JPS6237529B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6237529B2
JPS6237529B2 JP60261110A JP26111085A JPS6237529B2 JP S6237529 B2 JPS6237529 B2 JP S6237529B2 JP 60261110 A JP60261110 A JP 60261110A JP 26111085 A JP26111085 A JP 26111085A JP S6237529 B2 JPS6237529 B2 JP S6237529B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
wafer
pattern
mirror
reference pattern
Prior art date
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Expired
Application number
JP60261110A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61166027A (ja
Inventor
Shinji Kunyoshi
Akihiro Takanashi
Tsuneo Terasawa
Toshishige Kurosaki
Sumio Hosaka
Yoshio Kawamura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60261110A priority Critical patent/JPS61166027A/ja
Publication of JPS61166027A publication Critical patent/JPS61166027A/ja
Publication of JPS6237529B2 publication Critical patent/JPS6237529B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Automatic Focus Adjustment (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体製造工程の中で、IC、LSI等
の半導体集積回路等のパターンをウエーハ上に直
接形成する製造工程に使用する縮小投影露光装置
の改良に関するものである。
〔発明の背景〕
従来の縮小投影露光装置においては、第1図に
示す光学系の構成により、ホトマスク1および縮
小レンズ2を介して、ウエーハ3の位置の相対検
出を行なつていた(特開昭57−142612号公報参
照)。通常、縮小投影露光装置ではホトマスク1
はレテイクルと呼ばれるので、以下本文中ではレ
テイクルと呼ぶ。すなわち、第1図に示す装置で
はライトガイド4により、ハーフミラー5、集光
レンズ6、ミラー7、レテイクル1、縮小レンズ
2を介してウエーハ3の局部照明を行なつてい
る。ウエーハ3からの反射光は縮小レンズ2を介
して、レテイクル1上の位置合せ基準パターン8
上に逆投影される。一方、もう1つのライトガイ
ド9により、ミラー10、集光レンズ11、ミラ
ー12を介してレテイクル1上の基準パターン8
の照明を行なう。そして、ウエーハ3の表面から
の反射光とレテイクル1の表面からの反射光とが
合成され、ミラー7、集光レンズ6、ハーフミラ
ー5を介して、検出器16に入射される。
しかしながら、本方式では第1図に示すように
多数の光学部品が必要となるだけでなく、装置構
成上、ライトガイド4による照明光は、ハーフミ
ラー5を介して集光レンズ6に集光させねばなら
ない。その結果、照明光の減衰は著しく大きくな
り、ウエーハ3上に到達する照度は、ライトガイ
ド4の出口の1/10程度となつていた。また、集光
レンズ6は検出器16の対物レンズを兼用してい
るが、装置構成上、作動距離の長いレンズを使用
しなければならない。その結果、ウエーハ3から
の反射光(ウエーハ3上のパターンによる反射光
20およびレテイクル上の位置合せ基準パターン
8のウエーハ3による反射光21)は、第3図a
に示すプロフアイルを有するが、このときウエー
ハによつては基準パターン8の反射光21の強度
が低下し、第3図bに示すようになり、基準パタ
ーン8が検出されなくなる。すなわち、検出パタ
ーンのコントラストが低下して、レテイクル上の
基準パターン8の検出ができなくなるという欠点
がある。
〔発明の目的〕 したがつて、本発明の目的は、縮小レンズを介
しなおかつコントラストの良いパターン検出光学
系を有し、ウエーハ位置の高精度の位置検出を可
能にした縮小投影露光装置を提供することにあ
る。
〔発明の概要〕
上記の目的を達成するために、本発明ではレテ
イクル上の位置合せの基準となるパターンと、縮
小レンズの入射瞳とを結ぶ光軸上であつて、レテ
イクルと縮小レンズとの間に検出光を分岐するた
めのハーフミラーを設けて縮小投影露光装置を構
成したことを特徴としている。さらに、本発明で
はウエーハ上のパターンを照明する集光レンズ
と、ウエーハ上のパターンを検出する対物レンズ
とを各々別々に設けてコントラストの良いパター
ン検出光学系を実現し、高精度パターン検出を可
能としたことを特徴としている。
〔発明の実施例〕
以下、本発明による縮小投影露光装置の一実施
例を第2図による説明する。同図において、レテ
イクル1の上部にはライトガイド4、集光レンズ
6、ミラー7のみを設け、レテイクル1と縮小レ
ンズ2との間にハーフミラー5を設ける。また、
ウエーハ3からの反射光がハーフミラー5により
分岐される光軸上に、対物レンズ13、パターン
検出器16を設ける。さらに、ライトガイド4に
よるレテイクル1上の基準パターン8の透過光が
ハーフミラー5により分岐した光軸上に投影レン
ズ14、ミラー15を設ける。
このように、かかる簡単な構成でウエーハ3お
よびレテイクル1上の位置合せパターン8を検出
することができる。すなわち、本実施例によれ
ば、ウエーハ3上のパターンが縮小レンズ2およ
びハーフミラー5により、対物レンズ13の焦点
位置に結像する。一方、同じ焦点位置にレテイク
ル1上の基準パターン8が、ハーフミラー5、投
影レンズ14、ミラー15により、投影結像され
る。このとき、レテイクル上の位置合せ基準パタ
ーン8の投影像の一部はハーフミラー5およびミ
