JPH03232745A - 電導性ガラス及びその製造方法 - Google Patents

電導性ガラス及びその製造方法

Info

Publication number
JPH03232745A
JPH03232745A JP2161413A JP16141390A JPH03232745A JP H03232745 A JPH03232745 A JP H03232745A JP 2161413 A JP2161413 A JP 2161413A JP 16141390 A JP16141390 A JP 16141390A JP H03232745 A JPH03232745 A JP H03232745A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
alkali
glass
barrier film
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2161413A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0780692B2 (ja
Inventor
Hidekazu Ando
英一 安藤
Kiyoshi Matsumoto
潔 松本
Junichi Ebisawa
海老沢　純一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to DE69027590T priority Critical patent/DE69027590T2/de
Priority to PCT/JP1990/000982 priority patent/WO1991002102A1/ja
Priority to EP90911700A priority patent/EP0436741B1/en
Priority to SG1996006789A priority patent/SG43272A1/en
Priority to KR1019910700334A priority patent/KR0185716B1/ko
Publication of JPH03232745A publication Critical patent/JPH03232745A/ja
Priority to US07/936,281 priority patent/US5354446A/en
Priority to US08/323,579 priority patent/US5605609A/en
Priority to US08/429,845 priority patent/US5772862A/en
Publication of JPH0780692B2 publication Critical patent/JPH0780692B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［従来の技術］ 本発明は、アルカリ含有ガラスのガラス下地からアルカ
リイオン拡散するのを防ぐアルカリバリアー膜付電導性
ガラスに関するものである。
透明材料としてのガラス板は、化学的に安定で表面硬度
に優れ、かつ５００℃〜７００℃程度までの高温に耐え
、更に電気絶縁性、光学的性質が優れているため、建築
用、車輌用、航空機用の窓ガラス材料としては勿論のこ
と、光学部品、電気部品電子部品等に用いられている。
特に、最近ではガラス板面に電導性被膜を形成した電導
性ガラス板が液晶素子、エレクトロクロミック素子、電
場発光素子などの表示素子やアモルファス太陽電池基板
等に用いられている。
これら電導性ガラス板のガラス基板としては、最も汎用
され、価格的にも安価なソーダライムシリカガラス板が
使用される傾向があるが、このソーダライムシリカガラ
ス板は組成的に１０〜２０ｗｔ％程度のナトリウム、カ
リウム等のアルカリ成分を含んでいるため、長期間の使
用によりガラス下地からの表面へのアルカリイオンの拡
散によるコーティングされた電導膜の性能劣化を起すと
いう欠点を生ずる。例えば、電導性ガラス板の電導膜に
白濁が生じたり透明度が低下したり、あるいは電導膜の
抵抗値が増大したり、化学的物理的耐久性が低下したり
する。
すなわち、液晶表示素子では、ガラスから拡散してきた
アルカリにより表示電極表面で酸化還元反応が起り透明
電極材料である酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）、または
酸化錫膜（ネサ膜）を変質させ、更には液晶自体も電気
分解を起して劣化する。エレクトロクロミック素子でも
同様な理由で電極が損耗しエレクトロクロミック材料で
ある酸化タングステンや酸化モリブデンの耐久性の低下
の原因となり素子を劣化させる。また電場発光素子の場
合にも拡散によってガラス表面から出てきたアルカリは
電導膜を貫通して蛍光体材料に入りこみ発光効率や発光
色までも変化させる。更にアモルファス太陽電池の場合
には、電導膜の抵抗値が増大し、光電変換効率が著しく
低下してしまうし、時には電極を貫通して出てきたアル
