JPS6237384B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6237384B2 JPS6237384B2 JP58199855A JP19985583A JPS6237384B2 JP S6237384 B2 JPS6237384 B2 JP S6237384B2 JP 58199855 A JP58199855 A JP 58199855A JP 19985583 A JP19985583 A JP 19985583A JP S6237384 B2 JPS6237384 B2 JP S6237384B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chromium
- transparent substrate
- film
- mask blank
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子、IC、LSI等の半導体製
造に使用されるクロムマスクブランクとその製造
方法に関する。
造に使用されるクロムマスクブランクとその製造
方法に関する。
このクロムマスクブランクとしては、第１図ａ
に示すように透明基板１上にクロム膜２（700〜
1000Å）を被覆した、比較的表面反射率の高いも
のと、同図ｂに示すように前記クロム膜２上に更
に酸化クロム膜３（150〜300Å）を被覆させて反
射防止膜付きのもの（低反射クロムマスクブラン
ク）と、同図Ｃに示すように透明基板１上に酸化
インジウム、酸化スズ等の帯電防止用の透明導電
膜1′（200〜300Å）を被覆して、導電性をもつた
透明基板１″を使用し、この透明基板１″上に前記
したクロム膜２、又は更にこのクロム膜２上に酸
化クロム膜３を被覆した透明導電膜付きクロムマ
スクブランクがある。それ故、本発明において
は、単に透明基板というときは、後述するような
ソーダライムガラス等の透明基板単板の他に、透
明導電膜付きのものが含まれる。
に示すように透明基板１上にクロム膜２（700〜
1000Å）を被覆した、比較的表面反射率の高いも
のと、同図ｂに示すように前記クロム膜２上に更
に酸化クロム膜３（150〜300Å）を被覆させて反
射防止膜付きのもの（低反射クロムマスクブラン
ク）と、同図Ｃに示すように透明基板１上に酸化
インジウム、酸化スズ等の帯電防止用の透明導電
膜1′（200〜300Å）を被覆して、導電性をもつた
透明基板１″を使用し、この透明基板１″上に前記
したクロム膜２、又は更にこのクロム膜２上に酸
化クロム膜３を被覆した透明導電膜付きクロムマ
スクブランクがある。それ故、本発明において
は、単に透明基板というときは、後述するような
ソーダライムガラス等の透明基板単板の他に、透
明導電膜付きのものが含まれる。
このようなクロムマスクヤブランクに対して、
(1)透明基板上のクロムの内部応力、すなわちこれ
に起因する透明基板における平坦度変化量の小さ
いこと、(2)ピンホールの少ないことが要求されて
いる。そして、(1)項を満足させたクロムマスクブ
ランクとして、「クロム膜」の代わりに「クロム
窒化膜」を使用する手段が提案されている。
(1)透明基板上のクロムの内部応力、すなわちこれ
に起因する透明基板における平坦度変化量の小さ
いこと、(2)ピンホールの少ないことが要求されて
いる。そして、(1)項を満足させたクロムマスクブ
ランクとして、「クロム膜」の代わりに「クロム
窒化膜」を使用する手段が提案されている。
この手段によるクロムマスクブランクは、金属
クロムをターゲツトとして、ArガスにN2ガスを
混入した雰囲気中でスパツタリングにより透明基
板上に形成されるが、第３図の曲線ａに示すよう
に、透明基板（寸法10cm□×1.5mmtのソーダライ
ムガラス）における平坦度変化量を１μｍ以下に
するには、クロム窒化膜を形成するためのガス雰
囲気としてN2ガス含有率を30％以上にする必要
がある。
クロムをターゲツトとして、ArガスにN2ガスを
混入した雰囲気中でスパツタリングにより透明基
板上に形成されるが、第３図の曲線ａに示すよう
に、透明基板（寸法10cm□×1.5mmtのソーダライ
ムガラス）における平坦度変化量を１μｍ以下に
するには、クロム窒化膜を形成するためのガス雰
囲気としてN2ガス含有率を30％以上にする必要
がある。
一方、このようなN2ガス含有率を多くする
と、スパツタリングにおいて減圧したガス雰囲気
中でガスプラズマをつくる際のガスプラズマの不
安定や、更に、イオン化したガスを対向電極にあ
るターゲツト（クロム）に当てて、そこからクロ
ム原子をたたき出し、その原子が活性化された
N2ガスと反応してクロム窒化膜が形成される
が、その際の膜の不安定性等により、ピンホール
が生じやすい。本例のN2ガス含有率が40％であ
るクロム窒化膜のピンホール不良率（１cm2当0.05
個以上発生したピンホールを有するブランクスの
割合）は38％であつた。
と、スパツタリングにおいて減圧したガス雰囲気
中でガスプラズマをつくる際のガスプラズマの不
安定や、更に、イオン化したガスを対向電極にあ
るターゲツト（クロム）に当てて、そこからクロ
ム原子をたたき出し、その原子が活性化された
N2ガスと反応してクロム窒化膜が形成される
が、その際の膜の不安定性等により、ピンホール
が生じやすい。本例のN2ガス含有率が40％であ
るクロム窒化膜のピンホール不良率（１cm2当0.05
個以上発生したピンホールを有するブランクスの
割合）は38％であつた。
勿論、このようなピンホール不良率を低減する
ために、N2ガス含有率を少なくすればよいが、
この場合、透明基板の平坦度変化量が曲線ａで示
すように増大し、前述した(1)項を満足しなくなつ
てしまう。
ために、N2ガス含有率を少なくすればよいが、
この場合、透明基板の平坦度変化量が曲線ａで示
すように増大し、前述した(1)項を満足しなくなつ
てしまう。
