JPS6237370A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
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- JPS6237370A JPS6237370A JP17594485A JP17594485A JPS6237370A JP S6237370 A JPS6237370 A JP S6237370A JP 17594485 A JP17594485 A JP 17594485A JP 17594485 A JP17594485 A JP 17594485A JP S6237370 A JPS6237370 A JP S6237370A
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- sputtering
- pulp
- sputter
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、搬送式のスパッタ装置に関するものである。
スパッタリングとは、１０−５〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒに真
空引きされた真空槽内に１Ｏ−２Ｔｏｒｒ程度の放電雰
囲気ガスを供給し、そしてスパッタターゲットと基板間
に直流あるいは高周波電圧を印加させてプラズマ放電を
発生せしめ、これによジターゲットから放出したターゲ
ット原子や分子が基板表面に吸着して膜成長させるもの
である。また、搬送式スパッタ装置とは移動用トレーに
基板を装着してこれをターゲットと対向しながら移動し
てスパッタ成膜全得る。
空引きされた真空槽内に１Ｏ−２Ｔｏｒｒ程度の放電雰
囲気ガスを供給し、そしてスパッタターゲットと基板間
に直流あるいは高周波電圧を印加させてプラズマ放電を
発生せしめ、これによジターゲットから放出したターゲ
ット原子や分子が基板表面に吸着して膜成長させるもの
である。また、搬送式スパッタ装置とは移動用トレーに
基板を装着してこれをターゲットと対向しながら移動し
てスパッタ成膜全得る。
第６図は従来の搬送式スパッタ装置を示す系統図である
。図において、（１）は真空槽、（２）は真空槽（１）
に連結して設けられたメインパルプ、（２１）Ｈメイン
パルプ（２）と直列に接続された可変パルプ、（３）は
真空槽（１）と連結して設けられた族１！雰囲気ガスの
供給パルプで、これは図示しない流量制御装置でコント
ロールされる。（４）は真空槽（１）内に１！気的に絶
縁して設置されたスパッタターゲット、（５）は図示し
ない搬送機構によって真空槽（１）内を移動する搬送ト
レー、（６）はスパッタターゲラ） （４） （！：搬
送トレー（５）間にスパッタ放電に必要な電圧全印加す
る電源装置である。
。図において、（１）は真空槽、（２）は真空槽（１）
に連結して設けられたメインパルプ、（２１）Ｈメイン
パルプ（２）と直列に接続された可変パルプ、（３）は
真空槽（１）と連結して設けられた族１！雰囲気ガスの
供給パルプで、これは図示しない流量制御装置でコント
ロールされる。（４）は真空槽（１）内に１！気的に絶
縁して設置されたスパッタターゲット、（５）は図示し
ない搬送機構によって真空槽（１）内を移動する搬送ト
レー、（６）はスパッタターゲラ） （４） （！：搬
送トレー（５）間にスパッタ放電に必要な電圧全印加す
る電源装置である。
次にこれらの動作について説明する。まず、真空槽（１
）内は１０−５〜１０−’ Ｔｏｒｒまで高真空排気さ
れた後、可変パルプ（２１）のオリフィスが閉じられ、
そして供給パルプ（３）よシアルボン等の雰囲気ガスが
供給されて１Ｏ−２Ｔｏｒｒ程変の真空度に調整される
◇次いで、スパッタターゲラ） （４）の電！ （６）
が付勢され、ターゲットのスパッタ放電が開始される。
）内は１０−５〜１０−’ Ｔｏｒｒまで高真空排気さ
れた後、可変パルプ（２１）のオリフィスが閉じられ、
そして供給パルプ（３）よシアルボン等の雰囲気ガスが
供給されて１Ｏ−２Ｔｏｒｒ程変の真空度に調整される
◇次いで、スパッタターゲラ） （４）の電！ （６）
が付勢され、ターゲットのスパッタ放電が開始される。
このとき、雰囲気ガスは供給パルプ（３）から真空槽（
１）に供給され、そしてメインパルプ（２）の方向（第
６図において右から左の矢印ｍ方向）に流れている。一