カリはアモルファスシリコン中に拡散して変換効率を低
下させる恐れもあるとされている。
あるいは又、ソーダライムシリカガラスのようなアルカ
リ含有ガラスは、高温処理時にアルカリイオンが移動し
やすくなる傾向があり、電導性ガラス、あるいは各種コ
ートガラスの製造時の高温処理時のアルカリイオンの拡
散により、電導膜、あるいは各種コート膜の性能が低下
するという欠点も生じる。
かかる欠点の解決法として代表的なのは、通常のソーダ
ライムシリカガラス表面に何らかのアルカリ拡散を阻止
する薄膜を形成する方法であり、シリカ膜が一般に用い
られている。酸化ケイ素膜（例えばＳｉＯ□膜）をアル
カリ拡散防止に用いる理由は膜がアモルファスで、この
上に別の薄゛膜たとえば電導膜等を形成する場合、実質
的にガラス上に形成したと同じ膜を形成できることと酸
化ケイ素膜の屈折率がガラスよりも若干低いがガラスに
近く、又通常板ガラスよりも広い範囲の光に対して、透
明であるためにガラスの透明性が損なわれないことによ
る。
［発明の解決しようとする課題］ しかしながら、アルカリバリアー膜の上に形成される電
導膜が大面積にわたり均一な膜を高速で形成可能な直流
スパッタリング法で成膜されているのに対し、酸化ケイ
素膜は、Ｓｉターゲットを用いて直流スパッタリング法
で成膜しようとすると、スパッタ中にＳｉターゲットの
表面が酸化されて電導性が低下し、スパッタを安定的に
持続させることができないため直流スパッタリング法で
は成膜できず、この為酸化物ターゲットを用いたＲＦス
パッタリング法やＣＶＤ法等で成膜されていた。
このため電導膜の形成方法とは別に二酸化ケイ素膜のＲ
Ｆスパッタリングのチューニングやスパッタ雰囲気制御
等が必要とされ、あるいは別の装置でＣＶＤ法により成
膜しなくてはならないため、インラインで電導膜と連続
して二酸化ケイ素膜を形成することができず、生産性に
劣るという課題を有していた。
［課題を解決する為の手段］ 本発明は上述の課題に基づき直流スパッタリング法で成
膜できる新規なアルカリバリアー膜を見出してなされた
ものであって、アルカリ含有ガラスの表面に、該ガラス
からのアルカリ拡散を抑制するアルカリバリアー膜、及
び電導膜を順次積層した電導性ガラスであって、上記ア
ルカリバリアー膜はＺｒ、　Ｈｆ、　Ｎｂ、　Ｓｎ、　
Ｌａのうち少なくとも１種とＳｉとを含む酸化物を主成
分とする膜であることを特徴とする電導性ガラス及びア
ルカリ含有ガラスの表面に、Ｚｒ、　Ｈｆ、　Ｎｂ、　
Ｓｎ。
Ｌａのうち少な（とも１種とＳｉとを含む酸化物を主成
分とするアルカリバリアー膜を形成し、次いで電導膜を
形成することを特徴とする電導性ガラスの製造方法を提
供するものである。
本発明のアルカリバリアー膜は、Ｚｒ、　）Ｉｆ、　Ｎ
ｂ。
Ｓｎ、　Ｌａのうち少なくとも１種とＳｉを含む酸化物
を主成分とするアルカリバリアー膜を主成分とする膜で
ある。又、本発明のアルカリバリアー膜は所望によりＴ
ｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒのうち少なくとも１種を含ん
でいても良い。
本発明のアルカリバリアー膜の組成としては、Ｚｒ、　
Ｈｆ等の金属合計量９５原子に対してＳｉ５原子以上の
割合でＳｉを含有しているのが好ましい。Ｓｉ含有量が
この割合以下だと膜が結晶質となりアルカリバリアー能
が顕著に低下するからである。又、Ｚｒ等の金属の合計
量４原子に対してＳｉ９６原子以下の割合でＳｉを含有
しているのが好ましい。Ｓｉ含有量がこの割合以上だと
、ターゲットの表面酸化により、安定的に直流スパッタ
リング法で成膜できな（なる。
本発明のアルカリバリアー膜の屈折率はその組成により
自由に調節することができる。金属としてＺｒを用いた
場合のアルカリバリアー膜の組成による屈折率変化を表
１に示す。
表　　１ （膜厚は全て１０００人） °１　ｌ気圧下、　１００℃の水に２時間浸漬した後Ｔ
、（可視光線透過率）、Ｒｖ　（可視光線反射率）の浸
漬前に対する変化率が１％以内のものを○とした。
°２　純水と接触させて９０℃に２４時間保存した後の
純水中へのＮａ”の溶出量が０．８μｇ７ｃｍ”以上の
ものをＸ、０．８μｇ／ｃｍ″未満のものを○とした。
従っオ、電導膜としてＩＴＯ膜（錫を含有する酸化イン
ジウム膜）等の透明電極が形成された表示素子等の透明
電極板としての電導性ガラスの場合には、本発明のアル
カリバリアー膜の組成をかかる透明電極と同様の屈折率
になるようにすれば、アルカリバリアー膜上に透明電極
パターンが形成された部分と透明電極が形成されずにア
ルカリバリアー膜のみが形成された部分との屈折率の差
が生じないため、透明電極パターンが目立たず、いわゆ
る透明電極パターンの°“骨見え”現象を防止できる。
例えば、ガラス板／ＺｒとＳｉを含む酸化物からなるア
ルカリバリアー膜／ＩＴＯ膜の構成の電導性ガラスにお
いては、ＩＴＯ膜の屈折率的１．９に合わせて表１より
Ｚｒ：Ｓｉ＝７０：３０程度とすればよい。あるいはデ
イスプレー用素子等の製造において、位置合せの点で、
透明電極パターンが見える方が好まれるような場合には
ＩＴＯ膜と異なる屈折率とするのが適当であり、Ｓｉの