ラー15で反射されてウエーハによる反射を要さ
ずに、対物レンズ13によりパターン検出器16
に投影されるので、その検出パターンのコントラ
スは第3図cの反射光22に示すように良い。し
たがつて、ウエーハ3上のパターンによる反射光
20との合成像も第3図dに示すように良好なコ
ントラストを有する。この合成像は、対物レンズ
13により拡大され、パターン検出器16にとり
込まれる。このとき、本発明によれば、作動距離
の短い、N.A.の大きな対物レンズを使用するこ
とができるので、解像力が良く、コントラストの
良い検出光学系を実現できる。さらに、ウエーハ
3を照明するライドガイド4、集光レンズ6から
成る照明光学系も、第2図に示すごとく、ライト
ガイド4の直後に集光レンズ6を設けることが可
能となり、ウエーハ3面での照度は従来構成に比
べ非常に明るくなり、ライトガイド4の1/2程度
の照度を有する照明光学系を容易に得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来のパターン検出光学系を含む縮
小投影露光装置の概念図、第2図は、本発明によ
るパターン検出光学系を含む縮小投影露光装置の
概念図、および第3図は従来技術と本願技術の効
果の差を説明するための図である。 1……レテイクル、2……縮小レンズ、3……
ウエーハ、4,9……ライトガイド、5……ハー
フミラー、6,11……集光レンズ、7,10,
12,15……ミラー、8……レテイクル上の基
準パターン、13……対物レンズ、14……投影
レンズ、16……パターン検出器、20……ウエ
ーハからの反射光パターン、21……レテイクル
上の基準パターンのウエハによる反射光パター
ン、22……レテイクル上の基準パターンのミラ
ーによる反射光と反射光21を重ね合わせたも
の。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 レテイクルおよびウエハを照明する照明光源
    と該ウエハの間にレテイクルを有し、該レテイク
    ルと該ウエハの間に、該レテイクル上のパターン
    の光像を縮小して該ウエハ上に投影する光学系を
    有し、さらに該レテイクル上の位置合わせ基準パ
    ターンの光像およびウエハ上の位置合わせパター
    ンの光像を検出する光検出器を有する縮小投影露
    光装置において、上記レテイクル上の位置合わせ
    基準パターンが、該レテイクル上の位置合わせ基
    準パターンの位置と上記ウエハ上の位置合わせパ
    ターンの位置を、上記光学系を介して結ぶ光軸上
    であつて、かつ、上記レテイクルと該ウエハの間
    に、上記照明光による上記レテイクル上の基準パ
    ターンの光像の一部を、上記光軸の方向(以下、
    第1の方向と記す)以外の方向(以下、第2の方
    向と記す)に反射せしめるハーフミラーと、該ハ
    ーフミラーの第2の方向の位置にあつて、該第2
    の方向の光を該第2の方向へ反射させるように設
    けられたミラーを有し、かつ、該第2の方向であ
    つて、上記ハーフミラーに対して上記ミラーと反
    対の位置に、該ミラーにより反射された上記レテ
    イクル上の基準パターンの光像、および該ハーフ
    ミラーによつて該第2の方向へ反射された上記ウ
    エハ上の位置合わせパターンの光像を検知する光
    検知器を有することを特徴とする縮小投影露光装
    置。
JP60261110A 1985-11-22 1985-11-22 縮小投影露光装置 Granted JPS61166027A (ja)

Priority Applications (1)

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JP60261110A JPS61166027A (ja) 1985-11-22 1985-11-22 縮小投影露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60261110A JPS61166027A (ja) 1985-11-22 1985-11-22 縮小投影露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61166027A JPS61166027A (ja) 1986-07-26
JPS6237529B2 true JPS6237529B2 (ja) 1987-08-13

Family

ID=17357223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60261110A Granted JPS61166027A (ja) 1985-11-22 1985-11-22 縮小投影露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61166027A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04136716U (ja) * 1991-06-12 1992-12-18 三菱農機株式会社 作業用走行車におけるアクセル機構の無人操作装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2845603C2 (de) * 1978-10-19 1982-12-09 Censor Patent- und Versuchs-Anstalt, 9490 Vaduz Verfahren und Einrichtung zum Projektionskopieren
JPS56110234A (en) * 1980-02-06 1981-09-01 Canon Inc Projection printing device

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JPH04136716U (ja) * 1991-06-12 1992-12-18 三菱農機株式会社 作業用走行車におけるアクセル機構の無人操作装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61166027A (ja) 1986-07-26

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