方、搬送トレー（５）は、上記雰囲気ガスの流れとは逆
の方向（第６図において左から右の矢印ｎ方向）に移動
されている。これは基板表面に形成された膜表面が非常
に活性であり、そのためこの膜表面がスパッタ放電によ
って発生した不純ガスと接触（汚染）するのを避けるた
めである。次ぎに、搬送トレー（５）がターゲット（４
）のスパッタリングスペースを通過した時点で、ターゲ
ット（４）の電源（６）は消勢されてスパッタは完了す
る。
１）に供給され、そしてメインパルプ（２）の方向（第
６図において右から左の矢印ｍ方向）に流れている。一
方、搬送トレー（５）は、上記雰囲気ガスの流れとは逆
の方向（第６図において左から右の矢印ｎ方向）に移動
されている。これは基板表面に形成された膜表面が非常
に活性であり、そのためこの膜表面がスパッタ放電によ
って発生した不純ガスと接触（汚染）するのを避けるた
めである。次ぎに、搬送トレー（５）がターゲット（４
）のスパッタリングスペースを通過した時点で、ターゲ
ット（４）の電源（６）は消勢されてスパッタは完了す
る。
従来の搬送式スパッタ装置は以上のように構成されてい
るので、ターゲット（４）に起因する汚染を避けること
は可能であるが、前工程処理やスパッタ前の放電雰囲気
等による基板の汚染については、スパッタ前に基板表面
の清浄化処理が必要である０清浄化処理した基板につい
ても、保存雰囲気や時間に制約を受けるため、スパッタ
成膜前の処理については、製造上の問題があった。
るので、ターゲット（４）に起因する汚染を避けること
は可能であるが、前工程処理やスパッタ前の放電雰囲気
等による基板の汚染については、スパッタ前に基板表面
の清浄化処理が必要である０清浄化処理した基板につい
ても、保存雰囲気や時間に制約を受けるため、スパッタ
成膜前の処理については、製造上の問題があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、スパッタ成膜の前に、基板を清浄化処理す
ることができる搬送式スパッタ装置を得ることを目的と
する。
れたもので、スパッタ成膜の前に、基板を清浄化処理す
ることができる搬送式スパッタ装置を得ることを目的と
する。
この発明に係る搬送式スパッタ装置は、スパッタ成膜用
ターゲットの他に、基板清浄用ターゲットを設けるとと
もに、雰囲気ガスの供給部および真空排気部を複数系よ
り構成し、雰囲気ガスの流れる方向全搬送トレーの搬送
方向に応じて切り換見られるようにしたものである。
ターゲットの他に、基板清浄用ターゲットを設けるとと
もに、雰囲気ガスの供給部および真空排気部を複数系よ
り構成し、雰囲気ガスの流れる方向全搬送トレーの搬送
方向に応じて切り換見られるようにしたものである。
この発明における雰囲気ガスの流れは、雰吐気ガスの供
給パルプおよび真空引きパルプの開閉により流れる方向
が制御され、基板清浄時およびスパッタ成膜時でそれぞ
れ搬送トレーの移動方向と雰囲気ガスの流れる方向とが
常に対向するようにしている。
給パルプおよび真空引きパルプの開閉により流れる方向
が制御され、基板清浄時およびスパッタ成膜時でそれぞ
れ搬送トレーの移動方向と雰囲気ガスの流れる方向とが
常に対向するようにしている。
以下、この発明の一実施例を第１図の系統図について説
明する。第１図において、（１）は真空槽、（２１）
、 （２２）は真空槽（１）の両側下部に連結し７て設
置られたメインパルプ、（２Ｃはメインパルプ（２１）
。
明する。第１図において、（１）は真空槽、（２１）
、 （２２）は真空槽（１）の両側下部に連結し７て設
置られたメインパルプ、（２Ｃはメインパルプ（２１）
。
（２２）のそれぞれに連結した可変パルプ、（３１）。
（６２）は真空Ｍ （１）の両側上部に連結して設けら
れた放電雰囲気ガスの供給パルプで、図示しない流量制
御装置でコントロールされる。（４）は真空４Ｖｙ（１
）内に電気的に絶縁して設置されたスパッタターゲラ）
Ｎ（５）は図示しない搬送機構によって真空槽（１）内
を移動する搬送トレー、（６）はスパッタ用電源、（７
）はスパッタターゲット（４）と同様真空槽（１）内に
電気的に絶縁して設置された清浄用ターゲット、（８１
） 、 （８２）はスパッタ電源（６）のそれぞれの出
力端子に接続され、そしてスパッタターゲット（４）お
よび清浄用ターゲット（７）との接、断を制御する切換
え装置である。第２図は第１図に示した装置の操作手順