割合を多くして低屈折率とすることもできる。このよう
に、本発明のアルカリバリアー膜の組成は、その上に形
成される電導膜の屈折率に応じて適宜選択することがで
きる。
本発明のアルカリバリアー膜の膜厚は、十分なアルカリ
バリアー能が発揮されるように、５０Å以上とするのが
好ましい。中でも、　１００人〜５０００人の範囲が最
も実用的である。
また、本発明の電導性ガラスに適用できるガラスとして
は、最も汎用されているＮａやＫを１０〜２０ｗｔ％含
むソーダライムシリカ・ガラスは勿論、その他各種アル
カリ含有ガラスが挙げられる。
本発明の電導性ガラスにおいて、上述のアルカリバリア
ー膜上に形成される電導膜としては、ＩＴＯ膜、Ｆやｓ
ｂ等がドープされた５ｎＯｚ膜、Ａ１等がドープされた
ＺｎＯ膜等の透明電導性酸化物膜や、Ａｇ、　Ａｕ等の
電導性金属膜等、アルカリイオンによって劣化する可能
性のある電導膜であれば良く、特に限定されない。
［実施例］ 実施例１ ｌＯｃｍＸ　ｌＯｃｍＸ　３　ｍｍのアルカリ成分Ｒ，
Ｏ（Ｒ：Ｎａ、Ｋ）を１５％含む普通ガラス板（ソーダ
・ライムシリカガラス板）を洗剤で十分に洗浄し、水洗
乾燥した。このガラス板をスパッタリング装置の真空槽
内に配置して同槽内をＩ　Ｘ　１Ｏ−５Ｔｏｒｒまで排
気した後、ＺｒとＳｉからなるターゲット（Ｚｒ：Ｓｉ
＝ｌＯ：９０）を２　Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒのアルゴン
と酸素の混合ガス中で直流スパッタリングを行なって、
Ｚｒｏ、　ｌ５Ｉ０．９０２膜を約１０００人形成した
。
比較例１ 実施例１と同様のガラス板にＳｉＨ４と０□ガスを用い
てＣＶＤ法によってＳｉＯ□膜を１０００人形成した。
実施例１品と比較例１品をそれぞれ純水に接触させて９
０℃に２４時間保持した後、純水中に溶出したＮａ’″
の量を測ってアルカリバリアー性を調べたところ実施例
１品では０．６０μｇ／ｃｍ”　、比較例１品では０．
６１μｇ／ｃｍ”であった。又、実施例１品と比較例１
品をそれぞれ５％ＮａＯＨで洗浄し、次に純水に室温で
２４時間接触させて純水中に溶出したＮａ”の量（上記
洗浄中に吸着したＮａ”の量）を測ってアルカリ吸着性
を調べたところ、実施例１品で０．１３μｇ／ｃｍ”　
、比較例１品で０．１４μｇ／ｃｍ２であった。このこ
とから、実施例１品は比較例とほぼ同等の特性があるこ
とがわかった。
実施例２ 実施例１と同様にして、ｌｒｏ、　ｌＳｉｏ、　ｅ０２
膜を約２００人形成した。
実施例３ ターゲットとしてＺｒＳｉ２ターゲット（Ｚｒ：ＳＣＩ
：２）を用い、他は実施例１と同様にして、Ｚｒｏ３ｓ
ｓｉｏ、　６６０２膜を約２００人形成した。
実施例４ 実施例３と同様にして、Ｚｒｏ、　ａｓｓｉｏ、　ａｓ
Ｏｚ膜を約５００人形成した。
実施例２〜４品につき、それぞれ純水に接触させて、８
５℃に２４時間保存した後、アルカリバリアー性および
アルカリ吸着性を測定したところ表２のようになった。
表２ 実施例１〜４品につき、直流スパッタリング法で各アル
カリバリアー膜を形成後、かかるアルカリバリアー膜上
に直流スパッタリング法により連続してＩＴＯ膜を形成
し、その後、９０℃に２４時間保存したが、ＩＴＯ膜の
外観変化はなかった。
又、Ｈｆ、　Ｎｂ、　Ｓｎ、　ＬａをＺｒの代わりに用
いた場合でも上記実施例と同様の結果を示し、アルカリ
バリアー性能が確認された。
［作用］ 本発明において、Ｚｒ、　Ｈｆ等の金属とＳｉからなる
ターゲットにおいて、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｎｂ。
Ｌａ、Ｃｒ等は大部分珪素化合物として、又、Ｓｎは５
Ｌ−Ｓｎ合金として存在し、Ｓｉに比べ酸素に対する活
性が小さいため酸化されに（（、直流スパッタリング中
のターゲットの表面酸化による導電性の低下を抑制する
ように働くため、直流スパッタリング法で安定的に成膜
可能であると考えられる。
［発明の効果］ 本発明の電導性ガラスのアルカリバリアー膜は、直流ス
パッタリング法により成膜できるので、大面積にわたり
均一な膜を高速で安定的に形成し提供することができる
。これは、アルカリバリアー膜上に形成される電導膜を
直流スパッタリング法で形成する場合にはインライン式
でアルカリバリアー膜と電導膜を連続して成膜できるの
で特に生産性の上で大きな利点となる。
本発明のアルカリバリアー膜付電導性ガラスは、液晶素
子、エレクトロクロミック素子、電場発光素子などの表
示素子やアモルファス太陽電池基板等に用いられる電導
性ガラスのアルカリ拡散防止膜として特に最適であり、
表１かられかるように耐熱性も有しており、かかる表示
素子、太陽電池等の製造過程やその後の種々の環境条件
に対しても安定で劣化することがない。勿論これらの他
にも、自動車、航空様、鉄道車輌その地番種交通車輌用
、建築用、各種装置用、光学部品用、電気部品用、電子
部品用のガラス板に電導性被膜、熱線反射防止被膜、反
射被膜、着色被膜、その地番種機能を持った被膜を形成
する際の下地コートに対し有用に適用できるものである
。
