の光強度は、反射光３の光電変換素
子１」二の光強度を１００とすれば、５〜１ｏ○、好ま
しくは、第２図に示すように相対バイアス光量と相対光
応答時間の実験結果から２０以上であり了○程度でも充
分である。これはバイアス光８の光強度をこれ以上強め
ても第２図かられかるように著しい効果は期待できない
からである。

捷だバイアス光８のガイド溝４に入射する光量が不足す
る時は、固体光源５の原稿面側に反射板６ページ を取り付ける事により解決できる。

このように集束性ファイバアレイ２の側面にノくイアス
光８を入射させるガイド溝４を設ける事により、固体光
源５を原稿照射用とバイアス光用に兼用できるのでコス
トダウンができるとともに、光源６の光量バラツキは同
一光源のため相対的に無視でき、さらに集束性ファイバ
アレイ２の光量伝達特性による影響も無くなるために光
電変換素子１で得られる信号の処理のマージンが大きく
取れるため補正が容易でかつ、しきい値付近の白・黒等
の判別を精度よく行うことができる。さらにバイアス光
の付加により副走査方向の走査速度が向上するので、従
来、１ｏ　ｍ５ｅｃ　／　１ｉｎｅ　　程度の速度が、
最高１　ｍ５ｅｃ／１ｉｎｅ程度まで高速読取が可能と
なる。

ここで光源は固体光源でなくとも、螢光対・ＫＬ等でも
良い。さらに光量不足の時に両側に光源とガイド溝を配
置してもよいことは当然である。

発明の効果 以上述べてきたように、本発明によれば、集束７ページ 性ファイバアレイの側面にガイド溝を設けるという非常
に簡単な構造の画像読取装置で、光量バラツキによる制
限が少なく、かつ安価で実用的でしかも高速で画像が読
取れるのできわめて工業上有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における画像読取装置の断面
図、第２図は反射光に対するバイアス光量比と相対光応
答時間の関係を示す特性図、第３図は従来の画像読取装
置の断面図である。 １・・・・・・光電変換素子、２・・・・・・集束性フ
ァイバアレイ、３・・・・・・反射光、４・・・・・・
ガイド溝、５・・・・・・固体光源、６・・・・・・原
稿、８・・・・・・バイアス光、９・・・・・・バイア
ス光用光源。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　はが１名第２
図 相対バイアス力量（％９ 第３図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁性基板上の光電変換素子列に原稿からの反射
   光を集束性ファイバアレイで結像するよう構成され前記
   集束性ファイバアレイの側面から光を入射させるガイド
   溝を設け、前記原稿の情報を含む反射光が前記集束性フ
   ァイバアレイに入射するとともに光源の直接光の一部を
   ガイド溝にバイアス光として導入する事を特徴とする画
   像読取装置。
2. （２）光電変換素子列が、ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいは固
   溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体とする光電変換素子で構成
   されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の画像読取装置。 （２）光電変換素子面において、原稿からの反射光の強
   度の最大値を１００とした時、バイアス光の強度が５〜
   １００である事を特徴とする特許請求の範囲第１項ある
   いは第２項の何れかに記載の画像読取装置。