を示す流れ図である〇 次に第１図および第２図に基づいて本発明装置の動作を
説明する。まず、メインパルプ（２１）または（２２）
および可変パルプ（イ）を全開状態にして真空槽（１）
内を１０−’〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒ ｔで真空排気した後
（ステップ２１）、可変パルプ００のオリフィスを閉じ
た後、パルプ（６１）または（３２）を開いて清浄スパ
ッタ放電のためのガス導入を行う。いま、搬送トレー（
５）の移動方向が第１図において実線方向ｎ（左→右方
向）の巻合（ただし搬送トレー（５）は清浄用ターゲッ
ト（力の左方に位置している）には、メインパルプ（２
１） ｔ−開、（２２）は閉、供給パルプ（６２）を開
、（３１）は閉とし、雰囲気ガスの流れ′ｆｃ第１図に
おいて右→左方向に設定する（この状態をステップ２２
のようにガス尊大Ｉと称する）。次に雰囲気ガスの流ａ
制御および可変パルプ（２Ｃのオリフィス調整により、
真空槽（１）内が１Ｏ−２Ｔｏｒｒ程度の設定圧力にな
るように調整する。次に清浄スパッタ放電（これは搬送
トレー（５）に装着された基板表面にプラズマ放電によ
って発生したイオンを衝突させて、基板表面の汚染等を
スパッタエツチングさせること）が発生するような極性
に切換え装置（８１） 、 （８２）が接続（ステップ
２５）されると（第１図では実線で示される（ｌｉｔ）
、スパッタ電Ｒ（６）が付勢（ステップ２４）されて清
浄スパッタターゲット（７）と搬送トレー（５）間で清
浄スパッタ放電（ステップ２５）が開始される。次いで
、搬送トレー（５）を実線方向ｎ（左→右方向）へ移動
させて基板の清浄スパッタを行う。
れた放電雰囲気ガスの供給パルプで、図示しない流量制
御装置でコントロールされる。（４）は真空４Ｖｙ（１
）内に電気的に絶縁して設置されたスパッタターゲラ）
Ｎ（５）は図示しない搬送機構によって真空槽（１）内
を移動する搬送トレー、（６）はスパッタ用電源、（７
）はスパッタターゲット（４）と同様真空槽（１）内に
電気的に絶縁して設置された清浄用ターゲット、（８１
） 、 （８２）はスパッタ電源（６）のそれぞれの出
力端子に接続され、そしてスパッタターゲット（４）お
よび清浄用ターゲット（７）との接、断を制御する切換
え装置である。第２図は第１図に示した装置の操作手順
を示す流れ図である〇 次に第１図および第２図に基づいて本発明装置の動作を
説明する。まず、メインパルプ（２１）または（２２）
および可変パルプ（イ）を全開状態にして真空槽（１）
内を１０−’〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒ ｔで真空排気した後
（ステップ２１）、可変パルプ００のオリフィスを閉じ
た後、パルプ（６１）または（３２）を開いて清浄スパ
ッタ放電のためのガス導入を行う。いま、搬送トレー（
５）の移動方向が第１図において実線方向ｎ（左→右方
向）の巻合（ただし搬送トレー（５）は清浄用ターゲッ
ト（力の左方に位置している）には、メインパルプ（２
１） ｔ−開、（２２）は閉、供給パルプ（６２）を開
、（３１）は閉とし、雰囲気ガスの流れ′ｆｃ第１図に
おいて右→左方向に設定する（この状態をステップ２２
のようにガス尊大Ｉと称する）。次に雰囲気ガスの流ａ
制御および可変パルプ（２Ｃのオリフィス調整により、
真空槽（１）内が１Ｏ−２Ｔｏｒｒ程度の設定圧力にな
るように調整する。次に清浄スパッタ放電（これは搬送
トレー（５）に装着された基板表面にプラズマ放電によ
って発生したイオンを衝突させて、基板表面の汚染等を
スパッタエツチングさせること）が発生するような極性
に切換え装置（８１） 、 （８２）が接続（ステップ
２５）されると（第１図では実線で示される（ｌｉｔ）
、スパッタ電Ｒ（６）が付勢（ステップ２４）されて清
浄スパッタターゲット（７）と搬送トレー（５）間で清
浄スパッタ放電（ステップ２５）が開始される。次いで
、搬送トレー（５）を実線方向ｎ（左→右方向）へ移動
させて基板の清浄スパッタを行う。
そして搬送トレー（５）が清浄用ターゲット（力のスパ
ッタリングスペースを通過して清浄スパッタが終了する
と、スパッタ電源（６）は消勢（ステップ２６）される
。さらに搬送トレー（５）は、スパッタ成膜にそなえて
、スパッタターゲット（４）の右方（第１図において破
線で示す搬送トレー（５）の位置）まで移動された後停
止する（ステップ２７）。次いでメインパルプ（２１）