又、液晶セル等の周辺をシールする際、シール剤とガラ
スの間に本発明のアルカリバリアー膜を介在させると、
アルカリによるシール剤の剥離をも防止することができ
る。
又、本発明のアルカリバリアー膜はＺｒ等の金属とＳｉ
の割合を変えることにより所望の屈折率とすることがで
きるので、上記各種用途に広範囲に利用できる。
又、本発明のアルカリバリアー膜は、アルカリ吸着性も
低いため、液晶セル等の製造において、アルカリ含有液
で洗浄する工程があったとしても、十分使用できるもの
である。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）アルカリ含有ガラスの表面に、該ガラスからのア
    ルカリ拡散を抑制するアルカリバリアー膜、及び電導膜
    を順次積層した電導性ガラスであって、上記アルカリバ
    リアー膜はＺｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｓｎ，Ｌａのうち少なく
    とも１種とＳｉとを含む酸化物を主成分とする膜である
    ことを特徴とする電導性ガラス。
  2. （２）アルカリバリアー膜が、Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，
    Ｃｒのうち少なくとも１種を含有することを特徴とする
    請求項１記載の電導性ガラス。
  3. （３）アルカリバリアー膜が、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｓｎ
    ，Ｌａ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒの金属の合計量９
    ５原子に対してＳｉ５原子以上で、上記金属の合計量４
    原子に対してＳｉ９６原子以下の割合で上記金属とＳｉ
    を含有する酸化物を主成分とすることを特徴とする請求
    項１又は２記載の電導性ガラス。
  4. （４）アルカリ含有ガラスの表面に、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ
    ，Ｓｎ，Ｌａのうち少なくとも１種とＳｉとを含む酸化
    物を主成分とするアルカリバリアー膜を形成し、次いで
    電導膜を形成することを特徴とする電導性ガラスの製造
    方法。
  5. （５）電導膜を、アルカリバリアー膜と連続して直流ス
    パッタリング法によって形成することを特徴とする請求
    項４記載の電導性ガラスの製造方法。
JP2161413A 1988-03-03 1990-06-21 電導性ガラス及びその製造方法 Expired - Fee Related JPH0780692B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE69027590T DE69027590T2 (de) 1989-08-01 1990-08-01 Verfahren zur Herstellung von Schichten auf basis von Siliziumdioxyd mittels DC Sputtern und Target dafür
PCT/JP1990/000982 WO1991002102A1 (fr) 1989-08-01 1990-08-01 Film base sur du dioxide de silicium et sa production
EP90911700A EP0436741B1 (en) 1989-08-01 1990-08-01 DC sputtering method and target for producing films based on silicon dioxide
SG1996006789A SG43272A1 (en) 1989-08-01 1990-08-01 Film based on silicon dioxide and production thereof
KR1019910700334A KR0185716B1 (en) 1989-08-01 1991-04-01 Laminated glass structure
US07/936,281 US5354446A (en) 1988-03-03 1992-08-28 Ceramic rotatable magnetron sputtering cathode target and process for its production
US08/323,579 US5605609A (en) 1988-03-03 1994-10-17 Method for forming low refractive index film comprising silicon dioxide
US08/429,845 US5772862A (en) 1988-03-03 1995-04-27 Film comprising silicon dioxide as the main component and method for its productiion