したがつて、従来のクロムマスクブランクは、
前述した２項目を同時に満足することができなか
つた。
前述した２項目を同時に満足することができなか
つた。
本発明の目的は、従来このように両立しがたか
つた２項目を満足するクロムマスクブランクを提
供することである。
つた２項目を満足するクロムマスクブランクを提
供することである。
このような目的を達成させるため、本発明は、
透明基板上に、金属クロム（Cr）と窒化クロム
（CrxNy）と酸化窒化クロム（CrxOyNz）の混合
物からなる膜を形成していることを特徴とするク
ロムマスクブランクを必須構成としている。
透明基板上に、金属クロム（Cr）と窒化クロム
（CrxNy）と酸化窒化クロム（CrxOyNz）の混合
物からなる膜を形成していることを特徴とするク
ロムマスクブランクを必須構成としている。
以下、本発明を第２図の実施例図面を参照して
説明する。
説明する。
表面を精密研磨したソーダライムガラスを素材
にした透明基板１上に、圧力１×10-3（Torr）
に減圧したアルゴン（Ar）70％、窒素（N2）25
％及び一酸化窒素（NO）５％の混合ガス雰囲気
中でガスプラズマをつくり、イオン化したアルゴ
ンガスをクロム・ターゲツトに当てて、そこから
クロム原子をたたき出し、そのクロム原子が活性
化された窒素及び一酸化窒素のガスと反応して、
金属クロム（Cr）と窒化クロム（CrxNy）と酸
化窒化クロム（CrxOyNz）の混合物から成る膜
４を被覆形成して、第２図に示すようにクロムマ
スクブランクを製作した。本例のクロムマスクブ
ランク（実施例１）における透明基板１の平坦度
変化量は0.4（μｍ）であり、ピンホール不良率
は14％であつた。
にした透明基板１上に、圧力１×10-3（Torr）
に減圧したアルゴン（Ar）70％、窒素（N2）25
％及び一酸化窒素（NO）５％の混合ガス雰囲気
中でガスプラズマをつくり、イオン化したアルゴ
ンガスをクロム・ターゲツトに当てて、そこから
クロム原子をたたき出し、そのクロム原子が活性
化された窒素及び一酸化窒素のガスと反応して、
金属クロム（Cr）と窒化クロム（CrxNy）と酸
化窒化クロム（CrxOyNz）の混合物から成る膜
４を被覆形成して、第２図に示すようにクロムマ
スクブランクを製作した。本例のクロムマスクブ
ランク（実施例１）における透明基板１の平坦度
変化量は0.4（μｍ）であり、ピンホール不良率
は14％であつた。
次に、前実施例の製法において、混合ガス比率
をアルゴン80％、窒素15％及び一酸化窒素５％に
したもの（実施例２）と、アルゴン90％、窒素５
％及び一酸化窒素５％にしたもの（実施例３）と
をそれぞれ製作した結果、実施例２及び３による
クロムマスクブランクにおける透明基板１の平坦
度変化量はそれぞれ0.5（μｍ）及び１（μｍ）
であり、ピンホール不良率はそれぞれ８％及び７
％であつた。その結果、N2ガス含有率に対する
透明基板１の平坦度変化量の特性は第３図の曲線
ｂに示される。
をアルゴン80％、窒素15％及び一酸化窒素５％に
したもの（実施例２）と、アルゴン90％、窒素５
％及び一酸化窒素５％にしたもの（実施例３）と
をそれぞれ製作した結果、実施例２及び３による
クロムマスクブランクにおける透明基板１の平坦
度変化量はそれぞれ0.5（μｍ）及び１（μｍ）
であり、ピンホール不良率はそれぞれ８％及び７
％であつた。その結果、N2ガス含有率に対する
透明基板１の平坦度変化量の特性は第３図の曲線
ｂに示される。
以上のとおり本発明によれば、活性化される混
合ガスとして従来の窒素の他に一酸化窒素を導入
して、金属クロムと窒化クロムと酸化窒化クロム
の混合物から成る膜を透明基板上に被覆すること
により、N2含有率を少なくしてピンホール不良
率を低減し、かつ透明基板の平坦度変化量も低減
することができた。
合ガスとして従来の窒素の他に一酸化窒素を導入
して、金属クロムと窒化クロムと酸化窒化クロム
の混合物から成る膜を透明基板上に被覆すること
により、N2含有率を少なくしてピンホール不良
率を低減し、かつ透明基板の平坦度変化量も低減
することができた。
次に、本発明の変形例を挙げれば、先ず、一酸
化窒素（NO）に代えて一酸化二窒素（N2O）、三
酸化二窒素（N2O3）及び二酸化窒素（NO2）等の
酸化窒素でもよい。次に、本発明による金属クロ
ム（Cr）と窒化クロム（CrxNy）と酸化窒化ク
ロム（CrxOyNz）混合物からなる膜を形成した
クロムマスクブランクに対して、第１図ｂに示し
たように更に酸化クロム３を被覆してもよいし、
第１図ｃに示したように透明基板１との間に透明
導電膜1′を介在させて被覆してもよい。また、透
明基板１はソーダライムガラスの代わりに、アル
ミノボロシリケートガラス等の他の硝種のガラス
や合成石英でもよい。また更に、成膜方法として
スパツタリングの他に、真空蒸着、イオンプレー
テイングを使用してもよい。
化窒素（NO）に代えて一酸化二窒素（N2O）、三
酸化二窒素（N2O3）及び二酸化窒素（NO2）等の
酸化窒素でもよい。次に、本発明による金属クロ
ム（Cr）と窒化クロム（CrxNy）と酸化窒化ク
ロム（CrxOyNz）混合物からなる膜を形成した
クロムマスクブランクに対して、第１図ｂに示し
たように更に酸化クロム３を被覆してもよいし、
第１図ｃに示したように透明基板１との間に透明
導電膜1′を介在させて被覆してもよい。また、透
明基板１はソーダライムガラスの代わりに、アル
ミノボロシリケートガラス等の他の硝種のガラス
や合成石英でもよい。また更に、成膜方法として
スパツタリングの他に、真空蒸着、イオンプレー
テイングを使用してもよい。
第１図は従来のクロムマスクブランクを示す断
面図、第２図は本発明によるクロムマスクブラン
クを示す断面図、及び第３図はN2ガス含有率に
対する透明基板の平坦度変化量を示す特性図であ
る。 １……透明基板、１′……透明導電膜付き透明
基板、４……金属クロム（Cr）と窒化クロム