を閉、（２２）を開、そして供給パルプ（６２）を閉、
（３１）を開とし、雰囲気ガスの流れを第１図において
左→右方向に設定する（この状態をステップ２８に示す
ようにガス導入■と称す）。次いで、スパッタ成膜が発
生するような極性（ステップ２９）に切換え装置（８１
） 、 （８２）が接続されると（第１図においては破
線で示す位置）、スパッタ電源（６）が再び付勢（ステ
ップ３０）され、スパッタターゲット（４）と搬送トレ
ー（５）間でスパッタ放電が発生する。次いで、搬送ト
レー（５）を右→左方向（破ｌ／ｓｍ方向）へ移動（ス
テップ３１）させて、スパッタ成膜を行う。次ぎに搬送
トレー（５）がスパッタリングスペースを通過してスパ
ッタ成膜が終了すれば、スパッタ電源（６）を消勢（ス
テップ３２）Ｌ、そして搬送トレー（５）の移動全停止
（ステップ６６）する０最後に供給パルプ（３１）。
ッタリングスペースを通過して清浄スパッタが終了する
と、スパッタ電源（６）は消勢（ステップ２６）される
。さらに搬送トレー（５）は、スパッタ成膜にそなえて
、スパッタターゲット（４）の右方（第１図において破
線で示す搬送トレー（５）の位置）まで移動された後停
止する（ステップ２７）。次いでメインパルプ（２１）
を閉、（２２）を開、そして供給パルプ（６２）を閉、
（３１）を開とし、雰囲気ガスの流れを第１図において
左→右方向に設定する（この状態をステップ２８に示す
ようにガス導入■と称す）。次いで、スパッタ成膜が発
生するような極性（ステップ２９）に切換え装置（８１
） 、 （８２）が接続されると（第１図においては破
線で示す位置）、スパッタ電源（６）が再び付勢（ステ
ップ３０）され、スパッタターゲット（４）と搬送トレ
ー（５）間でスパッタ放電が発生する。次いで、搬送ト
レー（５）を右→左方向（破ｌ／ｓｍ方向）へ移動（ス
テップ３１）させて、スパッタ成膜を行う。次ぎに搬送
トレー（５）がスパッタリングスペースを通過してスパ
ッタ成膜が終了すれば、スパッタ電源（６）を消勢（ス
テップ３２）Ｌ、そして搬送トレー（５）の移動全停止
（ステップ６６）する０最後に供給パルプ（３１）。
（６２）を閉、メインバルブ（２１） 、 （２２）を
開、可変パルプ翰のオリアイスを開として真空排気（ス
テップ６４）を行う。
開、可変パルプ翰のオリアイスを開として真空排気（ス
テップ６４）を行う。
なお、上記実施例では、ガス供給パルプおよび真空排気
用メインパルプがいずれも２系統の場合について説明し
たが、これは複数の系統でも同様の効果を得ることがで
きる。
用メインパルプがいずれも２系統の場合について説明し
たが、これは複数の系統でも同様の効果を得ることがで
きる。
以上のように、この発明によれば、搬送式スパッタ装置
のガス供給部および真空排気部をそれぞれ複数糸よシ溝
成し、そして雰囲気ガスの流れる方向を制御するととも
に、スパッタ電源の極性切換え装置により、ターゲット
を基板清浄用とスパッタ成膜用に切換え使用することが
できるので、基板の汚染に対応して清浄スパッタ放電お
よびスパッタ成膜が引紐いて実施することができ、良質
なスパッタ膜が得られる効果がある。
のガス供給部および真空排気部をそれぞれ複数糸よシ溝
成し、そして雰囲気ガスの流れる方向を制御するととも
に、スパッタ電源の極性切換え装置により、ターゲット
を基板清浄用とスパッタ成膜用に切換え使用することが
できるので、基板の汚染に対応して清浄スパッタ放電お
よびスパッタ成膜が引紐いて実施することができ、良質
なスパッタ膜が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるスパッタ装置の系統
図、第２図は第１図装置のガス導入およびスパッタ動作
過程を示す流れ図、第６図は従来のスパッタ装置の系統
図である。 図中、（１）は真空槽、（２） 、 （２１） 、 （
２２）はメインパルプ、（３ン、 （３１） 、 （３
２）はガス供給パルプ、（４）はスパッタターゲット、
（５）は搬送トレー、（６）はスパッタ１！源、（７）
は清浄用ターゲット、（８）は切換え装置、（至）は可
変パルプである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
図、第２図は第１図装置のガス導入およびスパッタ動作
過程を示す流れ図、第６図は従来のスパッタ装置の系統
図である。 図中、（１）は真空槽、（２） 、 （２１） 、 （