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1-197993 1989-08-01
JP19799389 1989-08-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03232745A true JPH03232745A (ja) 1991-10-16
JPH0780692B2 JPH0780692B2 (ja) 1995-08-30

Family

ID=16383731

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2161413A Expired - Fee Related JPH0780692B2 (ja) 1988-03-03 1990-06-21 電導性ガラス及びその製造方法
JP16141490A Expired - Lifetime JP2917432B2 (ja) 1989-08-01 1990-06-21 電導性ガラスの製造方法
JP20114890A Expired - Fee Related JP2917456B2 (ja) 1989-08-01 1990-07-31 無光彩ガラス
JP2201149A Expired - Fee Related JP2669120B2 (ja) 1989-08-01 1990-07-31 二酸化ケイ素を主成分とする膜を形成する方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16141490A Expired - Lifetime JP2917432B2 (ja) 1989-08-01 1990-06-21 電導性ガラスの製造方法
JP20114890A Expired - Fee Related JP2917456B2 (ja) 1989-08-01 1990-07-31 無光彩ガラス
JP2201149A Expired - Fee Related JP2669120B2 (ja) 1989-08-01 1990-07-31 二酸化ケイ素を主成分とする膜を形成する方法

Country Status (1)

Country Link
JP (4) JPH0780692B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09100140A (ja) * 1995-07-31 1997-04-15 Toshiba Lighting & Technol Corp ガラス成形体、照明器具およびガラス成形体の製造方法
JP2009084143A (ja) * 1995-02-23 2009-04-23 Saint-Gobain Glass France 反射防止コーティングを有する透明基材
JP2012243915A (ja) * 2011-05-18 2012-12-10 Kobe Steel Ltd Ｃｉｇｓ系太陽電池用金属酸化物薄膜、及び該薄膜を備えたｃｉｇｓ系太陽電池
US8663433B2 (en) * 2004-12-06 2014-03-04 Guardian Industries Corp. Coated article with low-E coating including zirconium silicon oxynitride and methods of making same
JP2016127129A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 株式会社マテリアル・コンセプト 太陽電池用保護ガラスおよびその製造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0780691B2 (ja) * 1989-12-26 1995-08-30 旭硝子株式会社 耐久性の優れた増反射膜付ガラス
JP3486640B2 (ja) * 1993-03-26 2004-01-13 独立行政法人産業技術総合研究所 超電導薄膜製造用ターゲットおよびその製造方法、それを用いた超電導体の製造方法
US5403458A (en) * 1993-08-05 1995-04-04 Guardian Industries Corp. Sputter-coating target and method of use
JPH08268732A (ja) * 1995-03-30 1996-10-15 Central Glass Co Ltd 熱線反射ガラス
US7167309B2 (en) * 2004-06-25 2007-01-23 Northrop Grumman Corporation Optical compensation of cover glass-air gap-display stack for high ambient lighting
WO2010048975A1 (de) * 2008-10-31 2010-05-06 Leybold Optics Gmbh Hafniumoxid-beschichtung
JP5559483B2 (ja) * 2009-03-17 2014-07-23 株式会社ブリヂストン 熱線遮蔽ガラス、及びこれを用いた複層ガラス
JP2014004700A (ja) * 2012-06-22 2014-01-16 Kyushu Institute Of Technology 金属表面の加飾加工方法
EP2922979B1 (en) * 2013-02-27 2020-10-28 Lotus Applied Technology, LLC Mixed metal-silicon-oxide barriers