（CrxNy）と酸化窒化クロム（CrxOyNz）の混合
物からなる膜。
面図、第２図は本発明によるクロムマスクブラン
クを示す断面図、及び第３図はN2ガス含有率に
対する透明基板の平坦度変化量を示す特性図であ
る。 １……透明基板、１′……透明導電膜付き透明
基板、４……金属クロム（Cr）と窒化クロム
（CrxNy）と酸化窒化クロム（CrxOyNz）の混合
物からなる膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上に、金属クロム（Cr）と窒化ク
ロム（CrxNy）と酸化窒化クロム（CrxOyNz）
の混合物から成る膜を形成していることを特徴と
するクロムマスクブランク。 ２ 窒素と酸化窒素を含むガス雰囲気中で、真空
蒸着、スパツタリング及びイオンプレーテイング
のいずれかにより、金属クロム（Cr）と窒化ク
ロム（CrxNy）と酸化窒化クロム（CrxOyNz）
の混合物からなる膜を透明基板上に形成すること
を特徴とするクロムマスクブランクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58199855A JPS6091356A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | クロムマスクブランクとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58199855A JPS6091356A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | クロムマスクブランクとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6091356A JPS6091356A (ja) | 1985-05-22 |
| JPS6237384B2 true JPS6237384B2 (ja) | 1987-08-12 |
Family
ID=16414767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58199855A Granted JPS6091356A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | クロムマスクブランクとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6091356A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07305163A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-21 | Itochu Fine Chem Kk | 低反射クロム系膜 |
| WO1997015866A1 (en) * | 1995-10-24 | 1997-05-01 | Ulvac Coating Corporation | Phase shift mask and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0765156B2 (ja) * | 1985-10-09 | 1995-07-12 | セイコーエプソン株式会社 | 時計用外装部品の製造方法 |
| JPH0742568B2 (ja) * | 1985-10-22 | 1995-05-10 | セイコーエプソン株式会社 | 時計用外装部品 |
| JP2524103B2 (ja) * | 1985-10-22 | 1996-08-14 | セイコーエプソン株式会社 | 時計用外装部品 |
| US5449547A (en) * | 1993-03-15 | 1995-09-12 | Teikoku Piston Ring Co., Ltd. | Hard coating material, sliding member coated with hard coating material and method for manufacturing sliding member |
| TW480367B (en) * | 2000-02-16 | 2002-03-21 | Shinetsu Chemical Co | Photomask blank, photomask and method of manufacture |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6052428B2 (ja) * | 1978-05-25 | 1985-11-19 | 富士通株式会社 | 酸化クロム被膜の形成法 |
| JPS57104141A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask and photomask substrate |
-
1983
- 1983-10-25 JP JP58199855A patent/JPS6091356A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07305163A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-21 | Itochu Fine Chem Kk | 低反射クロム系膜 |
| WO1997015866A1 (en) * | 1995-10-24 | 1997-05-01 | Ulvac Coating Corporation | Phase shift mask and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6091356A (ja) | 1985-05-22 |
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