２２）はメインパルプ、（３ン、 （３１） 、 （３
２）はガス供給パルプ、（４）はスパッタターゲット、
（５）は搬送トレー、（６）はスパッタ１！源、（７）
は清浄用ターゲット、（８）は切換え装置、（至）は可
変パルプである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空容器と、該真空容器にガスを導入する複数のガス導
入部と、前記真空容器を真空排気する複数の真空排気部
と、清浄用ターゲット電極およびスパッタターゲット電
極と、前記両ターゲット電極と対向しながら移動する基
板装着電極と、前記両ターゲット電極と基板装着電極に
電圧を印加する電源装置と、該電源装置の出力極性の切
換え装置と、を有するスパッタ装置において、 前記ガス導入部と真空排気部との配置により真空容器内
におけるガス流れの方向が前記基板装着電極の移動方向
と対向するように制御し、前記電源装置の出力極性を前
記ターゲット毎に切換えて基板の清浄およびスパッタ成
膜を連続して行うようにしたことを特徴とするスパッタ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17594485A JPS6237370A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17594485A JPS6237370A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237370A true JPS6237370A (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=16004981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17594485A Pending JPS6237370A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6237370A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63240017A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01111871A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-28 | Nec Corp | プラズマ気相成長装置 |
| JPH023917A (ja) * | 1988-01-20 | 1990-01-09 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 半導体装置の製造方法 |
| US4980208A (en) * | 1989-06-14 | 1990-12-25 | Menicon Company, Ltd. | Method for treating the surface of an oxygen permeable hard contact lens |
-
1985
- 1985-08-12 JP JP17594485A patent/JPS6237370A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63240017A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01111871A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-28 | Nec Corp | プラズマ気相成長装置 |
| JPH023917A (ja) * | 1988-01-20 | 1990-01-09 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 半導体装置の製造方法 |
| US4980208A (en) * | 1989-06-14 | 1990-12-25 | Menicon Company, Ltd. | Method for treating the surface of an oxygen permeable hard contact lens |
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