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57100943A (en) * 1980-12-10 1982-06-23 Asahi Glass Co Ltd Substrate coated with silicon oxide having excellent durability
JPS61167546A (ja) * 1985-12-25 1986-07-29 東レ株式会社 積層フイルム
JPS62216944A (ja) * 1985-12-06 1987-09-24 ライボルト−ヘレ−ウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 可視スペクトル範囲内で高い透過特性及び熱線に対する高い反射特性を有するウインド−ガラスの製法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52138512A (en) * 1976-05-14 1977-11-18 Kogyo Gijutsuin Glass having excellent alkali resistance and production thereof
DE3417732A1 (de) * 1984-05-12 1986-07-10 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum aufbringen von siliziumhaltigen schichten auf substraten durch katodenzerstaeubung und zerstaeubungskatode zur durchfuehrung des verfahrens
JPS6151333A (ja) * 1984-08-20 1986-03-13 積水化学工業株式会社 耐透湿性を有する透明合成樹脂体
JPS6273202A (ja) * 1985-09-27 1987-04-03 Hamamatsu Photonics Kk 光学薄膜の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57100943A (en) * 1980-12-10 1982-06-23 Asahi Glass Co Ltd Substrate coated with silicon oxide having excellent durability
JPS62216944A (ja) * 1985-12-06 1987-09-24 ライボルト−ヘレ−ウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 可視スペクトル範囲内で高い透過特性及び熱線に対する高い反射特性を有するウインド−ガラスの製法
JPS61167546A (ja) * 1985-12-25 1986-07-29 東レ株式会社 積層フイルム

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009084143A (ja) * 1995-02-23 2009-04-23 Saint-Gobain Glass France 反射防止コーティングを有する透明基材
JPH09100140A (ja) * 1995-07-31 1997-04-15 Toshiba Lighting & Technol Corp ガラス成形体、照明器具およびガラス成形体の製造方法
US8663433B2 (en) * 2004-12-06 2014-03-04 Guardian Industries Corp. Coated article with low-E coating including zirconium silicon oxynitride and methods of making same
JP2012243915A (ja) * 2011-05-18 2012-12-10 Kobe Steel Ltd Ｃｉｇｓ系太陽電池用金属酸化物薄膜、及び該薄膜を備えたｃｉｇｓ系太陽電池
JP2016127129A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 株式会社マテリアル・コンセプト 太陽電池用保護ガラスおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03177568A (ja) 1991-08-01
JPH0780692B2 (ja) 1995-08-30
JP2917432B2 (ja) 1999-07-12
JP2917456B2 (ja) 1999-07-12
JPH03232746A (ja) 1991-10-16
JPH03164449A (ja) 1991-07-16
JP2669120B2 (ja) 1997-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5772862A (en) Film comprising silicon dioxide as the main component and method for its productiion
US6180247B1 (en) Thermally-insulating coating system
DK169758B1 (da) Artikel med høj transmission og lav emissivitet samt fremgangsmåde til dens fremstilling
EP0071865B1 (en) Glass body provided with an alkali diffusion-preventing silicon oxide layer
KR910001774B1 (ko) 내열성 필름의 부착방법 및 다층 저복사율 생성물의 제조방법
WO1991002102A1 (fr) Film base sur du dioxide de silicium et sa production
JP3453805B2 (ja) 透明導電膜
JPH07494B2 (ja) 高透過性及び低放射性を有する物品及びその製造方法
JP2917432B2 (ja) 電導性ガラスの製造方法
KR20030085524A (ko) 전극이 장착된 투명 기판
WO1999044080A1 (fr) Corps antireflecteur d'absorption de lumiere et procede de production de celui-ci
JPH0791089B2 (ja) 熱線反射ガラス
EP0657562A2 (en) Durable sputtered metal oxide coating
JP2001270740A (ja) ガラス物品及びディスプレイ用ガラス基板
CN88101655A (zh) 铋/锡氧化物喷镀膜
KR101797426B1 (ko) 코팅유리 및 그 제조방법
JPH02168507A (ja) フッ素ドープ酸化錫膜及びその低抵抗化方法
EP0705801B1 (en) Alkali metal diffusion barrier layer
HU223651B1 (hu) Bevonatos üvegtábla, és eljárás annak előállítására
JPH06191894A (ja) 電導性ガラス及びその製造方法
JPH0742572B2 (ja) 透明電導膜
JPH01227307A (ja) 透明導電体
JPS6230148B2 (ja)
CN1980868A (zh) 用于接受金属涂层并对所述涂层容易导致的着色具有抵抗力的玻璃板
JP3053669B2 (ja) 熱線遮断膜

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070830

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080830

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees